JPS59126430A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS59126430A JPS59126430A JP42583A JP42583A JPS59126430A JP S59126430 A JPS59126430 A JP S59126430A JP 42583 A JP42583 A JP 42583A JP 42583 A JP42583 A JP 42583A JP S59126430 A JPS59126430 A JP S59126430A
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- Japan
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- epoxy resin
- resin
- salts
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アルミニウムなどの金属−極等馨有する半導
体封止用に適したエポキシ樹脂組成物に関するものであ
る。
体封止用に適したエポキシ樹脂組成物に関するものであ
る。
近年、トランジスタ素子や集積回路素子などの半導体素
子は、エポキシ樹脂などの熱硬化性虜脂系組成吻を用い
て封止することが広く採用されている。これは、従来の
金属やセラミックス材料２用いるハーメチック方式に比
べ、封止操作が簡単で、さらに、経所性があるなどの利
点があるためである。しかしその反面、樹脂封止方式は
、ノ・−メチツク方式に比べ、１扁温高湿時に信禎性が
劣るという欠点がある。
子は、エポキシ樹脂などの熱硬化性虜脂系組成吻を用い
て封止することが広く採用されている。これは、従来の
金属やセラミックス材料２用いるハーメチック方式に比
べ、封止操作が簡単で、さらに、経所性があるなどの利
点があるためである。しかしその反面、樹脂封止方式は
、ノ・−メチツク方式に比べ、１扁温高湿時に信禎性が
劣るという欠点がある。
すなわち、高温編湿時に信頼Ａ生が劣る理由としては次
の様に考えられろ。エポキシ樹脂成形体は、それ目体に
透水性があるため、成形体中に浸入した水分は、樹脂封
止した半導体素子の表面まで透過し、アルミニウムなど
の金属蹴極等ン腐貴、劣化させる。牙１こ、その際水分
は、エポキシ樹脂成形体中に言まれるＮａ＋やＣ１−な
どの腐食性のイオン性不純物ン浴屏し、半導体素子の表
面まで運び、金属の１溪食？促進させる。このイオン性
不純物は、エポキシ樹脂などの製造中に生成または混入
するものであるが、これら乞完全に除くことは工程上難
しい。これらの腐食性のイオン性不純物の他に、エポキ
シ樹脂には、〃口水分解性＋ｆｇ素が、イオン性不純物
の塩素の１０〜１０００倍程度存在している。これらは
水分の浸入だけでは容易（ζ脱離しないが、熱や触媒の
作用でイオン化して溶出するので、アルミニウム電極等
のＭ；賞の一因となっている。
の様に考えられろ。エポキシ樹脂成形体は、それ目体に
透水性があるため、成形体中に浸入した水分は、樹脂封
止した半導体素子の表面まで透過し、アルミニウムなど
の金属蹴極等ン腐貴、劣化させる。牙１こ、その際水分
は、エポキシ樹脂成形体中に言まれるＮａ＋やＣ１−な
どの腐食性のイオン性不純物ン浴屏し、半導体素子の表
面まで運び、金属の１溪食？促進させる。このイオン性
不純物は、エポキシ樹脂などの製造中に生成または混入
するものであるが、これら乞完全に除くことは工程上難
しい。これらの腐食性のイオン性不純物の他に、エポキ
シ樹脂には、〃口水分解性＋ｆｇ素が、イオン性不純物
の塩素の１０〜１０００倍程度存在している。これらは
水分の浸入だけでは容易（ζ脱離しないが、熱や触媒の
作用でイオン化して溶出するので、アルミニウム電極等
のＭ；賞の一因となっている。
この様に、エポキシ樹脂封止方式には、耐湿性耐食性に
問題があるので、現在までに樹脂封止の信頼性ケ上げる
ために、様々な試みがなされてきた。例えば、不純物の
少ない、樹脂組成物の材料馨選択するとか（特開昭５６
−２６９２６号）、成形体の耐湿、耐食性ン向上させる
ような硬化促進剤を検討′ｆゐとか（特開昭５６−１５
８４６１号）、樹脂組成物［屑食抑制剤乞加える（特開
昭５６−７２０４５号、特開昭５６−７２０４６号、ｆ
［昭５６−１０４９２６号）などが挙げられるが、顕著
な効果は認められていない。
問題があるので、現在までに樹脂封止の信頼性ケ上げる
ために、様々な試みがなされてきた。例えば、不純物の
少ない、樹脂組成物の材料馨選択するとか（特開昭５６
−２６９２６号）、成形体の耐湿、耐食性ン向上させる
ような硬化促進剤を検討′ｆゐとか（特開昭５６−１５
８４６１号）、樹脂組成物［屑食抑制剤乞加える（特開
昭５６−７２０４５号、特開昭５６−７２０４６号、ｆ
［昭５６−１０４９２６号）などが挙げられるが、顕著
な効果は認められていない。
不発明者らは様々な検討ケ加えた結果、２−メルカプト
チアゾール類、並びに２−メルカプトチア・戸−ル類の
金属塩、４級アンモニウム塩および４級ホスホニウム塩
のうちから８ばれた１種又は２種以上ぞエポキシ樹脂系
組成物に添加し、この組成物乞用いて、アルミニウム電
極等乞有する半導体を封止すること［、ｌ：す、従来の
発明に比べ、アルミニウム電極等の腐食に著しい抑制効
果ぞ示すことがわかつ几。すなわちエポキシ樹脂組成物
に２−メルカプトチアゾール類並びにその塩等馨添加す
ると、高温、高圧水蒸気中での耐湿試験に８いても、ア
ルミニウム゛電極の腐食による断線などの不良発生が従
来の発明よりも大幅、に低域および抑制され、長時間に
区って所要の性能を維持、発揮させることができる。こ
の効果は、これらの２−メルカプトチアゾール類並びに
その塩等が、アルミニウム電極等の、封止されている半
導体の一部になす金属に作用して、表面を不動態化し、
水分や腐食性のイオン性不純物による腐食作用を防止又
は低減する定めと考えられる。
チアゾール類、並びに２−メルカプトチア・戸−ル類の
金属塩、４級アンモニウム塩および４級ホスホニウム塩
のうちから８ばれた１種又は２種以上ぞエポキシ樹脂系
組成物に添加し、この組成物乞用いて、アルミニウム電
極等乞有する半導体を封止すること［、ｌ：す、従来の
発明に比べ、アルミニウム電極等の腐食に著しい抑制効
果ぞ示すことがわかつ几。すなわちエポキシ樹脂組成物
に２−メルカプトチアゾール類並びにその塩等馨添加す
ると、高温、高圧水蒸気中での耐湿試験に８いても、ア
ルミニウム゛電極の腐食による断線などの不良発生が従
来の発明よりも大幅、に低域および抑制され、長時間に
区って所要の性能を維持、発揮させることができる。こ
の効果は、これらの２−メルカプトチアゾール類並びに
その塩等が、アルミニウム電極等の、封止されている半
導体の一部になす金属に作用して、表面を不動態化し、
水分や腐食性のイオン性不純物による腐食作用を防止又
は低減する定めと考えられる。
本発明は、上記知見に基づいて、エポキシ樹脂、硬化剤
および無機光てん剤ケ主成分とする組成物に、２−メル
カプトチアゾール類、並び［２−メルカプトチア・バー
ル類の金属塩、４級アンモニウム塩２よび４級ホスホニ
ウム塩のうちから選ばれた１種または２種以上を添加す
ることによって、高度な耐湿性と耐食性を有することン
特徴とする、アルミニウムなどの金属電極等２有する半
導体の封止用エポキシ樹脂組成物乞提供するものである
。
および無機光てん剤ケ主成分とする組成物に、２−メル
カプトチアゾール類、並び［２−メルカプトチア・バー
ル類の金属塩、４級アンモニウム塩２よび４級ホスホニ
ウム塩のうちから選ばれた１種または２種以上を添加す
ることによって、高度な耐湿性と耐食性を有することン
特徴とする、アルミニウムなどの金属電極等２有する半
導体の封止用エポキシ樹脂組成物乞提供するものである
。
本発明に用いるエポキシ樹脂は、その分子中Ｖこエポキ
シ結合ぞ少なくとも２個以上有するものであれば、分子
構造、分子量などに特に制限はない。
シ結合ぞ少なくとも２個以上有するものであれば、分子
構造、分子量などに特に制限はない。
例エバビスフェノールＡ 、５エポキシ樹脂、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂などが挙げられるが、その際、不純物や加
水分解性塩素の少ないものが望ましい。
ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂などが挙げられるが、その際、不純物や加
水分解性塩素の少ないものが望ましい。
次に硬化剤としては、例えばフェノール／ｆラック樹脂
やクレゾールノゼラック樹脂などのフェノール系硬化剤
、アミン系硬化剤、あるいは酸無水物硬化剤などが挙げ
られる。これらの使用量については特に制限はないが、
エポキシ基と硬化剤の化学量論量２加えることが必要で
ある。
やクレゾールノゼラック樹脂などのフェノール系硬化剤
、アミン系硬化剤、あるいは酸無水物硬化剤などが挙げ
られる。これらの使用量については特に制限はないが、
エポキシ基と硬化剤の化学量論量２加えることが必要で
ある。
勲機充てん剤としては、例えば結晶質シリカ、溶融シリ
カ、ケイ酸カルシウム、アルミナ、炭酸カルシウム、メ
ルク、硫酸バリウムなどの粉体か、あるいはガラス繊維
などが挙げられるが、通常は、結晶′６シリカか溶融シ
リカが用いられる。これらの無機光てん剤の全体に対す
る配合比は、選択する上記の樹脂分によっても違うが、
一般に樹脂分１００重量部に対して１５０〜４５０重量
部程度でよい。１５０ 屯を部未満では熱膨張率、成形
収縮率が犬となり、しかも熱伝縛率も低く、４５０亜量
部ン超えると流動性低下、金型摩耗等が大きくなる欠点
がある。
カ、ケイ酸カルシウム、アルミナ、炭酸カルシウム、メ
ルク、硫酸バリウムなどの粉体か、あるいはガラス繊維
などが挙げられるが、通常は、結晶′６シリカか溶融シ
リカが用いられる。これらの無機光てん剤の全体に対す
る配合比は、選択する上記の樹脂分によっても違うが、
一般に樹脂分１００重量部に対して１５０〜４５０重量
部程度でよい。１５０ 屯を部未満では熱膨張率、成形
収縮率が犬となり、しかも熱伝縛率も低く、４５０亜量
部ン超えると流動性低下、金型摩耗等が大きくなる欠点
がある。
次に本発明においてエポキシ樹脂組成物に添加する２−
メルカプトチアゾール類、並びに２−ノルカフ０トチア
・ｔ−ル類の金属塩、４級アンモニウム塩および４級ホ
スホニウム塩の一般式は、次の（１）、［１１１、ｔｌ
ｉｌｌなどで表わされる。
メルカプトチアゾール類、並びに２−ノルカフ０トチア
・ｔ−ル類の金属塩、４級アンモニウム塩および４級ホ
スホニウム塩の一般式は、次の（１）、［１１１、ｔｌ
ｉｌｌなどで表わされる。
一般式（１）
一般式（１１
一般式憔）
ここで、Ｒ１、Ｒ２は、水素または炭素ａ１〜２０り有
機基を示し、エチルやブチルなどのアルキル基ヤフェニ
ル、クレゾールなどのアリール基、さらにこれらの基の
誘導体などが挙けられる。又ここでＲＬとＲ２ば、同じ
ものである必要はない。
機基を示し、エチルやブチルなどのアルキル基ヤフェニ
ル、クレゾールなどのアリール基、さらにこれらの基の
誘導体などが挙けられる。又ここでＲＬとＲ２ば、同じ
ものである必要はない。
Ｒ３は、炭素数２〜２０の２１１ｆｆｉの有機基を示し
、プロピレン、ヘキサメチレン、エチルテトラメチレン
などのアルキレン基や、プロペニレン、２−ブテニレン
などのこれらの基の誘導体などが挙げられる。
、プロピレン、ヘキサメチレン、エチルテトラメチレン
などのアルキレン基や、プロペニレン、２−ブテニレン
などのこれらの基の誘導体などが挙げられる。
岬は、水素または、ナトリウム、カリウム、カルシウム
、マグネシウム、亜鉛、スズ、鉛、ベリリウム、ビスマ
ス、マンガン、ニッケル、鉄、鋼、アルミニウム、モリ
ブデンなどの金嘱カチオ７、ＩＴこハフチルアンモニウ
ム、シクロヘキシルアンモニウム、テトラブチルアンモ
ニウム、ペンシルトリエチルアンモニウムおよびアルミ
ニウムなどの４級アンモニウムおよびその誘導体さらに
テトラブチルホスホニウム、テトラフェニルホスホニウ
ム、トリフェニルプロピルホスホニウム、などの４級ホ
スホニウム＠およびそり誘導体が挙げられる。
、マグネシウム、亜鉛、スズ、鉛、ベリリウム、ビスマ
ス、マンガン、ニッケル、鉄、鋼、アルミニウム、モリ
ブデンなどの金嘱カチオ７、ＩＴこハフチルアンモニウ
ム、シクロヘキシルアンモニウム、テトラブチルアンモ
ニウム、ペンシルトリエチルアンモニウムおよびアルミ
ニウムなどの４級アンモニウムおよびその誘導体さらに
テトラブチルホスホニウム、テトラフェニルホスホニウ
ム、トリフェニルプロピルホスホニウム、などの４級ホ
スホニウム＠およびそり誘導体が挙げられる。
例えば、２−メルカプトチアゾール、２−メルカプト−
４−エチル−５７°ロビルチア・ｔ−ル、２−メルカプ
）−４，５−シブチルチアゾール、２−メルカプト−４
−フェニル−５−アリルチア・戸−ル、２−メルカプト
−４−ダメニル−５−メチルチア・戸−ル、２−メルカ
プト−４−シクロへキシルチアゾール、２−メルカプ）
−４，５−ヘキサメチレンチアゾール、２−メルカプ）
−４，５−（２プチニレン）チア・戸−ル、２−メルカ
プト−４，５−（３−エチルテトラメチレンンチアデー
ル、２−メルカプト−４，５−プロペニレンチア・戸−
ル、２−メルカプトチア・戸チアゾール、２−メルカデ
ト−４−メチル−ベンゾチア・戸−ル、２−メルカプト
−７−ペンチルベン）戸チアゾール、２−メルカプト−
４−ｆロビルー７−ｔ−ブチルチアゾール、２−メルカ
プ）−５，６−シブチルチアゾールおよび、これらのナ
トリウム塩、カリウム塩、カルシウム塩、マグネシウム
塩、也鉛塩、スス塩、鉛塩、ベリリウム塩、ビスマス塩
、マンガン塩、ニッケル塩、鉄塩、銅塩、アルミニウム
塩、モリブデン塩、プロピルアンモニウム塩、シクロヘ
キシルアンモニウム塩、テトラブチルアンモニウム塩、
ペンシルトリエチルアンモニウム塩、アルミニウム塩、
テトラゾチルホスホニウム塩、テトラフェニルホスホニ
ウム塩、トリフェニルプロピルホスホニウム塩、などが
挙げられ、好ましくは、２−メルカプトチア・ｔ−ルお
よびそのナトリウム塩又はマグネシウム塩、２−メルカ
プト−４−エチル−５−プロピルチア１ｔ−ルおよびそ
のナトリウム塩又はスズ塩、２−メルカプト−４゜５ジ
ブチルチアゾールおよびその唾鉛塩又はプロピルアンモ
ニウム塩、２−メルカプト−４，５−テトラメチレンチ
アゾール−ｊＩ５よびその鉛塩又はマグネシウム塩、２
−メルカプトベンゾチアゾールおよびそのナトリウム塩
、マグネシウム塩又はシクロヘキシルアンモニウム塩、
２−メルカプト−４−メチルベン・戸チア・戸−ル？よ
びそのナトリウム」盆又はトリフェニルプロピルホスホ
ニウム塩などが挙げられる。
４−エチル−５７°ロビルチア・ｔ−ル、２−メルカプ
）−４，５−シブチルチアゾール、２−メルカプト−４
−フェニル−５−アリルチア・戸−ル、２−メルカプト
−４−ダメニル−５−メチルチア・戸−ル、２−メルカ
プト−４−シクロへキシルチアゾール、２−メルカプ）
−４，５−ヘキサメチレンチアゾール、２−メルカプ）
−４，５−（２プチニレン）チア・戸−ル、２−メルカ
プト−４，５−（３−エチルテトラメチレンンチアデー
ル、２−メルカプト−４，５−プロペニレンチア・戸−
ル、２−メルカプトチア・戸チアゾール、２−メルカデ
ト−４−メチル−ベンゾチア・戸−ル、２−メルカプト
−７−ペンチルベン）戸チアゾール、２−メルカプト−
４−ｆロビルー７−ｔ−ブチルチアゾール、２−メルカ
プ）−５，６−シブチルチアゾールおよび、これらのナ
トリウム塩、カリウム塩、カルシウム塩、マグネシウム
塩、也鉛塩、スス塩、鉛塩、ベリリウム塩、ビスマス塩
、マンガン塩、ニッケル塩、鉄塩、銅塩、アルミニウム
塩、モリブデン塩、プロピルアンモニウム塩、シクロヘ
キシルアンモニウム塩、テトラブチルアンモニウム塩、
ペンシルトリエチルアンモニウム塩、アルミニウム塩、
テトラゾチルホスホニウム塩、テトラフェニルホスホニ
ウム塩、トリフェニルプロピルホスホニウム塩、などが
挙げられ、好ましくは、２−メルカプトチア・ｔ−ルお
よびそのナトリウム塩又はマグネシウム塩、２−メルカ
プト−４−エチル−５−プロピルチア１ｔ−ルおよびそ
のナトリウム塩又はスズ塩、２−メルカプト−４゜５ジ
ブチルチアゾールおよびその唾鉛塩又はプロピルアンモ
ニウム塩、２−メルカプト−４，５−テトラメチレンチ
アゾール−ｊＩ５よびその鉛塩又はマグネシウム塩、２
−メルカプトベンゾチアゾールおよびそのナトリウム塩
、マグネシウム塩又はシクロヘキシルアンモニウム塩、
２−メルカプト−４−メチルベン・戸チア・戸−ル？よ
びそのナトリウム」盆又はトリフェニルプロピルホスホ
ニウム塩などが挙げられる。
本発明の２−メルカプトチアゾ−ル類、並び［２−メル
カプトチア・ｊ−ル頑の金属塩、４＋１＆アンモニウム
塩および４級ホスホニウム塩は、１４屯又は２棟以上を
用いてもよい。その添加配合性は、エポキシ樹脂１０Ｃ
１屯量部に対して０．０１〜２０重ξを部、好ましくは
０．０５〜１０市量部、さらに好ましくは０．１〜５屯
縫部である。冷力目量が０．０１東酸部未満では、耐湿
耐食性の効果が認められず、ヱた２０→は部を超えると
成形性に悪影響を与え、さらに金屑表面の不働態化に余
分なフリーのイオン濃度の増加によるリーク電流の増加
原因となる。
カプトチア・ｊ−ル頑の金属塩、４＋１＆アンモニウム
塩および４級ホスホニウム塩は、１４屯又は２棟以上を
用いてもよい。その添加配合性は、エポキシ樹脂１０Ｃ
１屯量部に対して０．０１〜２０重ξを部、好ましくは
０．０５〜１０市量部、さらに好ましくは０．１〜５屯
縫部である。冷力目量が０．０１東酸部未満では、耐湿
耐食性の効果が認められず、ヱた２０→は部を超えると
成形性に悪影響を与え、さらに金屑表面の不働態化に余
分なフリーのイオン濃度の増加によるリーク電流の増加
原因となる。
次に、その他必要に応じて加えられる任意成分としては
、例えば、イミダゾール類などの硬化促進剤、臭素化エ
ポキシ樹脂や三酸化アンチモンなどの蝿燃化列、カーボ
ンブラックなどの顔料、シランカップリング剤などの界
面補強剤、モンタナワックスやカルナバワックスなどの
離型クリ、シリコーン化合物などの町とう性付与剤が挙
げられる。
、例えば、イミダゾール類などの硬化促進剤、臭素化エ
ポキシ樹脂や三酸化アンチモンなどの蝿燃化列、カーボ
ンブラックなどの顔料、シランカップリング剤などの界
面補強剤、モンタナワックスやカルナバワックスなどの
離型クリ、シリコーン化合物などの町とう性付与剤が挙
げられる。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物の＃造は、所定の組成
比の原料乞ミキサーなどによって充分混合後、さらに熱
ロールやニーダ−などによる溶融混合処理を加えること
によって容易に行なえる。
比の原料乞ミキサーなどによって充分混合後、さらに熱
ロールやニーダ−などによる溶融混合処理を加えること
によって容易に行なえる。
以下本発明馨実施例により詳細［説明する。
４実施例１〜１８
エポキシ当−ｔ２３０のクレゾールノゼラツク樹）ｊ行
１７０屯量部、臭素化エポキシ樹脂３０市量部、フェノ
ールノヴラツク樹脂１００重量部、２−ウンヂシルイミ
グゾール１０重量部、カルナバワックス５重−酸部、シ
ランカップリング斉り（γ−グリシドキシゾロビルトリ
メトキシシラン） ６ ’ｉｆ ｔ Ｈζカーボンブラ
ンク２重量部、三酸化アンチモン２０屯量部、結晶質シ
リカ７００重酸部からなる組成物に２−メルカグトチア
・ｌ−ル類？よびその塩のうちから第１表に示す割合で
それぞれ加えた後、ミキサーで混合し、そして粉砕後、
冷却して１８種類の成形材料を製造した。
１７０屯量部、臭素化エポキシ樹脂３０市量部、フェノ
ールノヴラツク樹脂１００重量部、２−ウンヂシルイミ
グゾール１０重量部、カルナバワックス５重−酸部、シ
ランカップリング斉り（γ−グリシドキシゾロビルトリ
メトキシシラン） ６ ’ｉｆ ｔ Ｈζカーボンブラ
ンク２重量部、三酸化アンチモン２０屯量部、結晶質シ
リカ７００重酸部からなる組成物に２−メルカグトチア
・ｌ−ル類？よびその塩のうちから第１表に示す割合で
それぞれ加えた後、ミキサーで混合し、そして粉砕後、
冷却して１８種類の成形材料を製造した。
この様に用意した各樹脂組成物を用い、トランスファー
成形法で、対向するアルミニウム線の電極２有する素子
ン封止した。そして、この−１ｊＩ屯サンプルについて
、温度１２５℃、２．５気圧の水蒸気加圧下で、電極間
に直流２０Ｖのバイアス電圧馨かけ、時間の経過による
アルミニウム線のオーブン不良率ン谷サンプルについて
比較することにより、耐湿性と耐食性ビ評画した。この
際、オーブン不良率は、被評価ＩＩＩ！ｉ！故６０個中
の不良個数から求め定。−１：た、電極間に電圧ンかけ
ない吠態で、１２５℃、２．５気圧の水蒸気中でのオー
ブン不良率の経時変化も同様に調べた。
成形法で、対向するアルミニウム線の電極２有する素子
ン封止した。そして、この−１ｊＩ屯サンプルについて
、温度１２５℃、２．５気圧の水蒸気加圧下で、電極間
に直流２０Ｖのバイアス電圧馨かけ、時間の経過による
アルミニウム線のオーブン不良率ン谷サンプルについて
比較することにより、耐湿性と耐食性ビ評画した。この
際、オーブン不良率は、被評価ＩＩＩ！ｉ！故６０個中
の不良個数から求め定。−１：た、電極間に電圧ンかけ
ない吠態で、１２５℃、２．５気圧の水蒸気中でのオー
ブン不良率の経時変化も同様に調べた。
髭比較例１〜６
Claims (1)
- エポキシ樹脂、硬化剤および無機光てん剤ン生成分とす
る組成物に、２−メルカゾトチア・戸−ル頑、並びに２
−メルカプトチアゾール類の金属塩、４級アンモニウム
塩および４級ホスホニウム塩のうちから選ばれた１、罰
又は２種以上ン添ガ目してなること乞特徴とするエポキ
シ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP42583A JPS59126430A (ja) | 1983-01-07 | 1983-01-07 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP42583A JPS59126430A (ja) | 1983-01-07 | 1983-01-07 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59126430A true JPS59126430A (ja) | 1984-07-21 |
| JPH032173B2 JPH032173B2 (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=11473448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP42583A Granted JPS59126430A (ja) | 1983-01-07 | 1983-01-07 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59126430A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62260344A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-12 | Toshiba Chem Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5310826A (en) * | 1989-04-26 | 1994-05-10 | Akzo N.V. | Thiolic compound polymerization cocatalysts |
| JP2002275246A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Toray Ind Inc | エポキシ系樹脂組成物および半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS565246A (en) * | 1979-06-20 | 1981-01-20 | Arman Spa | Burglarproof device |
-
1983
- 1983-01-07 JP JP42583A patent/JPS59126430A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS565246A (en) * | 1979-06-20 | 1981-01-20 | Arman Spa | Burglarproof device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62260344A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-12 | Toshiba Chem Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
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| JP2002275246A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Toray Ind Inc | エポキシ系樹脂組成物および半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH032173B2 (ja) | 1991-01-14 |
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