JPS61110451A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61110451A JPS61110451A JP59232084A JP23208484A JPS61110451A JP S61110451 A JPS61110451 A JP S61110451A JP 59232084 A JP59232084 A JP 59232084A JP 23208484 A JP23208484 A JP 23208484A JP S61110451 A JPS61110451 A JP S61110451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- equivalent
- semiconductor device
- boiling
- hydroxide
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置に係り、その目的は透過水の電気
伝導度を低下させることによりアルミ電極やアルミ配線
の耐腐食性を向上させ、耐湿性に優れると同時に高温特
性の劣化が無いエポキシ樹脂組成物を用いて封止した半
導体装置の提供にある。
伝導度を低下させることによりアルミ電極やアルミ配線
の耐腐食性を向上させ、耐湿性に優れると同時に高温特
性の劣化が無いエポキシ樹脂組成物を用いて封止した半
導体装置の提供にある。
（従来の技術）
近年、トランジスタ素子や集積回路等の半導体装置は勿
論メモリ、マイクロコンピータ等のＶＬＳＩ（超高密度
集積回路）に至るまでエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を
用いた樹脂封止方式によって製造される半導体装置が主
流となっている。
論メモリ、マイクロコンピータ等のＶＬＳＩ（超高密度
集積回路）に至るまでエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を
用いた樹脂封止方式によって製造される半導体装置が主
流となっている。
、この樹脂封止方式による半導体装置は従来の金属やセ
ラミック材料によるハーメチック封正方式に比べ封止操
作が簡単で経済性、作業性等に低れるという利点がある
反面高湿時における信頼性が劣るという欠陥があった。
ラミック材料によるハーメチック封正方式に比べ封止操
作が簡単で経済性、作業性等に低れるという利点がある
反面高湿時における信頼性が劣るという欠陥があった。
この現象は封止された半導体装置のアルミ配線あるいは
アルミ電極が吸湿によって腐食し、この腐食によってア
ルミ配線が断線したりして半導体装置の不良が発生する
ものであった。
アルミ電極が吸湿によって腐食し、この腐食によってア
ルミ配線が断線したりして半導体装置の不良が発生する
ものであった。
その原因は封止材料とリードフレームとの界面から半導
体装置内に水が浸入し、その浸入した水が封止樹脂中を
透過する際に封止樹脂中のイオン性不純物の運び役とな
って、このイオン性不純物がアルミ配線あるいはアルミ
電極の腐食を発生させるものと考えられている。
体装置内に水が浸入し、その浸入した水が封止樹脂中を
透過する際に封止樹脂中のイオン性不純物の運び役とな
って、このイオン性不純物がアルミ配線あるいはアルミ
電極の腐食を発生させるものと考えられている。
そこで従来より封止材料に使用されるエポキシ樹脂の耐
湿性を改善せんと、特にアルミ配線及びアルミ電極の腐
食を防止するためにイオン性不純物を除去せんとする改
良が種々状みられ既に公開されている。
湿性を改善せんと、特にアルミ配線及びアルミ電極の腐
食を防止するためにイオン性不純物を除去せんとする改
良が種々状みられ既に公開されている。
例えば、エポキシ樹脂からなる封止材組成物にカチオン
発生物質（亜鉛、マグネシウム、錫、鉛、ベリリュウム
、ビスマス）を添加する方法或いはイオン交換体を添加
する方法、さらには酸化マグネシウム、水酸化マグネシ
ウム、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、酸化アルミ
ニウム、水酸化アルミニウム等の固体塩基或いはその水
和物を添加する方法等が良く知られている。
発生物質（亜鉛、マグネシウム、錫、鉛、ベリリュウム
、ビスマス）を添加する方法或いはイオン交換体を添加
する方法、さらには酸化マグネシウム、水酸化マグネシ
ウム、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、酸化アルミ
ニウム、水酸化アルミニウム等の固体塩基或いはその水
和物を添加する方法等が良く知られている。
これらは主として封止材組成物の原料であるエポキシ樹
脂の製造工程に由来して存在する加水分解性塩素やある
いはイオン性不純物である塩素等を、前記添加物によっ
て加水分解性塩素やイオン性不純物である塩素を捕捉し
て、結果これら不純物をイオン状で透過水への浸透する
のを防止し、延いては封止電極やアルミ配線の腐食を防
止せんとするものである。
脂の製造工程に由来して存在する加水分解性塩素やある
いはイオン性不純物である塩素等を、前記添加物によっ
て加水分解性塩素やイオン性不純物である塩素を捕捉し
て、結果これら不純物をイオン状で透過水への浸透する
のを防止し、延いては封止電極やアルミ配線の腐食を防
止せんとするものである。
ところがこれらの従来における耐湿性を改善した封止材
料は透過水中にｆｇ解するのを防止する目的で配合する
カチオン等の過水分解性塩素封止剤の配合量が組成系全
体に対し相当１配合する必要があり、特に固体塩基或い
はその水和物を添加する方法においては０．１乃至２０
重ｌｘもの大量含有させる必要があるため、なるほど耐
湿性においては半導体装置の耐腐食性４生を改善するこ
とはできるけれども一方において半導体装置の高温特性
等、例えば高温ρν特性、魚沸後ρＶ特性、煮沸吸水率
等、において劣化するという現象が見られ好ましくなか
った。
料は透過水中にｆｇ解するのを防止する目的で配合する
カチオン等の過水分解性塩素封止剤の配合量が組成系全
体に対し相当１配合する必要があり、特に固体塩基或い
はその水和物を添加する方法においては０．１乃至２０
重ｌｘもの大量含有させる必要があるため、なるほど耐
湿性においては半導体装置の耐腐食性４生を改善するこ
とはできるけれども一方において半導体装置の高温特性
等、例えば高温ρν特性、魚沸後ρＶ特性、煮沸吸水率
等、において劣化するという現象が見られ好ましくなか
った。
（発明が解決しようとする問題点）
この発明は以上のような事情に照らし、封止樹脂である
エポキシ樹脂組成系の耐湿性即ち半導体装置の耐腐食特
性を改善するとともに半導体装置の高温特性等、例えば
高温ρＶ特性、煮沸後ρν特性、煮沸吸水率等、の劣化
をもたらさない封止樹脂であるエポキシ樹脂組成系によ
って封止された半導体装置を提供せんとしてなされたも
のである。
エポキシ樹脂組成系の耐湿性即ち半導体装置の耐腐食特
性を改善するとともに半導体装置の高温特性等、例えば
高温ρＶ特性、煮沸後ρν特性、煮沸吸水率等、の劣化
をもたらさない封止樹脂であるエポキシ樹脂組成系によ
って封止された半導体装置を提供せんとしてなされたも
のである。
（問題点を解決するための手段）
この発明者らは、上記目的のために鋭意検討を重ねた結
果、封止材料であるエポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤
及び無機質充填剤等からなるエポキシ樹脂組成物系にア
ルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物をｏ
、ｏｏｔ乃至０．０１５ｇ当量／ ｋｇ含むことを特徴
とする樹脂組成物にて封止されてなる半導体装置とする
ことにより、半導体装置の耐湿性を改善する即ちアルカ
リ金属及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物を０．０
０１ｇ当量／ ｋｇ以上添加することにより透過水の電
気伝導度を低下させ、延いてはアルミ電極等の耐腐食性
を向上し結果耐蝕性を改善し、更にアルカリ金属及び／
又はアルカリ土類金属の水酸化物の添加量をｏ、ｏｉ５
ｇ当ＭＬ／ ｋｇ未満とすることにより高温ρＶ特性、
煮沸後ρＶ特性及び煮沸吸水率等の低下をみることがな
い半導体装置を完成しこの発明に到達した。
果、封止材料であるエポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤
及び無機質充填剤等からなるエポキシ樹脂組成物系にア
ルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物をｏ
、ｏｏｔ乃至０．０１５ｇ当量／ ｋｇ含むことを特徴
とする樹脂組成物にて封止されてなる半導体装置とする
ことにより、半導体装置の耐湿性を改善する即ちアルカ
リ金属及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物を０．０
０１ｇ当量／ ｋｇ以上添加することにより透過水の電
気伝導度を低下させ、延いてはアルミ電極等の耐腐食性
を向上し結果耐蝕性を改善し、更にアルカリ金属及び／
又はアルカリ土類金属の水酸化物の添加量をｏ、ｏｉ５
ｇ当ＭＬ／ ｋｇ未満とすることにより高温ρＶ特性、
煮沸後ρＶ特性及び煮沸吸水率等の低下をみることがな
い半導体装置を完成しこの発明に到達した。
（発明の構成）
この発明で使用するエポキシ樹脂としては、１分子中に
２個以上のエポキシ基ををするものであって例えばビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂な
ど一般に樹脂封止用成形材料として用いられているもの
であればいずれも好適に使用できる。
２個以上のエポキシ基ををするものであって例えばビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂な
ど一般に樹脂封止用成形材料として用いられているもの
であればいずれも好適に使用できる。
この発明において使用するエポキシ樹脂硬化剤としては
アミン系硬化剤、フェノールノボラック樹脂、クレゾー
ルノボラック樹脂等のノボラック系硬化剤、酸無水物な
どが例示できる。
アミン系硬化剤、フェノールノボラック樹脂、クレゾー
ルノボラック樹脂等のノボラック系硬化剤、酸無水物な
どが例示できる。
この発明において使用する無機充填剤を例示すれば、結
晶性シリカ粉、石英ガラス粉、タルク、ケイ酸カルシウ
ム粉、ガラス繊維などがあり特に結晶性シリカ粉、石英
ガラス粉が好ましく使用できる。
晶性シリカ粉、石英ガラス粉、タルク、ケイ酸カルシウ
ム粉、ガラス繊維などがあり特に結晶性シリカ粉、石英
ガラス粉が好ましく使用できる。
この発明において使用するアルカリ金属又はアルカリ土
金属の水酸化物としては、水酸化リチウム、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化ス
トロンチウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウムな
どを列挙できる。
金属の水酸化物としては、水酸化リチウム、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化ス
トロンチウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウムな
どを列挙できる。
この発明においては、前記のようなエポキシ樹脂、エポ
キシ樹脂硬化剤及び無機充填剤等からなる組成系に上記
アルカリ金属又はアルカリ土金属の水酸化物を０．００
１ ｇ当量乃至０．０１５ ｇ当ｉｔ／ ｋｉｒを添加
する。
キシ樹脂硬化剤及び無機充填剤等からなる組成系に上記
アルカリ金属又はアルカリ土金属の水酸化物を０．００
１ ｇ当量乃至０．０１５ ｇ当ｉｔ／ ｋｉｒを添加
する。
その理由は０．００１ ｇ当量未満の含有量では透過水
によるアルミ電極、アルミ配線等の耐腐食効果を有効に
発揮させることが難しく、叉−万〇’、０１５ｇ当量を
越えて含有させると従来の如く半導体装置の高温ρＶ特
性、煮沸後ρＶ特性及び煮沸吸水率などが著しく劣化す
るからである。
によるアルミ電極、アルミ配線等の耐腐食効果を有効に
発揮させることが難しく、叉−万〇’、０１５ｇ当量を
越えて含有させると従来の如く半導体装置の高温ρＶ特
性、煮沸後ρＶ特性及び煮沸吸水率などが著しく劣化す
るからである。
この発明に係る半導体装置に使用する封止樹脂組成系に
は、通常配合される他の添加剤例えば離型剤、カップリ
ング剤、難燃剤、硬化促進剤等の成分を含有させてもよ
い。
は、通常配合される他の添加剤例えば離型剤、カップリ
ング剤、難燃剤、硬化促進剤等の成分を含有させてもよ
い。
以上のような組成物を用いてこの発明に係る半導体装置
を製造するには、常法に準じて行えばよく例えばエポキ
シ樹脂にエポキシ樹脂硬化剤、無機質充填剤、アルカリ
金属又はアルカリ土金属の水酸化物所定量を混練し、ト
ランスファー成形等で所要の封止部を封止すれば耐湿性
にずくれかつ高温特性等の劣化がないこの発明に係る半
導体装置が得られる。
を製造するには、常法に準じて行えばよく例えばエポキ
シ樹脂にエポキシ樹脂硬化剤、無機質充填剤、アルカリ
金属又はアルカリ土金属の水酸化物所定量を混練し、ト
ランスファー成形等で所要の封止部を封止すれば耐湿性
にずくれかつ高温特性等の劣化がないこの発明に係る半
導体装置が得られる。
（実施例）
以下実施例及び比較例を記載することによりこの発明を
詳説する。
詳説する。
実施例 １
クレゾールノボラ７り型エポキシ樹脂
１６０重量部
臭素化エポキシ樹脂 ２０ 重量部フェ
ノールノボラック ９０ ＩＪｉ部結易結
晶性シリカ粉末 ７００ ｆｆｌｆｆｌ部三
酸化アンチモン ２０ 重量部２メチ
ルイミダゾール ６ 重量部カルナバワック
ス ５ 重量部カーボンブラック
３ 重量部水酸化す） ＩＪウム
０．１６重量部（０，００４ｇ当量／に＋ｒ
） 以上の組成物を混合し、ロール混練機を用いて混練した
後粉砕して成形材料とした。
ノールノボラック ９０ ＩＪｉ部結易結
晶性シリカ粉末 ７００ ｆｆｌｆｆｌ部三
酸化アンチモン ２０ 重量部２メチ
ルイミダゾール ６ 重量部カルナバワック
ス ５ 重量部カーボンブラック
３ 重量部水酸化す） ＩＪウム
０．１６重量部（０，００４ｇ当量／に＋ｒ
） 以上の組成物を混合し、ロール混練機を用いて混練した
後粉砕して成形材料とした。
実施例 ２
実施例１で使用した水酸化ナトリウムを０．１６重量部
（０，００４ｇ当量／ｋｇ）から０．０８重量部（０，
００２ｇ当量／ ｋｉｒ）に減少した以外は実施例１と
全く同様にして成形材料を得た。
（０，００４ｇ当量／ｋｇ）から０．０８重量部（０，
００２ｇ当量／ ｋｉｒ）に減少した以外は実施例１と
全く同様にして成形材料を得た。
実施例 ３
実施例１で使用した水酸化ナトリウムを０．１６１ｉｉ
量部（０，００４ｇ当量／ ｋｇ）から０．５重量部（
０，０１２５ｇ当！／ １ｇ）に減少した以外は実施例
１と全（同様にして成形材料を得た。
量部（０，００４ｇ当量／ ｋｇ）から０．５重量部（
０，０１２５ｇ当！／ １ｇ）に減少した以外は実施例
１と全（同様にして成形材料を得た。
実施例 ４
実施例１で使用した水酸化ナトリウム０．１６重量部（
０，００４ｇ当量／ｋｇ）の代わり水酸化バリウム０゜
６４重量部（０，００４ｇ当量／ｋｇ）を使用した以外
は実施例１と全く同様にして成形材料を得た。
０，００４ｇ当量／ｋｇ）の代わり水酸化バリウム０゜
６４重量部（０，００４ｇ当量／ｋｇ）を使用した以外
は実施例１と全く同様にして成形材料を得た。
比較例 １
実施例１で使用した水酸化ナトリウムを全く使用しない
以外は実施例１と全く同様にして成形材料を得た。
以外は実施例１と全く同様にして成形材料を得た。
比較例 ２
実施例１で使用した水酸化ナトリウムを０．１６重量部
（０，００４ｇ当量／眩）から０．０２正量部（０，０
００５ｇ当量／ ｋｉｒ）に減少した以外は実施例１と
全く同様にして成形材料を得た。
（０，００４ｇ当量／眩）から０．０２正量部（０，０
００５ｇ当量／ ｋｉｒ）に減少した以外は実施例１と
全く同様にして成形材料を得た。
比較例 ３
実施例１で使用した水酸化ナトリウムを０．１６！１量
部（０，００４ｇ当量／ｋｇ）から０．８徂■部（０，
０２，当量／ｋｇ）に減少した以外は実施例１と全く同
様にして成形材料を得た。
部（０，００４ｇ当量／ｋｇ）から０．８徂■部（０，
０２，当量／ｋｇ）に減少した以外は実施例１と全く同
様にして成形材料を得た。
これら実施例１〜４及び比較例１〜３で得られたこの成
形材料及び成形材料を用いて、１７０℃、２分間の条件
でトランスファー成形して試験用素子を封止した。
形材料及び成形材料を用いて、１７０℃、２分間の条件
でトランスファー成形して試験用素子を封止した。
それぞれの試験において、試験用素子及び成形片は各２
０（１ａｌ！Ｊｉ製した。
０（１ａｌ！Ｊｉ製した。
試験方法
ＭＴＴＦ試験
１４４．８℃の雰囲気で、ＩＯＶバイアス電圧を印加し
、プレフシャークソカーバイアステストを実施した。
、プレフシャークソカーバイアステストを実施した。
このテストはアルミ配線あるいはアルミ電極の腐食によ
る断線の起こる時間を測定し、評価した。
る断線の起こる時間を測定し、評価した。
耐湿性試験
耐湿性試験は前記実施例１〜４及び比較例１〜３で得た
粉砕成形物５ｇに対して５０ｍｊ！の純水を加え、吸湿
容器において１４０℃、１６０℃、２０℃の温度条件で
抽出を行い、この抽出液の電気伝導度を測定した。
粉砕成形物５ｇに対して５０ｍｊ！の純水を加え、吸湿
容器において１４０℃、１６０℃、２０℃の温度条件で
抽出を行い、この抽出液の電気伝導度を測定した。
而、同時にこの抽出水のＰ）ｌを測定した。
電気特性すなわち高温ρＶ、煮沸ρＶはＪＩＳに−６９
，１１に従い、煮沸吸水率は重量変化により算出し、ガ
ラス転移温度は線膨張係数の変化する温度として求めた
。
，１１に従い、煮沸吸水率は重量変化により算出し、ガ
ラス転移温度は線膨張係数の変化する温度として求めた
。
これらの試験結果を第１表に示す。
（以下余白）
工
１ １苅９１タ１１１〕鞄１喝匡タリ１謬ミ）ｉ
［４１１’３−９シ証（タリ１階１１階１１階１１ｉ不
良発生 １１１１１１１１ １血（ｈ） ｌ ６３０１ ４７０１ ４１０１６
５０１ ４００１ ４００１ ５７０１１ｈＩｔｌｉ／
ｋ ｌ ｌ ｌ Ｉ Ｉ
Ｉ Ｉ １１電如」鍍１ ６３１
６６１ ８０１ ６６１ ８３１ （資）１ 郭１１
（μ、、／、、）ｌ ｌ Ｉ Ｉ
Ｉ Ｉ ｌ １１抽出水（Ｐ
Ｈ）＋ ４．２３１ ４．０１１ ５．０５１ ４．
０６１ ３．８４１ ３．８５１ ５．２５１１高温ｐ
ＶＩｌｌｌＩＩＩ１ １１５０℃ ＋ ３０．７１ ３３．１１ １８．
７１ ３５．１１ ３０．９１ ３１．２１ ９．２１
１（Ω、Ｃｌ１）ｌ刈０１ｔｌ ＸＩＯ” ｌ ＸＩＯ
” ｌ刈０１２１刈０ ” ｌ ＸＩＯ′２１刈０１２
１１煮沸ρｖｌ Ｉ ｌ ｌ
ｌ Ｉ ｌ １１４８ｈ
ｌ ２．３１ ２．４１ １．３１ ２．９１ ２．
８１ ２．８１ ０．６１１（Ω、 ｍ ｌ Ｘｌ０１
５１ Ｘｌ０１５１刈ｇｌｓ ｌ ｘｌｏｌｓ ｌ刈０
１５ ｌ ｘｌＯｌｓ ｌ ｘｌｏｌｓ １１衛燗洲率
１１１１１１１１ １（ｗＬＸ） Ｉ Ｏ，６５１０，６５１０，
６９１０，６３１０，６４１０，６４１０，７２１１ガ
ラス転移１１１１１１１！ 日 ”ｃ ７０ ７ ７０ １７２
７ ７ ７（発明の効果） 以上詳述した如（この発明に係る半導体装置はエポキシ
樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び無機質充填剤等からなる
エポキシ樹脂組成物系にアルカリ全屈及び／又はアルカ
リ土類金属の水酸化物を０゜００１乃至０．０１５ ｇ
当量／ ｋｇ含むことを特徴とする樹脂組成物にて封止
されてなる半導体装置であるから、この半導体中に浸透
された透過水によって不純物が過水分解されてイオン化
して透過水に溶解しても封止樹脂組成物系に添加された
アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物に
よって特に水素イオンの存在によって透過水内で中和さ
れ、従ってこの透過水中の水素イオン量を低減させ、結
果ＰＨを中性に近づけるとともにアルカリ全屈又はアル
カリ土金属イオンの濃度が増加するにもかかわらず水素
カチオンイオン量を減少させることによって透過水中の
電気伝導度を低下させ、従ってアルミ配線あるいはアル
ミ電極の腐食速度を著しく減少しひいては耐湿性に優れ
た半導体装置とすることができると同時にこのアルカリ
金属叉はアルカリ土類金属の水酸化物の添加量を０．０
１５ｇ当量７ ｋｇ以下とすることによって半導体封止
樹脂その・ものの高温ρＶ特性、需沸ρν特性及び煮沸
吸水率などの特性を劣化させることないという効果を併
せ奏する半導体装置である。
［４１１’３−９シ証（タリ１階１１階１１階１１ｉ不
良発生 １１１１１１１１ １血（ｈ） ｌ ６３０１ ４７０１ ４１０１６
５０１ ４００１ ４００１ ５７０１１ｈＩｔｌｉ／
ｋ ｌ ｌ ｌ Ｉ Ｉ
Ｉ Ｉ １１電如」鍍１ ６３１
６６１ ８０１ ６６１ ８３１ （資）１ 郭１１
（μ、、／、、）ｌ ｌ Ｉ Ｉ
Ｉ Ｉ ｌ １１抽出水（Ｐ
Ｈ）＋ ４．２３１ ４．０１１ ５．０５１ ４．
０６１ ３．８４１ ３．８５１ ５．２５１１高温ｐ
ＶＩｌｌｌＩＩＩ１ １１５０℃ ＋ ３０．７１ ３３．１１ １８．
７１ ３５．１１ ３０．９１ ３１．２１ ９．２１
１（Ω、Ｃｌ１）ｌ刈０１ｔｌ ＸＩＯ” ｌ ＸＩＯ
” ｌ刈０１２１刈０ ” ｌ ＸＩＯ′２１刈０１２
１１煮沸ρｖｌ Ｉ ｌ ｌ
ｌ Ｉ ｌ １１４８ｈ
ｌ ２．３１ ２．４１ １．３１ ２．９１ ２．
８１ ２．８１ ０．６１１（Ω、 ｍ ｌ Ｘｌ０１
５１ Ｘｌ０１５１刈ｇｌｓ ｌ ｘｌｏｌｓ ｌ刈０
１５ ｌ ｘｌＯｌｓ ｌ ｘｌｏｌｓ １１衛燗洲率
１１１１１１１１ １（ｗＬＸ） Ｉ Ｏ，６５１０，６５１０，
６９１０，６３１０，６４１０，６４１０，７２１１ガ
ラス転移１１１１１１１！ 日 ”ｃ ７０ ７ ７０ １７２
７ ７ ７（発明の効果） 以上詳述した如（この発明に係る半導体装置はエポキシ
樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び無機質充填剤等からなる
エポキシ樹脂組成物系にアルカリ全屈及び／又はアルカ
リ土類金属の水酸化物を０゜００１乃至０．０１５ ｇ
当量／ ｋｇ含むことを特徴とする樹脂組成物にて封止
されてなる半導体装置であるから、この半導体中に浸透
された透過水によって不純物が過水分解されてイオン化
して透過水に溶解しても封止樹脂組成物系に添加された
アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物に
よって特に水素イオンの存在によって透過水内で中和さ
れ、従ってこの透過水中の水素イオン量を低減させ、結
果ＰＨを中性に近づけるとともにアルカリ全屈又はアル
カリ土金属イオンの濃度が増加するにもかかわらず水素
カチオンイオン量を減少させることによって透過水中の
電気伝導度を低下させ、従ってアルミ配線あるいはアル
ミ電極の腐食速度を著しく減少しひいては耐湿性に優れ
た半導体装置とすることができると同時にこのアルカリ
金属叉はアルカリ土類金属の水酸化物の添加量を０．０
１５ｇ当量７ ｋｇ以下とすることによって半導体封止
樹脂その・ものの高温ρＶ特性、需沸ρν特性及び煮沸
吸水率などの特性を劣化させることないという効果を併
せ奏する半導体装置である。
Claims (1)
- （１）エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び無機質充
填剤等からなるエポキシ樹脂組成物系１ｋｇ中にアルカ
リ金属及び／又はアルカリ土類金属の水酸化物を０．０
０１乃至０．０１５ｇ当量含むことを特徴とする樹脂組
成物にて封止されてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232084A JPS61110451A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232084A JPS61110451A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110451A true JPS61110451A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH0348659B2 JPH0348659B2 (ja) | 1991-07-25 |
Family
ID=16933743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59232084A Granted JPS61110451A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61110451A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03157448A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH04183742A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP59232084A patent/JPS61110451A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03157448A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH04183742A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348659B2 (ja) | 1991-07-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |