JPS6095845A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
荷電粒子線装置Info
- Publication number
- JPS6095845A JPS6095845A JP58203862A JP20386283A JPS6095845A JP S6095845 A JPS6095845 A JP S6095845A JP 58203862 A JP58203862 A JP 58203862A JP 20386283 A JP20386283 A JP 20386283A JP S6095845 A JPS6095845 A JP S6095845A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- height
- correction
- deflection
- sample surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分!J’ )
本発明は、電子ビーム露光装置、イオンビーム加工装置
等の荷電粒子線装置の改良に関する。
等の荷電粒子線装置の改良に関する。
〔発明、の技術的背景とその問題点j
近年、半導体ウェハやマスク等の試料に微細ノリ〜ンを
形成するものとして、各種の電子ビームrift光装置
が開発されている。この装置は、11L’f銃から放射
された1i、子ビームをレンズ糸によシ集束すると共に
、偏向系により偏向走査して試料上に所望のノリーンを
露光するものであり、現在微細ノリーンの形成に最も有
効であると云われている。
形成するものとして、各種の電子ビームrift光装置
が開発されている。この装置は、11L’f銃から放射
された1i、子ビームをレンズ糸によシ集束すると共に
、偏向系により偏向走査して試料上に所望のノリーンを
露光するものであり、現在微細ノリーンの形成に最も有
効であると云われている。
表ころで、電子ビーム露光装置ii金用いて機側/リー
ンを形成する場合、独々のfl)+ノ約から電子ビーム
の焦点深度が数ミクロンしかとれないため、試料の平坦
度を5〔μm〕 以内程度に収める心太がある。しかし
、現実のウニ・・では熱処理等によシ10〔μm〕近い
凹凸が生じる。そこで、描画時に試料面の高さを検出し
、焦点距離を補正しながら描画する第1図に示す如き装
置(特許第1142984号)が考案されている。なお
、図中1は試料2が配置される試料室、3は電子光学鏡
筒、4は試料面の高さ検出器、5は掛算器、6,7はデ
ジタル・アナログ・コンバータ(以下D/Aと略記する
)を示している。
ンを形成する場合、独々のfl)+ノ約から電子ビーム
の焦点深度が数ミクロンしかとれないため、試料の平坦
度を5〔μm〕 以内程度に収める心太がある。しかし
、現実のウニ・・では熱処理等によシ10〔μm〕近い
凹凸が生じる。そこで、描画時に試料面の高さを検出し
、焦点距離を補正しながら描画する第1図に示す如き装
置(特許第1142984号)が考案されている。なお
、図中1は試料2が配置される試料室、3は電子光学鏡
筒、4は試料面の高さ検出器、5は掛算器、6,7はデ
ジタル・アナログ・コンバータ(以下D/Aと略記する
)を示している。
しかしながら、この種の装置にあっては次のよ′)な問
題がおつ/ζ。すなわち、前記焦点補正のため413束
磁界に新たな′lfi場が加わることにより、電子光学
鏡筒の性質が変わり1元の場所からビームの位置がずれ
てしまう。ここで、CPU等からn1j 8己J丹39
慟5及びD/A 6. yに送られる偏向位置データを
WD二XD+1YD(第2図中・印で示す)とすると、
焦点補正を22行ったときの実際の偏向位jfi W’
(紀2図中0印で示す)はw’=’wD十ΔW ・・
・・・−・・ (1)となる。ただし、 ΔW=(K−WD+J)’ΔZ ・・−・−・(2)K
二Kx + IKy J二Jx +tJy ΔW二ΔX+IΔY である。具体的な光学鏡筒に対してこの量をめたところ
、例えば焦点補正を100Cμm〕行い、1(:qm)
偏向した時点で ΔXニー0.28Cμm〕 ΔYユニー、1〔μm〕 となり、正確なパターン形成に支μ・スをきたすことが
判明した。
題がおつ/ζ。すなわち、前記焦点補正のため413束
磁界に新たな′lfi場が加わることにより、電子光学
鏡筒の性質が変わり1元の場所からビームの位置がずれ
てしまう。ここで、CPU等からn1j 8己J丹39
慟5及びD/A 6. yに送られる偏向位置データを
WD二XD+1YD(第2図中・印で示す)とすると、
焦点補正を22行ったときの実際の偏向位jfi W’
(紀2図中0印で示す)はw’=’wD十ΔW ・・
・・・−・・ (1)となる。ただし、 ΔW=(K−WD+J)’ΔZ ・・−・−・(2)K
二Kx + IKy J二Jx +tJy ΔW二ΔX+IΔY である。具体的な光学鏡筒に対してこの量をめたところ
、例えば焦点補正を100Cμm〕行い、1(:qm)
偏向した時点で ΔXニー0.28Cμm〕 ΔYユニー、1〔μm〕 となり、正確なパターン形成に支μ・スをきたすことが
判明した。
本発明の目的は、焦点補正に起因するビーム偏向位置の
位置ずれを村≦めて小きぐすることができ、パターン形
成の高15度化をはかりイ]Jる向亀粒子線装置を提供
することにある。
位置ずれを村≦めて小きぐすることができ、パターン形
成の高15度化をはかりイ]Jる向亀粒子線装置を提供
することにある。
不発萌は、1(b子銃刀・ら放射された荷電粒子線、例
えば%、字ビームを集束−向餉御して試料上にnr望・
やターンを描画すると共に、上記試料面の高さを検出し
この検出情報一応してビームの焦点を補正する機能を備
えた荷蛾粒子腺装置において、」二記焦点補正により星
しるビーム偏向位置のずれを上記検出情報に云づい壬補
正するずれ補正機構を設けるように己たものである。
えば%、字ビームを集束−向餉御して試料上にnr望・
やターンを描画すると共に、上記試料面の高さを検出し
この検出情報一応してビームの焦点を補正する機能を備
えた荷蛾粒子腺装置において、」二記焦点補正により星
しるビーム偏向位置のずれを上記検出情報に云づい壬補
正するずれ補正機構を設けるように己たものである。
nす述した高さ検出器及び焦点□補止機構による焦点補
正量Δ2と実1;ル(の偏向截1fm W’との間には
、lIJ記(1)(2j式に示j一定の関係が成立す:
る。したかっ−C1′焦点□袖正量Δ2から偏向位置→
゛れ址ΔWを請求めるどとができ、このずれ量ΔWを補
正すれば偏向位置を正確に合わせる□:ことが■J痛と
なる。 ′ □ 例えば、前記焦点袖正五1Δ2と偏向位置データWI)
とから割算される □ ΔVJo’−=’L K’−WD・ΔZ−J・Δ2 ・
・・・・・・・(3)をもともとの偏向位置データWD
に加算したものを新たな偏向位置データとして用いると
、実際の偏向位置W′は前記(1)式のWiKWD+Δ
Wcを代入したものであるから W′=(WI)十ΔW() 十K(Wn+ΔWc) ’
ΔZ+J−Δ2=WD−K(K−WD+JJ −Δz
・・=・(4)となる。ここで、K及びΔ2は一般に1
よシ小さくK・Δz2く1□であるから、丈際の偏向位
置ともともとの偏向位置データとの差は非′帛に小さく
なり、殆ど間順とならなくなった。
正量Δ2と実1;ル(の偏向截1fm W’との間には
、lIJ記(1)(2j式に示j一定の関係が成立す:
る。したかっ−C1′焦点□袖正量Δ2から偏向位置→
゛れ址ΔWを請求めるどとができ、このずれ量ΔWを補
正すれば偏向位置を正確に合わせる□:ことが■J痛と
なる。 ′ □ 例えば、前記焦点袖正五1Δ2と偏向位置データWI)
とから割算される □ ΔVJo’−=’L K’−WD・ΔZ−J・Δ2 ・
・・・・・・・(3)をもともとの偏向位置データWD
に加算したものを新たな偏向位置データとして用いると
、実際の偏向位置W′は前記(1)式のWiKWD+Δ
Wcを代入したものであるから W′=(WI)十ΔW() 十K(Wn+ΔWc) ’
ΔZ+J−Δ2=WD−K(K−WD+JJ −Δz
・・=・(4)となる。ここで、K及びΔ2は一般に1
よシ小さくK・Δz2く1□であるから、丈際の偏向位
置ともともとの偏向位置データとの差は非′帛に小さく
なり、殆ど間順とならなくなった。
〔発明の効果〕 □
采発明によれば、焦点補正に起因する荷電粒子ll引の
偏向位置ずれを極めて小きくすることができる。このた
め、表面に凹凸のある試料であっても、焦点補正及び座
標補正f1:(’jうことにより、高精度なパターン形
成を行い得る。
偏向位置ずれを極めて小きくすることができる。このた
め、表面に凹凸のある試料であっても、焦点補正及び座
標補正f1:(’jうことにより、高精度なパターン形
成を行い得る。
21!3図d本発明の一実施例に係わる電子ビーム露光
装置を示□す概略構成図である。b′+中11は試料室
で、この試料室1ノ内には電、子ビーム露光に供される
試料12を載置した試料ステージ13が収容されている
。ステージ13は、ステージ駆動回路14によりX方向
(紙面左右方向)及びY方向(紙面表裏方向)に移動せ
られるものとなっている。また、試料室1ノの上部には
、試料12上に斜め方向から集束光を照射し、その反射
光′f:検出して試料面の高さに応じた信号を得る光学
系15が設けられている。そして、この光学系15の出
力から2位置検出器J6によ多試料面の2方向(紙面上
下方向)の高さが1〔μm〕程度の精度で検出され、そ
の値はデジタル化して出力されるものとなっている。
装置を示□す概略構成図である。b′+中11は試料室
で、この試料室1ノ内には電、子ビーム露光に供される
試料12を載置した試料ステージ13が収容されている
。ステージ13は、ステージ駆動回路14によりX方向
(紙面左右方向)及びY方向(紙面表裏方向)に移動せ
られるものとなっている。また、試料室1ノの上部には
、試料12上に斜め方向から集束光を照射し、その反射
光′f:検出して試料面の高さに応じた信号を得る光学
系15が設けられている。そして、この光学系15の出
力から2位置検出器J6によ多試料面の2方向(紙面上
下方向)の高さが1〔μm〕程度の精度で検出され、そ
の値はデジタル化して出力されるものとなっている。
一方、試別室1ノの上方には電子銃17、偏向器18、
焦点補正コイル19、集束レンズ、その他図示しない各
棟のレンズ等からなる電子光学鏡筒21が設けられてい
る。偏向器18は電子ビームをX方向に偏向するX偏向
板18a及び電子ビームIy方向に偏向するY偏1向板
18bからなるもので、各偏向板18a、IFIbには
それぞれ後述する偏向信号が印加される。
焦点補正コイル19、集束レンズ、その他図示しない各
棟のレンズ等からなる電子光学鏡筒21が設けられてい
る。偏向器18は電子ビームをX方向に偏向するX偏向
板18a及び電子ビームIy方向に偏向するY偏1向板
18bからなるもので、各偏向板18a、IFIbには
それぞれ後述する偏向信号が印加される。
また、焦点補正コイルJ9は電子ビームの焦点位置を試
料面に合わせるもので、該コイル19には後述する補正
信号が供給されるものとなっている。
料面に合わせるもので、該コイル19には後述する補正
信号が供給されるものとなっている。
さて、図示しないCPU等がらのX偏向座標Xは:JI
J3i+、53 J 、 s 2に入力され、Y偏向座
標Yは掛n器33,34に入力される。mj止ノぐラメ
ータKXは掛算器31.33に入力され、補正パラメー
タKyは#)算;:(ン32.34に人力される。
J3i+、53 J 、 s 2に入力され、Y偏向座
標Yは掛n器33,34に入力される。mj止ノぐラメ
ータKXは掛算器31.33に入力され、補正パラメー
タKyは#)算;:(ン32.34に人力される。
丑た、補圧パラメータ(像面回転r;tj Jf、デー
タ)J、J は掛算器35.36にそれぞれ入力さX
y れる。’JitnRi 31 (D mカKx−X及ヒ
掛算器33の出力Ky−Yはそれぞれ引3’?−7!:
v 37に人力され、掛3?器32の出力Ky−X及び
掛算器34の出力に工・Yはそれぞれ加力−器38に入
力される。引算器37の出力KX−X−Ky−Y、加n
−5,7H)15−)−。
タ)J、J は掛算器35.36にそれぞれ入力さX
y れる。’JitnRi 31 (D mカKx−X及ヒ
掛算器33の出力Ky−Yはそれぞれ引3’?−7!:
v 37に人力され、掛3?器32の出力Ky−X及び
掛算器34の出力に工・Yはそれぞれ加力−器38に入
力される。引算器37の出力KX−X−Ky−Y、加n
−5,7H)15−)−。
K、 ・X+−Kx−Y及びneJ記iij正パラノー
タJx、 J。
タJx、 J。
は、fjl記2位ffl’/、検出器16の出刃−ΔZ
と共に、@f$1li3’;is 9.4o 、 3
s 、 、y eKソitツレ久j)される。引算器3
9の出力−CKX−X−Ky−Y) ・Δ2及び掛算器
35の出力−Jx・Δ2 は偏向座標Xと共に加算器4
1に入力され、掛算器40の出力−(K、−x+5−
Y)及び掛算器36の化カーJ ・Δ2 は偏向座標Y
と共に加算器42に入力される。そして、加算器41の
出力 4二X−(Kx−X−に、−Y月ΔZ−Jx・Δz(5
)はD/A 4 s及び偏向器、鳴動アンプ44を介し
て前記X偏向板18ILに印加される。また、加算器4
2の出力 Wy=Y−CKy−X+KX−Y) ・dZ−Jy・Δ
z・・(6)はD/A 45及び偏向器駆動アンプ46
を介して前記Y ()lj向板18bに印加されるもの
となっている。
と共に、@f$1li3’;is 9.4o 、 3
s 、 、y eKソitツレ久j)される。引算器3
9の出力−CKX−X−Ky−Y) ・Δ2及び掛算器
35の出力−Jx・Δ2 は偏向座標Xと共に加算器4
1に入力され、掛算器40の出力−(K、−x+5−
Y)及び掛算器36の化カーJ ・Δ2 は偏向座標Y
と共に加算器42に入力される。そして、加算器41の
出力 4二X−(Kx−X−に、−Y月ΔZ−Jx・Δz(5
)はD/A 4 s及び偏向器、鳴動アンプ44を介し
て前記X偏向板18ILに印加される。また、加算器4
2の出力 Wy=Y−CKy−X+KX−Y) ・dZ−Jy・Δ
z・・(6)はD/A 45及び偏向器駆動アンプ46
を介して前記Y ()lj向板18bに印加されるもの
となっている。
一方、前記2位置イ灸出器16め検出出力−ΔZは焦点
補正パラメータにと共に掛算器47に入力される。tl
+ >i−器47の出力−K・Δ2はD/A48及びI
i#正コイル駆動アンf49を介して前記焦点補正フィ
ル19に供給される。これにょシ、試料面の高さに応じ
て電子ビームの焦点位置が制御され、該位置が試料面に
合わせられるものとなっている。
補正パラメータにと共に掛算器47に入力される。tl
+ >i−器47の出力−K・Δ2はD/A48及びI
i#正コイル駆動アンf49を介して前記焦点補正フィ
ル19に供給される。これにょシ、試料面の高さに応じ
て電子ビームの焦点位置が制御され、該位置が試料面に
合わせられるものとなっている。
このような構成であれば、偏向板1.!la。
18bに前記(5) (6)式で示した偏向信号W工、
Wが印加され未ことになシ、電子ビームの偏向位置が焦
点補正3tに応じて補正されることになる。
Wが印加され未ことになシ、電子ビームの偏向位置が焦
点補正3tに応じて補正されることになる。
すなわち、上記偏向信号Wx、 WyはX方向及びX方
向の各偏向データを表わすものであるが、これを1つの
データW、′ として表わすとWI、’=WD−K −
WD−ΔZ−J−ΔZ −(7)となる。これは、前記
(3)式に示したΔwcにもともとの偏向位置データW
Dを加算したものと等価である。したがって、本装置で
は実際の偏向位置が前記(4)式に示したW′と繻価と
なり、焦点補正に伴う偏向位置ずれを極めて小さくする
ことができる。本発明者等の実験によれば、本装置を用
いてパターンを作成したところ、100(励〕程度の凹
凸のある試料上にも正確な・ぐターンを焦点をポカすこ
となく描画することが可能であった0 万お、本発明は上述し/こ実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、セ1t々変形して
実施することができる。例えば、前記偏向器1δデータ
に重畳するずれ補正データとしてtよ、前記高さ検出器
の検出出力に応じて変化し、焦点補正に伴9偏向位置ず
れ量をキャンセルする方向に使用するデータであればよ
い。
向の各偏向データを表わすものであるが、これを1つの
データW、′ として表わすとWI、’=WD−K −
WD−ΔZ−J−ΔZ −(7)となる。これは、前記
(3)式に示したΔwcにもともとの偏向位置データW
Dを加算したものと等価である。したがって、本装置で
は実際の偏向位置が前記(4)式に示したW′と繻価と
なり、焦点補正に伴う偏向位置ずれを極めて小さくする
ことができる。本発明者等の実験によれば、本装置を用
いてパターンを作成したところ、100(励〕程度の凹
凸のある試料上にも正確な・ぐターンを焦点をポカすこ
となく描画することが可能であった0 万お、本発明は上述し/こ実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、セ1t々変形して
実施することができる。例えば、前記偏向器1δデータ
に重畳するずれ補正データとしてtよ、前記高さ検出器
の検出出力に応じて変化し、焦点補正に伴9偏向位置ず
れ量をキャンセルする方向に使用するデータであればよ
い。
tfc、偏向器として偏向板の代シに偏向コイルを用い
ることも可能である。さらに、高さ検出器の4+’を造
も仕様に応じて適宜変更可能である。
ることも可能である。さらに、高さ検出器の4+’を造
も仕様に応じて適宜変更可能である。
また、本発明は上述した電子ビーム露光装置のみならす
、イメンビーム加工装置等のビームを集束並びに偏向器
1rllシて試料に照射するイM(々な荷電粒子線装置
に適用oJ能である。
、イメンビーム加工装置等のビームを集束並びに偏向器
1rllシて試料に照射するイM(々な荷電粒子線装置
に適用oJ能である。
t4′> 1図は従来の電子ビーム露光装置を示す概略
構成図、第2図は上記装置の問題点を説明するだめの模
式図、第3図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム露
光装置を示す概略構成図である。 11・・・試料室、12・・・試料、13・・・試料ス
テージ、16・・2位置検出器、18・・・偏向器、1
9・・・焦点補正コイル、2)・・電子光学鏡筒、31
゜〜、36..?9,40.47・・・at 3’#i
器、37・・・引9−器、3B、41.42・・・加算
器。 (:IkA++人代理人 弁Ju1士 鈴 江 武 彦
第1図 第2 図 第31“4
構成図、第2図は上記装置の問題点を説明するだめの模
式図、第3図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム露
光装置を示す概略構成図である。 11・・・試料室、12・・・試料、13・・・試料ス
テージ、16・・2位置検出器、18・・・偏向器、1
9・・・焦点補正コイル、2)・・電子光学鏡筒、31
゜〜、36..?9,40.47・・・at 3’#i
器、37・・・引9−器、3B、41.42・・・加算
器。 (:IkA++人代理人 弁Ju1士 鈴 江 武 彦
第1図 第2 図 第31“4
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (]ン 荷電粒子線の照射に供される試料が配置される
試料室と、電子銃から放射される荷電粒子線を集束する
と共に偏向制御して上記試料上に朋射し、該試料上に所
望ノEターンを描画する荷TFLビーム光学鈴筒と、前
記試料面の高さ、1−検出する高さ検出器と、この検出
器の検出情報に基づいて前記光学鏡筒の焦点距離を補正
し該鏡筒の焦点位置を前記試料面に合わせる焦点補正桜
楢と、上記焦点補正によシ生じる前記荷電粒子糾仏1向
位置のずれを前記高さ検出器の検出1jイ報に基づいて
補正するずれ補正機構とを具備し一〇なることを特徴と
する荷重計粒子線装置。 (匂 前記ずれ;iii iE枳構は、前記高さ検出器
の検出情報をΔZとし、前記光テ鈍筒で荷電粒子線の偏
向に用いられる偏向データf:WDとするときΔ−tv
c= −K −w、、 ・ΔZ−J−Δ2なる補正量(
ただし、K、Jは定鶴)をもともとの偏向データwDに
加算し、この加3゛1データWD+ΔWcを新たな偏向
データとして出方するものであることを特徴とする特許
結末の範囲81′!1、項記載の荷電粒子線装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58203862A JPS6095845A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 荷電粒子線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58203862A JPS6095845A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 荷電粒子線装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6095845A true JPS6095845A (ja) | 1985-05-29 |
Family
ID=16480927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58203862A Pending JPS6095845A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 荷電粒子線装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6095845A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62210624A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工方法および装置 |
JPS6386235A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | Hitachi Ltd | 集束イオンビ−ム加工装置 |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58203862A patent/JPS6095845A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62210624A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工方法および装置 |
JPH0626196B2 (ja) * | 1986-03-12 | 1994-04-06 | 株式会社日立製作所 | イオンビ−ム加工方法および装置 |
JPS6386235A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | Hitachi Ltd | 集束イオンビ−ム加工装置 |
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