JPS61111139A - 触媒の製造法 - Google Patents

触媒の製造法

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JPS61111139A
JPS61111139A JP60243059A JP24305985A JPS61111139A JP S61111139 A JPS61111139 A JP S61111139A JP 60243059 A JP60243059 A JP 60243059A JP 24305985 A JP24305985 A JP 24305985A JP S61111139 A JPS61111139 A JP S61111139A
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    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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    • Y02P30/20Technologies relating to oil refining and petrochemical industry using bio-feedstock

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリカ含有担体上に支持されたコバルトから
なる触媒の製造法、並びに−酸化炭素と水素との混合物
からの炭化水素の製造におけるこれらの触媒の使用に関
する。
〔従来の技術〕
H!/Go混合物を高められた温度及び圧力にて触媒と
接触させることによってH*/Go混合物から炭化水素
を製造することは、フィンシャートロプシェ炭化水素合
成として文献において知られている。この目的に適した
触媒は、シリカ含有担体上に支持されたコバルトからな
るものである。
かかる触媒は、シリカ含有担体を液体の存在下でコバル
ト化合物と接触させ、次いで該液体を除去し、得られた
組成物を兼焼し、そして活性化することによって製造さ
れ得る。触媒製造のこのやり方では、コバルトの一部が
シリカ含有担体の表面に存在するヒドロキシル基と反応
し、かくしてコバルトヒドロキシシリケートを形成し、
しかしてこの化合物は後続の触媒活性化において還元さ
れない、従って、コバルトの一部はフィンシャートロプ
シェ合成に対する活性を有さす、それ故該触媒はコバル
ト含有量に基づいて予期される活性度よりも低い活性度
を示す。
〔発明の解決点〕
この欠点は、最初にシリカ含有担体を成る群のケイ素化
合物から選ばれた化合物で処理、し、次いでこのように
処理した担体を有機の液体の存在下でコバルト化合物と
接触させ、最後に、該有機の液体の除去後、得られた組
成物を頂焼しそして活性化することによって克服され得
る、ということが今般見出された。
〔発明の解決手段、作用及び効果〕
一般式S i (X)n(Y)n(Z)  (式中、X
−ハロゲン、アルコキシ及び/又はアシルオキシ、Y=
H及び/又はヒドロカルビル基、z■ハロゲン、又は窒
素含有もしくは酸素含有基、n−0〜3、H+m−3)
を有するケイ素化合物が、本目的に適する。
それ故、本発明はシリカ含有担体上に支持されt   
        たコバルトからなる触媒の製造法にお
いて、シリカ含有担体を一般式S i (X)JY)m
(Z)のケイ素化合物で処理し、かくして処理した担体
を有機の液体の存在下でコバルト化合物と接触させ、該
有機の液体を除去し、そして得られた組成物を1焼しそ
して活性化する、ことを特徴とする上記製造法に関する
本発明によるケイ素化合物での担体の処理は、気相又は
液相のいずれでも行われ得る。好ましい処理時間は、1
〜24時間特に4〜20時間である。該処理は好ましく
は、ヒドロキシル基を含有しない有機溶媒中の該ケイ素
化合物の溶液を用いて行われる。適当な溶媒は、オクタ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、アセトニトリル及
びジメチルスルホキシドである。溶媒として炭化水素又
は炭化水素の混合物を用いる。ことが好ましい、溶媒中
のケイ素化合物の溶液での担体の処理は好ましくは、4
0〜200℃特に80〜150℃の温度にて行われる。
1s処理は非常に適当には、ケイ素化合物の溶液及び担
体を還流下で煮沸することによって行われ得る。
本発明による方法においてハロゲン、アルコキシ又はア
シルオキシ基が基Xとして存在するケイ素化谷物が用い
られる場合、それぞれ塩素、メトキシ又はエトキシ及び
アセチルオキシが好ましい。
ヒドロカルビル基が基Yとして存在するケイ素化合物が
用いられる場合、メチル及びエチルが好ましい、アルコ
キシ及びアシルオキシのクラスに属さない酸素含有基が
基2として存在するかあるいは窒素含有基が基Zとして
存在するケイ素化合勢が用いられる場合、−0−Si(
Y)コ及び−NIH5i(Y)sが好ましい0本発明に
よる方法において、一般式S i (X)n(Y)(Z
) ノケイ素化合物特に2つの基Xが同じであるものを
用いることが好ましい。
本発明による方法に用いるのに適したケイ素化合物の例
として、次のものが挙げられ得る。
Sl (QC!Is) 3H璽トリエチルオキシランS
l (CHs) sCjl = )リメチルクロロシラ
ンSL (CHaCOO) 5FII−)リアセチルオ
キシラン5iCja   −テトラクロロシラン((C
H3) ssi ) tNH−ジ(トリメチルシリル)
アミン((CH3) 5si) to−ジ(トリメチル
シリル)オキシド′。
本発明に従い製造される触媒は、シリカ含有担体上に支
持されたコバルトからなる。適当な担体はと、りわけ、
シリカ、シリカ−アルミナ及びシリカ−マグネシアであ
る。担体としてシリカを用いることが好ましい、担体上
に存在するコバルトの量は、広範囲内で変えられ得る。
担体材料100重量部当たりコバルト3〜60重量部特
にコバルト5〜50重量部からなる触媒を製造すること
が好ましい0本発明に従い製造される触媒は好ましくは
、1種又はそれ以上の促進剤を含有する0本コバルト触
媒に適した促進剤は、鉄、マグネシウム、亜鉛及びトリ
ウムである。促進剤としてジルコニウム、チタン、クロ
ム又はルテニウムを含有する触媒を製造することが好ま
しい、促進剤としてジルコニウムを用いることが特に好
ましい、コバルト触媒上に存在する促進剤の好ましい量
は、担体 100重量部当たり0.1〜5重量部である
コバルトの外に促進剤を含有する本発明による触媒の製
造は好ましくは、最初にコバルトを担体上に付着させ、
そしてコバルト含有担体の本焼後促進剤を付着させるこ
とによって行われる。所望するなら、コバルト及び促進
剤は同時に風体上に付着させてもよい。
コバルトの付着は、ケイ素化合物で処理された担体を有
機の液体の存在下でコバルト化合物と接触させることに
よって行われる。この目的のために、有機溶媒中のコバ
ルト化合物の溶液を用いることが好ましい、該目的のた
めに非常に適した溶媒は、メタノール、エタノール及び
グリコールである。有機溶媒中のコバルト化合物の溶液
を用いる担体上へのコバルトの付着が、担体を比較的希
薄なコバルト溶液と室温にてかなりの時間接触させるこ
とによって慣用のやり方で行われる場合、コバルトが担
体に均質に分布されている触媒即ち触媒粒子の各点のコ
バルト濃度が実質的に同じである触媒が生じる。・Hz
/Co混合物からの炭化水素の製造のための担体上に支
持されたコバルト1′71.−エ。イimcxt□9o
59よ9、担体材料におけるコバルトの分布が特別な具
合で不均質である触媒は、コバルトが担体に均質に分布
されている同様な触媒よりも高いc、°選択性を示す、
ということが見出された。担体における所望の不均質な
コバルトの分布は、有m溶媒中のコバルト化合物の溶液
中に担体を一回又は数回浸漬し、各浸漬後組成物から液
体を除去することによって達成され、しかして各浸漬中
火の関係が満たされるようにする2 ここで、■は60℃にて測定された溶液の粘度(単位c
S)であり、Tは溶液の温度(単位”K)であり、tは
浸漬時間(単位S)である8本発明による触媒の製造に
おいてこの知見を利用することが好ましい。
本発明はまた、本発明に従い製造された触媒をHt/C
o混合物の炭化水素への転化のために用いることに関す
る。この目的に適合するようになる前に、混合物触媒は
活性化されるべきである。
この活性化は過当には、触媒を200〜350tの温度
にて水素又は水素含有ガスと接触させることにより行わ
れ得る。
本発明による触媒を用いるKN/Co混合物の炭化水素
への転化は好ましくは、125〜350℃特に175〜
275℃の温度及び5〜100バール特に10〜75バ
ールの圧力にて行われる。
更に、転化は好ましくは、Hs/Go混合物を固定床の
形態で存在する触媒と接触させることにより行われる。
本発明に従い炭化水素に転化されるのに通したH t 
/ CO混合物は非常に適当には、天然ガスの如き軽質
炭化水素から出発して水蒸気リホーミング又は部分酸化
により得られ得る。
本発明に従い間化水素に転化されるH ! / G O
混合物は好ましくは、1.5より高いH1/C○モル比
を有する。供給物が1.5より低いHt/C。
モル比を有する場合は、供給物をコバルト触媒と接触さ
せる前にH!/Coモル比を1.5〜2.5特に1.7
5〜2.25の値に増大させることが好ましい、水素ブ
アのH!/Go混合物のH2ノCOモル比はとりわけ、
水素の添加、−酸化炭素の除去、水素リンチのH!/C
o混合物との混合、あるいは水素プアのH!/Co混合
物をCO転化反応に付すことより増大され得る。
本発明によるH z/ CO混合物の転化は、独立プロ
セスとして適当に用いられ得、所望するなら、未転化合
成ガスは再循環され得る。更に、本発明によるHz/C
o混合物の転化は非常に適当には、H1/Co混合物か
らの中質留出物の製造のための二段階法の第1工程とし
て用いられ得る。何故なら、次のことが見出されたから
である。即ち、触媒活性金属としてジルコニウム、チタ
ン、クロム及び/又はルテニウムとともにコバルト及び
担体としてシリカ又はシリカ−アルミナを含有する触媒
であって、含浸及び/又は混練によって関係金属を担体
材料上に付着させることによって製造された触媒は、非
分枝パラフィンから実質的になる生成物であって、その
高沸部分はそれをハイドロクラッキング処理に付すこと
によって高収率で中質留出物に転化され得る生成物をも
たらす。
コバルト触媒上で得られた生成物から中質留出物を製造
する際に、目的生成物として所望される最も重質の中質
留出物の最終沸点より高い初期沸点を持つ生成物の部分
がハイドロクラ7キング用の供給物として適するであろ
うけれども、コバルト触媒上で製造された生成物の全C
s”留分もまた、所望するならその目的に用いられ得る
ハイドロクラッキングは、処理されるべき留分を高めら
れた温度及び圧力にて水素の存在下で、担体上に支持さ
れた1種又はそれ以よの第■族貴金属を含有する触媒と
接触させることにより行われる。好ましく用いられるハ
イドロクラッキング触媒は、担体としてのシリカ−アル
ミナ上に支持された0、2〜1%Wの白金又はパラジウ
ムからなる触媒である。ハイドロクランキング処理は好
ましくは、250〜350℃の温度及び10〜75バー
ルの圧力にて行われる。
4           〔実施例〕 本発明を次の例により説明する。
ゑ1ヱと1遣 9種のCo1510□触媒即ち触媒1〜9(いくつかは
zr又はRuで促進されているものであり、いくつかは
促進されていないものである。)が、前もって500℃
にて厚焼され、次いで24時間空気にさらされた球状の
シリカ担体(以下、シリカAという、)から出発して次
のようにして製造された。触媒1〜3の製造に用いられ
た出発材料は、シリカAそれ自体であった。触媒4〜6
の製造にはシリカBが用いられ、触媒7〜9の製造には
シリカCが用いられ、しかしてこれらの2種のシリカは
ケイ素化合物での処理によりシリカAから製造された。
ヱ1立旦 このシリカは、20gのシリカA、Logのトリエトキ
シシラン及び2QOmlHのトルエンの混合物を12時
間還流下で魚沸することにより製造された。得られたシ
リカBはデ別され、メタノールで3回洗浄され、そして
80℃にて16時聞耳空乾燥された。
シリカに のシリカはシリカBと実質的に同じようにして製造され
たが、その相違は、20gのトリエトキシシランの代わ
りに8gのジ(トリメチルシリル)アミンが用ζ)られ
たことであった。
・基幕」ユ―〔ILl これらの触媒(シリカ100重量部当たりコバルト25
重量部を含有する。)は、関係シリカ担体をエタノール
中の硝酸コバルトの溶液で含浸し、次いでその組成物を
500℃にて乾燥及び厚焼することによって製造された
般媒121反堕工 これらの触媒(シリカ100重量部当たりコバルト25
重量部及びジルコニウム0.9重量部を含有する。)は
、関係シリカ担体をエタノール中の硝酸コバルトの溶液
で含浸し、500℃における乾燥及び連焼後、そのコバ
ルト含有担体を水中の硝酸ジルコニウムの溶液で含浸し
、次いで500℃にて乾燥及び厚焼することにより製造
された。
ゑ1じし一1及で」− これらの触媒(シリカ100重量部当たりコバルト25
重量部及びルテニウム0.5重量部を含有する。)は、
関係シリカ担体をエタノール中の硝酸コバルト及び塩化
ルテニウムの溶液で含浸し1、−次いでその組成物を5
00℃にて乾燥及び厚焼することにより製造された。
触媒1〜9の製造の際、各含浸工程において用いられた
液体の量は、担体の孔容積に実質的に相当するような容
量であった。
放星成腺 触媒1〜9が、)!!/Coモル比が2である一酸化炭
素と水素との混合物からの炭化水素の製造における9つ
の実験(実験1〜9)に用いられた。
これらの実験は、20バールの圧力、220℃の温度及
び600 N fiog”、h−’の空間速度にて、固
体の触媒床を含有する反応器中で行われた。試験に先立
って、触媒は、250℃における水素での処理により活
性化された。実験1〜9の結果を表に示す。
表中に記載の触媒のうち触媒4〜9のみが本発明による
触媒である。これらの触媒の製造では、コバルトは、前
もってケイ素化合物で処理されたシリカ担体上に付着さ
れた。触媒1〜3は、予備処理されなかった担体上にコ
バルトが付着されたものであり、本発明の範囲外である
。それらは、比較のために本明細書に含められた。
表中に記載の実験のうち実験4〜9のみが本発明による
実験である。これらの実験では、本発明に従い製造され
た触媒を用いて行われ、非常に高い活性が認められた。
実験1〜3は、その範囲外である。これらの実験では、
本発明に従って製造されなかった触媒を用いて行われ、
達成された活性はかなり低い。
1   1  25 Co/1005iOz (A) 
       552   2  25 Co10.9
 Zr/1005i(h (A)     603  
 3  25 Co10.5 Ru/100 Stow
 (A)     634   4 25 Co/10
0 Sing (B)        815   5
  25 Co10.9 Zr/1005iOi (B
)     866   6  25 Co10.5 
Ru/100 Si% (B)     947  7
 25 Co/1005ift (C)       
758  8 25 Co10.9 Zr/100 S
tow (C)    819  9 25 Co10
.5 Ru/100 Sing (C)   、  9
0代ヨリ、の酩 川原田−穂

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)シリカ含有担体上に支持されたコバルトからなる
    触媒の製造法において、シリカ含有担体を一般式 Si(X)_n(Y)_m(Z) (式中、X=ハロゲン、アルコキシ及び/又はアシルオ
    キシ、Y=H及び/又はヒドロカルビル基、Z=ハロゲ
    ン、又は窒素含有もしくは酸素含有基、n=0〜3、n
    +m=3) のケイ素化合物で処理し、かくして処理した担体を有機
    の液体の存在下でコバルト化合物と接触させ、該有機の
    液体を除去し、そして得られた組成物を■焼しそして活
    性化する、ことを特徴とする上記製造法。
  2. (2)処理時間が1〜24時間である、特許請求の範囲
    第1項に記載の製造法。
  3. (3)処理時間が4〜20時間である、特許請求の範囲
    第2項に記載の製造法。
  4. (4)ヒドロキシ部を含有しない有機溶媒中のケイ素化
    合物の溶液を用いて処理を行う、特許請求の範囲第1〜
    3項のいずれか一項に記載の製造法。
  5. (5)使用溶媒が炭化水素又は炭化水素の混合物である
    、特許請求の範囲第4項に記載の製造法。
  6. (6)40〜200℃の温度にて処理を行う、特許請求
    の範囲第4項又は第5項に記載の製造法。
  7. (7)80〜150℃の温度にて処理を行う、特許請求
    の範囲第6項に記載の製造法。
  8. (8)担体をケイ素化合物の溶液とともに還流下で煮沸
    することにより処理を行う、特許請求の範囲第4〜7項
    のいずれか一項に記載の製造法。
  9. (9)ハロゲン、アルコキシ、又はアシルオキシである
    基Xが存在ししかも基Xがそれぞれ塩素、メトキシもし
    くはエトキシ、又はアセチルオキシとして存在するケイ
    素化合物を用いる、特許請求の範囲第1〜8項のいずれ
    か一項に記載の製造法。
  10. (10)ヒドロカルビル基である基Yが存在ししかも基
    Yがメチル又はエチルとして存在するケイ素化合物を用
    いる、特許請求の範囲第1〜9項のいずれか一項に記載
    の製造法。
  11. (11)アルコキシ及びアシルオキシのクラスに属さな
    い酸素含有基であるかあるいは窒素含有基である基Zが
    存在ししかも基Zがそれぞれ −O−Si(Y)_3又は−NH−Si(Y)_3 として存在するケイ素化合物を用いる、特許請求の範囲
    第1〜10項のいずれか一項に記載の製造法。
  12. (12)一般式Si(X)_n(Y)(Z) のケイ素化合物を用いる、特許請求の範囲第1〜10項
    のいずれか一項に記載の製造法。
  13. (13)触媒が担体100重量部当たりコバルト5〜5
    0重量部及び促進剤0.1〜5重量部を含有する、特許
    請求の範囲第1〜12項のいずれか一項に記載の製造法
  14. (14)触媒がジルコニウム、チタン、クロム、及びル
    テニウムから選ばれた1種又はそれ以上の促進剤を含有
    する、特許請求の範囲第1〜13項のいずれか一項に記
    載の製造法。
  15. (15)担体を一回又は数回溶液に浸漬し、しかも各浸
    漬後液体を組成物から除去しかつ各浸漬中次の関係 (logv/t×T)×10^4>1 (ここで、vは60℃にて測定された溶液の粘度(単位
    cS)であり、Tは溶液の温度(単位°K)であり、t
    は浸漬時間(単位s)である。〕が満たされるようにす
    る、特許請求の範囲第1〜14項のいずれか一項に記載
    の製造法。
  16. (16)実質的に本明細書特に実施例に記載の如く実施
    する、特許請求の範囲第1項に記載のシリカ含有担体上
    に支持されたコバルトからなる触媒の製造法。
  17. (17)特許請求の範囲第16項に記載の方法によって
    製造された、シリカ含有担体上に支持されたコバルトか
    らなる触媒。
  18. (18)一酸化炭素と水素との接触反応による炭化水素
    の製造法において、H_2/CO混合物を高められた温
    度及び圧力にて特許請求の範囲第17項に記載の触媒と
    接触させる、ことを特徴とする上記製造法。
  19. (19)H_2/CO混合物からの中質留出物の製造の
    ための二段階法の第1工程として実施すること、触媒活
    性金属としてジルコニウム、チタン、クロム及び/又は
    ルテニウムとともにコバルト及び担体としてシリカ−ア
    ルミナを含有する触媒であって含浸及び/又は混練によ
    って関係金属を担体材料上に付着させることによって製
    造された触媒を第1工程に用いること、しかも、第1工
    程で製造された生成物のうち少なくとも、目的生成物と
    して所望される最も重質の中質留出物の最終沸点より高
    い初期沸点を持つ部分を、第2工程でハイドロクラッキ
    ング処理に付し、しかして該ハイドロクラッキング処理
    は、担体上に支持された第VIII族の1種又はそれ以上の
    貴金属からなる触媒と高められた温度及び圧力にて接触
    させることにより行うこと、を特徴とする特許請求の範
    囲第18項に記載の製造法。
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