JPS61109252A - 表面分析装置 - Google Patents
表面分析装置Info
- Publication number
- JPS61109252A JPS61109252A JP59230832A JP23083284A JPS61109252A JP S61109252 A JPS61109252 A JP S61109252A JP 59230832 A JP59230832 A JP 59230832A JP 23083284 A JP23083284 A JP 23083284A JP S61109252 A JPS61109252 A JP S61109252A
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- JP
- Japan
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- electrons
- thin film
- electron
- magnet
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- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 claims description 6
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、例えばＥＰＭＡ （電子線マイクロアナライ
ザ）のように、試料に電子線照射を行なって表面分析を
行なう装置において、試料、特に薄膜試料を保持する試
料保持台に関する。
ザ）のように、試料に電子線照射を行なって表面分析を
行なう装置において、試料、特に薄膜試料を保持する試
料保持台に関する。
（従来の技術）
ＥＰＭＡなどの表面分析装置において、薄膜試料を測定
する場合、薄膜試料はその縁部が支持され測定部は空間
に保持されるか、バルクの試料保持台に保持される。
する場合、薄膜試料はその縁部が支持され測定部は空間
に保持されるか、バルクの試料保持台に保持される。
（発明が解決しようとする問題点）
分析試料が薄膜の場合、入射電子のエネルギーが相対的
に高すぎてイオン化率が小さい（副島啓義 博士論文（
大阪大学、１９７９年）第４章参照）。
に高すぎてイオン化率が小さい（副島啓義 博士論文（
大阪大学、１９７９年）第４章参照）。
第３図に示されるように、試料１が空間に保持された場
合には、入射電子２のうち試料ｌを透過した電子４は試
料１のイオン化には勿論寄与しない。３はイオン化に伴
なって発生したＸ＃！である。
合には、入射電子２のうち試料ｌを透過した電子４は試
料１のイオン化には勿論寄与しない。３はイオン化に伴
なって発生したＸ＃！である。
また、第４図に示されるように、試料ｌがバルクの試料
保持台５に保持された場合には、試料１を透過した電子
４の一部が試料保持台５で反射され、反射電子６となっ
て再び試料１に入射し試料ｌのイオン化に寄与するが、
その寄与の程度は大きくない。
保持台５に保持された場合には、試料１を透過した電子
４の一部が試料保持台５で反射され、反射電子６となっ
て再び試料１に入射し試料ｌのイオン化に寄与するが、
その寄与の程度は大きくない。
このように、薄膜試料の場合には、試料励起効率が悪く
、信号（ＥＰＭＡの場合はＸ線）の発生強度が小さく、
したがって検出感度が低いという問題がある。
、信号（ＥＰＭＡの場合はＸ線）の発生強度が小さく、
したがって検出感度が低いという問題がある。
本発明は、電子線照射を行なう表面分析装置において、
薄膜試料の分析感度を高めることを目的とするものであ
る。
薄膜試料の分析感度を高めることを目的とするものであ
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明は試料保持台を改良することにより上記問題点を
解決しようとするものであって、その試料保持台は、少
なくとも試料を保持する部分が磁石にて形成され、この
磁石の磁区方向は電子線の入射方向に対し概して直角方
向に向けられ、かつ、その磁石の表面は入射電子がロー
レンツ力で曲げられる方向に傾斜して設置されるもので
ある。
解決しようとするものであって、その試料保持台は、少
なくとも試料を保持する部分が磁石にて形成され、この
磁石の磁区方向は電子線の入射方向に対し概して直角方
向に向けられ、かつ、その磁石の表面は入射電子がロー
レンツ力で曲げられる方向に傾斜して設置されるもので
ある。
（作用）
薄膜試料を透過した電子は試料保持台の磁石からの磁界
によりローレンツ力を受けて曲げられ、その磁石の表面
から出て再び薄膜試料に入射する反射電子となる割合が
増大する６ （実施例） 第１図は一実施例を表わす、７は永久磁石にてなる試料
保持台であり、表面に薄膜試料１が固着される。この試
料保持台７をＥＰＭＡのような表面分析装置に設置する
ときは、入射電子２の入射方向に対して直角方向とし、
かつ、その試料保持台７の表面（薄膜試料１が固着され
ている面）を入射電子２が試料保持台７中でローレンツ
力により曲げられる方向に傾斜して設置する。すなわち
、第１図において、入射電子２が上方から入射してくる
とし、試料保持台７の磁区の方向を紙面に対し裏面から
表面へ向う方向とした場合には、試料保持台７の表面を
図のように水平より右下りに傾斜させて設置する。Ｍｓ
は磁化の状態を示す。
によりローレンツ力を受けて曲げられ、その磁石の表面
から出て再び薄膜試料に入射する反射電子となる割合が
増大する６ （実施例） 第１図は一実施例を表わす、７は永久磁石にてなる試料
保持台であり、表面に薄膜試料１が固着される。この試
料保持台７をＥＰＭＡのような表面分析装置に設置する
ときは、入射電子２の入射方向に対して直角方向とし、
かつ、その試料保持台７の表面（薄膜試料１が固着され
ている面）を入射電子２が試料保持台７中でローレンツ
力により曲げられる方向に傾斜して設置する。すなわち
、第１図において、入射電子２が上方から入射してくる
とし、試料保持台７の磁区の方向を紙面に対し裏面から
表面へ向う方向とした場合には、試料保持台７の表面を
図のように水平より右下りに傾斜させて設置する。Ｍｓ
は磁化の状態を示す。
第１図のように設置された永久磁石の試料保持台７に薄
膜試料ｌを固着して電子２を照射すると、入射電子２が
薄膜試料１を励起するだけでなく、薄膜試料１を透過し
た電子は試料保持台７内でローレンツ力を受けて大半が
薄膜試料１の方向へ散乱されてくるので、再び薄膜試料
１へ入射して薄膜試料１を励起する反射電子６となる確
率が高くなる。すなわち、入射電子２のイオン化率が大
幅に向上する。
膜試料ｌを固着して電子２を照射すると、入射電子２が
薄膜試料１を励起するだけでなく、薄膜試料１を透過し
た電子は試料保持台７内でローレンツ力を受けて大半が
薄膜試料１の方向へ散乱されてくるので、再び薄膜試料
１へ入射して薄膜試料１を励起する反射電子６となる確
率が高くなる。すなわち、入射電子２のイオン化率が大
幅に向上する。
第２図は他の実施例を表わす、この試料保持台は１．磁
性をもたないバルクの部分１０に永久磁石１１が埋め込
まれて構成され、薄膜試料１は永久磁石１１の表面に固
着されるようになっている。
性をもたないバルクの部分１０に永久磁石１１が埋め込
まれて構成され、薄膜試料１は永久磁石１１の表面に固
着されるようになっている。
この試料保持台がＥＰＭＡなどの表面分析装置に設置さ
れるときの永久磁石１１の磁区の方向及び表面の傾斜の
方向は第１図と同じである。
れるときの永久磁石１１の磁区の方向及び表面の傾斜の
方向は第１図と同じである。
尚、第１図及び第２図において、永久磁石７゜１１の磁
区の方向は入射電子２の入射方向に対し直角であること
が最も好ましいが、若干傾斜していても実用上差し支え
がなく、シたがって、本発明はそのような場合も含んで
いる。
区の方向は入射電子２の入射方向に対し直角であること
が最も好ましいが、若干傾斜していても実用上差し支え
がなく、シたがって、本発明はそのような場合も含んで
いる。
更に他の実施例としては、第１図又は第２図の永久磁石
を電磁石としてもよい。
を電磁石としてもよい。
（Ｊ＠明の効果）
本発明によれば、薄膜試料を透過した電子が試料保持台
の磁石の磁界からローレンツ力を受けて再び薄膜試料に
入射してくるので、従来のように薄膜試料を空間に保持
したり磁性をもたない試料保持台に保持する場合に比較
して、薄膜試料の励起効率が向上し、検出感度が向上す
る。
の磁石の磁界からローレンツ力を受けて再び薄膜試料に
入射してくるので、従来のように薄膜試料を空間に保持
したり磁性をもたない試料保持台に保持する場合に比較
して、薄膜試料の励起効率が向上し、検出感度が向上す
る。
第１図及び第２図はそれぞれ実施例を示す断面図、第３
図及び第４図はそれぞれ従来例を示す断面図である。 ■・・・・・・薄膜試料、 ２・・・・・・入射電子。 ６・・・・・・反射電子、 ７．１１・・・・・・永久
磁石。
図及び第４図はそれぞれ従来例を示す断面図である。 ■・・・・・・薄膜試料、 ２・・・・・・入射電子。 ６・・・・・・反射電子、 ７．１１・・・・・・永久
磁石。
Claims (1)
- （１）試料の励起源として電子線を使用する表面分析装
置の試料保持台であって、 少なくとも試料を保持する部分が磁石にて形成され、こ
の磁石の磁区方向は電子線の入射方向に対し概して直角
方向に向けられ、かつ、その磁石の表面は入射電子がロ
ーレンツ力で曲げられる方向に傾斜して設置される試料
保持台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230832A JPH0630233B2 (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 表面分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230832A JPH0630233B2 (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 表面分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61109252A true JPS61109252A (ja) | 1986-05-27 |
| JPH0630233B2 JPH0630233B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=16913973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59230832A Expired - Fee Related JPH0630233B2 (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 表面分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630233B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57196465A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Nichidenshi Tekunikusu:Kk | Scanning electron microscope |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP59230832A patent/JPH0630233B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57196465A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Nichidenshi Tekunikusu:Kk | Scanning electron microscope |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0630233B2 (ja) | 1994-04-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |