JPS61101051A - 半導体装置用パツケ−ジ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は半導体装置用パッケージにかがシ、特にパンケ
ージのキャップ部に透明ガラスを有する半導体装置用パ
ッケージに関するものである。

（従来技術） 従来の半導体パッケージの透明ガラス部には反射防止膜
を施していなかった。したがって光の表面反射による損
失が太きかつ比。

（発明の目的） 本発明はパッケージの表面反射による光の損失を減少さ
せ、パッケージに搭載されるデバイスの光と関連した動
作をよシ効率的にすることを目的とする。具体的にはＵ
ＶＰ几ＯＭのデータ消去の効率化、ＣＯＤイメージセン
サの光電変換効率の向上等が可能となる。

（発明の構成） 本発明は、パッケージの透明ガラス部において、透明ガ
ラスの片側または両側に単層または多層の反射防止膜を
施すことで構成される。

（発明の作用） 表面反射による光の透過損失を減少させるには、物質表
面に反射防止膜を施せばよい。よく知られるように、最
適な反射防止膜は単層の場合、次式％式％ ここでｎ、は反射防止のために用いる物質の屈折率＋　
ｎ８ｕｂは基板の屈折率、Ｄは反射防止のために用いる
物質の膜厚、λは反射を零チにしたい波長である。実際
問題として、このよりなｎｌを満たす物質は存在しない
ので、ｎｌに限９なく近い物質を選ぶことになる。すな
わち、前記半導体パッケージの透明ガラスの屈折率ｎ８
ｕｂに対して、屈折率がｎｌに近く、膜厚がＤである物
質による反射防止膜のコーティングを施せば、透明ガラ
ス表面での反射による光損失を大幅に改善できる。反射
防止膜の材料としては、安定で機械的強度のある絶縁物
なら何でもよい。典型的な物質として、ＭｇＦ２（ｎＩ
＝１．３８）、５ｉＯ（ｎ１＝１．８〜１．９）、Ｚｒ
Ｏ！（ｎｓ＝２．１）　、ＣｅＦｓ（ｎ＋＝１．６５）
、ＣｅＯ，（ｎ。

＝２．２）等があげられる。基板の屈折率ｎ　８ｕｂに
合わせて、これらの物質の中から選べばよい。

以上は単層の場合でちったが、多層の反射防止膜にすれ
ば、さらに反射損の改善が可能となる。

（発明の効果） 以上のように、パッケージの透明ガラスに反射防止膜を
施せば、ＵＶＰＲＯＭのデータ消去やＣＣＤイメージセ
ンサの光電変換等、パッケージに搭載したデバイスの光
と関連した動作をより効果的にすることができる。

（本発明のまとめ） このように本発明によれば、キャップ部に透明ガラスを
有する半導体装置用パッケージにおいて、透明ガラスの
片側または両側に対して単層または多層の反射防止膜を
施すことを特徴とする半導体装置用パッケージであり、
デバイスの効率が高まる０

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すもので、ＣＣＤイメー
ジセンサを搭載する半導体装置用パッケージに適用した
例についての図面である。この図ではパッケージの透明
ガラス部表面に単層の反射防止膜を施した例（断面図）
を示している。 図において、１は反射防止膜、２は透明ガラス、３は半
導体チップ、４はボンディングワイヤ、５は外部リード
、６はパッケージの母体である。 ＄１圀

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　キャップ部に透明ガラスを有する半導体装置用パッケ
   ージにおいて、該パッケージの透明ガラスの片側または
   両側に対して単層または多層の反射防止膜を施すことを
   特徴とする半導体装置用パッケージ。