JPS61130323A - ポリアミドイミド樹脂組成物の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は電気絶縁ワニス等として有用なポリアミドイミ
ド樹脂組成物およびその製造方法に関する。

［発明の技術的背景とその問題点］ 省資源、省エネルギーの必要性と周辺機器の小型化、軽
量化に伴ない電気機器自体の高性能、小型化が進められ
ている近年において、耐熱性、機械的特性、電気的特性
、経済性のバランスのとれているポリアミドイミド樹脂
は電気絶縁ワニスを始めとする絶縁材料の分野において
その重要性が増大している。

従来、トリメリット酸無水物と芳香族ジイソシアネート
を、例えばＮ−メチル−２−ビＯリドン、ジメチルアセ
トアミド等の非プロトン系極性溶媒中で反応させること
により高重合度のポリアミドイミド樹脂組成物が得られ
ることは公知である（例えば特公昭４４−１９２７４号
）。

しかし、この方法は用いられる極性溶媒の吸湿性が強い
ため疑似ゲル化現象、白濁現象等がワニス使用時に起り
易いことからワニスの保管、管理が困難であるという難
点を有していた。さらに特殊な非プロトン系極性溶媒を
用いるためワニスの価格が高くなり工業的有用性に乏し
いという難点もあった。

このため電気絶縁ワニスの溶媒として極めて一般的に用
いられているフェノール系溶媒を用いたポリアミドイミ
ド樹脂の提案が多くなされている（例えば特公昭５１−
２３９９９号、特公昭５６−１７３７４号、特公昭５６
−２２３３０号、特公昭５６−３４２１０号）。

しかし、単にトリメリット酸無水物と４．４’　−ジフ
ェニルメタンジイソシアネートのような芳香族ジイソシ
アネートをフェノール系溶媒中で反応させポリアミドイ
ミド樹脂を得ようとしても白濁沈澱してしまうか又は均
一溶液を得ようとしてフェノール系溶媒の沸点以上の高
温下で反応させても末端にアリールエステル等が生成し
てしまい実用的な絶縁ワニスに供しうる高分子量ポリマ
ーが得られないのが実状である。

ま、た脂肪族ジカルボン酸、ラクタム等を用いた場合、
フェノール系溶媒に対する溶解性は向上するものの耐熱
性、特に絶縁電線とした時の耐熱軟化温度が芳香族ポリ
アミドイミド樹脂と比較して劣るという難点を有してい
る。

ポリアミドイミド樹脂組成物を得る方法として、四塩基
酸無水物又はその誘導体と二塩基酸又はその誘導体との
混合物からなる多価カルボン酸成分と、ポリイソシアネ
ート又はその誘導体を反応させる方法は公知であるが、
二塩基酸又はその誘導体として芳香族二塩基酸を用いる
と、その低い反応性のため実用に供しつる高分子の樹脂
組成物を得られないのが実状である。

［発明の目的］ 本発明者は二塩基酸と四塩基１１［水物と芳香族ポリイ
ソシアネートの反応を種々検討したところ、ポリアミド
樹脂共存下の反応において極めて高重合度のポリマーが
得られること、および共存するポリアミド樹脂と生成、
した芳香族ポリアミドイミド樹脂が一体となり耐熱性、
溶解性に優れた新規なポリアミドイミド樹脂が得られる
こと、および該樹脂のフェノール系溶液中にフェノール
類でマスクされた芳香族ポリイソシアネートを配合する
ことにより製膜性の優れた樹脂が得られることを見出し
た。

本発明はかかる知見に基づいてなされたもので、上記の
欠点の解消されたポリアミドイミド樹脂組成物およびそ
の製造方法を提供することを目的と′する。

［発明の概要］ すなわち本発明は、（イ）四塩基酸無水物又はその誘導
体および二塩基酸又はその誘導体からなる多価カルボン
酸成分と、（ロ）ポリイソシアネート又はその誘導体と
を、ポリアミド樹脂共存下において反応させてなるポリ
アミドイミド樹脂組成物、並びにｌｉ７記のポリアミド
イミド樹脂ｔｌＩＩｉ物に、更にフェノール類でマスク
された芳香族ポリイソシアネートを配合してなるポリア
ミドイミド樹脂組成物およびこれらの製造方法を提供し
ようとするものである。

本発明に使用される四基ＭＭ無水物又はその誘導体は、
例えばビロメット酸無水物、 ３．３’　、４．４’　−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸無水物、３．３’　、４．４’　−ジフェニルテト
ラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸無水
物、ブタンテトラカルボン酸無水物等の酸無水物又は酸
、エステル等の誘導体がある。

また、四塩基酸無水物又はその誘導体と併用して使用さ
れる二塩基酸又はその誘導体としては、例えばシュウ酸
および（丁）式で示される二塩基酸、二塩基酸エステル
等がある。

Ｒ１００Ｃ−Ｒ２−ＧＯＯＲ＋　　・−・（Ｉ）これら
二塩基酸又はその誘導体の中でも耐熱性の観点より芳香
族二塩基酸又はその誘導体が特に好適である。

四塩基酸無水物又はその誘導体と二塩基酸又はその誘導
体との使用割合は、ポリアミドイミド樹脂組成物の使用
目的に応じて変えることができるが、電気絶縁ワニスと
して好適な範囲は四塩基酸無水物又はその誘導体が３０
〜７０モル％、二塩基酸又はその誘導体が７０〜３０モ
ル％の範囲である。

すなわち、四塩基酸無水物又はその誘導体が７０モル％
を越えるとイミド成分過剰となり溶解性が低下する反面
、二塩基酸又はその誘導体が７０モル％を越えるとアミ
ド結合が増加し耐熱性が低下するようになる。

本発明に使用するポリイソシアネート又はその誘導体と
しては、脂肪族、脂環族、芳香族のジイソシアネートが
主に用いられる。

適当なジイソシアネートとしては、例えばエチレンジイ
ソシアネート、トリメチレンジイソシアネートテトラメ
チレンジイソシアネート、ペンタメチレンジイソシアネ
ートヘキサメチレンジイソシアネート、ヘプタメチレン
ジイソシアネートオクタメチレンジイソシアネートノナ
メチレンジイソシアネート、デカメチレンジイソシアネ
ートトリメチルへキサメチレンジイソシアネート、モル
フォリンジイソシアネート、シクロヘキサンジイソシア
ネート　３．９−ビス（３−イソシアン酸プロピル）　
２，４，８．１０−テトラオキサスピロ［５・　５］ウ
ンデカン、４．４′　−ジフェニルメタンジイソシアネ
ート、４，４′　−ジフェニルエーテルジイソシアネー
ト、４．４′　−ジフェニルプロパンジイソシアネート
、４．４′　−ジフェニルスルホンジイソシアネート、
３．３′　−ジフェニルスルホンジイソシアネート、４
．４′　−ジフェニルスルフイツトジイソシアネート、
３．３′　−ジメチル−４，４′　−ジフェニルメタン
ジイソシアネート、３．３′　−ジクロロ−４，４′　
−ジフェニルメタンジイソシアネート、３．３′　−ジ
メチル−４，４′　−ビスフェニルジイソシアネート、
３．３′　−ジメトキシ−４，４′　−ごスフェニルジ
イソシアネート、４．４′−ビスフェニルジイソシアネ
ート、ｍ−フェニレンジインシアネート、ｐ−フェニレ
ンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネー
ト、２．６−　トリレンジイソシアネート、ｌ−キシリ
レンジイソシアネート、ｐ−キシリレンジイソシアネー
ト等があり、これらは単独又は混合して使用することが
できる。

ジイソシアネート以外のポリイソシアネートとしては、
例えば、−ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネー
ト、４．４’　、４“−トリイソシアネートトリフェニ
ルメタン、２．２’　、５．５’　−テトライソシアネ
ート−４，４’　−ジメチルジフェニルメタン、２，４
．４’　−ジフェニルエーテルトリイソシアネート、ト
リス（４−メチル−３−イソシアネートフェニル）イソ
シアヌレート等をあげることができる。

また゛、ポリイソシアネートのイソシアネート基をフェ
ノール、クレゾール、キシレノール等でマスクしたポリ
イソシアネート誘導体も使用することができる。

これらのポリイソシアネートは得られるポリアミドイミ
ド樹脂組成物の耐熱性、機械的性質等の要求特性により
適宜選択されるが、電気絶縁ワニスとして特に要求され
る絶縁皮膜の耐熱性、機械的特性、経済性の点から芳香
族ジイソシアネート類が好ましく、更にその中で４，４
′　−ジフェニルメタンジイソシアネート、２．４−ト
リレンジイソシアネート、２．６−　トリレンジイソシ
アネート、層−キシリレンジイソシアネート、ｐ−キシ
リレンジイソシアネート、４．４′　−ジフェニルエー
テルジイソシアネート又はこれらのジイソシアネートが
フェノール類でマスクされた誘導体を単独又は混合して
使用することが前記特性を具現化する上で特に好ましい
。

四層Ｍ酸無水物又はその誘導体と二塩基酸又はその誘導
体とポリイソシアネート又はその誘導体との反応に際し
一共存されるポリアミド樹脂としては、ポリマー鎖の主
要な一部分としてアミド基が繰返されていて、かつアル
キレン基が結合されたものが多数集まってできた線状合
成高分子である通常分子ｍ　ｉｏ、ｏｏｏ以上のナイロ
ンを使用することができる。

そのようなナイロンとしては、例えばナイロン６、ナイ
ロン６６、ナイロン６１０、ナイロン１１、ナイロン１
２、および２種以上のホモナイロンのモノマーを混合し
て重合させることにより得られる共重合ナイロン等があ
り、これらは単独又は混合して使用される。

四塩基酸無水物又はその誘導体と二塩基酸又はその誘導
体とポリイソシアネート又はその誘導体とのポリアミド
樹脂共存下における反応は、有機溶媒の存在下において
　１５０〜２５０℃の温度で２〜２０時間反応せしめる
ことにより行なわれる。

本発明に好適な有機溶媒としては、フェノール、０−ク
レゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、各種のキ
シレノール酸、各種のクロルフェノール類、ニトロベン
ゼン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホルア
ミド、ジメチルスルホオキサイド等があり、これらと併
用できる溶媒としては、ベンゼン、トルエン、＾沸点炭
化水素類（例えば丸善石油製スワゾール１０００、スワ
ゾール１５００、日本石油製日石ハイゾール１００、等
〉、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
等がある。

特に好ましい反応溶媒は、出発物質に対する溶解性、お
よび得られる樹脂溶液の安定性、成膜性、経済性等の見
地からフェノール、クレゾール、キシレノール等のフェ
ノール系溶媒であり、電気絶縁ワニスとして用いられる
場合の溶媒には、前記フェノール系溶媒と高沸点の芳香
族炭化水素系溶媒の混合物が好適である。

（イ）の四塩基酸無水物又はその誘導体と二塩基酸又は
その誘導体と、（ロ）のポリイソシアネート又はその誘
導体との使用割合は、四塩基酸無水物又はその誘導体お
よび二基Ｎ酸又はその誘導　　　□体をそれぞれ２当饅
として、ポリイソシアネート又はその誘導体のイソシア
ネート基当り１当量とした場合、酸成分とイソシアネー
ト成分が当量化で１対１が好ましい。

しかし、いずれか一方の１０当量％以下の過剰は許容さ
れる範囲である。

本反応におけるポリアミド樹脂の働きは明確ではないが
、四塩基酸無水物又はその誘導体と二塩基酸又はその誘
導体とポリイソシアネート又はその誘導体との反応を著
るしく促進すること、得られた樹脂が優れた溶解性を示
すこと、および赤外チャート、熱重量分析等から生成し
た芳香族ポリアミドイミド樹脂と合成時に使用したポリ
アミド樹脂が相互に反応し一体化していることが推測さ
れることから、四塩基酸無水物又はその誘導体と二塩基
酸又はその誘導体とポリイソシアネート又はその誘導体
との反応において、ポリアミド樹脂がマトリックス効果
を示すと同時にポリアミド樹脂のアミド基を中心に高分
子反応が起っているものと考えられる。

このため、ポリアミド樹脂の使用割合はマトリックス効
果を発現させるのに充分な量又は得られる樹脂の使用目
的、要求特性に応じて変えることができる。例えば電気
絶縁ワニスとして使用する場合、樹脂分全体に対し３〜
４０重量％が好適である。３重量％未満であると充分な
マトリックス効果を示さず、４０重量％を越えると絶縁
ワニスより得られるエナメル線の耐熱性が低下する。

一方、フィルム又は成型品として使用する場合にはポリ
アミド樹脂を４０１　ｆｆ１％以上使用することも要求
特性に応じて可能となる。

（イ）の四塩基酸無水物又はその誘導体と二塩基酸又は
その誘導体と、（ロ）のポリイソシアネート又はその誘
導体と、ポリアミド樹脂は反応開始時に同時に仕込んで
も良く、また一方を溶剤に溶解させておき他方を一時に
、または数回に分けて仕込むことも出来、特に仕込方法
について制限はない。

しかしながら、ポリアミド樹脂は反応開始時から仕込む
のが高分子量ポリアミドイミド樹脂を得るためには特に
好ましい。

一方、電気絶縁ワニスとして用いる場合には、エナメル
皮膜となる焼付工程においても反応が進行するので、ワ
ニス合成段階においては比較的反応の後半にポリアミド
樹脂を加えるようにしてもよい。

前記反応は無触媒下おいて充分に進行するがイソシアネ
ートの反応に通常用いられる触媒により本発明の反応を
促進することができる。適当な触媒の例としては、−酸
化鉛、ホウ酸、ナフテン酸鉛、亜鉛等のナフテン酸の金
属塩、リン酸、ポリリン酸、トリエチルアミン等があり
、好適な使用量は仕込時の固型分当り０．０１〜５％で
ある。

フェノール系溶媒中での反応は１０℃付近から脱炭酸ガ
スの発泡を伴ないながら始まり、通常は１８０〜２１０
℃、３〜１２時間の反応条件で実用的な高分子量ポリア
ミドイミド樹脂が得られる。

このようにしで得られたポリアミドイミド樹脂組成物は
、そのまま電気絶縁ワニス等として使用することが出来
るが、特にエナメル線製造用の゛電気絶縁ワニスとして
近年の高線速、高能率的な焼付機に使用する場合製線時
において発泡しやすいという難点を有している。

これらの問題につき検討を進めたところ、前記ポリアミ
ドイミド樹脂溶液にフェノール類でマスクさた芳香族ポ
リイソシアネートを配合することにより、前記難点が大
巾に改善されることが見出された。

フェノール類でマスクされた芳香族ポリイソシアネート
は前記芳香族ポリアミドイミド合成時に使用される材料
をそのまま使用出来る。使用割合は樹脂全体に対しポリ
イソシアネートとして３〜４０重量％が好適である。３
重口％未満であると発泡しやすくなり、４０重量％を越
えるとエナメル線としての可撓性、耐摩擦性が低下する
。

また、マスクされた芳香族ポリイソシアネートを加える
時の温度は特に制限はないが、２００℃付近で長時間攪
拌を続けると樹脂溶液が一部不透明、。

沈澱を生ずることがあるので、加える温度は１４０℃以
下が好ましい。

本発明の樹脂組成物は必要に応じ他のａｍをブレンドす
ることもできる。また他の官能性化合物、例えばポリオ
ール、ポリアミン、ポリカルボン酸を加えて更に反応さ
せることにより変性ポリアミドイミド樹脂組成物を作る
こともできる。

〔発明の実施例Ｊ 以下実施例により本発明を詳述する。

実施例１ 温度計、攪拌器、冷却管、窒素導入管をつけた３１４ツ
ロフラスコに３．３’　、４．４’　−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸無水物１６１ｇ（０，５モル）、イソ
フタル酸８３り　　（０，５モル）、４．４′　−ジフ
ェニルメタンジイソシアネート２５５Ｑ　　（ＬＯ２モ
ル）、ナイロン６（東しアミランＣＭ１００７）　４６
ａ　、ｍ−クレゾール酸（ＪＩＳＫ２４５１メタクレゾ
ール酸１号相当品）　　６００１Ｊを仕込み、窒素気流
中で約１時間かけて２００℃まで昇温させた。７０℃付
近より２００℃まで脱炭酸ガスに基づく多くの発泡が見
られた。発泡は２００〜２０５℃の濃度で約１時間継続
した。発泡終了後さらに４時間反応させ、クレゾールを
７７０９加え反応を停止し、粘度（３０℃）５５ボイズ
、不揮発分（２００℃ｘ　１．５Ｈ）　２５．０重量％
の特性を有する赤褐色透明な樹脂溶液を得た。

常法に従い、炉長７ａ＋、炉温４３０〜３８０〜２８０
（上→下）線速１２ｅ　／　Ｗｉｎの条件で、得られた
樹脂溶液を用い１．０ｉｉφの＃ＩＩＩｍ上に７回塗布
焼付を行ない皮膜要約３８μ閾の絶縁電線を得た。ＪＩ
ＳＣ３００３に準じて測定した特性は第１表の通りであ
った。

絶縁電線の皮膜のＩＲスペクトル図には１７８０ＣＩ−
’、１７２０（ｍｌ−’のイミド吸収帯および１６６０
Ｃ１ｌ−’　、１５３００ｍ−１のアミド吸収帯がそれ
ぞれ見られ、また１０℃／分の昇温速度で空気中で測定
したＴＧ凸曲線１０％減量点４４０℃を有する票−分解
曲線を示した。

実施例２ 実施例１と同一の装置を用い、３．３’　、４．４’　
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物２２５ｇ、イ
ソフタルＭ４９．８Ｑ　、トリレンジイソシアネート１
７４（Ｊ　、ナイロン６（東しアミランＣＭ　１００７
）　４０Ｑ、ｌ−クレゾール酸（ＪＩＳＫ２４５１メタ
クレゾール酸１号相当品）　　５００ａを仕込み、脱炭
酸ガスを除去しながら２００℃で５時間反応させた。ク
レゾール４００ｇ加え反応を停止し、樹脂溶液が８０℃
になったところでマスクされた芳香族ポリイソシアネー
ト（日本ポリウレタン社製ＭＳ−５０，４，４′　−ジ
フェニルメタンジイソシアネートとして約５０重量％含
有）　　１２０Ｑを加え充分攪拌し均一な溶液とした。

３０℃での粘度が５２ボイズとなるよう■−クレゾール
酸（ＪＩＳＫ２４５１メタクレゾール酸１号相当品）で
希釈したところ、不揮発分２３．３重置％を有する赤褐
色透明な溶液が得られた。

実施例１と同様にして得られた皮膜７約３８μｍ絶縁１
線の特性は第３表に示す通りであった。

実施例３〜５ 実施例１と同一の装置を用い、第２表に示す出発原料、
合成条件で、いずれも赤褐色透明な樹脂溶液を得た。

得られた樹脂溶解溶液を用い実施例１と同様に炉長７１
の焼付炉により炉温４３０−３Ｊ３０−２８０　（上→
下）線速１２１／分の条件で１．０ａｕａ中の銅線上に
７回塗布焼付を行ない皮膜７約３８μｍの絶縁電線を得
た。ＪＩＳ　　Ｃ３００３に準じて測定した特性結果は
第３表に示す通りであった。

（以下余白） 注　　＊１ ＢＴＤＡ；ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物 ＰＭＤＡ　：ビＯメリット酸無水物 ＤＰＴＤＡ　ニジフェニルテトラカルボン酸無水物８Ｔ
Ｓ　　ニブタンテトラカルボン酸 ＩＰＡ　　；イソフタル酸 ＴＰＡ　　；テレフタル酸 ＭＤｒ　　；　　４，４’　−ジフェニルメタンジイソ
シアネート ＴＤ■　；トリレンジイソシアネート ＣＭＤ　Ｉ　；ポリメチレンポリフェニルポリイソシア
ネート （化成アップジョン社製ＰＡＰ■　１３５使用）ナイロ
ン６；束し社製アミランＣＭＬＯＧ７使用ナイロン６６
；東し社製アミランＣＭ　３００１使用ナイロン６１０
：東し社製アミランＣＭ　２００１使用ナイロン１２：
東し社製アミランＸ５００１Ｔ使用共重合ナイロン：東
し社製アミランＣＭ　４００１使用＊２ ＢＭＤ　ｒ　；日本ポリウレタン社製ＭＳ−５０使用Ｂ
ＩＤＩ：バイエル社製ディスモジュールＣＴステーブル
使用 いずれもブロックしない以前のポリイソシアネート分と
して計算した添加量 （以下余白） （以下余白） ［発明の効果］ 以上の実施例からも明らかなように、本発明のポリアミ
ドイミド樹脂組成物は、耐熱性が良好であり、高分子量
の機械的特性の優れた被膜を形成することができる。

代理人弁理士　　　須　山　佐　− （ほか１名）

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）（イ）四塩基酸無水物又はその誘導体および二塩
   基酸又はその誘導体からなる多価カルボン酸成分と、（
   ロ）ポリイソシアネート又はその誘導体とを、当量化で
   ほぼ１対１の割合で、ポリアミド樹脂共存下に反応させ
   てなることを特徴とするポリアミドイミド樹脂組成物。
2. （２）四塩基酸無水物又はその誘導体と二塩基酸又はそ
   の誘導体の配合割合は、四塩基酸無水物又はその誘導体
   が３０〜１０モル％、二塩基酸又はその誘導体が７０〜
   ３０モル％の範囲である特許請求の範囲第１項記載のポ
   リアミドイミド樹脂組成物。
3. （３）二塩基酸又はその誘導体が芳香族二塩基酸又はそ
   の誘導体である特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
   ポリアミドイミド樹脂組成物。
4. （４）ポリイソシアネート又はその誘導体が芳香族ポリ
   イソシアネート又はその誘導体である特許請求の範囲第
   １項ないし第３項のいずれか１項記載のポリアミドイミ
   ド樹脂組成物。
5. （５）ポリアミド樹脂がナイロン６、ナイロン６６、ナ
   イロン６１０、ナイロン１１、ナイロン１２又は共重合
   ナイロンから選ばれた１種または２種以上から成る特許
   請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１項記載のポ
   リアミドイミド樹脂組成物。
6. （６）（イ）四塩基酸無水物又はその誘導体および二塩
   基酸又はその誘導体からなる多価カルボン酸成分と、（
   ロ）ポリイソシアネート又はその誘導体とを、当量化で
   ほぼ１対１の割合で、フェノール系溶媒中でポリアミド
   樹脂共存下に反応させてなる樹脂組成物にフェノール類
   でマスクされた芳香族ポリイソシアネートを配合してな
   ることを特徴とするポリアミドイミド樹脂組成物。
7. （７）四塩基酸無水物又はその誘導体と二塩基酸又はそ
   の誘導体の配合割合は、四塩基酸無水物又はその誘導体
   が３０〜７０モル％、二塩基酸又はその誘導体が７０〜
   ３０モル％の範囲である特許請求の範囲第６項記載のポ
   リアミドイミド樹脂組成物。
8. （８）二塩基酸又はその誘導体が芳香族二塩基酸又はそ
   の誘導体である特許請求の範囲第６項又は第７項記載の
   ポリアミドイミド樹脂組成物。
9. （９）ポリイソシアネート又はその誘導体が芳香族ポリ
   イソシアネート又はその誘導体である特許請求の範囲第
   ６項ないし第８項のいずれか１項記載のポリアミドイミ
   ド樹脂組成物。
10. （１０）ポリアミド樹脂がナイロン６、ナイロン６６、
    ナイロン６１０、ナイロン１１、ナイロン１２又は共重
    合ナイロンから選ばれた１種または２種以上から成る特
    許請求の範囲第６項ないし第９項のいずれか１項記載の
    ポリアミドイミド樹脂組成物。
11. （１１）（イ）３０〜７０モル％の四塩基酸無水物又は
    その誘導体と７０〜３０モル％の二塩基酸又はその誘導
    体よりなる多価カルボン酸成分と、（ロ）芳香族ジイソ
    シアネート又はその誘導体とを当量化でほぼ１対１の割
    合で、フェノール系溶媒中でポリアミド樹脂共存下に反
    応させた後、さらにフェノール類でマスクされた芳香族
    ポリイソシアネートを配合することを特徴とするポリア
    ミドイミド樹脂組成物の製造方法。