JPH0418648B2 - - Google Patents
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- JPH0418648B2 JPH0418648B2 JP58204881A JP20488183A JPH0418648B2 JP H0418648 B2 JPH0418648 B2 JP H0418648B2 JP 58204881 A JP58204881 A JP 58204881A JP 20488183 A JP20488183 A JP 20488183A JP H0418648 B2 JPH0418648 B2 JP H0418648B2
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Landscapes
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
<産業上の利用分野>
本発明は、エナメル線の焼付等のエナメル加熱
の際、エナメル質材料の被覆物の近傍に設けられ
た遠赤外線輻射材を加熱用熱源により加熱して、
当該輻射材より遠赤外線等を輻射せしめ当該エナ
メル質材料を加熱する遠赤外線輻射加熱方法に関
する。
の際、エナメル質材料の被覆物の近傍に設けられ
た遠赤外線輻射材を加熱用熱源により加熱して、
当該輻射材より遠赤外線等を輻射せしめ当該エナ
メル質材料を加熱する遠赤外線輻射加熱方法に関
する。
<従来技術の背景とその問題点>
本発明者等が既に提案しているように、エナメ
ル線の焼付において、焼付炉内を通過するエナメ
ル線に周りに遠赤外線輻射体を設置すれば、炉の
熱源による直接加熱(対流)の他に、輻射体より
の遠赤外線輻射加熱も加わるため、熱源を新たに
増大させなくとも、焼付の高速化を図ることがで
きる。すなわち、遠赤外線輻射を増大させれば、
エナメル質材料の加熱をより効果的なものにする
ことができる。遠赤外線輻射によつて最も効率的
にエナメル質材料を加熱するには、理論的にはエ
ナメル質材料の吸光波長特性に最も対応した輻射
波長特性を有する輻射材を選定すべきと考えられ
るが、具体的にエナメル線の焼付などにおいて如
何なるものを選定すべきか問題となる。
ル線の焼付において、焼付炉内を通過するエナメ
ル線に周りに遠赤外線輻射体を設置すれば、炉の
熱源による直接加熱(対流)の他に、輻射体より
の遠赤外線輻射加熱も加わるため、熱源を新たに
増大させなくとも、焼付の高速化を図ることがで
きる。すなわち、遠赤外線輻射を増大させれば、
エナメル質材料の加熱をより効果的なものにする
ことができる。遠赤外線輻射によつて最も効率的
にエナメル質材料を加熱するには、理論的にはエ
ナメル質材料の吸光波長特性に最も対応した輻射
波長特性を有する輻射材を選定すべきと考えられ
るが、具体的にエナメル線の焼付などにおいて如
何なるものを選定すべきか問題となる。
本発明者等は、この点を検討すべく、各種の輻
射材につきその輻射加熱効果の大小を比較してみ
ることとした。具体的には、第1図に示すよう
に、ポリエステル系エナメル質材料1を銅基板2
に被覆してなるエナメル板3に対向するように輻
射板4を設置し、該輻射板4を同一条件で加熱
し、輻射板4よりの輻射により加熱されるエナメ
ル板3の上昇温度をこれに接続した温度測定装置
5で測定した。
射材につきその輻射加熱効果の大小を比較してみ
ることとした。具体的には、第1図に示すよう
に、ポリエステル系エナメル質材料1を銅基板2
に被覆してなるエナメル板3に対向するように輻
射板4を設置し、該輻射板4を同一条件で加熱
し、輻射板4よりの輻射により加熱されるエナメ
ル板3の上昇温度をこれに接続した温度測定装置
5で測定した。
第2図は、その結果を示す。曲線イ〜ヘは、輻
射板4にそれぞれ、酸化クロム板(Cr2O398%)、
二酸化チタン板(TiO299%)、アルミナ板
(Al2O398%)、ジルコン酸マグネシウム板
(ZrO276%、MgO24%)、ジルコニア板(ZrO293
%、CaO5%、Al2O3、SiO2少量)、ステンレス板
(SUS304酸化膜)を用いた場合を示す。そして、
同図から理解されるように、エナメル質材料への
輻射加熱効果は、酸化クロムを主成分とする輻射
材を使用した場合が最も高く、次いで二酸化チタ
ンを主成分とする輻射材を使用した場合が高く、
その次にアルミナを主成分とする輻射材を使用し
た場合が高いことを見い出した。
射板4にそれぞれ、酸化クロム板(Cr2O398%)、
二酸化チタン板(TiO299%)、アルミナ板
(Al2O398%)、ジルコン酸マグネシウム板
(ZrO276%、MgO24%)、ジルコニア板(ZrO293
%、CaO5%、Al2O3、SiO2少量)、ステンレス板
(SUS304酸化膜)を用いた場合を示す。そして、
同図から理解されるように、エナメル質材料への
輻射加熱効果は、酸化クロムを主成分とする輻射
材を使用した場合が最も高く、次いで二酸化チタ
ンを主成分とする輻射材を使用した場合が高く、
その次にアルミナを主成分とする輻射材を使用し
た場合が高いことを見い出した。
しかしながら、酸化クロムや二酸化チタンは、
540℃付近に変態点をもつため、変態点を超える
温度にまで加熱して使用すれば、脆弱になつて変
形や損壊する虞れがあり、耐熱耐久性に限界があ
る。
540℃付近に変態点をもつため、変態点を超える
温度にまで加熱して使用すれば、脆弱になつて変
形や損壊する虞れがあり、耐熱耐久性に限界があ
る。
これに対し、アルミナは、輻射加熱効率の面で
酸化クロムや二酸化チタンのそれより劣るもの
の、低温域から高温域にわたつて(1000℃程度ま
で)物理的にも化学的にも安定であり、耐熱耐久
性に優れている。
酸化クロムや二酸化チタンのそれより劣るもの
の、低温域から高温域にわたつて(1000℃程度ま
で)物理的にも化学的にも安定であり、耐熱耐久
性に優れている。
<発明の目的>
本発明は、上記の事情を考慮してなされたもの
で、その目的とするところは、エナメル質材料の
加熱において、エナメル輻射材の加熱使用温度に
応じた最適の遠赤外線輻射加熱方法を提供するこ
とにある。
で、その目的とするところは、エナメル質材料の
加熱において、エナメル輻射材の加熱使用温度に
応じた最適の遠赤外線輻射加熱方法を提供するこ
とにある。
<発明の概要>
本発明に係る遠赤外線輻射加熱方法は、エナメ
ル加熱の際、エナメル質材料の被覆物近傍の遠赤
外線輻射材を加熱して該輻射材より遠赤外線を輻
射せしめ当該エナメル質材料を加熱するにおい
て、前記遠赤外線輻射材が540℃以下の温度領域
で加熱使用されるときには、該輻射材は酸化クロ
ムまたは二酸化チタンを主成分とするものを用
い、前記遠赤外線輻射材が540℃を超える温度領
域で加熱使用されるときには、該輻射材はアルミ
ナを主成分とするものを用いることを特徴とする
ものである。
ル加熱の際、エナメル質材料の被覆物近傍の遠赤
外線輻射材を加熱して該輻射材より遠赤外線を輻
射せしめ当該エナメル質材料を加熱するにおい
て、前記遠赤外線輻射材が540℃以下の温度領域
で加熱使用されるときには、該輻射材は酸化クロ
ムまたは二酸化チタンを主成分とするものを用
い、前記遠赤外線輻射材が540℃を超える温度領
域で加熱使用されるときには、該輻射材はアルミ
ナを主成分とするものを用いることを特徴とする
ものである。
酸化クロムや二酸化チタンを主成分とする遠赤
外線輻射材を用いれば、該輻射材を適当な熱源に
より加熱して遠赤外線、遠赤外線等をエナメル質
材料の被覆物に輻射せしめたとき、遠赤外線がエ
ナメル質材料内に最も効率的に吸収され、この結
果エナメル質材料が最も効果的に加熱される。し
かも、輻射材が540℃以下(変態点以下)の温度
領域で加熱使用されるときには、輻射材の物理的
性質を変化させることなく遠赤外線輻射を安定し
て維持することができる。
外線輻射材を用いれば、該輻射材を適当な熱源に
より加熱して遠赤外線、遠赤外線等をエナメル質
材料の被覆物に輻射せしめたとき、遠赤外線がエ
ナメル質材料内に最も効率的に吸収され、この結
果エナメル質材料が最も効果的に加熱される。し
かも、輻射材が540℃以下(変態点以下)の温度
領域で加熱使用されるときには、輻射材の物理的
性質を変化させることなく遠赤外線輻射を安定し
て維持することができる。
また、アルミナを主成分とする遠赤外線輻射材
を用いれば、加熱してエナメル質材料の被覆物に
遠赤外線輻射させたとき、遠赤外線がエナメル質
材料内に上記酸化クロムや二酸化チタンの次に効
率よく吸収され、エナメル質材料が効果的に加熱
される。それのみならず、アルミナは低温状態で
は勿論のこと、1000℃程度の高温状態でも安定な
物質である故、輻射材を高熱源によつて540℃を
超える高温に加熱しても、母材とのサーメツト複
合構造をとることにより、輻射材が変形、損壊等
することなく遠赤外線等の輻射を持続でき、安定
なエナメル加熱を行なえる。
を用いれば、加熱してエナメル質材料の被覆物に
遠赤外線輻射させたとき、遠赤外線がエナメル質
材料内に上記酸化クロムや二酸化チタンの次に効
率よく吸収され、エナメル質材料が効果的に加熱
される。それのみならず、アルミナは低温状態で
は勿論のこと、1000℃程度の高温状態でも安定な
物質である故、輻射材を高熱源によつて540℃を
超える高温に加熱しても、母材とのサーメツト複
合構造をとることにより、輻射材が変形、損壊等
することなく遠赤外線等の輻射を持続でき、安定
なエナメル加熱を行なえる。
<実施例>
以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。
る。
第3図は、本実施例の遠赤外線輻射加熱方法を
実施したエナメル線用焼付炉の主要部を示す。
実施したエナメル線用焼付炉の主要部を示す。
6は、筒型の焼付炉であり、a,bはその蒸発
部、硬化部を示す。7は、エナメル線で、エナメ
ル質材料塗布の後炉6内を通つて下方から上方に
向かつて走行するようになつている(矢印A)。
炉内部の下方には、熱源8、例えばヒータが設置
され、この熱源により、炉内の蒸発部a付近は
450℃前後で加熱し、ここから次第に上昇して硬
化部bの出口付近では550℃前後になるように加
熱する。9a…,9b…は輻射板で、熱源8上方
のエナメル線7の周りに複数適宜な間隔をもつて
設置されており、本例の場合、540℃以下の温度
領域である蒸発部aのものとしては、酸化クロム
や二酸化チタンを主成分とするものを用い、540
℃以上の温度領域である硬化部b付近のものとし
ては、アルミナを主成分とするものを用いてい
る。この輻射板9はより具体的には、第4図の拡
大図にその一部を示すように、ステンレス板等の
母材10のエナメル線7即に、上述のアルミナあ
るいは酸化クロムや二酸化チタンを主成分とする
遠赤外線輻射材11を付着せしめてなり、熱源8
により加熱されると、輻射材11よりエナメル質
材料被覆物のエナメル線7の方へ遠赤外線を輻射
し、エナメル質材料12を加熱する。
部、硬化部を示す。7は、エナメル線で、エナメ
ル質材料塗布の後炉6内を通つて下方から上方に
向かつて走行するようになつている(矢印A)。
炉内部の下方には、熱源8、例えばヒータが設置
され、この熱源により、炉内の蒸発部a付近は
450℃前後で加熱し、ここから次第に上昇して硬
化部bの出口付近では550℃前後になるように加
熱する。9a…,9b…は輻射板で、熱源8上方
のエナメル線7の周りに複数適宜な間隔をもつて
設置されており、本例の場合、540℃以下の温度
領域である蒸発部aのものとしては、酸化クロム
や二酸化チタンを主成分とするものを用い、540
℃以上の温度領域である硬化部b付近のものとし
ては、アルミナを主成分とするものを用いてい
る。この輻射板9はより具体的には、第4図の拡
大図にその一部を示すように、ステンレス板等の
母材10のエナメル線7即に、上述のアルミナあ
るいは酸化クロムや二酸化チタンを主成分とする
遠赤外線輻射材11を付着せしめてなり、熱源8
により加熱されると、輻射材11よりエナメル質
材料被覆物のエナメル線7の方へ遠赤外線を輻射
し、エナメル質材料12を加熱する。
しかして、この炉付炉6を用いた加熱方法によ
ると、炉内を下方から上方に走行するエナメル線
7は、先ず、蒸発部aで熱源8により、直接加熱
されると共に、酸化クロムまたは、二酸化チタン
を主成分とする輻射材11を有する輻射板9a…
からの遠赤外線によつても加熱される。この際、
酸化クロムや二酸化チタンの場合、その輻射特性
が極めて良いため、優れた遠赤外線加熱効果を得
ることができる。
ると、炉内を下方から上方に走行するエナメル線
7は、先ず、蒸発部aで熱源8により、直接加熱
されると共に、酸化クロムまたは、二酸化チタン
を主成分とする輻射材11を有する輻射板9a…
からの遠赤外線によつても加熱される。この際、
酸化クロムや二酸化チタンの場合、その輻射特性
が極めて良いため、優れた遠赤外線加熱効果を得
ることができる。
この蒸発部aにおいては、その炉内雰囲気温度
が450℃前後であるため、酸化クロムや二酸化チ
タンの変態点(540℃)以下であり、熱的に弱い
とされるこれらの輻射材11でも十分使用に耐え
られる。勿論、変形や損傷したりすることもな
い。
が450℃前後であるため、酸化クロムや二酸化チ
タンの変態点(540℃)以下であり、熱的に弱い
とされるこれらの輻射材11でも十分使用に耐え
られる。勿論、変形や損傷したりすることもな
い。
次に、硬化部bでは、熱風で直接加熱される
他、この熱風加熱によつて、アルミナを主成分と
する輻射材11を有する輻射板9b…からの遠赤
外線によつても加熱される。この硬化部bにおい
て、加熱温度が550℃前後であつても、輻射板1
1は、アルミナを主成分とするものであるため、
変形、損傷等の恐れはない。
他、この熱風加熱によつて、アルミナを主成分と
する輻射材11を有する輻射板9b…からの遠赤
外線によつても加熱される。この硬化部bにおい
て、加熱温度が550℃前後であつても、輻射板1
1は、アルミナを主成分とするものであるため、
変形、損傷等の恐れはない。
また、本発明の遠赤外線輻射加熱方法は、エナ
メル線の焼付だけでなく、エナメル質材料の塗布
された自動車部品、電気部品の乾燥など、エナメ
ル加熱全搬に適用できるものである。
メル線の焼付だけでなく、エナメル質材料の塗布
された自動車部品、電気部品の乾燥など、エナメ
ル加熱全搬に適用できるものである。
<発明の効果>
本発明に係る遠赤外線輻射加熱方法は、以上説
明したように、遠赤外線輻射材の加熱温度が540
℃を境にして低温域であるか高温域であるかによ
つて、酸化クロム、二酸化チタン主成分の輻射材
とアルミナ主成分の輻射材を使い分ける方法であ
り、低温域から高温域にわたつてエナメルの加熱
を効果的にかつ安定に行なうことができるという
優れた効果を有する。
明したように、遠赤外線輻射材の加熱温度が540
℃を境にして低温域であるか高温域であるかによ
つて、酸化クロム、二酸化チタン主成分の輻射材
とアルミナ主成分の輻射材を使い分ける方法であ
り、低温域から高温域にわたつてエナメルの加熱
を効果的にかつ安定に行なうことができるという
優れた効果を有する。
第1図はエナメルへの輻射加熱効果を調べる実
験装置を示す図、第2図はエナメル質材料への輻
射加熱効果の実験結果を示すグラフ、第3図は本
発明の実施例の遠赤外線輻射加熱方法を実施した
エナメル線焼付炉の主要部を示す断面図、第4図
は第3図の輻射板付近を示す拡大図である。 11……遠赤外線輻射材、12……エナメル質
材料。
験装置を示す図、第2図はエナメル質材料への輻
射加熱効果の実験結果を示すグラフ、第3図は本
発明の実施例の遠赤外線輻射加熱方法を実施した
エナメル線焼付炉の主要部を示す断面図、第4図
は第3図の輻射板付近を示す拡大図である。 11……遠赤外線輻射材、12……エナメル質
材料。
Claims (1)
- 1 エナメル質材料の被覆物を遠赤外線輻射材を
加熱して該輻射材より遠赤外線を輻射せしめ当該
エナメル質材料を加熱する遠赤外線輻射加熱方法
において、縦型に設置された筒型の焼付炉が長手
方向の下方から順に蒸発部と硬化部を有し、該蒸
発部から硬化部にかけてエナメル線を走行させ、
前記炉内の蒸発部にはエナメル線の周囲を取り巻
く熱源と酸化クロムまたは二酸化チタンを主成分
とする輻射材を設置すると共に、前記炉内の硬化
部にはエナメル線の周囲を取り巻くアルミナを主
成分とする輻射材を設置し、前記熱源により、前
記蒸発部におけるエナメル線に対する加熱温度を
540℃以下の温度とすると共に、前記硬化部にお
けるエナメル線に対する加熱温度は540℃を越え
る温度としたことを特徴とする遠赤外線輻射加熱
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20488183A JPS6097581A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 遠赤外線輻射加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20488183A JPS6097581A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 遠赤外線輻射加熱方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6097581A JPS6097581A (ja) | 1985-05-31 |
JPH0418648B2 true JPH0418648B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16497938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20488183A Granted JPS6097581A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 遠赤外線輻射加熱方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6097581A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4863340A (ja) * | 1971-12-04 | 1973-09-03 | ||
JPS4922633A (ja) * | 1972-06-24 | 1974-02-28 |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP20488183A patent/JPS6097581A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4863340A (ja) * | 1971-12-04 | 1973-09-03 | ||
JPS4922633A (ja) * | 1972-06-24 | 1974-02-28 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6097581A (ja) | 1985-05-31 |
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