JPS6097581A - 遠赤外線輻射加熱方法 - Google Patents
遠赤外線輻射加熱方法Info
- Publication number
- JPS6097581A JPS6097581A JP20488183A JP20488183A JPS6097581A JP S6097581 A JPS6097581 A JP S6097581A JP 20488183 A JP20488183 A JP 20488183A JP 20488183 A JP20488183 A JP 20488183A JP S6097581 A JPS6097581 A JP S6097581A
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- JP
- Japan
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- radiant
- far
- enamel
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- heated
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- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、エナメル線の焼付等のエナメル加熱の際、エ
ナメル質材料の被覆物の近傍に設けられた遠赤外線輻射
材を加熱用熱源によシ加熱して、尚該輻射相より遠赤外
線等を輻射せしめ尚該エナメル質材料を加熱する遠赤外
線輻射加熱方法に閾する。
ナメル質材料の被覆物の近傍に設けられた遠赤外線輻射
材を加熱用熱源によシ加熱して、尚該輻射相より遠赤外
線等を輻射せしめ尚該エナメル質材料を加熱する遠赤外
線輻射加熱方法に閾する。
〈従来技術の背景とその問題点〉
本発明者等が既に提案してｈるように、エナメル線の焼
付において、焼付炉内を通過するエナメル線の周りに遠
赤外線輻射体を設置すれば、炉の熱源による直接加熱（
対流）の他に、輻射体よりの遠赤外線輻射加熱も加わる
ため、熱源を新たに増大させなくとも、焼付の高速化を
図ることができる。すなわち、遠赤外線輻射を増大させ
れば、エナメル質材料の加熱をより効果的なものにする
ことができる。遠赤外線輻射によって最も効率的にエナ
メル質材料を加熱するＶＣは、理論的にはエナメル質材
料の吸光波長特性に最も対応した輻射波長特性ｔ−１す
る輻射材を選定すべきと考えられるが、具体的にエナメ
ル線の焼付などに２いて如何なるものを選定すべきか問
題となる。
付において、焼付炉内を通過するエナメル線の周りに遠
赤外線輻射体を設置すれば、炉の熱源による直接加熱（
対流）の他に、輻射体よりの遠赤外線輻射加熱も加わる
ため、熱源を新たに増大させなくとも、焼付の高速化を
図ることができる。すなわち、遠赤外線輻射を増大させ
れば、エナメル質材料の加熱をより効果的なものにする
ことができる。遠赤外線輻射によって最も効率的にエナ
メル質材料を加熱するＶＣは、理論的にはエナメル質材
料の吸光波長特性に最も対応した輻射波長特性ｔ−１す
る輻射材を選定すべきと考えられるが、具体的にエナメ
ル線の焼付などに２いて如何なるものを選定すべきか問
題となる。
本発明者等は、この点を検討すべく、各種の輻射材につ
きその輻射加熱効果の大小を比較してみることとした。
きその輻射加熱効果の大小を比較してみることとした。
具体的に杜、第１図に示すように、ポリエステル系エナ
メル質材料１を銅基板２に被覆してなるエナメル板３に
対向するように輻射板４を設置し、該輻射板４を同一条
件で加熱し、輻射板４よりの輻射により加熱されるエナ
メル板３の上昇温度をこれに接続した温度測定装置５で
測定した。
メル質材料１を銅基板２に被覆してなるエナメル板３に
対向するように輻射板４を設置し、該輻射板４を同一条
件で加熱し、輻射板４よりの輻射により加熱されるエナ
メル板３の上昇温度をこれに接続した温度測定装置５で
測定した。
第２図は、その結果を示す。曲線イ〜へは、輻射板４に
それぞれ、酸化クロム板（Ｏｒ２０３９８％）、二酸化
チタン板（Ｔｉ０２９９ ％ ）、アルミナ板（Ａ１２
０５９８ ’ｌｙ ）、ジルコン酸マグネシウム板（Ｚ
ｒ０２７６％、Ｍｇｏ２４％）、ジルコニア板（Ｚｒ、
０２９３％、０ａ０５％、Ａｌ２Ｏ５，５１０２少Ｊｔ
）、ステｙｖス板（ＳＵ８３０４酸化膜）を用いた場合
を示す。そして、同図から理解式れるように、エナメル
質材料への輻射加熱効果は、酸化クロムを主成分とする
輻射材を使用した場合が最も僅、＜、次いで二酸化チタ
ンを主成分とする輻射材を使用した場合が高く、その次
にアルミナを主成分とする輻射材を使用した場合が高い
ことを見い出した。
それぞれ、酸化クロム板（Ｏｒ２０３９８％）、二酸化
チタン板（Ｔｉ０２９９ ％ ）、アルミナ板（Ａ１２
０５９８ ’ｌｙ ）、ジルコン酸マグネシウム板（Ｚ
ｒ０２７６％、Ｍｇｏ２４％）、ジルコニア板（Ｚｒ、
０２９３％、０ａ０５％、Ａｌ２Ｏ５，５１０２少Ｊｔ
）、ステｙｖス板（ＳＵ８３０４酸化膜）を用いた場合
を示す。そして、同図から理解式れるように、エナメル
質材料への輻射加熱効果は、酸化クロムを主成分とする
輻射材を使用した場合が最も僅、＜、次いで二酸化チタ
ンを主成分とする輻射材を使用した場合が高く、その次
にアルミナを主成分とする輻射材を使用した場合が高い
ことを見い出した。
しかしながら、酸化クロムや二酸化チタンは、５４０℃
付近に変態点をもつため、変態点を超える温度［１で加
熱して使用すれば、脆弱になって変形や損壊する處れが
あり、耐熱耐久性に限界がある。
付近に変態点をもつため、変態点を超える温度［１で加
熱して使用すれば、脆弱になって変形や損壊する處れが
あり、耐熱耐久性に限界がある。
これに対し、アルミナは、輻射加熱効率の面で酸化クロ
ムや二酸化チタンのそれより劣るものの、低温域から高
温域にわたって（１ｏｏｏ’ｃ程度゛まで）物理的にも
化学的にも安定であす、側熱耐久性に優れている。
ムや二酸化チタンのそれより劣るものの、低温域から高
温域にわたって（１ｏｏｏ’ｃ程度゛まで）物理的にも
化学的にも安定であす、側熱耐久性に優れている。
〈発明の目的〉
本発明は、上記の事情を考慮してなされたもので、その
目的とするところは、エナメル質材料の加熱に２いて、
遠赤外純輻射材の加熱使用温度に応じ次最適の遠赤外線
輻射加熱方法を提供することにある。
目的とするところは、エナメル質材料の加熱に２いて、
遠赤外純輻射材の加熱使用温度に応じ次最適の遠赤外線
輻射加熱方法を提供することにある。
〈発明の概要〉
本発明に係る遠赤外線輻射加熱方法は、エナメル加熱の
際、エナメル質拐料の被覆物近傍の遠赤外純輻射材を加
熱して該輻射材より遠赤外線を輻射せしめ当該エナメル
質材料を加熱するに寂いて、前記遠赤外線輻射材が５４
０℃以下の温度領域で加熱使用されるときには、該輻射
材は酸化クロムまたは二酸化チタンを主成分とするもの
を用い、前記遠赤外線輻射材が５４０℃を超える温度領
域で加熱使用されるときＫは、該輻射材はアルミナを主
成分とするものを用いることを特徴とするものである。
際、エナメル質拐料の被覆物近傍の遠赤外純輻射材を加
熱して該輻射材より遠赤外線を輻射せしめ当該エナメル
質材料を加熱するに寂いて、前記遠赤外線輻射材が５４
０℃以下の温度領域で加熱使用されるときには、該輻射
材は酸化クロムまたは二酸化チタンを主成分とするもの
を用い、前記遠赤外線輻射材が５４０℃を超える温度領
域で加熱使用されるときＫは、該輻射材はアルミナを主
成分とするものを用いることを特徴とするものである。
酸化クロムや二酸化チタンを主成分とする遠赤外線輻射
材を用いれば、該輻射材を適当な熱源により加熱して遠
赤外線、赤外線等をエナメル質材料の被覆物に輻射せし
めたとき、遠赤外線がエナメル質材料内に最も効率的に
吸収辿れ、この結果エナメル質材料が最も効果的に加熱
でれる。しかも、輻射材が５４０℃以下（変態点以下）
の温度領域で加熱使用されるときには、輻射材の物理的
性質を変化させることなく遠赤外線輻射を安定して維持
することができる。
材を用いれば、該輻射材を適当な熱源により加熱して遠
赤外線、赤外線等をエナメル質材料の被覆物に輻射せし
めたとき、遠赤外線がエナメル質材料内に最も効率的に
吸収辿れ、この結果エナメル質材料が最も効果的に加熱
でれる。しかも、輻射材が５４０℃以下（変態点以下）
の温度領域で加熱使用されるときには、輻射材の物理的
性質を変化させることなく遠赤外線輻射を安定して維持
することができる。
ｔた、アルばすを主成分とする遠赤外純輻射材を用いれ
ば、加熱してエナメル質材料の被穏物に遠赤外線輻射さ
せたとき、遠赤外線がエナメル質月料内に上記酸化クロ
ムや二酸化チタンの次に効率よく吸収され、エナメル質
材料が効果的に加熱される。それのみならず、アルミナ
は低温状態では勿論のこと、１０００℃程度の高温状態
でも安定な物質である故、輻射材を高熱源によって５４
０℃を超える高温に加熱しても、母材とのサーメット複
合構造をとるとと忙より、輻射材が変形、損壊等するこ
となく遠赤外線等の輻射を（・ケ続でき、安定なエナメ
ル加熱を行なえる。
ば、加熱してエナメル質材料の被穏物に遠赤外線輻射さ
せたとき、遠赤外線がエナメル質月料内に上記酸化クロ
ムや二酸化チタンの次に効率よく吸収され、エナメル質
材料が効果的に加熱される。それのみならず、アルミナ
は低温状態では勿論のこと、１０００℃程度の高温状態
でも安定な物質である故、輻射材を高熱源によって５４
０℃を超える高温に加熱しても、母材とのサーメット複
合構造をとるとと忙より、輻射材が変形、損壊等するこ
となく遠赤外線等の輻射を（・ケ続でき、安定なエナメ
ル加熱を行なえる。
く実施例〉
以下、本発明の実施例を図面に基づき説明する。
第３図は、本実施例の遠赤外線輻射加熱方法を実施した
エナメル線用焼付炉の玉要部を示す。
エナメル線用焼付炉の玉要部を示す。
６は、筒型の焼付炉であり、ａ％ｂはその然発部、硬化
部を示す。Ｔは、エナメル線で、エナメル質材料塗布の
後炉６内を通って下方から上方に一向かって走行するよ
うになっている（矢印Ａ）。
部を示す。Ｔは、エナメル線で、エナメル質材料塗布の
後炉６内を通って下方から上方に一向かって走行するよ
うになっている（矢印Ａ）。
炉内部の下方には、熱源８、例えばヒータが設置され、
この熱源により、炉内の蒸発部ａ付近は４５０℃前後で
加熱し、ここから次第に上昇して硬化部すの出口付近で
は５５０℃前後になるように加熱する。９Ｂ＠・・、９
ｂ・・・は輻射板で、熱源８上方のエナメル線Ｔの周り
に複数適宜な間隔をもって設置されており、本例の場合
、５４０℃以下の温度領域であるＭ発部ａのものとして
は、酸化クロムや二酸化チタンを主成分とするものを用
い、５４０℃以上の温度領域である硬化部す付近のもの
としては、アルミナを主成分とするものを用いている。
この熱源により、炉内の蒸発部ａ付近は４５０℃前後で
加熱し、ここから次第に上昇して硬化部すの出口付近で
は５５０℃前後になるように加熱する。９Ｂ＠・・、９
ｂ・・・は輻射板で、熱源８上方のエナメル線Ｔの周り
に複数適宜な間隔をもって設置されており、本例の場合
、５４０℃以下の温度領域であるＭ発部ａのものとして
は、酸化クロムや二酸化チタンを主成分とするものを用
い、５４０℃以上の温度領域である硬化部す付近のもの
としては、アルミナを主成分とするものを用いている。
この輻射板９はより具体的には、第４図の拡大図にその
一部を示すように、ステンレス板等の母材１０のエナメ
ル線７側に１上述のアルばすあるいは酸化クロムや二酸
化チタンを主成分とする遠赤外線輻射材１１を付着せし
めてなり、熱源８により加熱されると、輻射材１１より
エナメル質材料被覆物のエナメル線１の方へ遠赤外線ｆ
：輻射し、エナメル質材料１２ｔ−加熱する。
一部を示すように、ステンレス板等の母材１０のエナメ
ル線７側に１上述のアルばすあるいは酸化クロムや二酸
化チタンを主成分とする遠赤外線輻射材１１を付着せし
めてなり、熱源８により加熱されると、輻射材１１より
エナメル質材料被覆物のエナメル線１の方へ遠赤外線ｆ
：輻射し、エナメル質材料１２ｔ−加熱する。
しかして、この炉付炉６を用いた加熱方法）（よると、
炉内を下方から上方に走行するエナメル線１は、先ず、
蒸発部ａで熱源８により、直接加熱されると共に、酸化
り四ムｉたは、二酸化チタンを主成分とする輻射材１１
を有する輻射板９ａ嗜−・からの遠赤外線によっても加
熱される。この除、酸化り日ムや二酸化チタンの場合、
その輻射特性が極めて良いため、優れた遠赤外線加熱効
果を得ることができる。
炉内を下方から上方に走行するエナメル線１は、先ず、
蒸発部ａで熱源８により、直接加熱されると共に、酸化
り四ムｉたは、二酸化チタンを主成分とする輻射材１１
を有する輻射板９ａ嗜−・からの遠赤外線によっても加
熱される。この除、酸化り日ムや二酸化チタンの場合、
その輻射特性が極めて良いため、優れた遠赤外線加熱効
果を得ることができる。
この蒸発部ａにおいては、その炉内雰囲気温度が４５０
℃前後であるため、酸化クロムや二酸化チタンの変態点
（５４０℃）以下であり、熱的に弱いとされるこれらの
輻射材１１でも十分使用に耐えられる。勿論、変形や損
傷したりすることもない。
℃前後であるため、酸化クロムや二酸化チタンの変態点
（５４０℃）以下であり、熱的に弱いとされるこれらの
輻射材１１でも十分使用に耐えられる。勿論、変形や損
傷したりすることもない。
次に、硬化部すでは、熱風で直接加熱される他、仁の熱
風加熱によって、アルミナを主成分とする輻射材１１１
！−有する輻射板９ｂ・・・からの遠赤外線によっても
加熱される。この硬化部すにおいて、加熱温度が５５０
℃前後であっても、輻射板１１は、アルミナを主成分と
するものであるため、変形、損傷等の恐れはない。
風加熱によって、アルミナを主成分とする輻射材１１１
！−有する輻射板９ｂ・・・からの遠赤外線によっても
加熱される。この硬化部すにおいて、加熱温度が５５０
℃前後であっても、輻射板１１は、アルミナを主成分と
するものであるため、変形、損傷等の恐れはない。
なお、上記実施例においては、同一炉内において、蒸発
部ａが４５０℃前後で、硬化部すが５５０℃前後で加熱
される場合のため、輻射板としてアルミナと酸化クロム
や二酸化チタンの両名を用い几ものを分けて使用しであ
るが、処理するエナメル樹脂劇料の種類、溶剤の種類、
塗布厚さ、線の走行速度、等の条件によっては、炉内の
全域が５４０℃を越えるとき、あるいは５４０℃以下で
あるときＫは、アルミナか、あるいは酸化クロムや二酸
化チタンのいずれか一方の輻射板のみを使用することも
勿論可能である。
部ａが４５０℃前後で、硬化部すが５５０℃前後で加熱
される場合のため、輻射板としてアルミナと酸化クロム
や二酸化チタンの両名を用い几ものを分けて使用しであ
るが、処理するエナメル樹脂劇料の種類、溶剤の種類、
塗布厚さ、線の走行速度、等の条件によっては、炉内の
全域が５４０℃を越えるとき、あるいは５４０℃以下で
あるときＫは、アルミナか、あるいは酸化クロムや二酸
化チタンのいずれか一方の輻射板のみを使用することも
勿論可能である。
′ｆた、本発明の遠赤外線輻射加熱方法は、エナメル線
の焼付だけでなく、エナメル質材料の塗布された自動車
部品、電気部品の乾燥など、エナメル加熱全搬に適用で
きるものである。
の焼付だけでなく、エナメル質材料の塗布された自動車
部品、電気部品の乾燥など、エナメル加熱全搬に適用で
きるものである。
〈発明の効果〉
本発明に係る遠赤外線輻射加熱方法は、以上説明したよ
うに、遠赤外線輻射材の加熱温度が５４０℃を境にして
低温域であるか高温域であるかによって、酸化りμム、
二酸化チタン主成分の輻射材とアルミナ主成分の輻射材
ｔ−使い分ける方法であり、低温域から高温域にわたっ
てエナメルの加熱を効果的にかつ安定に行なうことがで
きるという優れた効果を有する。
うに、遠赤外線輻射材の加熱温度が５４０℃を境にして
低温域であるか高温域であるかによって、酸化りμム、
二酸化チタン主成分の輻射材とアルミナ主成分の輻射材
ｔ−使い分ける方法であり、低温域から高温域にわたっ
てエナメルの加熱を効果的にかつ安定に行なうことがで
きるという優れた効果を有する。
第ｍｌ！２１はエナメルへの輻射加熱効果を調べる実験
装置を示す図、第２図はエナメル質拐料への輻射加熱効
果の実験結果を示すグラフ、第３図は本発明の実施例の
遠赤外線輻射加熱方法を５Ａ施したエナメル線焼付炉の
王要部を示す断面図、第４図は第３図の輻射板付近を示
す拡大図である。 １１●●噛遠赤外線輻射材、１２●●ψエナメル質材料
。
装置を示す図、第２図はエナメル質拐料への輻射加熱効
果の実験結果を示すグラフ、第３図は本発明の実施例の
遠赤外線輻射加熱方法を５Ａ施したエナメル線焼付炉の
王要部を示す断面図、第４図は第３図の輻射板付近を示
す拡大図である。 １１●●噛遠赤外線輻射材、１２●●ψエナメル質材料
。
Claims (1)
- エナメル質劇料の被覆物を遠赤外線輻射材を加熱して該
輻射材よシ遠赤外線を輻射せしめ尚該エナメル質材料を
加熱する遠赤外ｍ輻射加熱方法において、前記輻射材が
５４０℃以下の温度領域で加熱使用されるときには、酸
化クロムばたは二酸化チタンを主成分とする輻射材を用
い、同輻射材が５４０℃１−［える温度領域で加熱使用
式れるときには、アルミナを主成分とする輻射拐を用い
ることを特徴とする遠赤外線輻射加熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20488183A JPS6097581A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 遠赤外線輻射加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20488183A JPS6097581A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 遠赤外線輻射加熱方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097581A true JPS6097581A (ja) | 1985-05-31 |
| JPH0418648B2 JPH0418648B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16497938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20488183A Granted JPS6097581A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 遠赤外線輻射加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097581A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4863340A (ja) * | 1971-12-04 | 1973-09-03 | ||
| JPS4922633A (ja) * | 1972-06-24 | 1974-02-28 |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP20488183A patent/JPS6097581A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4863340A (ja) * | 1971-12-04 | 1973-09-03 | ||
| JPS4922633A (ja) * | 1972-06-24 | 1974-02-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0418648B2 (ja) | 1992-03-27 |
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