JP2556314B2 - 支持された金属触媒、その製造方法およびその使用 - Google Patents
支持された金属触媒、その製造方法およびその使用Info
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は担体上に支持された金属成分として、ジルコ
ニウムにより促進されたニツケルまたはコバルトを含む
触媒に関する。特に本発明は一酸化炭素と水素からの炭
化水素の製造のための支持された金属触媒に関する。
ニウムにより促進されたニツケルまたはコバルトを含む
触媒に関する。特に本発明は一酸化炭素と水素からの炭
化水素の製造のための支持された金属触媒に関する。
H2/CO混合物を触媒と昇温昇圧下に接触させることに
よる該混合物からの炭化水素の製造は文献でフイツシヤ
ートロプシユ合成として知られている。
よる該混合物からの炭化水素の製造は文献でフイツシヤ
ートロプシユ合成として知られている。
この目的にしばしば用いられる触媒は担体上に支持さ
れた鉄族からの1またはそれより多い金属を含む。
れた鉄族からの1またはそれより多い金属を含む。
非常に活性な触媒系は担体特にシリカ担体上に支持さ
れたコバルトおよび助触媒としてのジルコニウムから成
る。
れたコバルトおよび助触媒としてのジルコニウムから成
る。
フイツシヤートロプシユ触媒は活性成分と担体を結合
することにより、例えば金属の水溶液から金属を担体上
に沈澱させることにより、または好ましくは担体物質を
液体の存在下に金属の化合物で含浸することにより、適
当に製造される。更に、捏和技術を、特にスラリー反応
器中で使用される触媒の製造が意図される場合に、適用
しうる。すべての製造手順において組成物から液体が除
去され、次に焼および還元される。
することにより、例えば金属の水溶液から金属を担体上
に沈澱させることにより、または好ましくは担体物質を
液体の存在下に金属の化合物で含浸することにより、適
当に製造される。更に、捏和技術を、特にスラリー反応
器中で使用される触媒の製造が意図される場合に、適用
しうる。すべての製造手順において組成物から液体が除
去され、次に焼および還元される。
焼段階において含浸された金属化合物は1またはそ
れより多い金属酸化物に転化される。一酸化炭素と水素
の転化において触媒活性を有するためには、実質的な量
の金属酸化物が金属の形成下に還元されることが必要で
ある。還元は水素の存在下に通常、昇温例えば200−300
℃の範囲で行なわれる。担体としてシリカを使用する
と、或場合には触媒として使用すべき組成物中に、触媒
活性を示さない金属ヒドロシリケートが生ずることが観
察された。これらヒドロシリケートの還元は骨が折れ、
または苛酷な条件を必要とするので、該ヒドロシリケー
トの生成を最小にすることができるかどうか、またはそ
れらの除去を容易にしうることを研究した。
れより多い金属酸化物に転化される。一酸化炭素と水素
の転化において触媒活性を有するためには、実質的な量
の金属酸化物が金属の形成下に還元されることが必要で
ある。還元は水素の存在下に通常、昇温例えば200−300
℃の範囲で行なわれる。担体としてシリカを使用する
と、或場合には触媒として使用すべき組成物中に、触媒
活性を示さない金属ヒドロシリケートが生ずることが観
察された。これらヒドロシリケートの還元は骨が折れ、
または苛酷な条件を必要とするので、該ヒドロシリケー
トの生成を最小にすることができるかどうか、またはそ
れらの除去を容易にしうることを研究した。
ここに触媒に特定のもう1つの金属助触媒を組込むこ
とにより還元工程がかなり容易になることが見出され
た。これはシリカ以外の担体が使用される触媒に対して
と同様に、担体としてシリカが使用され従つてヒドロシ
リケートの生成が起りうる触媒に対しても有効である。
とにより還元工程がかなり容易になることが見出され
た。これはシリカ以外の担体が使用される触媒に対して
と同様に、担体としてシリカが使用され従つてヒドロシ
リケートの生成が起りうる触媒に対しても有効である。
本発明は担体上に金属成分として、ジルコニウムによ
り促進されたニツケルまたはコバルトが支持され、その
場合系が更に助触媒として白金および/またはパラジウ
ムの貴金属を含む、一酸化炭素と水素からの炭化水素の
製造のための触媒に関する。
り促進されたニツケルまたはコバルトが支持され、その
場合系が更に助触媒として白金および/またはパラジウ
ムの貴金属を含む、一酸化炭素と水素からの炭化水素の
製造のための触媒に関する。
本発明は特に担体上に支持されたコバルトおよび促進
剤としてジルコニウムおよび白金および/またはパラジ
ウムの貴金属を含む、一酸化炭素および水素からの炭化
水素の製造のための触媒に関する。
剤としてジルコニウムおよび白金および/またはパラジ
ウムの貴金属を含む、一酸化炭素および水素からの炭化
水素の製造のための触媒に関する。
好ましい触媒はコバルトを助触媒としてのジルコニウ
ムおよび白金またはパラジウム(白金が特に好ましい)
と共に含む。所望なら2種の貴金属助触媒の混合物も使
用しうる。触媒中に通常存在するコバルトおよび促進剤
の量は変化しうるが、最終触媒が担体100重量部当たり
5−40重量部のコバルト、0.25−50重量部特に0.5−25
重量部のジルコニウムおよび0.0001−5重量部特に0.00
1−1重量部の貴金属助触媒を含有するように触媒製造
を行なうのが好都合である。
ムおよび白金またはパラジウム(白金が特に好ましい)
と共に含む。所望なら2種の貴金属助触媒の混合物も使
用しうる。触媒中に通常存在するコバルトおよび促進剤
の量は変化しうるが、最終触媒が担体100重量部当たり
5−40重量部のコバルト、0.25−50重量部特に0.5−25
重量部のジルコニウムおよび0.0001−5重量部特に0.00
1−1重量部の貴金属助触媒を含有するように触媒製造
を行なうのが好都合である。
本発明による触媒中の担体物質は適当にはシリカ、シ
リカ−アルミナまたはアルミナからなる。シリカを使用
するのが好ましく、それはシリカそのものからなるのが
好ましいが、SiO2のほかに少量のアルミナまたはアルミ
ナシリケートのような他の物質を含有する担体物質も使
用しうる。
リカ−アルミナまたはアルミナからなる。シリカを使用
するのが好ましく、それはシリカそのものからなるのが
好ましいが、SiO2のほかに少量のアルミナまたはアルミ
ナシリケートのような他の物質を含有する担体物質も使
用しうる。
本発明はまた前に定義したコバルト、ジルコニウムお
よび貴金属含有触媒の製造方法に関する。好ましい製造
方法は多孔質担体をコバルト化合物とおよび組込むべき
助触媒の化合物と、液体例えば水の存在下に接触させ、
次に液体を例えば蒸発により除去し、組成物を昇温下に
焼し、そして次に水素の存在下に還元することを含
む。種々の金属の担体中への含浸は逐次的段階でまたは
単一処理で行いうる。適当な焼温度は400−600℃好ま
しくは450−550℃の範囲である。
よび貴金属含有触媒の製造方法に関する。好ましい製造
方法は多孔質担体をコバルト化合物とおよび組込むべき
助触媒の化合物と、液体例えば水の存在下に接触させ、
次に液体を例えば蒸発により除去し、組成物を昇温下に
焼し、そして次に水素の存在下に還元することを含
む。種々の金属の担体中への含浸は逐次的段階でまたは
単一処理で行いうる。適当な焼温度は400−600℃好ま
しくは450−550℃の範囲である。
本発明による方法の利点は、白金および/またはパラ
ジウムの貴金属の助触媒を含有しない触媒の還元に要す
るよりも実質的に低い温度で還元を行ないうるというこ
とにある。更に、本発明による触媒の製造に適当な還元
時間は当該技術分野で知られている型の焼した触媒を
還元するに要する時間よりも有意に短い。
ジウムの貴金属の助触媒を含有しない触媒の還元に要す
るよりも実質的に低い温度で還元を行ないうるというこ
とにある。更に、本発明による触媒の製造に適当な還元
時間は当該技術分野で知られている型の焼した触媒を
還元するに要する時間よりも有意に短い。
適当な還元温度は50−300℃の範囲である。還元時間
は30分ないし24時間であり得、この場合比較的低い温度
を選べば比較的長い還元時間が必要でありそしてその逆
もまた真であるということは明らかであろう。
は30分ないし24時間であり得、この場合比較的低い温度
を選べば比較的長い還元時間が必要でありそしてその逆
もまた真であるということは明らかであろう。
本発明はまた一酸化炭素と水素の混合物を前に定義し
たコバルト、ジルコニウムおよび貴金属含有触媒と接触
させることによる炭化水素の製造方法に関する。好まし
くはシリカ含有触媒を使用する。
たコバルト、ジルコニウムおよび貴金属含有触媒と接触
させることによる炭化水素の製造方法に関する。好まし
くはシリカ含有触媒を使用する。
この方法の供給原料は例えば石炭のような重質炭素含
有材料からガス化により、または天然ガスのような軽質
炭化水素からスチームリホーミングまたは部分酸化によ
り得られたものでありうる。
有材料からガス化により、または天然ガスのような軽質
炭化水素からスチームリホーミングまたは部分酸化によ
り得られたものでありうる。
好ましい反応条件は125−350℃の範囲特に175−275℃
の範囲の温度および0.5−15MPaの範囲特に1−10MPaの
範囲の圧力である。
の範囲の温度および0.5−15MPaの範囲特に1−10MPaの
範囲の圧力である。
本発明による方法の好ましい態様は、一酸化炭素と水
素からの炭化水素の製造を、中間留出油の2段階製造法
の第1段階として使用することにある。
素からの炭化水素の製造を、中間留出油の2段階製造法
の第1段階として使用することにある。
この目的に、炭化水素生成物または少なくとも、所望
の中間留出分の最終沸点より高い初期沸点を有する生成
物部分を、プロセスを第2段階としての接触水素処理に
かける。
の中間留出分の最終沸点より高い初期沸点を有する生成
物部分を、プロセスを第2段階としての接触水素処理に
かける。
接触水素処理は第1段階からの炭化水素物質を昇温昇
圧下にそして水素の存在下に担体上に支持された水素化
活性を有する1またはそれ以上の金属を含む触媒と接触
させることにより適当に実施される。
圧下にそして水素の存在下に担体上に支持された水素化
活性を有する1またはそれ以上の金属を含む触媒と接触
させることにより適当に実施される。
水素処理において担体上に支持された第VIII族からの
1またはそれ以上の金属を含む触媒を使用するのが好ま
しい。特に、13−15%wがアルミナ、残りがシリカから
なる担体上に白金を含む触媒が好ましい。水素処理にお
ける好ましい反応条件は175−400℃の範囲特に250−350
℃の範囲の温度、1−25MPa特に2.5−15MPaの水素分
圧、0.1−5kg・l-1・h-1特に0.25−2kg・l-1・h-1の空
間速度および100−5000Nl・kg-1特に250−2500Nl・kg-1
の水素/油比である。
1またはそれ以上の金属を含む触媒を使用するのが好ま
しい。特に、13−15%wがアルミナ、残りがシリカから
なる担体上に白金を含む触媒が好ましい。水素処理にお
ける好ましい反応条件は175−400℃の範囲特に250−350
℃の範囲の温度、1−25MPa特に2.5−15MPaの水素分
圧、0.1−5kg・l-1・h-1特に0.25−2kg・l-1・h-1の空
間速度および100−5000Nl・kg-1特に250−2500Nl・kg-1
の水素/油比である。
本発明を次の実施例で更に説明する。
例 触媒製造 触媒1 内部表面積112m2/ml(嵩容積)および外部表面積15cm
2/ml(嵩容積)の球状シリカ担体を120℃で乾燥した。
担体を硝酸コバルトのエタノール溶液中に15秒間浸漬し
そして次に乾燥し、500℃で焼した。浸漬、乾燥およ
び焼からなる処理を反復した。
2/ml(嵩容積)の球状シリカ担体を120℃で乾燥した。
担体を硝酸コバルトのエタノール溶液中に15秒間浸漬し
そして次に乾燥し、500℃で焼した。浸漬、乾燥およ
び焼からなる処理を反復した。
次にコバルト担持担体を硝酸ジルコニウム水溶液と接
触させた(細孔容積含浸)。今やコバルトおよびジルコ
ニウムを担持した担体を500℃で焼した。
触させた(細孔容積含浸)。今やコバルトおよびジルコ
ニウムを担持した担体を500℃で焼した。
触媒の組成は10 Co/0.9 Zr/100 SiO2、その内部表面
積は94m2/ml(嵩容積)、その外部表面積は15cm2/ml
(嵩容積)であつた。
積は94m2/ml(嵩容積)、その外部表面積は15cm2/ml
(嵩容積)であつた。
触媒2 触媒1の一部に白金を、Pt(NH3)4(OH)2の水溶
液での細孔容積含浸により、担持させ、次に120℃で乾
燥しそして500℃で焼した。
液での細孔容積含浸により、担持させ、次に120℃で乾
燥しそして500℃で焼した。
触媒の組成は0.1 Pt/10 Co/0.9 Zr/100 SiO2、その内
部および外部表面積は触媒1のそれらと同じであつた。
部および外部表面積は触媒1のそれらと同じであつた。
触媒試験 触媒1および2を、触媒が10mlの嵩容積の固定床の形
で存在する管状反応器中での合成ガスの転化につき試験
した。
で存在する管状反応器中での合成ガスの転化につき試験
した。
試験の前に触媒を表に示した条件下で還元した。
合成ガスの転化中の優勢な条件は下記の通りであつ
た: 圧力:2MPa 比H2/CO:2(V/V) GHSV(H2+CO):900Nl・l-1・h-1 他の条件および転化結果は表に示す。
た: 圧力:2MPa 比H2/CO:2(V/V) GHSV(H2+CO):900Nl・l-1・h-1 他の条件および転化結果は表に示す。
これらの結果からわかるように、触媒2は空時収量お
よび合成ガス転化率、およびより低い失活速度に関し、
はるかに優れていた。
よび合成ガス転化率、およびより低い失活速度に関し、
はるかに優れていた。
フロントページの続き (72)発明者 ヨハネス・エヴエラルデユス・グレザー オランダ国 1031 シー・エム アムス テルダム、バトホイスウエヒ 3 (72)発明者 マルテイン・フランシスクス・マリア・ ポスト オランダ国 1031 シー・エム アムス テルダム、バトホイスウエヒ 3
Claims (10)
- 【請求項1】担体上にジルコニウムにより促進されたニ
ツケルまたはコバルトが金属成分として支持された、一
酸化炭素と水素からの炭化水素の製造のための触媒にお
いて、触媒が更に白金および/またはパラジウムを助触
媒として含有することを特徴とする前記触媒。 - 【請求項2】担体上に支持された、ジルコニウムにより
促進されたコバルトを含む、一酸化炭素と水素からの炭
化水素の製造のための触媒であって、更に白金および/
またはパラジウムを助触媒として含有することを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の触媒。 - 【請求項3】貴金属助触媒として白金を使用することを
特徴とする特許請求の範囲第1または2項記載の触媒。 - 【請求項4】コバルトの量が担体100重量部当り5−40
重量部の範囲であり、同じ基準でジルコニウムの量が0.
25−50重量部の範囲、および白金および/またはパラジ
ウムの量が0.0001−5重量部の範囲であることを特徴と
する特許請求の範囲第2または3項記載の触媒。 - 【請求項5】担体100重量部当りジルコニウムの量が0.5
〜25重量部の範囲でありそして白金および/またはパラ
ジウムの量が0.001−1重量部の範囲であることを特徴
とする特許請求の範囲第4項記載の触媒。 - 【請求項6】担体がシリカ−、シリカ−アルミナ−また
はアルミナ−含有担体であることを特徴とする特許請求
の範囲第1〜5項のいずれか一項記載の触媒。 - 【請求項7】担体がシリカ含有担体であることを特徴と
する特許請求の範囲第1〜5項のいずれか一項記載の触
媒。 - 【請求項8】担体上に支持された、ジルコニウムおよび
白金および/まはパラジウムにより促進されたコバルト
を含む、一酸化炭素と水素からの炭化水素の製造のため
の触媒の製造方法において、多孔質担体を液体の存在下
にコバルト化合物とおよび組込むべき助触媒の化合物と
接触させ、次に液体を除去し、得られる組成物を昇温下
に焼しそして水素の存在下で還元することを特徴とす
る前記製造方法。 - 【請求項9】焼を450−550℃の範囲の温度で行いそし
て還元を50−300℃の範囲の温度で行うことを特徴とす
る特許請求の範囲第8項記載の方法。 - 【請求項10】一酸化炭素と水素の混合物を昇温昇圧下
に、担体上にジルコニウムにより促進されたニツケルま
たはコバルトが金属成分として支持された触媒と接触さ
せることにより炭化水素の製造方法において、一酸化炭
素と水素の混合物を、白金および/またはパラジウムを
助触媒として更に含有する触媒と接触させることを特徴
とする前記製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8527549 | 1985-11-08 | ||
GB858527549A GB8527549D0 (en) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | Supported metal catalysts |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62117630A JPS62117630A (ja) | 1987-05-29 |
JP2556314B2 true JP2556314B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=10587919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61262917A Expired - Lifetime JP2556314B2 (ja) | 1985-11-08 | 1986-11-06 | 支持された金属触媒、その製造方法およびその使用 |
Country Status (16)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4857497A (ja) |
EP (1) | EP0221598B1 (ja) |
JP (1) | JP2556314B2 (ja) |
CN (1) | CN1015358B (ja) |
AT (1) | ATE60255T1 (ja) |
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