JPS61101450A - 非晶質強磁性酸化物 - Google Patents
非晶質強磁性酸化物Info
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- JPS61101450A JPS61101450A JP59224654A JP22465484A JPS61101450A JP S61101450 A JPS61101450 A JP S61101450A JP 59224654 A JP59224654 A JP 59224654A JP 22465484 A JP22465484 A JP 22465484A JP S61101450 A JPS61101450 A JP S61101450A
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- JP
- Japan
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- rare earth
- earth element
- amorphous
- oxides
- oxide
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/38—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites amorphous, e.g. amorphous oxides
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- Compounds Of Iron (AREA)
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- Magnetic Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高い透光性及び強磁性を有する非晶質酸化物
に関する。
に関する。
単一の素材に多くの機能を付与させた多機能材料に対す
る要望は犬きく、特に光−磁気−電気の関係の変化に感
度よく反応する材料の出現が望まれている。即ち、高い
透光性を有し、かつ強磁性を有する材料が要求されてい
る。
る要望は犬きく、特に光−磁気−電気の関係の変化に感
度よく反応する材料の出現が望まれている。即ち、高い
透光性を有し、かつ強磁性を有する材料が要求されてい
る。
結晶質構造の物質を非晶質構造に転換させるととにより
、透光性を向上させる方法は、公知である。しかしなが
ら、非晶質化することによシ透光性を向上させる方法で
は、得られる物質の磁気物性が大きく低下するという問
題がある。
、透光性を向上させる方法は、公知である。しかしなが
ら、非晶質化することによシ透光性を向上させる方法で
は、得られる物質の磁気物性が大きく低下するという問
題がある。
現在、研究されている非晶質磁性酸化物としては、磁性
結晶物質と同一組成を有するもの及び安定なガラスマト
リックス中に磁性元素を含有させたものがある。このう
ち前者の例としては、レーザーイシバクト急冷法によシ
作１製される３ＧｄＯ３・５Ｆｇ２０３があり、比較的
大きい磁性を示すものとしでしられている。しかしなが
ら、この磁化量は１、うｅｍｕ／ｆ程度であり、満足す
べきものとけ言い難い。その他、エアＯ％ｙル法によシ
作製されるＺｎ０−Ｆｔ２０３、Ｃｏ０−Ｆｅ２Ｏ３、
Ｙ３ Ｆｔ ５０ □２ ”Ｆｅ２Ｏ３；反応性スパッ
タ法または液体急冷法により作製されるＹ３Ｆｇ、０□
２などが知られているが、これらはいずれも常磁性体で
ある。また後者については、ガラスマトリックスとして
Ｂ２Ｏ３，５１０２及びＰ２Ｏ５が使用されている。Ｂ
２Ｏ３をガラスマトリックスとする非晶質物質としては
、高速急冷法によシ作製されるｘＦｇ２０３ ・ｙＢａ
ｏ−ｚＢ２０３（ｘ ／ ｙ−３９／＋８、う４／３９
．６３／３２、ｚ−５〜１３）、ｘＦ＆２０３ ＠ （
１−ｘ ） （ＢａＯ−４８２０ｓ ） （０＜ ｘ
＜ １ ）、ｘＭｎ２０．・ｙＢａｏ −ｚＢ２０３（
ｘ／ｙ ＝ ６５／２９．５８／３６．４４１５１．ｚ
−６）などが知られているが、すべて中ユリ一温度は１
００°に以下で、磁化量は例えばｒｕｎ２０３・ｙＢａ
Ｏ−ｚＢ２０３の場合には、４ｒで１０ｇｍｕ／ｆ程度
であシ、実用的なものではない。また、５ｉ０２をガラ
スマトリックスとする非晶質物質としては、Ｈａ２０
・３５ｉｎ２・ｘＦｒ２０３ （ｘ＝０．１）、アル
コ＋シト加水分解法によシ作製される（ １− ｘ ）
５ｓＱ２ ・ｘＦｇ２Ｑ３ （０≦２≦０．３）など
が知られているが、これらも強磁性を示さない。
結晶物質と同一組成を有するもの及び安定なガラスマト
リックス中に磁性元素を含有させたものがある。このう
ち前者の例としては、レーザーイシバクト急冷法によシ
作１製される３ＧｄＯ３・５Ｆｇ２０３があり、比較的
大きい磁性を示すものとしでしられている。しかしなが
ら、この磁化量は１、うｅｍｕ／ｆ程度であり、満足す
べきものとけ言い難い。その他、エアＯ％ｙル法によシ
作製されるＺｎ０−Ｆｔ２０３、Ｃｏ０−Ｆｅ２Ｏ３、
Ｙ３ Ｆｔ ５０ □２ ”Ｆｅ２Ｏ３；反応性スパッ
タ法または液体急冷法により作製されるＹ３Ｆｇ、０□
２などが知られているが、これらはいずれも常磁性体で
ある。また後者については、ガラスマトリックスとして
Ｂ２Ｏ３，５１０２及びＰ２Ｏ５が使用されている。Ｂ
２Ｏ３をガラスマトリックスとする非晶質物質としては
、高速急冷法によシ作製されるｘＦｇ２０３ ・ｙＢａ
ｏ−ｚＢ２０３（ｘ ／ ｙ−３９／＋８、う４／３９
．６３／３２、ｚ−５〜１３）、ｘＦ＆２０３ ＠ （
１−ｘ ） （ＢａＯ−４８２０ｓ ） （０＜ ｘ
＜ １ ）、ｘＭｎ２０．・ｙＢａｏ −ｚＢ２０３（
ｘ／ｙ ＝ ６５／２９．５８／３６．４４１５１．ｚ
−６）などが知られているが、すべて中ユリ一温度は１
００°に以下で、磁化量は例えばｒｕｎ２０３・ｙＢａ
Ｏ−ｚＢ２０３の場合には、４ｒで１０ｇｍｕ／ｆ程度
であシ、実用的なものではない。また、５ｉ０２をガラ
スマトリックスとする非晶質物質としては、Ｈａ２０
・３５ｉｎ２・ｘＦｒ２０３ （ｘ＝０．１）、アル
コ＋シト加水分解法によシ作製される（ １− ｘ ）
５ｓＱ２ ・ｘＦｇ２Ｑ３ （０≦２≦０．３）など
が知られているが、これらも強磁性を示さない。
また、Ｐ２Ｏ５をガラスマトリックスとする非晶質物質
としては、Ｐ２Ｏ５−Ｆｇ２０３、Ｐ２Ｏ，−Ｃｏｏ
５Ｐ２０．− ＭｎＯ系のものが高速急冷法によシ作製
されているが、これらは低温領域にネール温度をもつ反
強磁性体である。その他、Ｐ２Ｏ，Ｋフェライト組成の
酸化物を混合して、高速急冷法によシ非晶質フェライト
を作成することも試みられているが、これの磁化量も室
温で最大２ ｅｍｕ ／ ｆ程度であシ、不充分である
。
としては、Ｐ２Ｏ５−Ｆｇ２０３、Ｐ２Ｏ，−Ｃｏｏ
５Ｐ２０．− ＭｎＯ系のものが高速急冷法によシ作製
されているが、これらは低温領域にネール温度をもつ反
強磁性体である。その他、Ｐ２Ｏ，Ｋフェライト組成の
酸化物を混合して、高速急冷法によシ非晶質フェライト
を作成することも試みられているが、これの磁化量も室
温で最大２ ｅｍｕ ／ ｆ程度であシ、不充分である
。
このように非晶質化によシ透光性を向上させる方法では
、磁気物性が大きく低下するため所期の光学的特性及び
磁気的特性を満足する多機能材料が得られるＫは至って
いない。
、磁気物性が大きく低下するため所期の光学的特性及び
磁気的特性を満足する多機能材料が得られるＫは至って
いない。
問題点を解決するための手段
本発明者は、高い透光性を有し、かつ強磁性を有する物
質を見出すべく鋭意研究を重ねた結果、特定組成の複合
酸化物を非晶質化することによシ、高い透光性を有する
強磁性体が得られることを見出した。
質を見出すべく鋭意研究を重ねた結果、特定組成の複合
酸化物を非晶質化することによシ、高い透光性を有する
強磁性体が得られることを見出した。
即ち、本発明は、一般式： Ａｘ ・（ＭｍＯｎ ）ｙ
・（ｐｇ２ｏ３） ｚ （式中、ＡはＥ；２０’、、
Ｖ２Ｏ５、ＴａＯ２及びＧ＃０２の１種又は２種以上、
Ｍはｕｎ、Ｆｇ、Ｃｏ５Ｎｉ ｓ Ｃｕ ％ Ｍｇ、Ｚ
ｎ％Ｃｄｓ Ｃａｓ Ｐｂｓ Ｈａｓ Ｓｒ及び希土類
元素の１種又は２種以上であり１Ｍが希土類元素でない
場合はｓ ｍ ＝ １及びＦＩ＝１であり、Ｍが希土類
元素の場合はｍ＝ｅ２及びｎ＝３である。
・（ｐｇ２ｏ３） ｚ （式中、ＡはＥ；２０’、、
Ｖ２Ｏ５、ＴａＯ２及びＧ＃０２の１種又は２種以上、
Ｍはｕｎ、Ｆｇ、Ｃｏ５Ｎｉ ｓ Ｃｕ ％ Ｍｇ、Ｚ
ｎ％Ｃｄｓ Ｃａｓ Ｐｂｓ Ｈａｓ Ｓｒ及び希土類
元素の１種又は２種以上であり１Ｍが希土類元素でない
場合はｓ ｍ ＝ １及びＦＩ＝１であり、Ｍが希土類
元素の場合はｍ＝ｅ２及びｎ＝３である。
またＯ （ｘ≦８０．０＜ｙ≦６０．５≦２≦６０であ
ってｒ＋ｙ＋ｚ＝Ｉｏｏである。ただしＭがＣｏの場合
は、０（ｒ（６０、Ｏ＜ｙ＜６０％ ４０≦２≦６０で
ある）で表わされる非晶質強磁性酸化物に係る。
ってｒ＋ｙ＋ｚ＝Ｉｏｏである。ただしＭがＣｏの場合
は、０（ｒ（６０、Ｏ＜ｙ＜６０％ ４０≦２≦６０で
ある）で表わされる非晶質強磁性酸化物に係る。
本発明は、また以下に示す非晶質強磁性酸化物の製造法
にも係る。
にも係る。
（ａ） Ｊｔ ２０３、Ｖ２Ｏ５，７’＃０２及びＧ
ｔ０２０１種又は２種以上、ＭｍＯｎ （Ｍはｕｎ、
Ｆｅ％Ｃｏ、 Ｎｉ 。
ｔ０２０１種又は２種以上、ＭｍＯｎ （Ｍはｕｎ、
Ｆｅ％Ｃｏ、 Ｎｉ 。
（：ｕ、Ｍｅｌ、Ｚｎｓ Ｃｄｓ Ｃａ％Ｐｂｓ Ｂａ
ｓ Ｓｒ及び希土類元素の１種又は２８１以上であり、
Ｍが希土類元岑でない場合は、ｍ＝１及びｎｍｌであシ
、Ｍが希土類元素の場合は、ｍ＝２及び７１ｍ３である
）並びＫ Ｆｅ２Ｏ３の混合物を融点よシ高温に加熱し
て溶融し、高速回転するＯ−ル上に吹き付けてＩＯ℃／
ｓｅｔ以上の速度で超急冷させることを特徴とする一
般式：Ａｘ・（ＭｍＯｎ）ｙ・（Ｆｅ２Ｏ３）□（式中
、ＡはＢｉ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、ＴｌＯ２及びＧ＃０２の
１種又は２種以上、Ｍ Ｆｉｕｎ。
ｓ Ｓｒ及び希土類元素の１種又は２８１以上であり、
Ｍが希土類元岑でない場合は、ｍ＝１及びｎｍｌであシ
、Ｍが希土類元素の場合は、ｍ＝２及び７１ｍ３である
）並びＫ Ｆｅ２Ｏ３の混合物を融点よシ高温に加熱し
て溶融し、高速回転するＯ−ル上に吹き付けてＩＯ℃／
ｓｅｔ以上の速度で超急冷させることを特徴とする一
般式：Ａｘ・（ＭｍＯｎ）ｙ・（Ｆｅ２Ｏ３）□（式中
、ＡはＢｉ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、ＴｌＯ２及びＧ＃０２の
１種又は２種以上、Ｍ Ｆｉｕｎ。
Ｆ＃、Ｃｏ−１Ｎｉ ％Ｃｕ ｓ Ｍｇ、Ｉｎ、 Ｃｄ
ｓ Ｃａ５Ｐｂ、Ｂａ、 ５ｒ及び希土類元素の１種又
は２種以上であり、Ｍが希土類元素でない場合は、ｍ＝
１及びｎｘｌであシ、Ｍが希土類元素の場合はｍｗａ２
及びｎ＝３である。またＯ （ｘ≦８０．０＜ｙ≦６０
．５≦２≦６０であってｘ＋ｙ＋ｚｘｉｏｏである。た
だしＭがＣｏの場合は、０（ｘ （６０、ｏ＜ｙ＜６ｏ
、４０≦２≦６０である）で表わされる非晶質強磁性酸
化物の製造法、 （ｂＨ）＃ｉ％Ｖ％Ｔｉ％Ｇｇ及びこれらの酸化物の１
種又は２種以上、 １） Ｋｎ％ Ｆａ 、 Ｃｏ 、 Ｎｉｓ
Ｃｕ ｓ Ｍｇ、 Ｚｎ、Ｃｄ。
ｓ Ｃａ５Ｐｂ、Ｂａ、 ５ｒ及び希土類元素の１種又
は２種以上であり、Ｍが希土類元素でない場合は、ｍ＝
１及びｎｘｌであシ、Ｍが希土類元素の場合はｍｗａ２
及びｎ＝３である。またＯ （ｘ≦８０．０＜ｙ≦６０
．５≦２≦６０であってｘ＋ｙ＋ｚｘｉｏｏである。た
だしＭがＣｏの場合は、０（ｘ （６０、ｏ＜ｙ＜６ｏ
、４０≦２≦６０である）で表わされる非晶質強磁性酸
化物の製造法、 （ｂＨ）＃ｉ％Ｖ％Ｔｉ％Ｇｇ及びこれらの酸化物の１
種又は２種以上、 １） Ｋｎ％ Ｆａ 、 Ｃｏ 、 Ｎｉｓ
Ｃｕ ｓ Ｍｇ、 Ｚｎ、Ｃｄ。
Ｃａ、Ｐｂ％Ｂａ ｓ Ｓｒ 、 希土類元素及びこ
れらの酸化物の１種又は２種以上、並びに １ｉ）Ｆ＃及び／又はＦｅ２Ｏ。
れらの酸化物の１種又は２種以上、並びに １ｉ）Ｆ＃及び／又はＦｅ２Ｏ。
を原料とし、酸素雰囲気中で、蒸発させてイオン化し、
基板上に堆積させることを特徴とする一般式： Ａｘ・
（ＭｍＯｎ）ｙ・Ｃ１ｇ２０３）ｚ （式中、ＡはＢｉ
２Ｏ，、Ｖ２Ｏ５，７’ｇＯ２及びＧ＃０２の１種又は
２種以上、ＭはＫｎ％Ｆｅ、Ｃｏ ｓ Ｎｓ ｓ Ｃｕ
ｓ Ｍｇ、Ｉｎ％Ｃｄ、ＣｏｌＰｂ％Ｂｅ％Ｓｒ及び
希土類元素の１種又は２種以上であり、Ｍが希土類元素
でない場合は、ｍ５ｅｌ及びｎｍｌであり、Ｍが希土類
元素の場合はｍ ＝ ２及びｎ＝３である。またＯ ＜
ｒ≦８０、Ｏ＜ｙ≦６０．５≦２≦６０であってｘ
＋ ｙ ＋ ｚ ＝ １００である。ただしＭがｃｏの
場合は、Ｏ＜ｒ＜６０．０ ＜ ｙ ＜ ６０．４０≦
２≦６０である）で表わされる非晶質強磁性酸化物の製
造法、 （Ｃ） ｌ） Ｅｉ、 Ｖ％７’ｆ％Ｇｇ及びこれら
の酸化物の１種又は２種以上、 １） Ｍｎｓ Ｆｅ 、 Ｃｏ 、 Ｎｉ ％
Ｃｕ ％ Ｍｇ、 Ｚｎ、Ｃｄ。
基板上に堆積させることを特徴とする一般式： Ａｘ・
（ＭｍＯｎ）ｙ・Ｃ１ｇ２０３）ｚ （式中、ＡはＢｉ
２Ｏ，、Ｖ２Ｏ５，７’ｇＯ２及びＧ＃０２の１種又は
２種以上、ＭはＫｎ％Ｆｅ、Ｃｏ ｓ Ｎｓ ｓ Ｃｕ
ｓ Ｍｇ、Ｉｎ％Ｃｄ、ＣｏｌＰｂ％Ｂｅ％Ｓｒ及び
希土類元素の１種又は２種以上であり、Ｍが希土類元素
でない場合は、ｍ５ｅｌ及びｎｍｌであり、Ｍが希土類
元素の場合はｍ ＝ ２及びｎ＝３である。またＯ ＜
ｒ≦８０、Ｏ＜ｙ≦６０．５≦２≦６０であってｘ
＋ ｙ ＋ ｚ ＝ １００である。ただしＭがｃｏの
場合は、Ｏ＜ｒ＜６０．０ ＜ ｙ ＜ ６０．４０≦
２≦６０である）で表わされる非晶質強磁性酸化物の製
造法、 （Ｃ） ｌ） Ｅｉ、 Ｖ％７’ｆ％Ｇｇ及びこれら
の酸化物の１種又は２種以上、 １） Ｍｎｓ Ｆｅ 、 Ｃｏ 、 Ｎｉ ％
Ｃｕ ％ Ｍｇ、 Ｚｎ、Ｃｄ。
Ｃａ、Ｐｂ％Ｂａ％５ｒ、希土類元素及びこれらの酸化
物の１種又は２種以上、並びに ｍ） Ｆｅ及び／又はＦｅ２Ｑ３ をターゲットとし酸素雰囲気中でスバツタリシクによシ
基板上へ堆積させることを特徴とする一般式： Ａｘ・
（ＭｍＯｎ＞ｙ・（１ｇ２０３）ｚ （式中、ＡはＢｉ
２Ｏ，５、Ｖ２Ｏ，・、？’＃０２及びＧｇ０２の１種
又は２８ｉ以上、Ｍ＃ｉＭｎ、 Ｆｔｓ Ｃａ％Ｎｉ
、 Ｃｕｓ ＭｉｓＺｎ％Ｃｄ％Ｃａｓ Ｐｂｓ Ｂａ
％Ｓｒ及び希土類元素０１種又は２種以上であシ、Ｍが
希土類元素でない場合は、ｙｙｌ Ｎ＝ｌ及びｎ＝Ｉで
あり、Ｍが希土類元素の場合はｍ＝２及びｎ＝３である
。またＯ ＜ ｒ≦８０．Ｏく）≦６０．５≦２≦６０
であってｘ＋ｙ＋ｚ−１００である。ただしＭがＣｏの
場合は、Ｏ＜ ｘ ＜ ６０、Ｏ＜ｙ＜６０．４０≦２
≦６０である）で表わされる非晶質強磁性酸化物の製造
法、 （ｄ） ｌ） Ｂｉ 、 Ｖ％Ｔｔｔ及びＧｅの１種
又は２種以上、１） Ｍｎｓ Ｆｅ、Ｃｏ ｓ Ｎｓ
ｓ Ｃｕ ｓ Ｍｙ 、Ｉｎ ｓ Ｃｄ ｓＣａ％Ｐ
ｂ、 Ｂａ１Ｓｒ及び希土類金属の１種又は２種以上、
並びに １） Ｐｇ の混合物を融点よシ高温に加熱して溶融し、高速回転す
る０−ル上に吹き付けて１０３℃／ｓｅｅ以上の速度で
超急冷させた後、結晶化温度以下の温度で酸化させるこ
とを特徴とする一般式：Ａｘ ・（ＭｍＯｎ ）Ｊｌ
・（Ｆｅ２０３） ｚ （式中、ＡはＢｉ２Ｏ３、Ｖ２
Ｏ５，７’ｇ０２及びＧｇ０２の１種又は２種以上、Ｍ
はｕｎ、 Ｆｇ、Ｃ０、Ｎｓ ｓ Ｃｍ ％ Ｍｆｌ、
Ｚｎ ｓ Ｃｄ ％Ｃａ ｓ Ｐｂ ｓ Ｅａ ｓ Ｓ
ｒ及び希土類元素の１種又は２種以上であり、Ｍが希土
類元素でない場合はｓ ｍ−１及びｎｍｌであシ、Ｍが
希土類元素の場合はｍ＝２及びｎ！３である。またＯ
（ｘ≦８０、Ｏ＜ｙ≦６０１５≦２≦６０であってｒ＋
７＋ｚ−１００である。ただしＭがＣｏの場合は、Ｏ＜
ｘ ＜ ６０、Ｏ＜ ｙ ＜ ６０、今０≦２≦６０
である）で表わされる非晶質強磁性酸化物の製造法、 （１）Ｂ／％Ｖ％Ｔｔ％Ｇ＃及びこれらの酸化物の１種
又は２種以上、 ｉ） Ｍｎｓ Ｆｅ、Ｃｏ ｓ Ｎｓ ｓ Ｃｕ ％
Ｍｇ、Ｚｎ％Ｃｄ。
物の１種又は２種以上、並びに ｍ） Ｆｅ及び／又はＦｅ２Ｑ３ をターゲットとし酸素雰囲気中でスバツタリシクによシ
基板上へ堆積させることを特徴とする一般式： Ａｘ・
（ＭｍＯｎ＞ｙ・（１ｇ２０３）ｚ （式中、ＡはＢｉ
２Ｏ，５、Ｖ２Ｏ，・、？’＃０２及びＧｇ０２の１種
又は２８ｉ以上、Ｍ＃ｉＭｎ、 Ｆｔｓ Ｃａ％Ｎｉ
、 Ｃｕｓ ＭｉｓＺｎ％Ｃｄ％Ｃａｓ Ｐｂｓ Ｂａ
％Ｓｒ及び希土類元素０１種又は２種以上であシ、Ｍが
希土類元素でない場合は、ｙｙｌ Ｎ＝ｌ及びｎ＝Ｉで
あり、Ｍが希土類元素の場合はｍ＝２及びｎ＝３である
。またＯ ＜ ｒ≦８０．Ｏく）≦６０．５≦２≦６０
であってｘ＋ｙ＋ｚ−１００である。ただしＭがＣｏの
場合は、Ｏ＜ ｘ ＜ ６０、Ｏ＜ｙ＜６０．４０≦２
≦６０である）で表わされる非晶質強磁性酸化物の製造
法、 （ｄ） ｌ） Ｂｉ 、 Ｖ％Ｔｔｔ及びＧｅの１種
又は２種以上、１） Ｍｎｓ Ｆｅ、Ｃｏ ｓ Ｎｓ
ｓ Ｃｕ ｓ Ｍｙ 、Ｉｎ ｓ Ｃｄ ｓＣａ％Ｐ
ｂ、 Ｂａ１Ｓｒ及び希土類金属の１種又は２種以上、
並びに １） Ｐｇ の混合物を融点よシ高温に加熱して溶融し、高速回転す
る０−ル上に吹き付けて１０３℃／ｓｅｅ以上の速度で
超急冷させた後、結晶化温度以下の温度で酸化させるこ
とを特徴とする一般式：Ａｘ ・（ＭｍＯｎ ）Ｊｌ
・（Ｆｅ２０３） ｚ （式中、ＡはＢｉ２Ｏ３、Ｖ２
Ｏ５，７’ｇ０２及びＧｇ０２の１種又は２種以上、Ｍ
はｕｎ、 Ｆｇ、Ｃ０、Ｎｓ ｓ Ｃｍ ％ Ｍｆｌ、
Ｚｎ ｓ Ｃｄ ％Ｃａ ｓ Ｐｂ ｓ Ｅａ ｓ Ｓ
ｒ及び希土類元素の１種又は２種以上であり、Ｍが希土
類元素でない場合はｓ ｍ−１及びｎｍｌであシ、Ｍが
希土類元素の場合はｍ＝２及びｎ！３である。またＯ
（ｘ≦８０、Ｏ＜ｙ≦６０１５≦２≦６０であってｒ＋
７＋ｚ−１００である。ただしＭがＣｏの場合は、Ｏ＜
ｘ ＜ ６０、Ｏ＜ ｙ ＜ ６０、今０≦２≦６０
である）で表わされる非晶質強磁性酸化物の製造法、 （１）Ｂ／％Ｖ％Ｔｔ％Ｇ＃及びこれらの酸化物の１種
又は２種以上、 ｉ） Ｍｎｓ Ｆｅ、Ｃｏ ｓ Ｎｓ ｓ Ｃｕ ％
Ｍｇ、Ｚｎ％Ｃｄ。
Ｃａ％ｐｂｓ Ｅａｓ Ｓｒｓ希土類元素及びこれらの
酸化物の１種又は２１！１以上、並びＫ１１ｉ） Ｆ
ｇ及び／又は１ｇ２０３を原料とし、真空中または希ガ
ス中で、蒸発させてイオン化し、基板上に堆積させた後
、結晶化温度以下の温度で酸化させることを特徴とする
一般式： Ａｘ ・（ＭｍＯｎ ）ｙ ・ＣＦｅ２Ｏ３
） ｚ （式中、ＡはＢｉ２Ｏ３、Ｖ２０５、Ｔ＃０２
及びＧ＃０２ の１種又は２種以上、Ｍはｕｎ％Ｆｅ、
Ｃｏ ｓ Ｎｉｓ Ｃｕ ｓＭｆｌ、Ｉｎ、 Ｃｄｓ
Ｃａｓ Ｐｂｓ Ｅａ％Ｓｒ 及び希土類元素の１種又
は２種以上であシ、Ｍが希土類元素でない場合はｓｍ＝
Ｉ及びｎ＝１であり、Ｍが希土類元素の場合はｍ＝２及
びｎ＝３である。またＯ（ｒ≦８０、Ｏ＜ｙ≦６０．５
≦２≦６０であってｒ＋ｙ＋ｚ−ＩＱＱである。ただし
ＭがＣｏの場合は、 Ｏ＜ ｘ （６０、０＜ Ｊ’
＜６０％４０≦２≦６０である）で表わされる非晶質強
磁性酸化物の製造法、 （１）ｌ）Ｂｉ％Ｖ％Ｔｅ％Ｇ＃及びこれらの酸化物の
１種又は２種以上、 １ ） ｕｎ ｓ Ｆｅ ｓ Ｃａ ｓ
Ｎｓ ％ Ｃｕ ｓ Ｍｇ 、 Ｚｎ
％ ＣｄｌＣｏ％ｐｂ％Ｂａ、Ｓｒ、希土類元素
及びこれらをターゲットとし、希ガス中でスパッタリン
クによシ基板上へ堆積させた後、結晶化温度以下の温度
で酸化させることを特徴とする一般式：Ａｘ ・（Ｍｍ
Ｏｎ ＞ｙ ・（Ｆｅ２Ｏ２）ｚ （式中、ＡはＥｉ２
０３、Ｖ２Ｏ５，７’＃０２及びＧ＃ｏ２の１種又は２
種以上、Ｍはｕｎ％Ｆｇ、ＣＯ％ Ｎｉ ｓ Ｃｕ 、
Ｍｌ、Ｚｎ％Ｃｄｓ Ｃａｓ Ｐｂｓ Ｂａｓ Ｓｒ
及び希土類元素の１種又は２ａ以上であシ、Ｍが希土類
元素でない場合は、ｍｘｌ及びｎ−１であシ、Ｍが希土
類元素の場合はｍ ＝ ２及びｎ＝３である。またＯ
（ｘ≦８０．０＜ｙ≦６０１５≦２≦６０であってｒ＋
、ｙ十ｚ−１００である。ただしＭがＣｏの場合は、０
（ｘ （６０、０＜ Ｊ ＜ ６０．４０≦２≦６０
である）で表わされる非晶質強磁性酸化物の製造法。
酸化物の１種又は２１！１以上、並びＫ１１ｉ） Ｆ
ｇ及び／又は１ｇ２０３を原料とし、真空中または希ガ
ス中で、蒸発させてイオン化し、基板上に堆積させた後
、結晶化温度以下の温度で酸化させることを特徴とする
一般式： Ａｘ ・（ＭｍＯｎ ）ｙ ・ＣＦｅ２Ｏ３
） ｚ （式中、ＡはＢｉ２Ｏ３、Ｖ２０５、Ｔ＃０２
及びＧ＃０２ の１種又は２種以上、Ｍはｕｎ％Ｆｅ、
Ｃｏ ｓ Ｎｉｓ Ｃｕ ｓＭｆｌ、Ｉｎ、 Ｃｄｓ
Ｃａｓ Ｐｂｓ Ｅａ％Ｓｒ 及び希土類元素の１種又
は２種以上であシ、Ｍが希土類元素でない場合はｓｍ＝
Ｉ及びｎ＝１であり、Ｍが希土類元素の場合はｍ＝２及
びｎ＝３である。またＯ（ｒ≦８０、Ｏ＜ｙ≦６０．５
≦２≦６０であってｒ＋ｙ＋ｚ−ＩＱＱである。ただし
ＭがＣｏの場合は、 Ｏ＜ ｘ （６０、０＜ Ｊ’
＜６０％４０≦２≦６０である）で表わされる非晶質強
磁性酸化物の製造法、 （１）ｌ）Ｂｉ％Ｖ％Ｔｅ％Ｇ＃及びこれらの酸化物の
１種又は２種以上、 １ ） ｕｎ ｓ Ｆｅ ｓ Ｃａ ｓ
Ｎｓ ％ Ｃｕ ｓ Ｍｇ 、 Ｚｎ
％ ＣｄｌＣｏ％ｐｂ％Ｂａ、Ｓｒ、希土類元素
及びこれらをターゲットとし、希ガス中でスパッタリン
クによシ基板上へ堆積させた後、結晶化温度以下の温度
で酸化させることを特徴とする一般式：Ａｘ ・（Ｍｍ
Ｏｎ ＞ｙ ・（Ｆｅ２Ｏ２）ｚ （式中、ＡはＥｉ２
０３、Ｖ２Ｏ５，７’＃０２及びＧ＃ｏ２の１種又は２
種以上、Ｍはｕｎ％Ｆｇ、ＣＯ％ Ｎｉ ｓ Ｃｕ 、
Ｍｌ、Ｚｎ％Ｃｄｓ Ｃａｓ Ｐｂｓ Ｂａｓ Ｓｒ
及び希土類元素の１種又は２ａ以上であシ、Ｍが希土類
元素でない場合は、ｍｘｌ及びｎ−１であシ、Ｍが希土
類元素の場合はｍ ＝ ２及びｎ＝３である。またＯ
（ｘ≦８０．０＜ｙ≦６０１５≦２≦６０であってｒ＋
、ｙ十ｚ−１００である。ただしＭがＣｏの場合は、０
（ｘ （６０、０＜ Ｊ ＜ ６０．４０≦２≦６０
である）で表わされる非晶質強磁性酸化物の製造法。
本発明酸化物は、一般式： Ａｘ ・（ＭｍＯｎ ）ｙ
”（ｐｇ２ｏ、 ） 、で表わされるものであって、
ＡはＢｇ ２０３、Ｖ２Ｏ５，７ｇ０２及びＧ＃０２の
１種又は２種以上である。また、Ａｆ Ｆｉ Ａｆｎ
ｓ Ｆｔ ｓ Ｃｏ ％／’／ｉｓ Ｃｕ ｓＭｊｌ、
Ｚｎ％Ｃｄｓ Ｃｏ％Ｐｂ、 Ｅａｓ Ｓｒ及び希土類
元素の１種又は２種以上である。ここで希土類元素とは
、Ｙ％Ｓｍ％Ｅｕｓ Ｇｄ、 Ｔｂｓ Ｄｙｓ Ｈｏ
ｂ ＥｒｓＴｍ、 Ｙｂ等のＦｅ２Ｏ２と反応してガー
ネット構造をとる元素である。ｍ及びｎは、Ｍの種類に
より決定され、Ｍが希土類元素でない場合は、ｍｗｌ及
びｙｌ ｗ ｌであり、Ｍが希土類元素の場合はｂｍ＝
２及びｎ＝３である。Ｘ％ｙ％ ２の範囲は、０〈Ｘ≦
８０、Ｏ＜ｙ≦６０．５≦２≦６０であシ、好ましくは
Ｏ（ｘ≦５０．５≦ｙ≦６０．４０≦２≦６０であって
、ｒ＋ｙ＋ｚ＝１００である。
”（ｐｇ２ｏ、 ） 、で表わされるものであって、
ＡはＢｇ ２０３、Ｖ２Ｏ５，７ｇ０２及びＧ＃０２の
１種又は２種以上である。また、Ａｆ Ｆｉ Ａｆｎ
ｓ Ｆｔ ｓ Ｃｏ ％／’／ｉｓ Ｃｕ ｓＭｊｌ、
Ｚｎ％Ｃｄｓ Ｃｏ％Ｐｂ、 Ｅａｓ Ｓｒ及び希土類
元素の１種又は２種以上である。ここで希土類元素とは
、Ｙ％Ｓｍ％Ｅｕｓ Ｇｄ、 Ｔｂｓ Ｄｙｓ Ｈｏ
ｂ ＥｒｓＴｍ、 Ｙｂ等のＦｅ２Ｏ２と反応してガー
ネット構造をとる元素である。ｍ及びｎは、Ｍの種類に
より決定され、Ｍが希土類元素でない場合は、ｍｗｌ及
びｙｌ ｗ ｌであり、Ｍが希土類元素の場合はｂｍ＝
２及びｎ＝３である。Ｘ％ｙ％ ２の範囲は、０〈Ｘ≦
８０、Ｏ＜ｙ≦６０．５≦２≦６０であシ、好ましくは
Ｏ（ｘ≦５０．５≦ｙ≦６０．４０≦２≦６０であって
、ｒ＋ｙ＋ｚ＝１００である。
ただし、ＭがＣｏの場合は、Ｏ＜ｚ＜６０、Ｏ＜ｙ〈６
０．４０≦２≦６０である。
０．４０≦２≦６０である。
本発明酸化物は、結晶状態では強磁性を示さない物質で
ある。しかしながら、これを非晶質状態に転換せしめる
ことによｐ、ＦａとＯとの結合角に自由度が与えられ、
Ｆｇ −０−Ｆｇの超交換相互作用が強くな）、強磁性
体となる。この磁性体は、非晶質であるために等方体で
あシ、磁気異方性がなく、更に粒界による磁化の乱れも
ないすぐれた磁性材料である。
ある。しかしながら、これを非晶質状態に転換せしめる
ことによｐ、ＦａとＯとの結合角に自由度が与えられ、
Ｆｇ −０−Ｆｇの超交換相互作用が強くな）、強磁性
体となる。この磁性体は、非晶質であるために等方体で
あシ、磁気異方性がなく、更に粒界による磁化の乱れも
ないすぐれた磁性材料である。
また、本発明酸化物は、非晶質であるために１光学的に
も等方体であシ、粒界による光の散乱がなく、高い透光
性を有する。
も等方体であシ、粒界による光の散乱がなく、高い透光
性を有する。
本発明非晶質酸化物は、特定組成の複合酸化物が非晶質
状態であることによシ上記特性を示すものであって、製
造方法によシ限定されるものではない。即ち、非晶質化
できる方法であれば公知のすべての方法が本発明酸化物
の製造に適用できる。
状態であることによシ上記特性を示すものであって、製
造方法によシ限定されるものではない。即ち、非晶質化
できる方法であれば公知のすべての方法が本発明酸化物
の製造に適用できる。
製造方法の例としては、液体超急冷法、真空蒸着法、ス
パッタ法、イオシピーム蒸着法、クラスターイオンビー
ム蒸着法、分子線エピタ＋シセル法、ＣＶＤ法、ジル−
ゲル法、エアＯリル法等が挙げられる。
パッタ法、イオシピーム蒸着法、クラスターイオンビー
ム蒸着法、分子線エピタ＋シセル法、ＣＶＤ法、ジル−
ゲル法、エアＯリル法等が挙げられる。
液体急冷法による非晶質物質製造法としては、目的物質
の融液を高速回転ロール表面上に吹き付けて超急冷する
方法が実用的な方法として知られており、例えば具体例
としては、特願昭５５−１５２５６２、特願昭５５−１
６０１９３、特願昭５５−１４２１９７、特願昭５８−
２１１４４４、特願昭５８−６５０８３、特願昭５８−
６５００３、％顆間５８−６６６８５、特願昭５８−６
７４６２、特願昭５８−６９６４０、特願昭５８−６９
６４１．特願昭５８−６６６８４、特願昭５８−６５０
０４、特願昭５８−６８９６２、特願昭５７−１６９２
０８、特願昭５８−７９７３６、特願昭５８−７９７３
９等に記載の方法があげられる。
の融液を高速回転ロール表面上に吹き付けて超急冷する
方法が実用的な方法として知られており、例えば具体例
としては、特願昭５５−１５２５６２、特願昭５５−１
６０１９３、特願昭５５−１４２１９７、特願昭５８−
２１１４４４、特願昭５８−６５０８３、特願昭５８−
６５００３、％顆間５８−６６６８５、特願昭５８−６
７４６２、特願昭５８−６９６４０、特願昭５８−６９
６４１．特願昭５８−６６６８４、特願昭５８−６５０
０４、特願昭５８−６８９６２、特願昭５７−１６９２
０８、特願昭５８−７９７３６、特願昭５８−７９７３
９等に記載の方法があげられる。
以下に本発明非晶質酸化物を液体急冷法により製造する
方法の一例を具体的に説明する。
方法の一例を具体的に説明する。
まず原料としての各酸化物を所定の割合に混合し、融点
付近の温度で仮焼して組成物Ａｘ・（ＭｍＯｎ ）ｙ・
（Ｆ＃２０３）、を得る。次いでこの組成物をルツボに
充填し、大気中で融点よりも５０〜２００℃程度高い温
度で加熱溶融し、圧縮空気により、その融液を高速回転
ロール上へ吹き付け、１０３〜ｌＯ℃７ｓｅｃの冷却速
度で超急冷することによシ、リボン状の非晶質物質が得
られる。
付近の温度で仮焼して組成物Ａｘ・（ＭｍＯｎ ）ｙ・
（Ｆ＃２０３）、を得る。次いでこの組成物をルツボに
充填し、大気中で融点よりも５０〜２００℃程度高い温
度で加熱溶融し、圧縮空気により、その融液を高速回転
ロール上へ吹き付け、１０３〜ｌＯ℃７ｓｅｃの冷却速
度で超急冷することによシ、リボン状の非晶質物質が得
られる。
また、原料として、酸化物を使用せず、金属を使用する
場合には、不活性ガス雰囲気とする以外は上記酸化物を
原料とする液体急冷法と同様の条件でリボン状の非晶質
金属を製造することができる。この場合には、ルツボは
、セラミックス契。
場合には、不活性ガス雰囲気とする以外は上記酸化物を
原料とする液体急冷法と同様の条件でリボン状の非晶質
金属を製造することができる。この場合には、ルツボは
、セラミックス契。
タラファイト製、石英ガラス製等が好ましい。得られた
非晶質金属を、空気中または酸素中で膨化させることに
より、本発明非晶質酸化物とすることができる。酸化条
件としては、加熱温度は、得られた試料の結晶化温度以
下であればよく、好ましくは、結晶化温度より２０〜５
０℃程度低い温度以下の温度である。熱処理時間は、試
料の比表面積によシ異なるが、３〜８時間程度が好まし
い。
非晶質金属を、空気中または酸素中で膨化させることに
より、本発明非晶質酸化物とすることができる。酸化条
件としては、加熱温度は、得られた試料の結晶化温度以
下であればよく、好ましくは、結晶化温度より２０〜５
０℃程度低い温度以下の温度である。熱処理時間は、試
料の比表面積によシ異なるが、３〜８時間程度が好まし
い。
酸化雰囲気は、空気中、０２濃度を高めるために０２ガ
スを混合した空気−酸素ガス混合系、０２ガス中、不活
性ガス−０２ガス混合系などでよく、不活性ガス−０２
ガス混合系では、酸化効率をよくするために０２濃度を
２０ｔｓ以上とすることが好ましい。
スを混合した空気−酸素ガス混合系、０２ガス中、不活
性ガス−０２ガス混合系などでよく、不活性ガス−０２
ガス混合系では、酸化効率をよくするために０２濃度を
２０ｔｓ以上とすることが好ましい。
反応性クラスターイオンビーム蒸着法による本発明酸化
物の製造は、例えば以下のような方法により行なうこと
ができる。
物の製造は、例えば以下のような方法により行なうこと
ができる。
まず、原料としての各金属元素または各酸化物をクラス
ターイオンビーム蒸着装置の所定のルツボ中に入れ、装
置内を１×１０〜５ＸＩＯトール程度の真空度まで排気
した後、酸素ガスを装置内が５ Ｘ Ｉ Ｏ−５〜Ｉ
Ｘ １０−’ トール程度の圧力となるまで導入し、装
置内を一定圧力に保つ。次いでルツボを加熱し、原料を
蒸発させると同時にルツボ上部に設置しであるイオン化
フィラメント及びイオン加速部に通電して蒸発した原料
物質をイオン化し、さらに加速してガラス製等の基板上
に蒸着させる。この際金属元素を原料とした場合にはイ
オン化された金属原子は、酸素ガスと反応して酸化物と
なる。各ルツボ温度を調節して、各原料成分の蒸発量を
変化させることによシ、任意の組成の非晶質強磁性酸化
物が得られる。
ターイオンビーム蒸着装置の所定のルツボ中に入れ、装
置内を１×１０〜５ＸＩＯトール程度の真空度まで排気
した後、酸素ガスを装置内が５ Ｘ Ｉ Ｏ−５〜Ｉ
Ｘ １０−’ トール程度の圧力となるまで導入し、装
置内を一定圧力に保つ。次いでルツボを加熱し、原料を
蒸発させると同時にルツボ上部に設置しであるイオン化
フィラメント及びイオン加速部に通電して蒸発した原料
物質をイオン化し、さらに加速してガラス製等の基板上
に蒸着させる。この際金属元素を原料とした場合にはイ
オン化された金属原子は、酸素ガスと反応して酸化物と
なる。各ルツボ温度を調節して、各原料成分の蒸発量を
変化させることによシ、任意の組成の非晶質強磁性酸化
物が得られる。
また、クラスターイオンビーム蒸着装置内に酸素ガスを
導入せずに、高真空状態または希ガスを５ｘｌＯ−１ｘ
ｌＯ程度導入した状態で、上記した条件と同様の条件で
クラスターイオンビーム蒸着を行なうこともでき、この
ような場合には、非晶質金属または酸素欠損を生じた非
晶質酸化物が生成する。また酸素雰囲気中でりうスター
イオンビーム蒸着を行なった場合にも、元素組成により
、酸素欠損を生じた非晶質酸化物が生成する場合がある
。これらの場合には、前記した急冷法により生成した非
晶質金属を酸化処理する条件と同様の条件で酸化処理す
ればよい。酸化時間は１〜５時間穆度が好ましい。
導入せずに、高真空状態または希ガスを５ｘｌＯ−１ｘ
ｌＯ程度導入した状態で、上記した条件と同様の条件で
クラスターイオンビーム蒸着を行なうこともでき、この
ような場合には、非晶質金属または酸素欠損を生じた非
晶質酸化物が生成する。また酸素雰囲気中でりうスター
イオンビーム蒸着を行なった場合にも、元素組成により
、酸素欠損を生じた非晶質酸化物が生成する場合がある
。これらの場合には、前記した急冷法により生成した非
晶質金属を酸化処理する条件と同様の条件で酸化処理す
ればよい。酸化時間は１〜５時間穆度が好ましい。
本発明非晶質酸化物の製造法のその他の例として、スパ
ッタ法を以下説明する。
ッタ法を以下説明する。
スパッタ装置のターゲットに原料としての金属元素また
は金属酸化物の混合物を設置する。このように設定した
装置内を不純ガス及び吸着分子を除く目的でＩ Ｘ １
０−’ トール程度以下の高真空にし、その後酸素ガス
を導入する。導入するガスは酸素ガスだけでもよいが、
スパッタ効率を高くして堆積速度を大きくするためＫは
、酸素ガスと希ガスとの混合ガスを導入することが好ま
しい。混合ガスを導入する場合のガスの混合比藁は、基
板上に非晶質酸化物を生成させるためには、酸素ガス／
希ガス−１／１以上の０２濃度が必要である。
は金属酸化物の混合物を設置する。このように設定した
装置内を不純ガス及び吸着分子を除く目的でＩ Ｘ １
０−’ トール程度以下の高真空にし、その後酸素ガス
を導入する。導入するガスは酸素ガスだけでもよいが、
スパッタ効率を高くして堆積速度を大きくするためＫは
、酸素ガスと希ガスとの混合ガスを導入することが好ま
しい。混合ガスを導入する場合のガスの混合比藁は、基
板上に非晶質酸化物を生成させるためには、酸素ガス／
希ガス−１／１以上の０２濃度が必要である。
酸素ガスまたは酸素ガスと希ガスとの混合ガスは、その
総圧力がＩ Ｘ １０−１〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ−’ トー
ル程度となるように導入する。ｌＸｌ０ ）−ル以下
ではスパッタ効率が低下し、蒸着速度が低くなシ、ｌ
Ｘ １０−”以上の圧力ではスパッタ性が悪くなるので
好ましくない。ガス圧が安定後、電源に電圧を印加し、
放電を起こさせ、ガスをイオシ化せしめ、ターゲットを
スパッタし、基板上に目的物を堆積させる。基板を水ま
たは冷媒によって冷却することによシ堆積物は非晶質化
する。基板温度は室温以下とすることが好ましい。
総圧力がＩ Ｘ １０−１〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ−’ トー
ル程度となるように導入する。ｌＸｌ０ ）−ル以下
ではスパッタ効率が低下し、蒸着速度が低くなシ、ｌ
Ｘ １０−”以上の圧力ではスパッタ性が悪くなるので
好ましくない。ガス圧が安定後、電源に電圧を印加し、
放電を起こさせ、ガスをイオシ化せしめ、ターゲットを
スパッタし、基板上に目的物を堆積させる。基板を水ま
たは冷媒によって冷却することによシ堆積物は非晶質化
する。基板温度は室温以下とすることが好ましい。
またスバツタリシグ装置内ＫＭ素ガスを導入せずに、希
ガスのみをＩ Ｘ １０−１〜ｌＸｌ０−３）−ルの圧
力となるように導入して、上記した条件と同様の条件で
スパッタすることもでき、このような場合には、非晶質
金属または機素欠損を生じ九非晶質酸化物が生成する。
ガスのみをＩ Ｘ １０−１〜ｌＸｌ０−３）−ルの圧
力となるように導入して、上記した条件と同様の条件で
スパッタすることもでき、このような場合には、非晶質
金属または機素欠損を生じ九非晶質酸化物が生成する。
また、酸素ガスを導入してスパッタを行なった場合にも
、元素組成により、酸素欠損を生じた非晶質酸化物が生
成する場合がある。これらの場合には、前記した急冷法
により生成した非晶質金属を酸化処理する条件と同様の
条件で酸化処理すればよい。酸化時間は１〜５時間程度
が好ましい。
、元素組成により、酸素欠損を生じた非晶質酸化物が生
成する場合がある。これらの場合には、前記した急冷法
により生成した非晶質金属を酸化処理する条件と同様の
条件で酸化処理すればよい。酸化時間は１〜５時間程度
が好ましい。
発明の効果
本発明非晶質強磁性酸化物は、非晶質構造であるために
広い範囲で構成元素の組成を変化させることができる。
広い範囲で構成元素の組成を変化させることができる。
このため、目的に応じた任意の磁気的特性値を有する酸
化物が容易に得られる。
化物が容易に得られる。
本発明酸化物は、非晶質であるため磁性的及び光学的に
等方体であり、かつ粒界による磁気及び光の乱れがない
。このため、該酸化物は、磁性材料として優れた特性を
有し、かつ高い透光性を有する非常に高感度の光磁気交
換体である。
等方体であり、かつ粒界による磁気及び光の乱れがない
。このため、該酸化物は、磁性材料として優れた特性を
有し、かつ高い透光性を有する非常に高感度の光磁気交
換体である。
本発明酸化物は、光−磁気複合機能を応用した材料とし
て、更に祉光−磁気−電気の間の関係の変化に反応する
多機能材料として広い分野で応用され得るものである。
て、更に祉光−磁気−電気の間の関係の変化に反応する
多機能材料として広い分野で応用され得るものである。
実施例を示して本発明を更に詳細Ｋｖ１．＠する。
実施例１〜３８及び比較例１及び２
純度９９．９％の各試料を第１表に示す各割合に混合し
、仮焼した後、幅０．１ｍ、長さ４藺のスリット状噴出
口のある白金製ルツボ中で高周波加熱によシ加熱溶融し
、高速で回転している鋼製のａ−ター上に０．５Ｋｐ／
ｄの圧力の圧縮空気忙よシ、融液を噴出させた。噴出時
には、ルツボの噴出口を〇−ターまで約０．１ｍ＜らい
まで近づけた。得られた試料の大きさは、組成により異
なるが、幅４顛、長さ１０〜５０ｍ、厚さ５〜ＩＯｐｍ
であり、いずれも黒色から茶褐色の透光性のある薄帯で
あった。各試料ともに粉末Ｘ線回折法〆より非晶質であ
ることの確認を行なった。第１表に、各試料の組成、冷
却速度及び磁化量を示す。冷却速度は、加熱温度、〇−
゛ター周速度、噴出圧力によシ決定した。
、仮焼した後、幅０．１ｍ、長さ４藺のスリット状噴出
口のある白金製ルツボ中で高周波加熱によシ加熱溶融し
、高速で回転している鋼製のａ−ター上に０．５Ｋｐ／
ｄの圧力の圧縮空気忙よシ、融液を噴出させた。噴出時
には、ルツボの噴出口を〇−ターまで約０．１ｍ＜らい
まで近づけた。得られた試料の大きさは、組成により異
なるが、幅４顛、長さ１０〜５０ｍ、厚さ５〜ＩＯｐｍ
であり、いずれも黒色から茶褐色の透光性のある薄帯で
あった。各試料ともに粉末Ｘ線回折法〆より非晶質であ
ることの確認を行なった。第１表に、各試料の組成、冷
却速度及び磁化量を示す。冷却速度は、加熱温度、〇−
゛ター周速度、噴出圧力によシ決定した。
実施例１の（Ｅｇ ２０３ ）ｐ。’ （ＺｎＯ）２０
” （Ｆ＃２０３ ）５゜Ｋりいての粉末Ｘ線回折図
を第１図に、示差熱分析結果及び熱重量分析結果のグラ
フを第２図に示す。また、（”２’３ ）３０ ’ （
”’ ）２０ ” （”２’３ ）５０の組成の結晶質
物質と非晶質物質についての温度と磁化量との関係のり
５フを第３図に示す。第３図に於いて実線は非晶質物質
、破線は結晶質物質を示す。また、（ＢＪ ２０３ ）
５゜−ｙ ・（Ｚｎｏ ）ｙ ・（Ｆ＃２０３ ）５゜
の非晶質物質の組成と磁化量との関係のグラフを第４図
に１組成と＋ユリ一温度との関係のグラフを第５図に示
す。さらに、Ｂｉ ２０３− ＺｎＯ−Ｆｅ２Ｏ，３元
系酸化物の非晶質化領域をｓ６図のモル比三角成分図に
斜線で示す。粉末Ｘ線回折装置は、理学電機■製ガイガ
ーフレックス ＲＡＤ−ＩＩ型を使用し、示差熱分析装
置としては、理学電機■製の装置を使用した。
” （Ｆ＃２０３ ）５゜Ｋりいての粉末Ｘ線回折図
を第１図に、示差熱分析結果及び熱重量分析結果のグラ
フを第２図に示す。また、（”２’３ ）３０ ’ （
”’ ）２０ ” （”２’３ ）５０の組成の結晶質
物質と非晶質物質についての温度と磁化量との関係のり
５フを第３図に示す。第３図に於いて実線は非晶質物質
、破線は結晶質物質を示す。また、（ＢＪ ２０３ ）
５゜−ｙ ・（Ｚｎｏ ）ｙ ・（Ｆ＃２０３ ）５゜
の非晶質物質の組成と磁化量との関係のグラフを第４図
に１組成と＋ユリ一温度との関係のグラフを第５図に示
す。さらに、Ｂｉ ２０３− ＺｎＯ−Ｆｅ２Ｏ，３元
系酸化物の非晶質化領域をｓ６図のモル比三角成分図に
斜線で示す。粉末Ｘ線回折装置は、理学電機■製ガイガ
ーフレックス ＲＡＤ−ＩＩ型を使用し、示差熱分析装
置としては、理学電機■製の装置を使用した。
第１表から本発明非晶質酸化物が室温で大きな磁化量を
示すことが明らかである。
示すことが明らかである。
実施例３９〜６４
純度９９．９チの各金属元素を各々ジルコニア製の容器
中に入れ、クラスターイオンビーム蒸着装置の所定の場
所に装着し、一度装置内をＩ Ｘ Ｉ Ｏ”−’トール
の真空度まで排気した後、５Ｘ１０−”トールの真空度
まで酸素ガスを導入し、一定圧力に保った。各ジルコニ
ア製容器を抵抗加熱装置によシ加熱し、各金属元素を蒸
発させてガラス板を基板として反応性クラスターイオン
ビーム蒸着を行なった。各ジルコニア製容器の加熱温度
を変え、各−金属元素の蒸発量を調整するととくよシ組
成比の変化した酸化物を得た。
中に入れ、クラスターイオンビーム蒸着装置の所定の場
所に装着し、一度装置内をＩ Ｘ Ｉ Ｏ”−’トール
の真空度まで排気した後、５Ｘ１０−”トールの真空度
まで酸素ガスを導入し、一定圧力に保った。各ジルコニ
ア製容器を抵抗加熱装置によシ加熱し、各金属元素を蒸
発させてガラス板を基板として反応性クラスターイオン
ビーム蒸着を行なった。各ジルコニア製容器の加熱温度
を変え、各−金属元素の蒸発量を調整するととくよシ組
成比の変化した酸化物を得た。
得られた酸化物は、厚さ０．５〜１．０μｍの黒色から
茶褐色の半透明の非晶質膜であり、Ｘ線マイクロアナラ
イザーによシ組成分析を行ない、粉末Ｘ線回折法により
非晶質であることの確認を行なりた。実験を行なったす
べての元素において、非晶質化領域は、はぼ全組成領域
であった。第２表に、各試料の組成及び磁化量を示す。
茶褐色の半透明の非晶質膜であり、Ｘ線マイクロアナラ
イザーによシ組成分析を行ない、粉末Ｘ線回折法により
非晶質であることの確認を行なりた。実験を行なったす
べての元素において、非晶質化領域は、はぼ全組成領域
であった。第２表に、各試料の組成及び磁化量を示す。
第２表から反応蒸着によって得られた本発明非晶質酸化
物が室温で大きな磁化量を示すことが明らかである。
物が室温で大きな磁化量を示すことが明らかである。
実施例６５〜６８
第３表に示す組成の焼結酸化物を円板状に加工し、表面
を平滑にして、高周波スパッタ装置のターゲット部に設
置後、基板に無アルカリガラス板を設置し、チセシバー
内を２．ｌＸｌ０ トールまで減圧した。その後、Ａ
ｒ−０２混合ガス（１：ｌ）をチセンバー内に導入し、
その圧力を３．５Ｘ１０−２トールとした。ガス圧が安
定した時点で、高周波電源に電圧を２瞑印加し、基板及
びターゲットを１Ｏｒｐｍ及び３ｒｐｍで回転させなが
ら、基板温度を１０℃としてスパツタリシクを行ない非
晶質強磁性酸化物薄膜を得た。第３表に各試料の組成及
び磁化量を示す。
を平滑にして、高周波スパッタ装置のターゲット部に設
置後、基板に無アルカリガラス板を設置し、チセシバー
内を２．ｌＸｌ０ トールまで減圧した。その後、Ａ
ｒ−０２混合ガス（１：ｌ）をチセンバー内に導入し、
その圧力を３．５Ｘ１０−２トールとした。ガス圧が安
定した時点で、高周波電源に電圧を２瞑印加し、基板及
びターゲットを１Ｏｒｐｍ及び３ｒｐｍで回転させなが
ら、基板温度を１０℃としてスパツタリシクを行ない非
晶質強磁性酸化物薄膜を得た。第３表に各試料の組成及
び磁化量を示す。
実施例６９
原料としてＥｉ％Ｚｎ及びＦａの金属を用いて、真空溶
解炉中にてＥｉ ：Ｚｎ ：Ｆｅ （ｉ子比）＝３６．
２： ２３．９ ： ３９．９の比率となるように溶解
させ合金化した。この合金を底部に長さ４ｍ１幅０．３
ｕの穴を設けた石英チューブ中に充填した後、超急冷装
置に取付けた。次いで超急冷装置を真空度３Ｘ Ｉ Ｏ
−”トールまで減圧した後、Ａｒガスを導入し装置内部
をＡｒガス雰囲気（１気圧）とした。石英ルツボ中の合
金を高周波加熱にて溶融せしめた後、３０００ｒｐｍで
回転中のロール表面へ、Ａｒガス圧０．５Ｋｆ／ｃｄＫ
て溶融合金を吹き出し、１０’℃／５ｔｔｃの速度で急
冷して非晶質合金リボンを得た。
解炉中にてＥｉ ：Ｚｎ ：Ｆｅ （ｉ子比）＝３６．
２： ２３．９ ： ３９．９の比率となるように溶解
させ合金化した。この合金を底部に長さ４ｍ１幅０．３
ｕの穴を設けた石英チューブ中に充填した後、超急冷装
置に取付けた。次いで超急冷装置を真空度３Ｘ Ｉ Ｏ
−”トールまで減圧した後、Ａｒガスを導入し装置内部
をＡｒガス雰囲気（１気圧）とした。石英ルツボ中の合
金を高周波加熱にて溶融せしめた後、３０００ｒｐｍで
回転中のロール表面へ、Ａｒガス圧０．５Ｋｆ／ｃｄＫ
て溶融合金を吹き出し、１０’℃／５ｔｔｃの速度で急
冷して非晶質合金リボンを得た。
この非晶質合金リボンを空気中で３００℃３時間加熱し
てＣＥｉ２’３） ３ｏ ・（”’）２ｏ ・（”２’
３） ５０の組成の非晶質強磁性酸化物を得た。この酸
化物の室温下での磁化ｉは３９ ｅｍｕ ／ ｆであっ
た。
てＣＥｉ２’３） ３ｏ ・（”’）２ｏ ・（”２’
３） ５０の組成の非晶質強磁性酸化物を得た。この酸
化物の室温下での磁化ｉは３９ ｅｍｕ ／ ｆであっ
た。
実施例７０
Ｂｉｓｏｎ及びＦ＃の各金属試片を平滑に研摩した後、
扇形に切断し、高周波スパッタ装置のターゲ゛シト部に
、各金属が交互に対角線上に並ぶように配置した。Ｂｉ
％ｕｎ及びＦ＃の表面積比は、３６：２４ ： ４０と
なるように設定した。次いで基板として無アルカリガラ
スを設置した後、チセシバー内を１．３ Ｘ Ｉ Ｏ−
’トールまで減圧しｓ Ａｒガスを導入して圧力を１．
２ Ｘ Ｉ Ｏ−３トールとした。圧力が安定化した後
、高周波電源に電圧を印加し、１．５瞑の出力でスパッ
タリンクを８時間行なった。基板温度は一１５℃とした
。基板に得られた薄膜はＢｉ：Ｍｎ：Ｆｇ＝３５：２５
：４００組成比率であった。
扇形に切断し、高周波スパッタ装置のターゲ゛シト部に
、各金属が交互に対角線上に並ぶように配置した。Ｂｉ
％ｕｎ及びＦ＃の表面積比は、３６：２４ ： ４０と
なるように設定した。次いで基板として無アルカリガラ
スを設置した後、チセシバー内を１．３ Ｘ Ｉ Ｏ−
’トールまで減圧しｓ Ａｒガスを導入して圧力を１．
２ Ｘ Ｉ Ｏ−３トールとした。圧力が安定化した後
、高周波電源に電圧を印加し、１．５瞑の出力でスパッ
タリンクを８時間行なった。基板温度は一１５℃とした
。基板に得られた薄膜はＢｉ：Ｍｎ：Ｆｇ＝３５：２５
：４００組成比率であった。
このアモルファスＢｉ −Ｍｎ −Ｆｇ合金薄膜を３０
０℃で５時間空気中で酸化して（Ｂｉ２０３）２８．７
．・ＣＭｎ０＞２□、５６ 、ＣＦｔｔ２０３）ａ９，
６９の組成を有する非晶質強磁性酸化物を得た。この酸
化物の室温下での磁化１は、４２ｅｍｕ／ｆであった。
０℃で５時間空気中で酸化して（Ｂｉ２０３）２８．７
．・ＣＭｎ０＞２□、５６ 、ＣＦｔｔ２０３）ａ９，
６９の組成を有する非晶質強磁性酸化物を得た。この酸
化物の室温下での磁化１は、４２ｅｍｕ／ｆであった。
第１図は、（” ２’３）３０ ” ”’）２０ ”
（” ２’３）５０の粉末Ｘｆｓ回折図である。第２図
は、（Ｊｇ ２０３）３゜・（Ｚｎ（））２゜・ＣＦＩ
２Ｑ３）５゜の示差熱分析結果及び熱重量分析結果のグ
ラフである。第３図は、（ｆｌｊ２０３）３゜・（ＺＦ
ＩＱ）２゜・（Ｆｇ２ｏ３）５゜の温度と磁化量との関
係を示すグラフである。第４図は、（Ｊｓ２０３）５゜
−７・（ＺＦＩＱ）、・（Ｆｅ２０３）５゜の組成と磁
化量との関係を示すり５フであり、第５図は、組成と牛
ユリ一温度との関係を示すグラフである。第６図は、Ｂ
ｉ２０３−ＺｎＯ−Ｆｅ２０． ３元系酸化物の非晶質
化領域を示すモル比三角成分図である。 （以 上） Ｇ 第５図 ｙ （Ｂｉ２０３）、０−ｙ ・（ＺｎＯ）ｙ（ＦｅｚＯｚ
）５０第６図 手続補正書（自制 昭和６１年１ 月２２日 昭和５９年 特 許 願第２２４６５４ 号２°発ｑ
ｏａｖｓ 非晶質強磁性酸化物３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ＋７ン、 （ほか６名） ４、代理人 大阪市東区平野町２の１０沢の鶴ビル電話０６−２０３
−０９４１ （代）自発 ６、補正により増加する発明の数 補 正 の 内 容 ｌ 明細書第４５頁最下行ｒ ４２ ｔｍｍ ／ ｙで
あった。」とあるのを下記の通〕に訂正する。 ｒ ４２１ｔ’ｌｌｌ ／ ｆであった。 実施例７１ 実施例３９．４０及び４にの各試料について以下の方法
で光磁気記録性能を測定した。 各試料は、カラス基板（直径３０３、厚さ１．２Ｍ）に
クラスターイオンじ−ム蒸清で厚さ約８００ｊの蒸層膜
を形成させるととくよシ作製した。各試料は、垂直磁化
膜であ）、記録用の光源としては、３０００１ の磁
界中で半導体レーザー（波長８３ＯＮｍ）を集光レンズ
によシロ。８μｍ直径に絞った光源を使用した。電気変
調器（Ｅ、 ０． ［シュレータ−）で電気信号を光の
パルス信号に変調し、上記光源を用いて、記録媒体上に
０．５μｓｅｃ照射して記録を行なった。再生には、半
導体レーザー（波長７９Ｑ＊ｓｗ ） １ｓｔ＆Ｆ’を
使用シ、集光じ−ム（１，１μｍ直径）を記録ピットに
照射し、その反射光の信号牛ヤリアーと雑音の比（Ｃ７
Ｍ ’）を測定した。ディスク回転数は、スピンドルモ
ーターにてｔａｏｏｒ−解 とした。測定結果を第４表
に示す。 第 ４ 表 また、これらの蒸着瞑の表面上に、強磁性材料であるＴ
ｈ ａｘ Ｆ Ｉ −、ｓ のアモルファス垂直磁化
膜を２０ＯＡの厚さでスパッター法で積層し、更に反射
膜としてＡｍ を５０ＯＡの厚さでスパッター法で積
層した光磁気記録ディスクについても、上記方法と同様
にして記録性能を測定した。結果は、第５表に示す通゛
シである。 第 ５ 表 ５１！施例７２ 実施例６５及び６６の各試料について、光磁気記録性能
の測定を行なった。 試料は、Ａｒ −’２（１’ １ ）混合カスの３．５
ＸｌＯトールの圧力下で、ガラス基板（直径３０３、厚
さ１．２ｆｆ）にマタネトロン型スパッター装置にて、
スパッター蒸着で厚さ約５０ＯＡの蒸着膜を形成させる
ことによシ作製した。生成膜は垂直磁化膜であった。各
試料の保磁力、カー回転角、＋ユリ一温度及び実施例７
鳳と同様の方法で記録性能を測定した結果を第６表に示
す。 第 ６ 表 また、これらの蒸着膜の表面上ＫＴｈ２１Ｆ １７９の
アモルファス垂直磁化膜を２０ＯＡの厚さで形成し、更
にその上に反射膜としてＡｌ を８０ＯＡの厚さで蒸着
した光磁気記録ディスクについて、＊施例７１と同様に
して記録性能を測定した結果を第７表に示す。 第 ７ 表 ９４施例７３ 実施例３９の試料について垂直磁気性能を測定した。試
料は、ポリイエド系樹脂テープ上に１００ＯＡの厚さに
蒸着することによ）作製した。εの蒸着膜はアモルファ
ス垂直磁化膜であった。このテープのテープヘッド相対
速度を２ｍ１秒とし、記録ヘッドとして３μｍ厚さの主
磁極を用いた補助磁極励磁盤ヘッドを用い、再生ヘッド
としては０．２μＷｆ’？ツブのフェライトリンクヘッ
ドを用いた。このテープの記録電流−再生出力特性を第
８表に示す。 第 ８ 表 実施例７４ 実施例３９の酸化物について、クラスターイオンじ−ム
蒸着で厚さ０．３厘、直径１０傷の試料を作製し、光磁
界ｔンサーとし、ての性能評価を以下の方法で行なった
。 上記試料を幅１．Ｑｗ、長さ３．０ ｍｌ！１、厚さ０
．３鱈に加工し、厚さ面側から長さ方向に半導体レーザ
ー光（波長７９０＃＃）を透過させ、外部よシ磁界を光
の透過方向に加えた。磁界に対する光出力変化を測定し
た結果、２００Ｉで３０％の変調度が得られた。 実施例７５ 実施例４０の酸化物について、クラスターイオンと−ム
蒸着でガラス基板上に厚さ２００μｍ、直径１０３の蒸
着膜を形成させ、この試料の光アイソレーターとしての
性能評価を行なった。光吸収損失（α）は、日立分見愉
計にょシ測定し、ファラデー回転（θ７）は東北金ｊｉ
ｌ！■製電磁石（最大磁界１２０００＃） の間に半
導体レーザー光（７９０ｓｍ）を設置した磁気旋光分散
測定装置によシ測定した。その結果磁界２００００＃で
消光比３９ ｄＢでらった。」（以 上）
（” ２’３）５０の粉末Ｘｆｓ回折図である。第２図
は、（Ｊｇ ２０３）３゜・（Ｚｎ（））２゜・ＣＦＩ
２Ｑ３）５゜の示差熱分析結果及び熱重量分析結果のグ
ラフである。第３図は、（ｆｌｊ２０３）３゜・（ＺＦ
ＩＱ）２゜・（Ｆｇ２ｏ３）５゜の温度と磁化量との関
係を示すグラフである。第４図は、（Ｊｓ２０３）５゜
−７・（ＺＦＩＱ）、・（Ｆｅ２０３）５゜の組成と磁
化量との関係を示すり５フであり、第５図は、組成と牛
ユリ一温度との関係を示すグラフである。第６図は、Ｂ
ｉ２０３−ＺｎＯ−Ｆｅ２０． ３元系酸化物の非晶質
化領域を示すモル比三角成分図である。 （以 上） Ｇ 第５図 ｙ （Ｂｉ２０３）、０−ｙ ・（ＺｎＯ）ｙ（ＦｅｚＯｚ
）５０第６図 手続補正書（自制 昭和６１年１ 月２２日 昭和５９年 特 許 願第２２４６５４ 号２°発ｑ
ｏａｖｓ 非晶質強磁性酸化物３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ＋７ン、 （ほか６名） ４、代理人 大阪市東区平野町２の１０沢の鶴ビル電話０６−２０３
−０９４１ （代）自発 ６、補正により増加する発明の数 補 正 の 内 容 ｌ 明細書第４５頁最下行ｒ ４２ ｔｍｍ ／ ｙで
あった。」とあるのを下記の通〕に訂正する。 ｒ ４２１ｔ’ｌｌｌ ／ ｆであった。 実施例７１ 実施例３９．４０及び４にの各試料について以下の方法
で光磁気記録性能を測定した。 各試料は、カラス基板（直径３０３、厚さ１．２Ｍ）に
クラスターイオンじ−ム蒸清で厚さ約８００ｊの蒸層膜
を形成させるととくよシ作製した。各試料は、垂直磁化
膜であ）、記録用の光源としては、３０００１ の磁
界中で半導体レーザー（波長８３ＯＮｍ）を集光レンズ
によシロ。８μｍ直径に絞った光源を使用した。電気変
調器（Ｅ、 ０． ［シュレータ−）で電気信号を光の
パルス信号に変調し、上記光源を用いて、記録媒体上に
０．５μｓｅｃ照射して記録を行なった。再生には、半
導体レーザー（波長７９Ｑ＊ｓｗ ） １ｓｔ＆Ｆ’を
使用シ、集光じ−ム（１，１μｍ直径）を記録ピットに
照射し、その反射光の信号牛ヤリアーと雑音の比（Ｃ７
Ｍ ’）を測定した。ディスク回転数は、スピンドルモ
ーターにてｔａｏｏｒ−解 とした。測定結果を第４表
に示す。 第 ４ 表 また、これらの蒸着瞑の表面上に、強磁性材料であるＴ
ｈ ａｘ Ｆ Ｉ −、ｓ のアモルファス垂直磁化
膜を２０ＯＡの厚さでスパッター法で積層し、更に反射
膜としてＡｍ を５０ＯＡの厚さでスパッター法で積
層した光磁気記録ディスクについても、上記方法と同様
にして記録性能を測定した。結果は、第５表に示す通゛
シである。 第 ５ 表 ５１！施例７２ 実施例６５及び６６の各試料について、光磁気記録性能
の測定を行なった。 試料は、Ａｒ −’２（１’ １ ）混合カスの３．５
ＸｌＯトールの圧力下で、ガラス基板（直径３０３、厚
さ１．２ｆｆ）にマタネトロン型スパッター装置にて、
スパッター蒸着で厚さ約５０ＯＡの蒸着膜を形成させる
ことによシ作製した。生成膜は垂直磁化膜であった。各
試料の保磁力、カー回転角、＋ユリ一温度及び実施例７
鳳と同様の方法で記録性能を測定した結果を第６表に示
す。 第 ６ 表 また、これらの蒸着膜の表面上ＫＴｈ２１Ｆ １７９の
アモルファス垂直磁化膜を２０ＯＡの厚さで形成し、更
にその上に反射膜としてＡｌ を８０ＯＡの厚さで蒸着
した光磁気記録ディスクについて、＊施例７１と同様に
して記録性能を測定した結果を第７表に示す。 第 ７ 表 ９４施例７３ 実施例３９の試料について垂直磁気性能を測定した。試
料は、ポリイエド系樹脂テープ上に１００ＯＡの厚さに
蒸着することによ）作製した。εの蒸着膜はアモルファ
ス垂直磁化膜であった。このテープのテープヘッド相対
速度を２ｍ１秒とし、記録ヘッドとして３μｍ厚さの主
磁極を用いた補助磁極励磁盤ヘッドを用い、再生ヘッド
としては０．２μＷｆ’？ツブのフェライトリンクヘッ
ドを用いた。このテープの記録電流−再生出力特性を第
８表に示す。 第 ８ 表 実施例７４ 実施例３９の酸化物について、クラスターイオンじ−ム
蒸着で厚さ０．３厘、直径１０傷の試料を作製し、光磁
界ｔンサーとし、ての性能評価を以下の方法で行なった
。 上記試料を幅１．Ｑｗ、長さ３．０ ｍｌ！１、厚さ０
．３鱈に加工し、厚さ面側から長さ方向に半導体レーザ
ー光（波長７９０＃＃）を透過させ、外部よシ磁界を光
の透過方向に加えた。磁界に対する光出力変化を測定し
た結果、２００Ｉで３０％の変調度が得られた。 実施例７５ 実施例４０の酸化物について、クラスターイオンと−ム
蒸着でガラス基板上に厚さ２００μｍ、直径１０３の蒸
着膜を形成させ、この試料の光アイソレーターとしての
性能評価を行なった。光吸収損失（α）は、日立分見愉
計にょシ測定し、ファラデー回転（θ７）は東北金ｊｉ
ｌ！■製電磁石（最大磁界１２０００＃） の間に半
導体レーザー光（７９０ｓｍ）を設置した磁気旋光分散
測定装置によシ測定した。その結果磁界２００００＃で
消光比３９ ｄＢでらった。」（以 上）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］一般式：Ａ＿ｘ・（Ｍ＿ｍＯ＿ｎ）＿ｙ・（Ｆｅ
＿２Ｏ＿３）＿ｚ（式中、ＡはＢｉ＿２Ｏ＿３、Ｖ＿２
Ｏ＿５、ＴｅＯ＿２及びＧｅＯ＿２の１種又は２種以上
、ＭはＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ及び希土類元素の１種又は
２種以上であり、Ｍが希土類元素でない場合は、ｍ＝１
及びｎ＝１であり、Ｍが希土類元素の場合はｍ＝２及び
ｎ＝３である。また０＜ｘ≦８０、０＜ｙ≦６０、５≦
ｚ≦６０であつてｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。ただしＭ
がＣｏの場合は、０＜ｘ＜６０、０＜ｙ＜６０、４０≦
ｚ≦６０である）で表わされる非晶質強磁性酸化物。 ［２］Ｂｉ＿２Ｏ＿３、Ｖ＿２Ｏ＿５、ＴｅＯ＿２及び
ＧｅＯ＿２の１種又は２種以上、Ｍ＿ｍＯ＿ｎ（ＭはＭ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃａ
、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ及び希土類元素の１種又は２種以上
であり、Ｍが希土類元素でない場合は、ｍ＝１及びｎ＝
１であり、Ｍが希土類元素の場合は、ｍ＝２及びｎ＝３
である）並びにＦｅ＿２Ｏ＿３の混合物を融点より高温
に加熱して溶融し、高速回転するロール上に吹き付けて
１０＾３℃／・ｓｅｃ以上の速度で超急冷させることを
特徴とする一般式：Ａ＿ｘ・（Ｍ＿ｍＯ＿ｎ）＿ｙ・（
Ｆｅ＿２Ｏ＿３）＿ｚ（式中、ＡはＢｉ＿２Ｏ＿３、Ｖ
＿２Ｏ＿５、ＴｅＯ＿２及びＧｅＯ＿２の１種又は２種
以上、ＭはＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎ
、Ｃｄ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ及び希土類元素の１種
又は２種以上であり、Ｍが希土類元素でない場合は、ｍ
＝１及びｎ＝１であり、Ｍが希土類元素の場合はｍ＝２
及びｎ＝３である。また０＜ｘ≦８０、０＜ｙ≦６０、
５≦ｚ≦６０であつてｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。ただ
しＭがＣｏの場合は、０＜ｘ＜６０、０＜ｙ＜６０、４
０≦ｚ≦６０である）で表わされる非晶質強磁性酸化物
の製造法。 ［３］ｉ）Ｂｉ、Ｖ、Ｔｅ、Ｇｅ及びこれらの酸化物の
１種又は２種以上 ｉｉ）Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、希土類元素及びこれらの
酸化物の１種又は２種以上、並びに ｉｉｉ）Ｆｅ及び／又はＦｅ＿２Ｏ＿３ を原料とし、酸素雰囲気中で、蒸発させてイオン化し、
基板上に堆積させることを特徴とする一般式：Ａ＿ｘ・
（Ｍ＿ｍＯ＿ｎ）＿ｙ・（Ｆｅ＿２Ｏ＿３）＿ｚ（式中
、ＡはＢｉ＿２Ｏ＿３、Ｖ＿２Ｏ＿５、ＴｅＯ＿２及び
ＧｅＯ＿２の１種又は２種以上、ＭはＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂａ、
Ｓｒ及び希土類元素の１種又は２種以上であり、Ｍが希
土類元素でない場合は、ｍ＝１及びｎ＝１であり、Ｍが
希土類元素の場合はｍ＝２及びｎ＝３である。 また０＜ｘ≦８０、０＜ｙ≦６０、５≦ｚ≦６０であつ
てｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。ただしＭがＣｏの場合は
、０＜ｘ＜６０、０＜ｙ＜６０、４０≦ｚ≦６０である
）で表わされる非晶質強磁性酸化物の製造法。 ［４］ｉ）Ｂｉ、Ｖ、Ｔｅ、Ｇｅ及びこれらの酸化物の
１種又は２種以上 ｉｉ）Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、希土類元素及びこれらの
酸化物の１種又は２種以上、並びに ｉｉｉ）Ｆｅ及び／又はＦｅ＿２Ｏ＿３ をターゲットとし酸素雰囲気中でスパッタリングにより
基板上へ堆積させることを特徴とする一般式：Ａ＿ｘ・
（Ｍ＿ｍＯ＿ｎ）＿ｙ・（Ｆｅ＿２Ｏ＿３）＿ｚ（式中
、ＡはＢｉ＿２Ｏ＿３、Ｖ＿２Ｏ＿５、ＴｅＯ＿２及び
ＧｅＯ＿２の１種又は２種以上、ＭはＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂａ、
Ｓｒ及び希土類元素の１種又は２種以上であり、Ｍが希
土類元素でない場合は、ｍ＝１及びｎ＝１であり、Ｍが
希土類元素の場合はｍ＝２及びｎ＝３である。 また０＜ｘ≦８０、０＜ｙ≦６０、５≦ｚ≦６０であつ
てｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。ただしＭがＣｏの場合は
、０＜ｘ＜６０、０＜ｙ＜６０、４０≦ｚ≦６０である
）で表わされる非晶質強磁性酸化物の製造法。 ［５］ｉ）Ｂｉ、Ｖ、Ｔｅ及びＧｅの１種又は２種以上
ｉｉ）Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ及び希土類金属の１種又は
２種以上、並びに ｉｉｉ）Ｆｅ の混合物を融点より高温に加熱して溶融し、高速回転す
るロール上に吹き付けて１０＾３℃／ｓｅｃ以上の速度
で超急冷させた後、結晶化温度以下の温度で酸化させる
ことを特徴とする一般式：Ａ＿ｘ・（Ｍ＿ｍＯ＿ｎ）＿
ｙ・（Ｆｅ＿２Ｏ＿３）＿ｚ（式中、ＡはＢｉ＿２Ｏ＿
３、Ｖ＿２Ｏ＿５、ＴｅＯ＿２及びＧｅＯ＿２の１種又
は２種以上、ＭはＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ
、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ及び希土類元素
の１種又は２種以上であり、Ｍが希土類元素でない場合
は、ｍ＝１及びｎ＝１であり、Ｍが希土類元素の場合は
ｍ＝２及びｎ＝３である。また０＜ｘ≦８０、０＜ｙ≦
６０、５≦ｚ≦６０であつてｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である
。ただしＭがＣｏの場合は、０＜ｘ＜６０、０＜ｙ＜６
０、４０≦ｚ≦６０である）で表わされる非晶質強磁性
酸化物の製造法。 ［６］ｉ）Ｂｉ、Ｖ、Ｔｅ、Ｇｅ及びこれらの酸化物の
１種又は２種以上 ｉｉ）Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、希土類元素及びこれらの
酸化物の１種又は２種以上、並びに ｉｉｉ）Ｆｅ及び／又はＦｅ＿２Ｏ＿３ を原料とし、真空中または希ガス中で、蒸発させてイオ
ン化し、基板上に堆積させた後、結晶化温度以下の温度
で酸化させることを特徴とする一般式：Ａ＿ｘ・（Ｍ＿
ｍＯ＿ｎ）＿ｙ・（Ｆｅ＿２Ｏ＿３）＿ｚ（式中、Ａは
Ｂｉ＿２Ｏ＿３、Ｖ＿２Ｏ＿５、ＴｅＯ＿２及びＧｅＯ
＿２の１種又は２種以上、ＭはＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ及
び希土類元素の１種又は２種以上であり、Ｍが希土類元
素でない場合は、ｍ＝１及びｎ＝１であり、Ｍが希土類
元素の場合はｍ＝２及びｎ＝３である。 また０＜ｘ≦８０、０＜ｙ≦６０、５≦ｚ≦６０であつ
てｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。ただしＭがＣｏの場合は
、０＜ｘ＜６０、０＜ｙ＜６０、４０≦ｚ≦６０である
）で表わされる非晶質強磁性酸化物の製造法。 ［７］ｉ）Ｂｉ、Ｖ、Ｔｅ、Ｇｅ及びこれらの酸化物の
１種又は２種以上 ｉｉ）Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、希土類元素及びこれらの
酸化物の１種又は２種以上、並びに ｉｉｉ）Ｆｅ及び／またはＦｅ＿２Ｏ＿３ をターゲットとし、希ガス中でスパッタリングにより基
板上へ堆積させた後、結晶化温度以下の温度で酸化させ
ることを特徴とする一般式：Ａ＿ｘ・（Ｍ＿ｍＯ＿ｎ）
＿ｙ・（Ｆｅ＿２Ｏ＿３）＿ｚ（式中、ＡはＢｉ＿２Ｏ
＿３、Ｖ＿２Ｏ＿５、ＴｅＯ＿２及びＧｅＯ＿２の１種
又は２種以上、ＭはＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ及び希土類元
素の１種又は２種以上であり、Ｍが希土類元素でない場
合は、ｍ＝１及びｎ＝１であり、Ｍが希土類元素の場合
はｍ＝２及びｎ＝３である。また０＜ｘ≦８０、０＜ｙ
≦６０、５≦ｚ≦６０であつてｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であ
る。ただしＭがＣｏの場合は、０＜ｘ＜６０、０＜ｙ＜
６０、４０≦ｚ≦６０である）で表わされる非晶質強磁
性酸化物の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59224654A JPS61101450A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 非晶質強磁性酸化物 |
| EP85113478A EP0179466B1 (en) | 1984-10-24 | 1985-10-23 | Amorphous ferromagnetic oxides and process for preparing same |
| DE8585113478T DE3581780D1 (de) | 1984-10-24 | 1985-10-23 | Amorphe ferromagnetische oxyde und verfahren zu ihrer herstellung. |
| US07/097,317 US4806265A (en) | 1984-10-24 | 1987-09-14 | Amorphous ferromagnetic oxides |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59224654A JPS61101450A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 非晶質強磁性酸化物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61101450A true JPS61101450A (ja) | 1986-05-20 |
Family
ID=16817108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59224654A Pending JPS61101450A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 非晶質強磁性酸化物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4806265A (ja) |
| EP (1) | EP0179466B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61101450A (ja) |
| DE (1) | DE3581780D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8163366B2 (en) | 2004-12-15 | 2012-04-24 | Ricoh Company, Ltd. | Write-once-read-many optical recording medium |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
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