JPS61124142A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS61124142A
JPS61124142A JP59245747A JP24574784A JPS61124142A JP S61124142 A JPS61124142 A JP S61124142A JP 59245747 A JP59245747 A JP 59245747A JP 24574784 A JP24574784 A JP 24574784A JP S61124142 A JPS61124142 A JP S61124142A
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幸一 小林
Hiroyuki Kitasako
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関する。特に、耐水
性が高く信頼性が高い樹脂封止型半導体装置の製造方法
の改良に関する。
半導体装置のパッケージは、気密封止型パッケージと樹
脂封止型パッケージとに分類される。
樹脂封止型パッケージは製造コストが安いという大きな
利点があるが、信頼性に欠けるという欠点がある。特に
、耐水性が劣るという欠点がある。
〔従来の技術〕
従来、樹脂封止型パッケージに半導体素子を封入するに
あたっては、リードフレームに半導体素子を接着（ダイ
ス付け）した後、銀ペーストをキュアーするため　１５
０℃程度の温度において２〜３時間時間熱処理を施し、
その後、２５０°Ｃ程度に加熱されたボンディングブロ
ック上に乗せられたリード上において、ボンディングツ
ールをもってボンディングワイヤを加熱圧着してワイヤ
ボンディングをなし、その後、注型法、移送成形法等の
手法を使用して樹脂封止をなしている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、銅等をもって成形されるリードの表面が、上
記の熱処理期間に、酸化される傾向があり、この酸化膜
とエポキシ樹脂等のパッケージ用樹脂との密着性が必ず
しも良好ではないため、リードとパッケージ用樹脂との
間に間隙が発生しやすく、この間隙を経由して水分が侵
入しやすく、信頼性を害しやすいという欠点がある。
本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり、
酎、水性が高く信頼性が高い樹脂封止型半導体装置の製
造方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、リードフレームのインナーリード及び
ステージ支持棒表面に高分子化合物被膜を被覆し、前記
インナーリードのボンディング領域にレーザビームを照
射して該領域の前記高分子化合物被膜を除去後、前記ボ
ンディング領域と前記リードフレームのステージに搭載
された半導体素子のボンディングパッドとをワイヤボン
ディングし、その後、前記インナーリードと前記ステー
ジと前記ステージ支持棒と前記半導体素子とを樹脂封止
することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記
目的が達成される。
〔作用〕
上記の欠点は、銀ペーストをもってなすダイス付は工程
に必須の熱処理に起因するものであり、この熱処理の副
作用としてリードが酸化され、この酸化物とパッケージ
用樹脂との密着不良性によって発生するものであるから
、上記の銀ペーストキュア一温度に耐え、しかも、パッ
ケージ用樹脂との密着性のすぐれている物質をリードフ
レームにコートしておけば、上記の欠点を解消しうると
の着想にもとづき、各種の高分子化合物をリードフレー
ム表面にスプレーコートして被膜を形成し、　１５０℃
程度２〜３時間加熱した後、その上にエポキシ樹脂等を
コートしてその密着性拳耐水性を試験したところ、ポリ
ウレタン、ポリブダディエン、ポリイミド等、スプレー
コートが容易であり、　１５０℃程度の温度には耐える
ことができエポキシ樹脂等パッケージ用樹脂との密着性
がすぐれている樹脂を使用すれば、上記の目的を達成し
うることを確認した。
たＣ１これらの樹脂は絶縁物であるから、ワイヤボンデ
ィングに先立ち、ワイヤボンディング領域から除去して
おくことが必須であるが、ボンディング領域は直径　１
００　＃Ｌ、ｍ程度の極めて限定された領域であるので
、必ずしも容易ではない。
各種の手法を比較実験した結果、レーザビームを照射し
て高分子化合物コート膜を燃焼除去することが最も容易
確実であることが確認された。
なお、ポリウレタン、ポリブダディエン、ポリイミド等
は耐熱性が必ずしも良好ではないから、ワイヤボンディ
ングにあたり、ボンディングブロック全体の温度を２５
０℃に上昇することは必ずしも好ましくない。むしろ、
ボンディングパッドに対応する領域のみ（半導体素子が
接着される領域のみ）を２５０℃程度とし、その他の領
域は１００°Ｃ程度とすることが好ましい。このことは
、半導体装置の熱履歴をマイルドにする附随的効果も発
生する。
〔実施例〕
以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係る半導
体装置の製造方法をさらに説明する６第１図は本発明の
一実施例に係るリードフレームとそれに半導体素子が搭
載された状態を示す平面図である０図において、ｌはリ
ードフレーム。
２は半導体素子、ｌＯはインナーリード、１１はステー
ジ、１２はステージ支持棒である。
第１図参照 リードフレームｌに、ポリウレタン、ポリプダディエン
、ポリイミド等の樹脂をスプレーコートして、リードフ
レームｌの表面にこれら樹脂の被膜を被覆する。このと
き、ステージの半導体素子を搭載する領域はマスクして
おき、樹脂が被覆されないようにする。銀ペースト等を
使用して、半導体素子２をリードフレームｌに接着し、
　１５’Ｏ℃２〜３時間熱処理して銀ペーストをキュア
ーする。上記の樹脂はこの程度の温度には耐えるので、
上記の被膜は破壊されない。
インナーリード１０のボンディング領域（直径１００Ｊ
ＬＩＩ程度の極めて限定された領域）にレーザービーム
を照射して、この領域から上記の高分子化合物コート膜
を除去する。
第２図参照 次にリードフレームｌを　１００℃程度に加熱されてい
るボンディングブロック３上に載置し、ボンディング領
域をＨｏｔＮ２ガスを吹きつけることにより選択的に２
５０℃程度に加熱しながら、ボンディングツール４によ
り半導体素子２の各ボンディングパッドとインナーリー
ドｌＯのボンディング領域とをワイヤ５で接続する。
第３図参照 注型法、移送成形法等を使用して、エポキシ樹脂等の耐
熱・耐水性のある樹脂をもって封止する０図において５
はボンディングワイヤであり、６は封止用樹脂である。
以上の工程をもって製造した半導体装置にあっては、リ
ードフレームｌと封止用樹脂６との密着性が良好である
から、耐水性が高く信頼性が高い、また、ワイヤボンデ
ィングに際してボンディング領域以外のボンディングツ
ールの温度をあまり高くしないことが望ましいので、熱
履歴をマイルドにするという副次的利益も加わり、信頼
性がさらに向上する。
〔発明の効果） 以上説明せるとおり１本発明によれば耐水性が高く信頼
性が高い樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第１〜３図は本発明の実施例に係る半導体装置の製造方
法を説明する説明図である。 ｌ・・・リードフレーム、　　２・・・半導体素子、３
・・・ボンディングブッロク、　４・・・ボンディング
ツール、　　５拳・・ボンディングワイヤ、６・・・封
止用樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　リードフレームのインナーリード及びステージ支持棒
    表面に高分子化合物被膜を被覆し、前記インナーリード
    のボンディング領域にレーザビームを照射して該領域の
    前記高分子化合物被膜を除去後、前記ボンディング領域
    と前記リードフレームのステージに搭載された半導体素
    子のボンディングパッドとをワイヤボンディングし、そ
    の後、前記インナーリードと前記ステージと前記ステー
    ジ支持棒と前記半導体素子とを樹脂封止することを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
JP59245747A 1984-11-20 1984-11-20 半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JPH06101487B2 (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5010476A (ja) * 1973-05-31 1975-02-03

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5010476A (ja) * 1973-05-31 1975-02-03

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