JPS61109301A - マイクロ波集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、バイアス給電を必要とするマイクロ波集積
回路に関し、特にその給電方式の改良に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

従来のこの種の回路におけるバイアス給電方式の一例を
第３図に示す。第３図において、１は導体パターン、２
は誘電体、３は接地導体であり、これらによってマイク
ロストリップ回路８が構成されている。４はマイクロス
トリップ回路８上に実装されたマイクロ波素子、５はケ
ース、６はバイアス給電用の端子、７はバイアス端子６
とマイクロ波素子４を接続するためのワイヤである。

次に作用について説明する。

従来のマイクロ波集積回路において、マイクロ波素子４
にバイアスが必要な場合、バイアス端子６の近傍まで導
体パターン１を引き伸ばし、接続ワイヤ７を用いて両者
を接続してマイクロ波素子４に直流もしくは交流のバイ
アスを印加するようにしている。

ここで上記バイアス用導体パターンは、マイクロ波とバ
イアスとの干渉を避けるためにインピーダンスを高くし
てやる必要があり、マイクロストリップパターン１に比
べて約１０分の１の広さにするため、大電流を必要とす
るマイクロ波素子４に対してはバイアス用導体パターン
を利用することは適当ではない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のマイクロ波集積回路のバイアス給電方式は以上の
ように構成されており、バイアス給電用のパターンもし
くは配線ケーブルを用いてバイアスを給電する必要があ
り、本来のマイクロ波部分以外のスペースをマイクロス
トリップ回路上に形成しているので、マイクロ波集積回
路が複雑化。

大型化し、さらにマイクロ波とバイアスとの干渉を配慮
してやる必要があった。特に、大電流を必要とするマイ
クロ波素子の場合には、バイアス給電用のパターンを広
くしなければならず、マイクロ波とバイアスとの干渉対
策が重要な問題であった。

この発明は上記のような従来の問題点に鑑みてなされた
もので、マイクロ波とバイアスとの干渉を防止でき、し
かも回路の小型化を図ることのできるマイクロ波集積回
路を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係るマイクロ波集積回路は、マイクロストリ
ップ回路の表面側にマイクロ波素子を、裏面側に絶縁体
を介してバイアス給電回路を各々設け、マイクロストリ
ップ回路及び絶縁体を貫通してバイアス給電導体を形成
し、このバイアス給電導体によってマイクロ波素子とバ
イアス給電回路とを接続するようにしたものである。

〔作用〕

この発明では、マイクロストリップ回路の表面側に導体
パターン及びマイクロ波素子を、その表面側にバイアス
給電回路を設けていることから、マイクロストリップ回
路の表面側のバイアス用導体パターンは不要となり、又
マイクロ波とバイアスとが分離される。

（実施例〕 以下、本発明の実施例を図について説明する。

第１図は本発明の一実施例によるマイクロ波集積回路を
示す。図において、８はマイクロストリップパターン１
．誘電体２及び接地導体３によっ　　　　　　−て構成
されたマイクロストリップ回路、４はマイクロストリッ
プ回路８の表面側に設けられたマイクロ波素子、９はマ
イクロストリップ回路８の裏面側に設けられたバイアス
パターン（バイアス給電回路）、１０はマイクロストリ
ップ回路８とバイアスパターン９とを絶縁する絶縁体、
１１はマイクロストリップ回路８及び絶縁体１０を貫通
して形成され、マイクロストリップ回路８上のマイクロ
波素子４にバイアス１を給電するためのバイアスポスト
（バイアス給電導体）で、該バイアスポスト１１はワイ
ヤ７を介してマイクロストリップパターン１に接続され
、バイアスパターン９はワイヤ７を介してケース５に設
けられたバイアス端子６に接続されている。

なお、マイクロストリップパターン１．誘電体２及び接
地導体３で構成されたマイクロストリップ回路８につい
ては本発明とは直接関係ないので、その詳細な説明は省
略する。

次に作用効果について説明する。

絶縁体】０は接地導体３とバイアスパターン９とが接触
しないようにするためのものである。

そしてケース５に設けられたバイアス端子６は接続用ワ
イヤ７によりバイアスパターン９と接続され、バイアス
パターン９上に設けられたバイアスポスト１１はバイア
ス用ワイヤ７によりマイクロストリップパターン１のマ
イクロ波素子４に接続されており、これによりマイクロ
波素子４には必要なバイアスが給電されることとなる。

ここでマイクロストリップパターン１．誘電体２及び接
地導体３にはバイアス回路からマイクロストリップ回路
８ヘバイアスポスト１１を貫通させるための穴をあけて
、バイアスポスト１１が接地導体３と接触しないように
する。

以上のような本実施例の集積回路では、マイクロストリ
ップ回路の表面側にマイクロストリップパターン及びマ
イクロ波素子を、裏面側にバイアスパターンを各々設け
、マイクロ波素子とバイアスパターンとをバイアスポス
トで接続するようにしたので、マイクロストリップ回路
上にバイアス用のパターンを必要とせず、集積回路の簡
素化及び小型化を実現できる。またマイクロストリップ
回路とバイアスパターンとを分離するようにしたので、
マイクロ波とバイアスとの干渉が発生することもない。

特に本集積回路は大電流を必要とするマイクロ波素子の
場合にその効果が大きい。

また本集積回路では、マイクロストリップ回路とバイア
スパターンとを分離するようにしたので、バイアスを必
要とするマイクロ波素子が多数ある場合にもバイアスパ
ターンとバイアスポストとによってこれに対応でき、マ
イクロストリップ回路の規模を大きくする必要がない。

なお上記実施例では、バイアスポスト１１を用いてマイ
クロ波素子４へ給電するようにしたが、バイアスポスト
１１ではな（、第２図に示すようなバイアス用スルーホ
ール１２を用いてもよく、さらにバイアスポスト１１と
マイクロストリップパターン１との接続に接続ワイヤ７
ではなく、上記のスルーホールを用いて接続してもよい
。

また絶縁体８及びバイアスパターン９の組合せを多層に
することにより、多点バイアスが可能である。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明に係るマイクロ波集積回路によれ
ば、マイクロストリップ回路の表面側にマイクロ波素子
を、裏面側に絶縁体を介してバイアス給電回路を各々設
け、マイクロストリップ回路及び絶縁体を貫通してバイ
アス給電導体を形成し、このバイアス給電導体によって
マイクロ波素子とバイアス給電回路とを接続するように
したので、マイクロ波とバイアスとの干渉を防止でき、
しかも回路の簡略化及び小型化を実現できる効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるマイクロ波集積回路の
断面図、第２図は本発明の他の実施例の断面図、第３図
は従来のマイクロ波集積回路の断面図である。 ４・・・マイクロ波素子、８・・・マイクロストリップ
回路、９・・・バイアスパターン（バイアス給電回路）
１０・・・絶縁体、１１・・・バイアスポスト（バイア
ス　　　　　　４給電導体）、１２・・・バイアス用ス
ルーホール（バイアス給電導体）。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人　　弁理士　　早　瀬　憲　− 第１図 ４°マイクロニｒ１番：＋　　　　　　６°マイクロス
トソ・ノブロ詮９１でイ７スＩ＼°クーン　　　　１０
゛絶牟聚イ本１１：ｌツアスホ１スト 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）マイクロストリップ回路の表面側に配設されたマ
   イクロ波素子と、上記マイクロストリップ回路の裏面側
   に形成され上記マイクロ波素子にバイアス電圧を給電す
   るためのバイアス給電回路と、上記マイクロストリップ
   回路とバイアス給電回路とを絶縁する絶縁体と、上記マ
   イクロストリップ回路及び絶縁体を貫通して設けられ上
   記マイクロ波素子とバイアス給電回路とを接続するバイ
   アス給電導体とを備えたことを特徴とするマイクロ波集
   積回路。