JPS61116360A - レ−ザ光線リトグラフ - Google Patents

レ−ザ光線リトグラフ

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JPS61116360A
JPS61116360A JP60164211A JP16421185A JPS61116360A JP S61116360 A JPS61116360 A JP S61116360A JP 60164211 A JP60164211 A JP 60164211A JP 16421185 A JP16421185 A JP 16421185A JP S61116360 A JPS61116360 A JP S61116360A
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laser
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    • G—PHYSICS
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野： 本発明は特許請求の範囲第１項の上位概念に示す高集積
した半導体構成素子を製造するためのレーザ光線リトグ
ラフに関する。
従来の技術： この種のレーザ光線リトグラフはＴ部セミ；ンダクタエ
クイツプメントコーポレーション。
カリホルニアｅ　Ｕ８Ａ（Ｔｕ　８ｅｍｉｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒＢｑｕｉｐｍｅｎｔ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　
、　Ｃａ１ｉｆｏｒｎｉｅｎ、　ＵＳＡ）によシ開発お
よび紹介された。
公知レーザ光線リトグラフによればホトラッカ層へ所望
のパターンを記録し、または書込むために使用するレー
ザ光線は露光光線の数の増大によってできるだけ高い作
業周波数を達成するため、１次光線の繰返し分割によっ
て得られる。公知レーザ光線リトグラフの欠点は１つに
はすべての露光光線の集束がただ１つの平面内にしか行
われないことである。それゆえ公知レーザ光線ＩＪ　）
グラフの使用はマスク製造は別としていずれにせよいわ
ゆる２段ホトラッカ法で作業する場合にしか可能でなく
、厚いホトラッカ層はウェハ凹凸を均らし、この均らし
ホトラッカ層の上に薄いもう１つのホトラッカ層を被覆
し、これが最終的に所定パターンの記録に使用される。
さらに公知レーザ光線リトグラフの場合光束の偏向をた
だ１つのレフレクタで行うので必要であるただ１つの平
面内の集束を保証するため、個々の光束を幾何学的に正
確に同じ長さの光路に導かなければならないのが欠点で
ある。
公知レーザ光線リトグラフの実現に必要な工業的費用は
著しく大きい。機能に適する調節のため必要な作業はき
わめて複雑であり、熟練した専門家でなければ実施し得
々い。それゆえ公知リトグラフの使用はその限りにおい
て現在まで研究室の使用に制限された。その工業的使用
は疑問と考えられる。さらにこのリトグラフはせいぜい
１０ＭＨ２の周波数での制御しか可能でないので、書込
速度が制限される。
半導体構成素子製造のため２０　ＭＦ（Ｚまでの高い作
業局波数を許容する電子−一ムリトグラフも公知である
うしかしこのようなリトグラフは高価であり、故障しや
すい複雑な真空装置を必要とする。
発明が解決しようとする問題点： それゆえ本発明の目的は高い作業周波数を許容し、コン
パクトで簡単な構造で実現することができ、その他つニ
へ表面の直接露光も可能である首記方式のレーザ光線Ｉ
Ｊ　）グラフを得ることである。
問題点を解決するための手段： この目的は本発明により特許請求の範囲第１項の特徴部
に記載の特徴によって解決される。
作用： 本発明によるレーザ光線リトグラフによれば４　Ｑ　Ｍ
ＦＺｚ信号による制御が可能であり、したがって全体の
露光時間は電子ビームリトグラフと比較して％に、公知
レーザ光線リトグラフと比較して昼に短縮される。本発
明のレーザ光線リトグラフは調節の手数を必要とせず、
製造過程の間に最適に小さい錯乱円直径への自動的集束
が可能である。ホトラッカ層の露光によって生ずるパタ
ーンの精度はそれによって著しく改善される。
特許請求の範囲第２項の特徴によって概要を示し、特許
請求の範囲第３および４項の特徴によって詳細に規定し
た形成によれば、本発明のレーザ光線リトグラフはマル
チチャネル系として形成され、露光チャネルの数に相当
する倍数だけ上昇した作業速度が可能である。
特許請求の範囲第５項記載の特徴によってウェハの順次
に露光するストリップ状領域はそのパターンの細部にわ
たって非常に正確に接続することか達成される。
実施例： 次に本発明の実施例を図面により説明する。
第１図に詳細に示す本発明によるレーザ光線リトグラフ
１０はたとえばプレーナ法で多数の個々の処理工程によ
って製造する高密度集積半導体素子の製造の枠内でウェ
ハ１１の微細なパターンを有する表面範囲を処理するた
とえば蒸着法、拡散法、打込法および酸化法の前処理の
ためウェハに被覆するホトラッカ層のパターンに応する
露光に使用される。１つの露光工程（所定のパターンの
“書込”）後、次に現像工程で使用ホトラッカのタイプ
に応じてその露光部または未露光部がこれを支持する層
から除去され、ホトラッカ層の基板上に残る部分がそれ
ぞれ次の方法工程の範囲でマスクとして使用される。ホ
トラッカ層の目的に応する使用によればこの層はもう１
つの層たとえば導電金属層の支持体として使用すること
もできる。その際同様ホトラッカのタイプに応じてホト
ラッカ層の露光部または未露光部といっしょにこζに被
覆したもう１つの層の範囲はたとえばエッチング工糧で
いっしょに除去される。
本発明によるレーザ光線リトグラフＩＯＫよればそれぞ
れの製造工程に必要なホトラッカ層のきわめて迅速な１
．パターンに忠実な露光が可能である。
レーザリトグラフ１００以下に記載する構造および機能
の詳細により同様本発明の目的に含まれると考えられる
目的に応する使用方法も説明される。
レーザ光線ＩＪ　）グラフ１０の第１図に示す実施例に
よればこのリトグラフは１チヤネル系として形成され、
全体的に１２で示す１つのレーザ光束がホトラッカ層に
形成すべきパターンの露光に使用される。このレーザ光
束１２は顕微鏡対物レンズ１３によりウェハ１１の露光
すべきホトラッカ層の表面へ集光され、その際焦点内の
レーザ光束のガウスの強度プロフィルの半値幅に相当す
る錯乱円は約０．２５μｍの代表的直径を有する。
レーザ光束１２０強度は音−光変調器１４によ！７５０
０　：　１の比で変化することができる。
強度は所要に応じて微細に段を付けることができる。
略示した送シ装置１６によシウエハ１１は矢印１７およ
び１８によって示し九ＸおよびＹ軸方向に往復運動する
ことができ、その際ウェハ送り装置によるＸおよびＹ方
向送り行程はウェハ全長面をレーザ光束１２にさらすた
めに十分な大きさである。全体的に、１９で示す第１光
学走査装置により２５０μｍの代表的値を有する顕微鏡
対物レンズ１３の視野内にレーザ光束１２または錯乱円
２１（第２図）のＸ方向に行われる行偏向が可能である
。露光工程の進行中にウェハ１１は送り装置１６によシ
一部実線、一部破線で示すジグデグ形または矩形波形軌
道に沿って顕微鏡対物レンズの下を案内され、その際Ｙ
方向の代表的送シ速度は１〜５　”Ｖｓである。Ｘ方向
に著しく大きい速度たとえば５ｒＩ／ａの速度で行われ
るレーザ光束または錯乱円２１の同時に有効になる行偏
向によって、ウェハ１１がジグデグ軌道２２のＹ方向に
拡がる部分２３に沿って動く間、レーザ光束によりスト
リップ状領域２４が走査され、この領域は行偏向速度と
Ｙ方向送り速度の適当な同調を前提としてすべての位置
が露光される。行偏向は第１図に示す装置に備えた回転
駆動可能の多角形ミラー２６によって達成され、これに
よって錯乱円２１は平行する行２７内を各ストリップ状
領域２４のそれぞれ１つの側縁２８から相対する側Ｒ２
９まで動くウクエハ送シ装置の特殊な形成によればＹ方
向の送り速度は順次に走査した隣接する２つの行２Ｔの
Ｙ方向に測定した距離が錯乱円直径のほぼ号、選択した
実施例の場合したがって０．１２５μｍであるように調
節される。
レーザ光束１２の明るさまたは明暗制御のため備えた音
−光Ｘ調器１４は４０　ＭＨｚ信号で制御することがで
き、すなわちレーザ光束の強度は１秒間に４千万回変化
する値に調節することができる。Ｘ方向の像点距１１１
１０．１２５μｍに相当する１行２７轟シ２０００像点
を露光しようとする場合、１秒当り２００００行２７を
点状に露光することができ、その行間距離は同様０．１
２５μｍであり、露光のためＸおよびＹ方向に等距離の
点および行うスクが得られる。
それぞれのホトラッカ層の露光によって得るべきパター
ンはコンピュータ３１と組合せたディスクメモリー３２
に記録され、露光工程の進行とともに遂次コンピュータ
へ詰込まれ、コンピュータによって音−光変調器１４の
目的に適する制御のため処理される。コンピュータ３１
はこの場合ウェハ送シ装置１６から受信したウェハ１１
の瞬間位置に関する情報を含む中継信号ならびに行偏向
の瞬間値層間する情報を含み、かつ信号導線３３．３４
および行偏向中継導線３６を介してコンピュータに導入
される中継信号によってウェハ運動またはレーザ光束１
２の行走査運動と同期化される。
それぞれのホトラッカ層を露光するため、常用ホトラッ
カが十分感する波長λ、＝　２７０ｎｍのＵｖ光を発す
るアルゴンレーザ３７のＵＶ発光が使用される。さらに
アルゴンレーザは波長λ２”５１４ｎｍの光線を発し、
この光線はレーザ走査Ｒ微鏡の方式で動作する全体的に
３８で示す第２走葺装置によシいわゆる点像強度分布関
数すなわちウニ八表面の選択した点または領域で反射し
た光線の空間的強度分布を求めるため使用される。この
第２走査装置３８は第１走査装置１９に対し非同期的に
著しく低い走査周波数で駆動される。ウニ八表面から反
射して第２走査装置３８の光路へ戻った光線は光電受信
器とくにダイオードマトリックス３９の２次元的（２ｄ
）￥トリックス配置によって検出され、その際それぞれ
ウェハ１１の１つの照明された表面要素から戻った光線
の強度分布が測定され、次の処理のため記録される。こ
のように検出した点像強度分布関数から以下に要点を簡
単に説明する公知のアルデリスムを使用してコンピュー
タ３１により測定した強度分布と４１で示す走査光束の
走査するウニ八表面への正確な集束のために特有な理想
的点像強度分布関数との比較が実施される。測定した点
像強度分布関数が理想的々それと異なる場合、コンピュ
ータ３１に後置した制御信号発信器４２が作動し、その
出力信号によっていわゆる能動ミラー４３すなわち屈折
力を電気的に制御しうるミラーが制御され、このばラー
はレーザリトグラフ１０の露光光路内で、露光レーザ光
束１２が狭い許容差内で正確に露光すべきホトラッカ層
の表面へ集束するように焦点補正移動に作用する。この
ようにしてホトラッカ層の露光経過中に露光レーザ光束
の錯乱円２１のそれぞれのホトラッカ層の表面への連続
的自動的後調節が達成される、この後調節は点像強度分
布関数のコンピュータ処理が一定時間を要するので、露
光すべきすべての点についてでなく、たとえば露光すべ
き各行２７に対してのみ行われることは明らかである。
コンピュータ３１が第２走査装置３８により得られる点
像強度分布関数を処理する計算法を簡単に説明するため
、この計算法を図示した第３図を参照する。
この方法は繰返し法の実施にあシ、これによればダイオ
−ｒマトリックス３９で求めた強度分布（点像強度分布
間ａ　）　Ｉｎ（ｕ、ｖ）　（ｕはダイオードマトリッ
クスの行指数、■は列指数）を考慮しながら顕微鏡対物
レンズ１３０入射ひとみ４４の位置における走査光線の
波面の測定した強度分布Ｉｎ（ｕ、ｖ）と一致する経過
を計算する。
この場合顕微鏡対物レンズ１３の入射ひとみ４４の位ｔ
ｃｘ、ｙ）における光の場が位相係数ψ。（ｘ、ｙ）に
よって示される平らな波面を有するという合理的仮定か
ら出発する。波面Ｒ（Ｘ＋ｙ）ｅｘｐ１ｋｇ＋０（ｘ＋
ｙ）をこの系の伝達関数Ｆでたたみこみ積分することに
よって光学系の伝達関数を考慮しながら顕微鏡対物レン
ズ１３の焦点平面（露光するホトラッカ層の表面）にお
ける売場の経過メ■テ刀・ｓ：ｃｐ　ｉ　ｒ　（ｕ　ｔ
　ｖ）を計算する。振幅係数？Ｙｐ汀に測定から得た値
ｔ５τｕ　＋　’）を代入し、逆関数Ｆ−１を使用する
ことによって焦点平面またはウニ八表面（対して計算し
た売場経過に対しこの場の経過と一致する顕微鏡対物レ
ンズ１γの入射ひとみ４４における波面の経過すなわち
これと一致する位相係数ψ、（ｘ、ｙ）が計算される。
第１繰返し過程でこの位相係数が入射ひとみの位置にお
ける売場の式のため適用され、再び前記のように顕微鏡
対物レンズ１７の焦点平面における売場が計算される。
さらに振幅係数に測定した強度値の平方根を代入し、新
たな位相係数ψ２０Ｃ？７）を計算する。このような繰
返し過程を測定強度値Ｉｎ（ｕ、ｖ）が所定の限界内で
計算強度値と一致するまで繰返し、この方法で顕微鏡対
物レンズの入射ひとみ４４の位置における測定強度値と
一致する波面が決定される。
繰返し法から得られる波面と、顕微鏡対物レンズ１Ｔの
入射ひとみ４４における理想の場合に対し推定した場の
分布との比較からコンピュータ３１および制御信号発信
器４２により発しうる制御信号を前記目的のために得る
ことができる。
基本的構造および重要な機能によシ説明したレーザ光線
リトグラフ１０をさらに次の構造および機能の詳細によ
って説明する。
第１図に鎖線で示す中心光線４６および周辺光線４７．
４８によって表わしたアルインレーザ３７の１次光線は
光束断面約１聰２のは埋平行の光束である。この光束は
能動ミラー４．３を含む全体的に４９で示す光束形成お
よび焦点調節光学系によりレーザ光線の他の使用に適す
る光束形に形成され、光束断面は他の光学的処理のため
存在する光学装置へ適合され、露光するホトラッカ層の
範囲内でレーザ光束１２の焦点の意図的後調節、場合に
よシ意図的デ７オーカシングが行われる。コンピュータ
３１によシ制御しうる錯乱円２１の拡大のためのレーザ
光束１２の意図的デフオーカシングは比較的幅の広い大
表面領域を均一に露光しようとする場合適当である。
能動ミラーは顕微鏡対物レンズの入射ひとみ４４の平面
に相当するひとみ平面４４ａに配置される。このミラー
は図示の実施例では部分透過性たとえば半透ミラー５１
を介して照明さへこの半透ミラーは焦点距離の異なる２
つの集光レンズ５２および５３を有するテレセントリッ
クレンズ配置によシ拡大したアルゴンレーザ３Ｔの１次
光線４６．４７．４８を能動ミラー４３へ反射する。能
動ミラー４３によって反射され、半透ミラー５１を通過
した周辺光線４７ｂおよび４８ｂで示す光束社共通の焦
点平面内に音−光変調器１４を配置したもう１つのテレ
センドリンク配置のレンズ５４および５６によシレーず
光束のすでに説明した他の使用に適する断面にもたらさ
れ、この断面をもって周辺光線４７ａ＞よび４８ａによ
って示すレーザ光来が光束形成光学系４９の出口５７か
ら出る。第４図に原理的構造を示す能動ミラー４３はい
わゆる箔ミラーとして形成される。箔ミラーはアースし
たミラー化した箔５８を有し、この箔は透明電極５９お
よび個々に制御しうる個々の電極６１の配置の間に存在
する。個々の電極へ異なる電圧を印加することによって
箔の所望によるり形に利用しうる静電力が箔５８へ作用
し、能動ミラーは正または負の屈折力を得る。光束形成
光学系４９の射出光束４７８．４８ａは多角形ミラー２
６の回転によってレーザ光束１２または錯乱円２１のＸ
方向の行偏向を実施する第１走査装置１９に送られる。
第１走査ｉ置は以下に詳述するＹ偏向装置６２を付加的
に備える。
図面に対し垂直の軸６４を中心に回転する第１図には８
つのみの小面６３で示す多角形ミラー２６は代表的実施
例では正多角形配置の２４の小面を有する。多角形ミラ
ーは電動モータ６６により駆動される。第１走査装置１
９の範囲に付加的に備えたＹ偏向装置６２は水平軸６５
を中心に旋回駆動しうぶ公知形成のがルバノメータミラ
ーによって実現される。
多角形ミラー２６の小面６３は２つのレンズ６７および
６８によって示すテレセンドリンク光路内でガルバノメ
ータミラー６２０反射面６９へ結像する。このテレセン
トリック光路６７．６８の射出側レンズ６８とガルバノ
メータ２ラー６２の間に配置した反射ミラー７１は単に
光路の形を好ましくするために備えられる。
テレセントリックレンズ配置６７．６８と同様のテレセ
ントリックレンズ配置７２．７３によシガルパノメータ
ミラ−７２の反射面６９は頓微鏡対物レンズ１３の入射
ひとみ４４へ結像し、この対物レンズは平行またはほぼ
平行の光、束として入射ひとみ４４を通過するレーザ光
束１２をウェハ１１の露光すべき表面へ集束する。
露光すべきホトラッカ層の表面で散乱したレーザ光線は
前記光路へ戻され、多角形ミラー２６と光束形成光学系
４９の出口５７の間に配置した全体的に７６で示す第１
検出装債の成分である第１部分透過ミラー７４、一般に
は半透ミラーによシ矢印Ｔ７の方向に露光光路から取出
される。この取出した光束はもう１つの顕微鏡対物レン
ズ７８によシ集光される。この顕微鏡対物レンズ７８の
焦点平面７９に孔絞シ８１が配置され、この絞りによシ
露光光路の集束平面の顕微鏡対物レンズ１３の焦点深度
範囲に相当す第１検出装置７６はホトラッカ層の露光に
使用する波長λｘ＝２７０ｎｍのＵ４光線に応答するよ
うに設定される。
反射されたＵＶ光線内に第１検出装［７６によυ接続マ
ークを認めることができる。このマークは互いに隣接す
るス）　ＩＪツゾ領域２４の行２７の連続的な精密走査
のため備えられ、それぞれ新たなホトラッカ層の無光前
に行われる方法過程でウェハ１１の互いに隣接する表面
ストリップ２４の狭い重なり範囲につくられる。そのた
めコンピュータ３１内にこのような認識マークの標準位
置が記憶される。光電増倍管８２の認識信号が露光過程
の進行中にコンピュータ３１に記憶した標準位置に相当
するよシ早くまたは遅く現れた場合、これはウニ八表面
の露光するストリップ２４内の行２７が光に露光したス
トリップの行に対しずれていることの指示である。；ン
ぎユータ３１は次に第１走査装置のＹ偏向装置６２０制
御信号を発し、それによってがルパノメータミラ−６２
は行２７のＹ方向のずれを再び補正するように調節され
る。
同じ目的でＵＶ照射によシホトラツカ層に銹起されるル
ミネセンス光線の強度に応答する第１検出装置７６に似
た第２検出装置８３を使用することもできる。
第２検出装置８３によシ認識しうるｉ−りはたとえば光
、ルミネセンスの白色化（Ａｕｓｂｌｅｉｃｈｅｎ）に
よってウニ八表面の部分範囲につくることができる。
第２走査装置３８は走査要素として走査光線の伝播平面
に対し平行の水平軸８６を中心に旋回可能で走査光線の
Ｙ偏向に作用する第１ガル養 たがってＸ偏向に作用する第２ガルバノメータミラー８
７を有する。走査光線として第２走査装置３８の範囲で
アルゴンレーザの射出光束４６．４７．４８から分割し
た波長λ２＝５１４ｎｍの部分光束４１が使用される。
この部分光束４１は第１図に示す配置ではＵ’Ｖレーザ
光線に対し透過性の、波長５１４ｎｍに対し反射性の第
１ミラー８９、反射ミラー９１、半透ミラー９２、第２
走査装置３８およびもう１つの半透ミラー９３を介して
ウェハ表面の照明のための光路へ結合され、その際走査
光束４１のこの結合は第１走査装置１９のがルバノメー
タミラ−６２と顕微鏡対物レンズ１３０入射ひとみ４４
の前に配置したテレセンドリンクレンズ配置７２．７３
のレンズ７２の間で行われる。
点像強度分布関数を求めるために使用するウェハ表面か
ら反射した走査光線をダイオードマトリックス３９へ集
束する結像レンズ９４と走査光束４１を第２走査装置３
８へ結合する半透ミラー９２の間に第１および第２検出
装置７６または８３と同様の、接続マークの認識を可能
にする検出装置７６ａおよび８３ａが備えられ、そのマ
ークのコンピュータ３１に記憶した標準位置に対する位
置は反射された走査光線により（検出装置７６ａ）また
は検出装置８３ですでに説明したように検出したルミネ
センス光線にょシ（検出装置８３ａ）認識される。
第１図により説明したレーザ光線リトグラフ１０によっ
て４０　ＭＨｚの露光周波数が達成さ粗すなわち毎秒４
千万の露光パターンの画像要素（ビクセル）をつくるこ
とができる。
本発明によるレーザ光線リトグラフの有利な形成によれ
ば第１図の光束形成光学系４９の代りに原理的構造を第
５図に示す光束形成および集束光学系４９ａが備えられ
、この系はテレセントリックレンズ系５２．５３および
５４．５６に類似のｖ７ズ系５２ａ、５３ａま九はｓ４
ａ、５１３ａの間の第５図から明らかな２形光路に配置
した２つの前記と同様の能動ミラー４３ａおよび４３ｂ
を有する。２つの能動ミラー４３ａおよび４３ｂはそれ
ぞれ同数の小球面９６または９７を有する小面ミラーと
して形成される。１つの能動ミラー４３ａのそれぞれ１
つの小球面９６は他の能動ミラー４３ｂの小球面９７と
共通の焦点を有するように共役であり、それぞれ１組の
小球面９６．９７を介して２形に反射した収れん光束の
中心軸９８は互いＫはぼ平行に走る。
ミラー小球面９６および９７の共通の焦点平面に配置し
た全体的に９９で示す音−光変調器によ軒　２つの能動
ミラー４３ａおよび４３ｂの間で収れんする光束の強さ
はコンピュータ制御により個々に変調可能である。ミラ
ー小球面９６および９７の屈折力および配向は能動ミラ
ー４３ａお！び４３ｂの制御電極のコンピュータ制御し
た電圧印加によって、光束形成光学系４９ａとその他は
第１図に示すようなレーザ光線リトグラフの他の機能要
素との機能的組合せにおいて、ウェハ１１の表面に密に
隣接する錯乱円のＹ方向に拡がる直線的またはほぼ直線
的配置が発生するように調節され、その距離はたとえば
錯乱円直径の半分に相当する。光束形成光学系４９ａに
よシ前記と同様の方法でレーザリトグラフ１０のマルチ
チャネル作業が可能であり、作業周波数は露光チャネル
の数に相当する倍数に上昇することができる、
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による１チヤネル系レーザ光線リトグラ
フのブロック図、第２図は露光制御を示すウェハ平面図
、第３図は露光光線をウェハ表面へ自動的に集束する方
法を説明するブロック図、第４図は電気的に制御しうる
能動ミラーの部分断面略示図、第５図はマルチチャネル
系として形成した本発明によるレーザリトグラフの光束
形成光学系の光路図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、異なる導電性の微細にパターン化した層をウエハへ
    設けることによつて機能素子をつくり、１つの層に設け
    る線および面パターンを製造の各工程に特有の表面へ被
    覆したホトラツカ層のパターンと一致する露光によつて
    記録し、ホトラツカ層の露光すべき表面にわたつて走査
    しうる少なくとも１つの露光チャネルを有し、そのため
    に必要なウェハと露光光線の相対運動を露光光線の偏向
    およびウェハのコンピュータ制御した運動によつて互い
    に直角の２つの座標軸方向に実施する高集積した半導体
    構成素子を製造するためのレーザ光線リトグラフにおい
    て、照明光路が集束要素として電気的に焦点距離を制御
    しうる少なくとも１つの能動ミラー（４３；４３ａ、４
    ３ｂ）を有し、ウェハ（１１）の所望に応じて選択しう
    る表面要素において反射された試験光線（４１）の空間
    的分布を検出しうる走査装置（３８）を備え、露光制御
    および反射された光線の強度分布（点像強度分布関数）
    検出のため備えたコンピュータの範囲に比較装置を有し
    、この装置により試験光線または露光光束の最適の集束
    を示す理想的点像強度分布関数と検出した点像強度分布
    関数の比較から一定の集束条件を調節するための能動ミ
    ラー（４３；４３ａ、４３ｂ）の制御信号が得られ、か
    つ露光光線を強度変調する音−光変調器（１４）を備え
    ていることを特徴とするレーザ光線リトグラフ。 ２、露光のために備えたレーザ（３７）の１次光線の多
    数の部分光線への分割に作用する光線分割装置（４３ａ
    、４３ｂ）を備え、この部分光線の強度が変調装置（９
    ９）により互いに無関係に変化可能であり、１次光線の
    分割から生ずる部分光束を個々に露光すべきウェハ表面
    へ集束しうる特許請求の範囲第１項記載のリトグラフ。 ３、光束形成光学系（４９ａ）を備え、この系がホトラ
    ツカ層の露光のため備えたウェハ光源（３７）の１次光
    源を多数の部分光線に分割し、この部分光線を個々に露
    光すべき表面へ集束可能であり、その強度がそれぞれ１
    つの音−光変調器によつて個々に制御可能である特許請
    求の範囲第１項または第２項記載のリトグラフ。 ４、レーザ光源（３７）の１次光線を分割するため備え
    た光束形成光学系（４９ａ）が２つの能動ミラー（４３
    ａおよび４３ｂ）を有し、これらのミラーがそれぞれ共
    焦点配置の同数の小球面（９６および９７）を有し、共
    役小球面の組（９６、９７）の数に相当する数の音−光
    変調器を含む変調装置が２つの能動ミラー（４３ａおよ
    び４３ｂ）の共通焦点平面に配置されている特許請求の
    範囲第３項記載のリトグラフ。 ５、少なくとも１つの光電検出装置（７６、８３、７６
    ａ、８３ａ）を備え、これによつて露光光路または走査
    光路へ戻るウェハ表面の選択された点から反射されたま
    たはルミネセンスにより放出された光線の強度を検出可
    能である特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれ
    か１項に記載のリトグラフ。
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