JPS61130346A - 樹脂薄膜 - Google Patents
樹脂薄膜Info
- Publication number
- JPS61130346A JPS61130346A JP59251291A JP25129184A JPS61130346A JP S61130346 A JPS61130346 A JP S61130346A JP 59251291 A JP59251291 A JP 59251291A JP 25129184 A JP25129184 A JP 25129184A JP S61130346 A JPS61130346 A JP S61130346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- transmittance
- film
- cellulose
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は連索１外領域の光線に対する透過率及び耐久性
にすぐれた樹脂薄膜に関し、集積回路製造用の焼付露光
装置における防塵用に使用する樹脂薄膜に関するもので
ある。
にすぐれた樹脂薄膜に関し、集積回路製造用の焼付露光
装置における防塵用に使用する樹脂薄膜に関するもので
ある。
集積回路の製造に使用する焼付露光装置において、フォ
トマスクの画像面にゴミが付着すると、ゴミの像もまた
レジスト面上に投影され、欠陥情報を焼付けることにな
る。この対策として、フォトマスクの画像面側の光路中
に樹脂薄膜を挿入して、ゴミの付着から、フォトマスク
を保護する方法が考えられている０この場合ゴミはフォ
トマスク画像面上に付着するかわシに、樹脂薄膜の表面
に付着するが、フォトマスク画像面と樹脂薄膜の間に一
定の間隔をおくことにより、ゴミの像は、レジスト面上
に結儂しないようになる。即ち、アットフォーカシング
することができる（特公昭５４−２８７１６．４Ｉ開昭
５８−１９６５０１．特開昭５ａ−ｚ１９ｏｚ３）。
トマスクの画像面にゴミが付着すると、ゴミの像もまた
レジスト面上に投影され、欠陥情報を焼付けることにな
る。この対策として、フォトマスクの画像面側の光路中
に樹脂薄膜を挿入して、ゴミの付着から、フォトマスク
を保護する方法が考えられている０この場合ゴミはフォ
トマスク画像面上に付着するかわシに、樹脂薄膜の表面
に付着するが、フォトマスク画像面と樹脂薄膜の間に一
定の間隔をおくことにより、ゴミの像は、レジスト面上
に結儂しないようになる。即ち、アットフォーカシング
することができる（特公昭５４−２８７１６．４Ｉ開昭
５８−１９６５０１．特開昭５ａ−ｚ１９ｏｚ３）。
この目的に使用する樹脂薄を膜は、露光に使用する光線
に対する透過率が高いことが必要である。また厚みは、
１０μｍ以下であり、且つ全域にわたって、均一な厚み
であること、充分な自己支持性のあることなども必要な
条件である。
に対する透過率が高いことが必要である。また厚みは、
１０μｍ以下であり、且つ全域にわたって、均一な厚み
であること、充分な自己支持性のあることなども必要な
条件である。
樹脂薄膜の光線透過率に関しては、この値が低いと、レ
ジスト面に到達するエネルギーが低くなシ損失となる。
ジスト面に到達するエネルギーが低くなシ損失となる。
薄膜の光線透過率を低下させる原因としては３つ考えら
れる０ ■ 薄膜材料による光の吸収 ■ 透過光の干渉 ■ 膜面での反射 ■の問題は材料自身の光化学的特性に基因するもので材
料の選択が本発明の要旨でもある。
れる０ ■ 薄膜材料による光の吸収 ■ 透過光の干渉 ■ 膜面での反射 ■の問題は材料自身の光化学的特性に基因するもので材
料の選択が本発明の要旨でもある。
■は、膜表面が平滑であり、且つ膜表面が光路に対し垂
直に置かれることによシその影響は最小になる。■に関
しては、薄膜に対して垂直に入射する光のうち、大部分
の光は薄膜を直進透過する（主光線）のく対し、一部の
光は樹脂／空気界面で２回反射して直進する。このとき
２回反射光は、主光線に対し膜厚の２倍だけの光路差を
生じ、互に干渉する。即ち、互いに強め合う波長域と、
弱め合う波長域が交互に出現する。過賞、この干渉が光
線透過率に与える影響は干渉による振幅の中心値に対し
てほぼ１８％以内であり、可視光線に透明且つ、厚みむ
らが非常に小さい膜においては可視〜近紫外領域におい
てその干渉の大きさはほぼ一定である。従って分光光度
計で得られる透過率曲線の干渉による振幅の略中心値を
以て光線透過率と表示して実用上差支えない。従って、
本発明において。
直に置かれることによシその影響は最小になる。■に関
しては、薄膜に対して垂直に入射する光のうち、大部分
の光は薄膜を直進透過する（主光線）のく対し、一部の
光は樹脂／空気界面で２回反射して直進する。このとき
２回反射光は、主光線に対し膜厚の２倍だけの光路差を
生じ、互に干渉する。即ち、互いに強め合う波長域と、
弱め合う波長域が交互に出現する。過賞、この干渉が光
線透過率に与える影響は干渉による振幅の中心値に対し
てほぼ１８％以内であり、可視光線に透明且つ、厚みむ
らが非常に小さい膜においては可視〜近紫外領域におい
てその干渉の大きさはほぼ一定である。従って分光光度
計で得られる透過率曲線の干渉による振幅の略中心値を
以て光線透過率と表示して実用上差支えない。従って、
本発明において。
特定の波長に対する薄膜の光線透過率とは、その干渉振
幅の中心値を以てその波長光の透過率を云りものと規定
する。
幅の中心値を以てその波長光の透過率を云りものと規定
する。
従来焼付露光装置に使用する樹脂薄膜は、近紫外領域の
光線に対し、透過率のよいものが使用されて来た。
光線に対し、透過率のよいものが使用されて来た。
特公昭５４−２８７１６には、ポリオキシエチレンテレ
フタレート、硝酸セルロース、パリレンを適当な材料と
して記述している。また。
フタレート、硝酸セルロース、パリレンを適当な材料と
して記述している。また。
特開昭５８−２１９０２３には、硝酸セルロースのほか
、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、 酪ｌ１
６酸セルロースなどのセルロースエステル類が用い得る
と記載している。従来の可視〜近紫外光から、よシ短波
長の遠紫外光へと光源が変更された場合、レジスト層の
感光性もそれに応じ九ものとする必要があるが、元来、
短波長側の光はエネルギーが大きいので、レジスト層の
対応は比較的容易である。しかしながら防塵用薄膜につ
いては、二重の問題が生じて来る。
、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、 酪ｌ１
６酸セルロースなどのセルロースエステル類が用い得る
と記載している。従来の可視〜近紫外光から、よシ短波
長の遠紫外光へと光源が変更された場合、レジスト層の
感光性もそれに応じ九ものとする必要があるが、元来、
短波長側の光はエネルギーが大きいので、レジスト層の
対応は比較的容易である。しかしながら防塵用薄膜につ
いては、二重の問題が生じて来る。
第一は、一般に可視光線には透明な材料であっても、紫
外光領域には、吸収があり、薄膜を透過することによっ
て、露光エネルギーの損失がある。第二に薄膜材料の紫
外光吸収は、薄膜材料自身の劣化を招来する。従来公知
のポリエステル、パリレンは紫外光の透過率が低く、ニ
トロセルロースは前二者に比べると透過率はよｒが、照
射による品質劣化が速く、繰返し使用による寿命が極め
て短い。
外光領域には、吸収があり、薄膜を透過することによっ
て、露光エネルギーの損失がある。第二に薄膜材料の紫
外光吸収は、薄膜材料自身の劣化を招来する。従来公知
のポリエステル、パリレンは紫外光の透過率が低く、ニ
トロセルロースは前二者に比べると透過率はよｒが、照
射による品質劣化が速く、繰返し使用による寿命が極め
て短い。
本発明はこれらの問題点を解決し、遠紫外光を光源とす
る焼付露光装置にも対応しうる防塵用薄膜を提供しよう
とするものである。
る焼付露光装置にも対応しうる防塵用薄膜を提供しよう
とするものである。
発明者らは、流延法による製膜が可能であり、且つ透明
性の良い樹脂材料を用いて薄膜に成形し、２００ｎｍま
での遠紫外領域を含む分光光線に対する透過率を測定し
た。また遠紫外光を光源として露光試験を行い、外観、
赤外吸収スペクトル、光線透過率などの変化をしらぺた
。使用した露光光源は低圧水銀灯の２５ａｎｍ光である
。
性の良い樹脂材料を用いて薄膜に成形し、２００ｎｍま
での遠紫外領域を含む分光光線に対する透過率を測定し
た。また遠紫外光を光源として露光試験を行い、外観、
赤外吸収スペクトル、光線透過率などの変化をしらぺた
。使用した露光光源は低圧水銀灯の２５ａｎｍ光である
。
その結果、Ｇ線付近の光に対しては、９０％以上の透過
率を示す薄膜であって、 ２５４１１ｍ付近の光に８０
％以上の透過率を示すものとして、酢酸セルロース、フ
ロピオン酸セルロース、酪酸酢酸セルロース、エチルセ
ルロース、シアノエチルセルロースなどが得られた。し
かし、２５４ｎｍ光の曝露に対する耐久性は、シアノエ
チルセルロースが最も優れていた。紫外線透過率はシア
ンエチルセルロースよυも酢酸セルロースなどのセルロ
ースエステルの方が優れているにもかかわらず、耐久性
がやや低いのは、露光によって生じる光化学的分解反応
の童子収率が、セルロースエステルにおいて、より大き
いためと考えられる。
率を示す薄膜であって、 ２５４１１ｍ付近の光に８０
％以上の透過率を示すものとして、酢酸セルロース、フ
ロピオン酸セルロース、酪酸酢酸セルロース、エチルセ
ルロース、シアノエチルセルロースなどが得られた。し
かし、２５４ｎｍ光の曝露に対する耐久性は、シアノエ
チルセルロースが最も優れていた。紫外線透過率はシア
ンエチルセルロースよυも酢酸セルロースなどのセルロ
ースエステルの方が優れているにもかかわらず、耐久性
がやや低いのは、露光によって生じる光化学的分解反応
の童子収率が、セルロースエステルにおいて、より大き
いためと考えられる。
本発明はかかる知見に基いてなされたものであって、０
．５〜１０μｍの範囲内で一定の厚みを有し、３５０〜
５００ｎｍの範囲の光線透過率が８８％以上であり且つ
２５０〜３５０ｎｍの光線透過率が８０％以上であるシ
アンエチルセルロースＦｌ、導体からなる樹脂薄膜を提
供するものである。
．５〜１０μｍの範囲内で一定の厚みを有し、３５０〜
５００ｎｍの範囲の光線透過率が８８％以上であり且つ
２５０〜３５０ｎｍの光線透過率が８０％以上であるシ
アンエチルセルロースＦｌ、導体からなる樹脂薄膜を提
供するものである。
本発明に用いるシアノエチルセルロース誘導体とは、重
合度５０〜１５００ 、合計置換度２．０−３．０のセ
ルロースエーテルあるいはセルロースエステルエーテル
であって、置換基としてはシアノエチル基（−〇Ｈ２Ｃ
Ｈ２ＯＮ）のみでもよいが、これに加えて置換度１．０
以下の０ｎＨ２ｎ＋ｌ （ｎ ＝１〜５）で表わされる
アルキル基、置換度１．０以下のＣｎＨ２ｎ＋１Ｏ−（
ｎ＝１〜１ｏ）テ表ワサ韮 れるアシル基、置換度１．０以下のＨｏＣｎＨ２ｎ−（
ｎ＝１〜４）で表わされるヒドロキシアルキル基、置換
度１．０以下のＯｎ’ｚｎ＋ｔ’−（ｎ ＝ １〜２０
）〇 で表わされるパーフルオロアシル基、置換＆１．００〜
５）で表わされる置換基を有するものを含む。上記シア
ノエチルセルロース誘導体は適当な揮発性溶媒、即ち、
アセトン、アセトニトリル、ピリジン、ジメチルホルム
アミド、ニトロメタン、ジメチルスルホキシド等の一種
又は二種以上の混合溶媒を用い、特開昭５８−２１９０
２３に開示された方法を用いて製膜する。
合度５０〜１５００ 、合計置換度２．０−３．０のセ
ルロースエーテルあるいはセルロースエステルエーテル
であって、置換基としてはシアノエチル基（−〇Ｈ２Ｃ
Ｈ２ＯＮ）のみでもよいが、これに加えて置換度１．０
以下の０ｎＨ２ｎ＋ｌ （ｎ ＝１〜５）で表わされる
アルキル基、置換度１．０以下のＣｎＨ２ｎ＋１Ｏ−（
ｎ＝１〜１ｏ）テ表ワサ韮 れるアシル基、置換度１．０以下のＨｏＣｎＨ２ｎ−（
ｎ＝１〜４）で表わされるヒドロキシアルキル基、置換
度１．０以下のＯｎ’ｚｎ＋ｔ’−（ｎ ＝ １〜２０
）〇 で表わされるパーフルオロアシル基、置換＆１．００〜
５）で表わされる置換基を有するものを含む。上記シア
ノエチルセルロース誘導体は適当な揮発性溶媒、即ち、
アセトン、アセトニトリル、ピリジン、ジメチルホルム
アミド、ニトロメタン、ジメチルスルホキシド等の一種
又は二種以上の混合溶媒を用い、特開昭５８−２１９０
２３に開示された方法を用いて製膜する。
本発明の樹脂薄膜は、光源として遠紫外光を用いた焼付
露光装置に好適な防塵用薄膜を提供するものであるが、
従来の高圧水銀灯からの可視〜近紫外領域の光線を光源
とする露光装置においても有利に使用することができる
０例えば高圧水銀灯の分光分布では、Ｇ線、Ｒ線、工線
以外にもより短波長側にも強い放射光分布を有しており
例えばそのうち５１３ｎｍ以短の光線を併せて光源とし
て使用する露光方法もグロジエクション方式の場合に行
われており、この場合でも従来の防塵用膜では寿命が短
いことが指摘されていた。本発明の樹脂薄膜はこのよう
な場合にも有利に使用できる。
露光装置に好適な防塵用薄膜を提供するものであるが、
従来の高圧水銀灯からの可視〜近紫外領域の光線を光源
とする露光装置においても有利に使用することができる
０例えば高圧水銀灯の分光分布では、Ｇ線、Ｒ線、工線
以外にもより短波長側にも強い放射光分布を有しており
例えばそのうち５１３ｎｍ以短の光線を併せて光源とし
て使用する露光方法もグロジエクション方式の場合に行
われており、この場合でも従来の防塵用膜では寿命が短
いことが指摘されていた。本発明の樹脂薄膜はこのよう
な場合にも有利に使用できる。
また、従来の露光装置で、高圧水銀灯を使用する場合、
積極的に遠紫外領域の光を利用するものではなくてもフ
ィルターにょる遠紫外光の遮断が充分でないとやはシ防
塵用薄膜の使用寿命が短い傾向があった。この場合でも
、本発明の薄膜は寿命を長く使用することができる。
積極的に遠紫外領域の光を利用するものではなくてもフ
ィルターにょる遠紫外光の遮断が充分でないとやはシ防
塵用薄膜の使用寿命が短い傾向があった。この場合でも
、本発明の薄膜は寿命を長く使用することができる。
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが１本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例
シアンエチルセルロース（置換度２．５．ｉ今度２５０
） ｙ ｔ、シクロヘキサノン５ａｔ１アセ）’ ７
５０ ｆ カラなるシアノエチルセルロース溶液をクリ
アランス５０μｍのバーコーターを用いて平滑なガラス
板上に塗布し、２４時間呈室温２３℃）に放置乾燥し、
更に５０℃で９０分乾燥した。
） ｙ ｔ、シクロヘキサノン５ａｔ１アセ）’ ７
５０ ｆ カラなるシアノエチルセルロース溶液をクリ
アランス５０μｍのバーコーターを用いて平滑なガラス
板上に塗布し、２４時間呈室温２３℃）に放置乾燥し、
更に５０℃で９０分乾燥した。
乾燥フィルム化したシアノエチルセルロースをガラス板
ごと静かに清浄な水中に浸漬した。
ごと静かに清浄な水中に浸漬した。
しばらく放置するとシアノエチルセルロースが自然に剥
離するのでこれを回収した。室温で乾燥し、厚さ約５μ
ｍのフィルムを得た。得られたフィルムを適当な枠で支
持し、１９０ｎｍ〜７００ｎｍの分光光線透過率及び赤
外吸収スペクトルを測定した。更に同じフィルムを低圧
水銀灯（２５４ｎｍ光、照度１ 、８ｍＷ ／ｃｍ２）
で連続照射し；１００Ｗ−秒／驚２．２５０ ｉｆ・秒
／−２及び４００ Ｗ・秒／驚２の経時変化を調べた。
離するのでこれを回収した。室温で乾燥し、厚さ約５μ
ｍのフィルムを得た。得られたフィルムを適当な枠で支
持し、１９０ｎｍ〜７００ｎｍの分光光線透過率及び赤
外吸収スペクトルを測定した。更に同じフィルムを低圧
水銀灯（２５４ｎｍ光、照度１ 、８ｍＷ ／ｃｍ２）
で連続照射し；１００Ｗ−秒／驚２．２５０ ｉｆ・秒
／−２及び４００ Ｗ・秒／驚２の経時変化を調べた。
通常の焼付露光装置の１シヨツトは５０ ｍ Ｗ ／
０１２Ｘ １秒程度であるので１０”ショットは５００
Ｗ・秒／俤２の露光に相轟する。
０１２Ｘ １秒程度であるので１０”ショットは５００
Ｗ・秒／俤２の露光に相轟する。
比較例
実施例のシアノエチルセルロースに代えて下記の樹脂材
料を同様に製膜した。材料と製膜条件を以下に示す。
料を同様に製膜した。材料と製膜条件を以下に示す。
エチルセルロース（タウケミカル製ｓｒＤ＋ｏ）１０
ｆ／トｋｘ７２０ Ｆ 、キシレフ５Ｑｆ、ブタノール
３０ｆ、エタノール２０１ 酪酸酢酸セルロース（イーストマンコダック製＋５ｓ１
） １ｏ ｔ ７シクロへキサノン５０Ｆ。
ｆ／トｋｘ７２０ Ｆ 、キシレフ５Ｑｆ、ブタノール
３０ｆ、エタノール２０１ 酪酸酢酸セルロース（イーストマンコダック製＋５ｓ１
） １ｏ ｔ ７シクロへキサノン５０Ｆ。
酢酸ブチル５０ｆ
プロピオン酸セルロース（イーストマンコダツク製す４
８２−２０ ） １ｏ ｔ／ｙクロヘキサノンＳａｔ、
酢酸ブチル５０を 酢酸セルロース（ダイセル化学製Ｌ −２０）１０ｔ／
シクロヘキサノン１００ｆ 硝酸セルロース（ダイセル化学製Ｒ８−７゜インプロパ
ノール３０％含有湿Ｍ）１４．３Ｆ／シクロヘキサノン
４３ｆ、酢酸ブチル４５を実施例と同様に分光光線透過
率、赤外吸収スペクトル、低圧水銀灯照射による経時変
化を測定した。
８２−２０ ） １ｏ ｔ／ｙクロヘキサノンＳａｔ、
酢酸ブチル５０を 酢酸セルロース（ダイセル化学製Ｌ −２０）１０ｔ／
シクロヘキサノン１００ｆ 硝酸セルロース（ダイセル化学製Ｒ８−７゜インプロパ
ノール３０％含有湿Ｍ）１４．３Ｆ／シクロヘキサノン
４３ｆ、酢酸ブチル４５を実施例と同様に分光光線透過
率、赤外吸収スペクトル、低圧水銀灯照射による経時変
化を測定した。
これらの結果を第１表にまとめて示す。
硝酸セルロースを例にとって説明すると以下のようであ
る。
る。
硝酸セルロースは、 Ｇ、Ｈ，工線混合光を用いた照射
に対しては５００Ｗ・秒の照射によっても外観、赤外吸
収スペクトルとも変化なく、近紫外光を光源とする焼付
露光装置において、充分な寿命を有していることと対応
する。しかしながら、遠紫外光の照射では僅か１ＯＷ・
秒で破壊した。その間の赤外吸収スペクトルは１６５０
ｃｉ’。
に対しては５００Ｗ・秒の照射によっても外観、赤外吸
収スペクトルとも変化なく、近紫外光を光源とする焼付
露光装置において、充分な寿命を有していることと対応
する。しかしながら、遠紫外光の照射では僅か１ＯＷ・
秒で破壊した。その間の赤外吸収スペクトルは１６５０
ｃｉ’。
１２８０（ＩＩ””の吸収が減少し１７１ （Ｆｌ−１
，３４００偏−１の吸収が増大し、著しく変化した。こ
れに対しシアノエチルセルロースは、遠紫外光の照射に
実用上充分な耐久性を有するものであることがみとめら
れた。
，３４００偏−１の吸収が増大し、著しく変化した。こ
れに対しシアノエチルセルロースは、遠紫外光の照射に
実用上充分な耐久性を有するものであることがみとめら
れた。
第１図、第２図、第５図は、それぞれシアノエチルセル
ロース、酢酸セルロース、硝酸セルロースの厚さ約５μ
ｍの試料薄膜の分光光線透過率曲線である。
ロース、酢酸セルロース、硝酸セルロースの厚さ約５μ
ｍの試料薄膜の分光光線透過率曲線である。
Claims (1)
- ０．５〜１０μｍの範囲内で一定の厚みを有し、３５０
〜５００ｎｍの光線透過率が８８％以上であり且つ２５
０〜５５０ｎｍの光線透過率が８０％以上である、シア
ノエチルセルロース誘導体からなる樹脂薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251291A JPS61130346A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 樹脂薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59251291A JPS61130346A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 樹脂薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61130346A true JPS61130346A (ja) | 1986-06-18 |
| JPH0461892B2 JPH0461892B2 (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=17220618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59251291A Granted JPS61130346A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 樹脂薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61130346A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0314418A2 (en) * | 1987-10-26 | 1989-05-03 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Dust-proof film |
| US5490035A (en) * | 1993-05-28 | 1996-02-06 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Cyanoresin, cyanoresin/cellulose triacetate blends for thin film, dielectric capacitors |
| US7542265B2 (en) | 2006-11-28 | 2009-06-02 | General Electric Company | High energy density capacitors and methods of manufacture |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP59251291A patent/JPS61130346A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0314418A2 (en) * | 1987-10-26 | 1989-05-03 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Dust-proof film |
| US5490035A (en) * | 1993-05-28 | 1996-02-06 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Cyanoresin, cyanoresin/cellulose triacetate blends for thin film, dielectric capacitors |
| US7542265B2 (en) | 2006-11-28 | 2009-06-02 | General Electric Company | High energy density capacitors and methods of manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0461892B2 (ja) | 1992-10-02 |
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