JPS6112099A - 半導体製造用治具 - Google Patents
半導体製造用治具Info
- Publication number
- JPS6112099A JPS6112099A JP13369284A JP13369284A JPS6112099A JP S6112099 A JPS6112099 A JP S6112099A JP 13369284 A JP13369284 A JP 13369284A JP 13369284 A JP13369284 A JP 13369284A JP S6112099 A JPS6112099 A JP S6112099A
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- Japan
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- semiconductor manufacturing
- polypropylene
- acetylene black
- jigs
- jig
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕・
本発明は半導体゛製造工程において用いられるウェハ保
管、運搬、処理用のカセット収納箱、フォトマスク容器
、ピンセット等のほか半導体の完成品（ハラケージ品）
の収納箱やファイナルテストのハンドラー等の半導体製
造用治具に関するものである。
管、運搬、処理用のカセット収納箱、フォトマスク容器
、ピンセット等のほか半導体の完成品（ハラケージ品）
の収納箱やファイナルテストのハンドラー等の半導体製
造用治具に関するものである。
従来、半導体製造工程において使用されているウェハー
ハンドリング用カセットやこれらの収納箱等の治具は一
般にプラスチック製のものが使用されており、これらの
治具にはつぎのような二つの大きな欠点を有している。
ハンドリング用カセットやこれらの収納箱等の治具は一
般にプラスチック製のものが使用されており、これらの
治具にはつぎのような二つの大きな欠点を有している。
その第一はこれら半導体製造用治具は一般に導電性が小
さく、上記カセット等の輸送中あるいはＩＣ製造工程に
おいて上記治具の使廟中数百〜数千ボルトに帯電し、そ
のための周りの空気中の微少な塵埃を吸着してこれら治
具とウェハとの接触によってウェハ上の回路パターンに
欠陥を生じる原因となっている。
さく、上記カセット等の輸送中あるいはＩＣ製造工程に
おいて上記治具の使廟中数百〜数千ボルトに帯電し、そ
のための周りの空気中の微少な塵埃を吸着してこれら治
具とウェハとの接触によってウェハ上の回路パターンに
欠陥を生じる原因となっている。
また、第二は一般に半導体製造用治具は酸化チタンσ１
０２）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏｇ）あるいは酸化鉛（Ｐｂｏ
２）等の金属酸化物系の無機系顔料を使用して着色を行
なっているため、場合によっては半導体製造用治具にお
ける金属含有成分が１％近くに達することも゛あるが、
例えばウェハハンドリング用治具によって運搬用および
保存用装置にセットしたプラスチックカセットに大口径
ウェハ（４〜８インチ）を出し入れするとき、このカセ
ットにごく微量の金属不純物を含んだプラスチック微粉
末がウェハ基板上に付着し、洗浄工程でも超微粒子粉末
は十分除去されずに次の熱処理工程に移されて熱処理さ
れることにより電気特性の不良を生じることがある。か
かる事態はいわゆるＬＳＩデバイスの微細化・薄膜化が
進むにつれて極めて敏感になってきており、ウニハロ径
に大きくなるにつれ、一枚の重量が重くなってウェハと
カセット等の治具との接触摩擦による微粉末が出やすい
状態になってきている。しかるに上記のような接触摩擦
等による帯電に対する防止手段には種々あるが、前述し
た理由で半導体製造用治具としては不適である。例えば
金属繊維あるいは金属フレーク等の金属粒子をプラスチ
ックに混練すると、導電性は得られるが、金属粒子が表
面に露出し、強酸には容易に腐食される。また、界面活
性剤を成形材料に。
０２）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏｇ）あるいは酸化鉛（Ｐｂｏ
２）等の金属酸化物系の無機系顔料を使用して着色を行
なっているため、場合によっては半導体製造用治具にお
ける金属含有成分が１％近くに達することも゛あるが、
例えばウェハハンドリング用治具によって運搬用および
保存用装置にセットしたプラスチックカセットに大口径
ウェハ（４〜８インチ）を出し入れするとき、このカセ
ットにごく微量の金属不純物を含んだプラスチック微粉
末がウェハ基板上に付着し、洗浄工程でも超微粒子粉末
は十分除去されずに次の熱処理工程に移されて熱処理さ
れることにより電気特性の不良を生じることがある。か
かる事態はいわゆるＬＳＩデバイスの微細化・薄膜化が
進むにつれて極めて敏感になってきており、ウニハロ径
に大きくなるにつれ、一枚の重量が重くなってウェハと
カセット等の治具との接触摩擦による微粉末が出やすい
状態になってきている。しかるに上記のような接触摩擦
等による帯電に対する防止手段には種々あるが、前述し
た理由で半導体製造用治具としては不適である。例えば
金属繊維あるいは金属フレーク等の金属粒子をプラスチ
ックに混練すると、導電性は得られるが、金属粒子が表
面に露出し、強酸には容易に腐食される。また、界面活
性剤を成形材料に。
混線あるいは表面処理したものは得られた導電性が２週
間〜６ケ月と短かく、表面に付着している活性剤は洗浄
等により容易に脱落して微小ゴミめ発生が生じる等の欠
点があった。。
間〜６ケ月と短かく、表面に付着している活性剤は洗浄
等により容易に脱落して微小ゴミめ発生が生じる等の欠
点があった。。
また、第一の欠点を除去する対策としてカーボンブラッ
クを含有させ導電性を持たせているプラスチックカセッ
トも若干市販されているが、鉄（Ｆｅ） 、マグネシウ
ム■およびアルミニウム（Ａ／）等の含有量がまだ多（
Ａ／ の成分では１０ ト２００μｇ／ｇも検出され
、全含有金属量では１０００μｇ／ｇも含んでいる。ま
た、接触摩擦に伴い、いわゆるこすれによる微粉未発生
量も２ト４０μｇ／ＩＩｍと多くこすれによる金属の発
生量が多くなる。さらに成形物の寸法精度を良くする上
に必要な成形収縮率も１．５〜２．０％程度と大きく精
度の良い製品が得られない。
クを含有させ導電性を持たせているプラスチックカセッ
トも若干市販されているが、鉄（Ｆｅ） 、マグネシウ
ム■およびアルミニウム（Ａ／）等の含有量がまだ多（
Ａ／ の成分では１０ ト２００μｇ／ｇも検出され
、全含有金属量では１０００μｇ／ｇも含んでいる。ま
た、接触摩擦に伴い、いわゆるこすれによる微粉未発生
量も２ト４０μｇ／ＩＩｍと多くこすれによる金属の発
生量が多くなる。さらに成形物の寸法精度を良くする上
に必要な成形収縮率も１．５〜２．０％程度と大きく精
度の良い製品が得られない。
本発明はかかる欠点を除去するためになされたもので、
金属不純物の含有量の少ない良質のアセチレンブラック
を耐薬品性（特に酸性）の強く安価なポリプロピレンに
含ませて金属不純物が少なく、かつ導電性のある半導体
製造用治具を提供することを目的とする。
金属不純物の含有量の少ない良質のアセチレンブラック
を耐薬品性（特に酸性）の強く安価なポリプロピレンに
含ませて金属不純物が少なく、かつ導電性のある半導体
製造用治具を提供することを目的とする。
以下本発明の一実施例を説明する。プラスチック材料に
ついては各種あるが、半導体製造工程においては濃縮し
た強酸、強アルカリあるいは過酸化水素等の薬品を使用
するため耐薬品性が優れていること、材料自体から、ポ
リマー合成時の残存触媒、残存モノマー、残存添加第三
物質のにじみ出しのないこと、衝撃に対する吸収度の大
きいことなどの条件が要求され、かかる条件を満足し、
更に成形性のよいものとしてポリプロピレンおよびフッ
素ポリマーがあり、価格の面からはポリプロピレンがよ
り望ましい。
ついては各種あるが、半導体製造工程においては濃縮し
た強酸、強アルカリあるいは過酸化水素等の薬品を使用
するため耐薬品性が優れていること、材料自体から、ポ
リマー合成時の残存触媒、残存モノマー、残存添加第三
物質のにじみ出しのないこと、衝撃に対する吸収度の大
きいことなどの条件が要求され、かかる条件を満足し、
更に成形性のよいものとしてポリプロピレンおよびフッ
素ポリマーがあり、価格の面からはポリプロピレンがよ
り望ましい。
このために導電性物質として良質の有機カーボンブラッ
ク、特にそのうちのアセチレンブラックを使用し、上記
のポリプロピレンにアセチレンブラックを５〜１５重量
％の所定量だけ混練する。
ク、特にそのうちのアセチレンブラックを使用し、上記
のポリプロピレンにアセチレンブラックを５〜１５重量
％の所定量だけ混練する。
このようにポリプロピレンにアセチレンブラックを混練
したものはその表面抵抗値が１０８〜１０２オーム程度
となり所望の導電性を有し、例えば−万ボルト印加して
も２００ボルト程度以下の帯電を示すのみである。
したものはその表面抵抗値が１０８〜１０２オーム程度
となり所望の導電性を有し、例えば−万ボルト印加して
も２００ボルト程度以下の帯電を示すのみである。
したがって、金属含有量の少ないアセチレンブラックを
ポリプロピレンに混入して形成したいわゆるカセット等
の治具では全金属含有量を１００μｇ／ｇ以下にするこ
とができる。。
ポリプロピレンに混入して形成したいわゆるカセット等
の治具では全金属含有量を１００μｇ／ｇ以下にするこ
とができる。。
ここで、−実験例のデータを次の表に示す。
なお、マグネシウムラフχおよびアルミニウム（Ａ／）
の含有量は上記表に示すとおりであるが、その他の金属
として例えば鉄ｒｅ＞、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（
Ｃｏ）、銅ｃｕ＞、鉛（Ｐｂ）、りｏＡ（Ｃｒ）、チタ
ンσｉ）あるいはバナジウム（ト）等は原子吸光の検出
限界以下で、０．００１η／１以下であった。
の含有量は上記表に示すとおりであるが、その他の金属
として例えば鉄ｒｅ＞、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（
Ｃｏ）、銅ｃｕ＞、鉛（Ｐｂ）、りｏＡ（Ｃｒ）、チタ
ンσｉ）あるいはバナジウム（ト）等は原子吸光の検出
限界以下で、０．００１η／１以下であった。
上記の表よりアセチレンブラックの重量濃度を５〜２０
９６であれば全金属不純物を１００μ２７り以下にする
ことができ、表面抵抗を１０３〜１０１オームに制御す
ることができる。
９６であれば全金属不純物を１００μ２７り以下にする
ことができ、表面抵抗を１０３〜１０１オームに制御す
ることができる。
実際上、ポリプロピレンにアセチレンブラックを混入し
た材料の表面抵抗値が１０８オーム以下で１０°オ一ム
以上稈度に設定する必要がある。表面抵抗値が１０１オ
ームより上では帯電圧が６０Ｏボルト以上となり帯電防
止効果が不十分となり、また１０’オ一ム程度以下では
ポリプロピレンのプラスチック材料へのアセチレンブラ
ックの混入鍬が２０重量％を超えてプラスチック材料に
より成形されたカセット等の治具の衝撃強度が低下して
実用に耐え得ないものとなる。
た材料の表面抵抗値が１０８オーム以下で１０°オ一ム
以上稈度に設定する必要がある。表面抵抗値が１０１オ
ームより上では帯電圧が６０Ｏボルト以上となり帯電防
止効果が不十分となり、また１０’オ一ム程度以下では
ポリプロピレンのプラスチック材料へのアセチレンブラ
ックの混入鍬が２０重量％を超えてプラスチック材料に
より成形されたカセット等の治具の衝撃強度が低下して
実用に耐え得ないものとなる。
また、アセチレンブラックの混入爪を５〜１５重量％の
範囲の所定量にすればカセスト等の成形物のこすれによ
る微粉未発生量は１５〜２５μｍ７薦で従来品よりも少
なくなり、成形収縮率は１．０〜１．５％となり、これ
も従来品よりも減少して成形寸法精度も向上することが
できる。
範囲の所定量にすればカセスト等の成形物のこすれによ
る微粉未発生量は１５〜２５μｍ７薦で従来品よりも少
なくなり、成形収縮率は１．０〜１．５％となり、これ
も従来品よりも減少して成形寸法精度も向上することが
できる。
、以上のように、プラスチック材料であるポリプロピレ
ンにアセチレンブラックを混入する。重量濃度は５〜１
５９６の範囲が適当であり、また金属不純物の含有−の
少ない良質のアセチレンブラックを耐薬品性、特に酸性
に対して強いポリプロピレンやフッ素ポリマーに混入し
てポリマー合成時の残存触媒、残存モノマー、残存添加
物質のにじみ出しのないプロセスで半導体製造用治具を
形成すると有用である。
ンにアセチレンブラックを混入する。重量濃度は５〜１
５９６の範囲が適当であり、また金属不純物の含有−の
少ない良質のアセチレンブラックを耐薬品性、特に酸性
に対して強いポリプロピレンやフッ素ポリマーに混入し
てポリマー合成時の残存触媒、残存モノマー、残存添加
物質のにじみ出しのないプロセスで半導体製造用治具を
形成すると有用である。
以上のように本願発明は半導体製造用治具の材料であっ
てプラスチック材料であるポリプロピレンやフッ素ポリ
マーに導電性カーボンブラ・ツクを５〜１５重量％の範
囲内の所定量だけ混入して成形することにより、耐薬品
性を保持し、導電性のあるカーボンブラックを使用して
帯電防止効果を向上せしめ、また半導体ウエノ１の大口
径化督こ伴１．ＮＬＳＩ素子の歩留向上に効果がある。
てプラスチック材料であるポリプロピレンやフッ素ポリ
マーに導電性カーボンブラ・ツクを５〜１５重量％の範
囲内の所定量だけ混入して成形することにより、耐薬品
性を保持し、導電性のあるカーボンブラックを使用して
帯電防止効果を向上せしめ、また半導体ウエノ１の大口
径化督こ伴１．ＮＬＳＩ素子の歩留向上に効果がある。
Claims (2)
- （１）プラスチック材料であるポリプロピレンまたはフ
ッ素ポリマーに導電性カーボンブラックを５〜１５重量
パーセントの範囲内の所定量だけ混入して成形した半導
体製造用治具。 - （２）上記導電性カーボンブラックはアセチレンブラッ
クであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体製造用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13369284A JPS6112099A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 半導体製造用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13369284A JPS6112099A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 半導体製造用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6112099A true JPS6112099A (ja) | 1986-01-20 |
Family
ID=15110640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13369284A Pending JPS6112099A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 半導体製造用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6112099A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01268041A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Shimizu Corp | ウェハキャリア |
| JPH02129253A (ja) * | 1987-10-16 | 1990-05-17 | E I Du Pont De Nemours & Co | 導電性フルオロポリマー組成物 |
| JPH0341747A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-22 | Otsuka Chem Co Ltd | 搬送用ウエーハバスケット及び収納ケース |
| JPH0353527A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-07 | Yamamoto Hoso Shoji:Kk | Ｉｃチップのエージング方法及びｉｃチップ用容器 |
| WO2004080659A3 (en) * | 2003-03-06 | 2004-11-04 | 3M Innovative Properties Co | Antistatic composition and part holder |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58207651A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Hitachi Ltd | 静電防止型収容治具 |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP13369284A patent/JPS6112099A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58207651A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Hitachi Ltd | 静電防止型収容治具 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129253A (ja) * | 1987-10-16 | 1990-05-17 | E I Du Pont De Nemours & Co | 導電性フルオロポリマー組成物 |
| JPH0338302B2 (ja) * | 1987-10-16 | 1991-06-10 | Ii Ai Deyuhon De Nimoasu Ando Co | |
| JPH01268041A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Shimizu Corp | ウェハキャリア |
| JPH0341747A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-22 | Otsuka Chem Co Ltd | 搬送用ウエーハバスケット及び収納ケース |
| JPH0353527A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-07 | Yamamoto Hoso Shoji:Kk | Ｉｃチップのエージング方法及びｉｃチップ用容器 |
| WO2004080659A3 (en) * | 2003-03-06 | 2004-11-04 | 3M Innovative Properties Co | Antistatic composition and part holder |
| CN100396722C (zh) * | 2003-03-06 | 2008-06-25 | 3M创新有限公司 | 抗静电合成物及部件夹 |
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