JPS61113135A - 金属薄膜磁気テ−プ等の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 甲　産業上の利用分野 本発明にスパッタ１漠形成技術全利用した金属薄膜磁気
テープ等の製造装置に係り、特にベースフィルム上に二
種以上の金属薄＠を形成する金属薄膜磁気テープ等の製
造装置に関するう （口：　従来の技術 ベースフィルム上に異種の磁性金属ａ膜全金属蒸着技術
を利用して形成する磁気記録媒体の製造方法及びＶｔ置
は、例えば特公昭５８−１５４１３号公報等によって公
知に属する。この方法及び装置は例えば、雑誌、「応用
物理」第４８巻＠６号所載の論文「新しいスバブタ模形
改技術の動向」に開示されているスパッタリング法によ
る金Ｒ薄膜形成技術にも適用し得るものであるが、キャ
ンローラ及びスバフタリング装＠全夫々２組必要とする
等装置が複雑となるばかりでなく、後述の課題を残して
いる。

１／−１発明が解決しようとする問題点スパッタリング
法によってベースフィルム上に異種の金属Ｒ模全二層に
或は同時に形成し或は同−金Ｒ模を効率よ〈形ａ：する
装置のＦｊ！成を簡易化し、信頼性の向上と低コスト化
及びメインテナンスの向上を計ること。

に）問題点を解決する手段 スバ↓夕空間を形成する対向ターゲットの側万に、前記
スバフタ空間に面して平面伏のマグネトロン電極を配置
し、前記ターゲット対の背面に配しｔ永久磁石Ｖこよっ
て対同ターゲット間に印加される磁界を利用したマグネ
トロンスパッタ装置を溝成すると共に、前記マグネトロ
ン電極に対向する側に、Ｉ！１面にベースフィルムを圃
周しつつ移送するキャンローラを設けるり （ホ）作　用 対向ターゲット方式のスパッタリング装置の磁界付与手
段として各ターゲットの背面に装着される永久磁石によ
って平板マグネトロン電極の前面に平行な磁界を形成せ
しめ、この磁界とマグネトロン電極に印加される電界と
によってマグネトロン放電を生ぜしめ、対同スパッタリ
ングとマグネトロンスパッタリングを任意の順序で或は
同時に行うことにより、キャンローラは一個で済み、磁
界発生手段も節約出来るう Ｎ実施例 次に本発明装置の模式的な断面図を示す第１図を参照し
つつ説明する。

本発明装置１１に、真空室ｆｌｕ中に遮蔽板１浪によっ
て区画サレるスパッタリング装［［ｆ■と、ベースフィ
ルム移送装置Ｆ１ｅ５（ｌとに大別されろう前記真空室
１１律はその真空度を所定値に保つための排気装置［１
１１と、雰曲気ガスを注入する之めの給気装置＋１２１
とを備えており、装置稼動時後述するスパッタリング空
間’３Ｄに、アルゴンガス等の雰曲気ガスを注入し、所
定の圧力に保つ、 ＲＴＩＥベースフィルム移送装置ωは、少くともキャン
ローラ（５１）と、一対の供給、巻取ロール（５２Ｊ　
（５３Ｊとを備える。前記キャンローラ（５１Ｎ：ｔ、
ソの周面にベースフィルム（５４Ｊを１Ｍ問案内し、そ
の一部を前記遮蔽板■の開口１２Ｈに臨ましめ乍ら定速
で移送する。

上記スパッタリング、、装ｒａ■は、前記スパッタリン
グ空間ｌ３１Ｊが前記ａ線板■の開口（２１）に臨む様
に、この開口のの中心と前記キャンローラ（５１）の中
心とを結ぶ線の延長線を中心にして一対のターゲット（
３２１Ｇ３を配置し次対向ターゲットスパッタリング装
置ｃ３５と、上記スパッタリング空間ｌ３１１の右側万
叩ち、前記遮蔽板ｔ２Ｇの開口にシυに対向する側に平
板状のマグネトロン電極卿を配置したマグネトロンスパ
ッタリング装置（４αとで９成される一１前記対向ター
ゲフトスパッタリングＶＲ置６Ｓの各ターゲットＣ（２
時の両端部の背面には、永久磁石−）（至）及び６℃（
列を内示の極性で固設し、対向するターゲット４１２［
有］間に磁界を付与する。各ターゲフＨ３ａＣ３３及び
前記永久磁石［有］（２）鯛）１列は夫々ターゲット電
極を兼ねるターゲ？　Ｉ’ホルダ（（７１□□□に固定
される１このターゲットホルダに１ｓｏｏｖｓ度の負の
直流９圧が印加され、スバ・フタリング空間の雰曲気ガ
スのイオン化全促進する。イオン化したアルゴン原子カ
ハーマロイやＣ０−Ｃｒ（コバルト−クローム］のター
ゲット以外に衝突し、ホルダや永久磁石をスバウタする
のを防止するために、各ターゲットホルダｔ３８１ｃ３
’ｌｌと永久磁石Ｃ３・υ（財）ｊ３［３）［有］及び
ターゲフ）　＋３２４’Ｌ”ｌｌの端部を非磁性ステン
レスのシールド枠ｔ４２）ｔ４３１で被覆しておく。尚
ターゲットホルダ開田を所望温度以下に保つために、窄
冷若しくは水冷手段を用いることも出来るが、この点に
ついてに公知技術ｔｉ用し得るので説明を割愛する。

上記マグネトロンスパッタリング装置＋４（ｕ：Ｃ１平
板マグネトロン形式のもので、ターゲット対４１１の前
面に平行磁界を付与するための６１気発生源として、８
ｆｆ記対向ターゲツ）Ｉ３２（３３１の＠部の裏側に配
置されている永久磁石３４Ｉ（刃を兼用することを特徴
とするうそのためにも、前記ターゲットのシールド＃　
ｆ４３１４３は非磁性ステンレス等の非磁性体でｌｌ成
しておくことが必要であるっ ４−ゲ、２　ト（４１）は、ホルダＵ−１１の前面に固
定されてマグネトロン電極を形成するっシールド枠（＝
１５　ｆｌｌ対向ターラフト電極場合と同様非磁性ステ
ンレスで連成する。

斯る日収で、排気装置σＤによって真空室１１Ｊの排気
を行い、給気装置σ２によってアルゴンガスを供給し、
ＩＱ　　Ｔｏｒｒ程度のガス圧に保ちつつ各ターゲット
ホルダ３２關及び６υに一５００ｖの直流電圧を加える
と、アルゴンガス原子はイオン化して各ターゲット対 パッタされたターゲット金Ｖ４は、基体を形成するフィ
ルムベース（５４）上に順次付着して金桐膜を形成する
。

上記フィルムベース（５４１上に二＠を形成する場合に
は、まず対向ターゲットｃｔｏａとして第１金属、（例
えばバーマロイノをホルダ開田に装着し、マグネトロン
ターゲフＮｉ１）として第２金属、（例えばｃｏ−ｃｒ
Ｊをホルダ（４４に装着するワ欠にキャンローラＣ５１
）ｆ第１の方向（矢印ＡＪに回転させつつベースフィル
ム（５４Ｊｉ供給ロール（５２）から巻取ロール（５３
）に向けて定速で移送しつつ、ターゲットホルダ■Ｇ９
に一５００Ｖの直流電圧を印加すると、対向ターグツト
スパッタリングの原理によってスパッタされたパーマロ
イ原子は順次ベースフィルム上に被着して行き第１金属
の被模が形成される。ベースフィルム（５４）が巻取ロ
ール（５３Ｊに巻取られ、第１金時にホルダＣ３８１１
，３！Ｊへの負電圧の印加を断ち、代ｔ）ＶＣホルタ゛
１４４１に一５００ｖの直流電圧を印加する口丁ルト、
マグネトロンスバフタの原理によって生じ之マグネトロ
ン放電により、電子がターゲット９υの近傍を連続した
軌道に沿って運動し、アルゴンガスのイオン化全促進す
る。イオン化したアルゴンは０Ｏ−Ｃｒのターゲット（
４ＤＴｔｃ漸９Ｎしてその原子全スパッタリングしてベ
ースフィルム上に析出させ、第２金属薄寝を形成するっ 第１、第２ターゲツト金属を同時にスパッタリングする
場合には、両ホルダ（２）（３！１及び０υに同時に一
５００Ｖの直流電圧を印加してベースフィルム上に両金
属の混合皮模を形成させる−１また、単一の金属を効率
工〈スパッタリングする目的で各ターゲット（３：Ｂ（
３及びｔ４ｎｔ−同一金属（例えばＧｏ−（：１−Ｊで
形成して、対向ターゲット及びマグネトロンスパッタリ
ングＨｒａ　Ｃ３Ｓ　ｆ４Ｇを同時に動作させることも
できる。

（ト１効　果 本発明は上述の如き構成であるから、キャンローラ１個
で２種の金属＃ｆｆ！Ｘｔ−効゛率よく形成し得るので
、設備コストが安く、走行系の単純化により記のは成と
、磁界分布がターゲットの厚みによらず一定となるので
安定し次スパッタリング膜が形成出来るという効果に加
え、総合的に装置の低コを計ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明装置の模式的な断面［Ｆ］である。 （５１）・・・キャンローラ、門・・・対向ターゲット
スパッタリング製置、（イ（ト・・マグネトロンスパッ
タリングＨｅ、１３２ｃ３３・・・ターゲ・フト、ｆ４
１）・・・ターゲット、ａＳＳ・・・ホルダ、］４４）
・・・ホルタ゛、＋４２！＋４３　Ｆ４５１・・・シー
ルド伜ワ出臥三洋電機株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）背面に永久磁石を備えるターゲットを対向してス
   パッタ空間を形成し、前記対向ターゲットの側方に前記
   スパッタ空間に面して平面伏のマグネトロン電極を配置
   し、上記永久磁石によって対向ターゲット間に印加され
   る磁界を利用してマグネトロン放電が生じる様に構成す
   ると共に、前記マグネトロン電極に対向する側に周面に
   ベースフィルムを纏周しつつ移送するキャンローラを設
   けたことを特徴とする金属薄膜磁気テープ等の製造装置
   。