JPS6095841A - Ｘ線管用タ−ゲツト - Google Patents
Ｘ線管用タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS6095841A JPS6095841A JP20261583A JP20261583A JPS6095841A JP S6095841 A JPS6095841 A JP S6095841A JP 20261583 A JP20261583 A JP 20261583A JP 20261583 A JP20261583 A JP 20261583A JP S6095841 A JPS6095841 A JP S6095841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- graphite
- target
- thermal conductivity
- excellent thermal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/10—Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
- H01J35/108—Substrates for and bonding of emissive target, e.g. composite structures
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＸ線管用ターゲットに係シ、特に大容鼠、高速
回転陽極Ｘ線管に使用して好適なターゲットに関する。
回転陽極Ｘ線管に使用して好適なターゲットに関する。
回転陽極Ｘ線管用ターゲラ：１としてゆ、第１図に示す
ように、耐熱性および熱伝導性に後れたタングステン、
モリブデンの息傘鵬で作られた円板状の基板１と、その
基板上面の電子ビーム衝突面に形成されるタングステン
またはタングステン付会の被覆層２．とからなシ、前記
基板１の下面に傾斜面１ａを形感して、冷却性能および
強度を向上させた構成のものが知られている。尚、図中
３は基板１の中心に穿つた軸取付孔を示す。
ように、耐熱性および熱伝導性に後れたタングステン、
モリブデンの息傘鵬で作られた円板状の基板１と、その
基板上面の電子ビーム衝突面に形成されるタングステン
またはタングステン付会の被覆層２．とからなシ、前記
基板１の下面に傾斜面１ａを形感して、冷却性能および
強度を向上させた構成のものが知られている。尚、図中
３は基板１の中心に穿つた軸取付孔を示す。
ところで、Ｘ線管の大谷量化に伴うターゲットの大形化
を図るためには、同時にターゲットの軽量化を図る必要
がある。しか、シ、第１図に示したターゲットに、おい
ては、ターゲット亜鼠の大部分を占める基板１が１金塊
で作られているため、絨風化を図ることが難、しい。
を図るためには、同時にターゲットの軽量化を図る必要
がある。しか、シ、第１図に示したターゲットに、おい
ては、ターゲット亜鼠の大部分を占める基板１が１金塊
で作られているため、絨風化を図ることが難、しい。
このため、、近年では、基板を柱鍛なグラファイトで作
る傾向にあるが、グラファイトは重金属の強度の１／１
０程度しか有しないので１．グラファイトと強度の商い
セラミックスとを接合して構成した基板を採用するよう
になってきている。
る傾向にあるが、グラファイトは重金属の強度の１／１
０程度しか有しないので１．グラファイトと強度の商い
セラミックスとを接合して構成した基板を採用するよう
になってきている。
第２図はその基板を採用しｆｃＸ＃ｊｌ管用ターゲット
を示し、基板１０が、セラミックス板１１と、そのセラ
ミックス板１１の上下面に接合されたりラファイト板１
２とから構成されていて、上側のグラファイト板１２の
上面に被覆層２を形成した構造となっている。
を示し、基板１０が、セラミックス板１１と、そのセラ
ミックス板１１の上下面に接合されたりラファイト板１
２とから構成されていて、上側のグラファイト板１２の
上面に被覆層２を形成した構造となっている。
しかし、この）ｌ管用ターゲットにおいて、セラミック
スはグラファイトに比べて認十倍の強度を有するが、そ
の反面ヤング率が数十倍も高いため、ターゲットの温度
分布によ−り生ずる熱応力が大きくなる問題がある。１
だセラミックス板１１は、その製造上の制約から下面１
１ａが平担に近く、任意形状の加工成形が困難である。
スはグラファイトに比べて認十倍の強度を有するが、そ
の反面ヤング率が数十倍も高いため、ターゲットの温度
分布によ−り生ずる熱応力が大きくなる問題がある。１
だセラミックス板１１は、その製造上の制約から下面１
１ａが平担に近く、任意形状の加工成形が困難である。
即ち、このＸ線管用ターゲットでは、その基板１０の下
面に冷却性能および強度の向上を図るだめの傾斜面を形
成することは困難でおる。
面に冷却性能および強度の向上を図るだめの傾斜面を形
成することは困難でおる。
本発明の目的は、軽量、高強匿で、しかも基板の下面に
冷却性能および強度の向上を図るための傾斜面を容易に
形成しうるＸ線管用ターゲットを提供することにある。
冷却性能および強度の向上を図るための傾斜面を容易に
形成しうるＸ線管用ターゲットを提供することにある。
〔発明の概要〕
この目的を達成するために、本発明のＸ線管用ターゲッ
トは、その基板を、熱伝導性に後れ、かつ低剛性で加工
の容易な無機材料の板と熱伝導性に優れ、かつ四強度な
無機材料の板とを交互に積層して接合した構成すること
を時機とする。
トは、その基板を、熱伝導性に後れ、かつ低剛性で加工
の容易な無機材料の板と熱伝導性に優れ、かつ四強度な
無機材料の板とを交互に積層して接合した構成すること
を時機とする。
以下、本発明の一実施例を第３図によシ胱明する。第３
図は本発明によるＸ勝管用ターケットの〃を面図を示し
、基板２１と、その基板２１上囲の′ｍ子ビーム衝突而
面形成されるタングステンまたはタンダメテン付金の被
覆層２とからなっている。
図は本発明によるＸ勝管用ターケットの〃を面図を示し
、基板２１と、その基板２１上囲の′ｍ子ビーム衝突而
面形成されるタングステンまたはタンダメテン付金の被
覆層２とからなっている。
３は基板２１の中心に４つた軸取付孔である。前記示板
２１は、熱伝導性に優れ、かつ低剛性で加工が谷易な無
機桐材、例えばグラファイトで作った円板（以下グラフ
ァイト板というン２２と、熱伝導性に優れ、かつ高強度
な無機材料、例えばＳＩＣセラミックスで作った円板（
以−トセラミックス板という〕２３とを交互に積層して
接台した構成となっている。また、この基板２１におい
ては、グラファイト板２２が最上部および最下部に位置
するように、該グラファイト板２２と前記セラミックス
板２３とを交互に＆盾していると共に、最上部めグラフ
ァイト板２２の上面に前記被覆層２を形成している。こ
のグラファイト板２２と被ａｍ□ｉとｉｃ Ｖ Ｄ法な
どによって接合され、グラファ４′Ｆ板２２とセラミッ
クス板２３とはホットプレスによって接合されている。
２１は、熱伝導性に優れ、かつ低剛性で加工が谷易な無
機桐材、例えばグラファイトで作った円板（以下グラフ
ァイト板というン２２と、熱伝導性に優れ、かつ高強度
な無機材料、例えばＳＩＣセラミックスで作った円板（
以−トセラミックス板という〕２３とを交互に積層して
接台した構成となっている。また、この基板２１におい
ては、グラファイト板２２が最上部および最下部に位置
するように、該グラファイト板２２と前記セラミックス
板２３とを交互に＆盾していると共に、最上部めグラフ
ァイト板２２の上面に前記被覆層２を形成している。こ
のグラファイト板２２と被ａｍ□ｉとｉｃ Ｖ Ｄ法な
どによって接合され、グラファ４′Ｆ板２２とセラミッ
クス板２３とはホットプレスによって接合されている。
また基板２１の下１には□、冷却性能および強度の向上
を図るための１頃斜面２１ａを形成しである。この１頃
１１ｊＦ１１而２１ａは、次の□ような手段によって形
成されている。即ち、各グラファイト板２２および各セ
ラミックス板２３＊： 下方に置かれるもの程、直径が
小さくなる形状に作シ、各グラファイト板２２および各
□セラミックス板２３における図示の破線部分２４を切
削加工して、基板２１の下面に前記の傾斜面２１ａを形
成する。
を図るための１頃斜面２１ａを形成しである。この１頃
１１ｊＦ１１而２１ａは、次の□ような手段によって形
成されている。即ち、各グラファイト板２２および各セ
ラミックス板２３＊： 下方に置かれるもの程、直径が
小さくなる形状に作シ、各グラファイト板２２および各
□セラミックス板２３における図示の破線部分２４を切
削加工して、基板２１の下面に前記の傾斜面２１ａを形
成する。
□“□本屍萌によるＸ線管用ターゲットは、ターゲット
重量め大部分を占める基板２１を、軽量なグラファイト
□）ｉよびセラミックスで構成しているので、タコゲヅ
′：：ト全体の縦置化を図ることができる。また、基板
２１０強度がセラミックス板２３によシ尚められるので
、尚速回転に対するターゲット全体の遠心強度が向上す
る。また熱応力に対しても凌れた効果を発揮するもので
、その理由を第４図に基づいて説明する。第４図におい
て、グラファイト板Ｇとセラミックス板Ｓとを積増した
厚さＨの孔明き基板にの内外周に外力Ｐが加わった時に
生する基板にの変位をＷとし、かつＭｌ記グラファイト
板Ｇの厚さを、基板にの厚さ１１をｎ等分した場合のｌ
’／ｎにした時、最大応力σは、σｏｃ１／ｎ ・・・
・・・・・・（１）となる。熱応力は温度分布により生
ずる熱変形が主狭因となって発生することを考えると、
（１）式から基板０ｈｉｔ層千１ｑ造が熱応力低減に効
果のあること力洲り定できる。従って、尚強度のセラミ
ツ、クスと低剛性のグラファイトとを多層にする程、熱
応力に対して優れた構造となる。
重量め大部分を占める基板２１を、軽量なグラファイト
□）ｉよびセラミックスで構成しているので、タコゲヅ
′：：ト全体の縦置化を図ることができる。また、基板
２１０強度がセラミックス板２３によシ尚められるので
、尚速回転に対するターゲット全体の遠心強度が向上す
る。また熱応力に対しても凌れた効果を発揮するもので
、その理由を第４図に基づいて説明する。第４図におい
て、グラファイト板Ｇとセラミックス板Ｓとを積増した
厚さＨの孔明き基板にの内外周に外力Ｐが加わった時に
生する基板にの変位をＷとし、かつＭｌ記グラファイト
板Ｇの厚さを、基板にの厚さ１１をｎ等分した場合のｌ
’／ｎにした時、最大応力σは、σｏｃ１／ｎ ・・・
・・・・・・（１）となる。熱応力は温度分布により生
ずる熱変形が主狭因となって発生することを考えると、
（１）式から基板０ｈｉｔ層千１ｑ造が熱応力低減に効
果のあること力洲り定できる。従って、尚強度のセラミ
ツ、クスと低剛性のグラファイトとを多層にする程、熱
応力に対して優れた構造となる。
また、本発明においては、基板２１の下面に傾ｆＡ面２
１ａを形成するに当っては、各グラファイト板２２お↓
ひセラミックス板２３の破線部分２４のみを切削加工す
るたけで済む、即ち加工し難いセラミックスへの加工量
が少ないので、前記１頃斜面２１ａを容易に得ることが
できる。
１ａを形成するに当っては、各グラファイト板２２お↓
ひセラミックス板２３の破線部分２４のみを切削加工す
るたけで済む、即ち加工し難いセラミックスへの加工量
が少ないので、前記１頃斜面２１ａを容易に得ることが
できる。
以上説明したように、本発明によれば、軽量、尚強度で
、しかも基板の下面に冷却性能および強度の向上を図る
ための傾斜面を容易に形成できるＸ腕管用ターゲットを
提供できる。
、しかも基板の下面に冷却性能および強度の向上を図る
ための傾斜面を容易に形成できるＸ腕管用ターゲットを
提供できる。
第１図および第２図は従来のＸ線管用ターゲットを示す
断面図、第３図は本発明のＸ線管用ターゲットの一実施
例を示す断面図、第４図は本発明によるＸ線管用ターゲ
ットが熱応力に対して優れていることを示した説明図で
ある。 ２・・・被稜ｊ〜、２１・・・基板、２１ａ・・・傾斜
面、２２・・・グラファイトの円板、２３・・・セラミ
ックスの同等１図 ０−ｌ オ・２０
断面図、第３図は本発明のＸ線管用ターゲットの一実施
例を示す断面図、第４図は本発明によるＸ線管用ターゲ
ットが熱応力に対して優れていることを示した説明図で
ある。 ２・・・被稜ｊ〜、２１・・・基板、２１ａ・・・傾斜
面、２２・・・グラファイトの円板、２３・・・セラミ
ックスの同等１図 ０−ｌ オ・２０
Claims (1)
- 基板と、その基板の電子ビーム衝き面に形成されるタン
グステンまたはタングステン付会９被覆層とからなるＸ
Ｎ管用ターゲットであって、前記基板が、熱伝導性に優
れ、かつ低剛性で加工が容易な無機材料の板と、熱伝導
性に後れ、かつ尚強度な無機制料の板とを交互に積層し
て接合、した構成となっていることを特徴とするＸ線管
用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20261583A JPS6095841A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | Ｘ線管用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20261583A JPS6095841A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | Ｘ線管用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095841A true JPS6095841A (ja) | 1985-05-29 |
Family
ID=16460322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20261583A Pending JPS6095841A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | Ｘ線管用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095841A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2593325A1 (fr) * | 1986-01-21 | 1987-07-24 | Thomson Cgr | Anode tournante a graphite pour tube radiogene |
| US4920551A (en) * | 1985-09-30 | 1990-04-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rotating anode X-ray tube |
| FR2655190A1 (fr) * | 1989-11-28 | 1991-05-31 | Gen Electric Cgr | Anode pour tube a rayons x a resistance mecanique elevee. |
| US5155755A (en) * | 1989-11-28 | 1992-10-13 | General Electric Cgr S.A. | Anode for x-ray tubes with composite body |
| DE102008036260A1 (de) * | 2008-08-04 | 2010-02-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Kriechbeständiger Anodendrehteller in Leichtbauweise für Drehanodenröntgenröhren |
| DE102008046372A1 (de) * | 2008-09-09 | 2010-03-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Kriechbeständiger Anodendrehteller in Leichtbauweisee für Drehanodenröntgenröhren |
| WO2011001325A1 (en) * | 2009-06-29 | 2011-01-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Anode disk element comprising a conductive coating |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP20261583A patent/JPS6095841A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4920551A (en) * | 1985-09-30 | 1990-04-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rotating anode X-ray tube |
| FR2593325A1 (fr) * | 1986-01-21 | 1987-07-24 | Thomson Cgr | Anode tournante a graphite pour tube radiogene |
| FR2655190A1 (fr) * | 1989-11-28 | 1991-05-31 | Gen Electric Cgr | Anode pour tube a rayons x a resistance mecanique elevee. |
| US5125020A (en) * | 1989-11-28 | 1992-06-23 | General Electric Cgr S.A. | Anode for x-ray tube with high mechanical strength |
| US5155755A (en) * | 1989-11-28 | 1992-10-13 | General Electric Cgr S.A. | Anode for x-ray tubes with composite body |
| DE102008036260A1 (de) * | 2008-08-04 | 2010-02-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Kriechbeständiger Anodendrehteller in Leichtbauweise für Drehanodenröntgenröhren |
| DE102008036260B4 (de) * | 2008-08-04 | 2012-06-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Kriechbeständiger Anodendrehteller in Leichtbauweise für Drehanodenröntgenröhren |
| DE102008046372A1 (de) * | 2008-09-09 | 2010-03-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Kriechbeständiger Anodendrehteller in Leichtbauweisee für Drehanodenröntgenröhren |
| WO2011001325A1 (en) * | 2009-06-29 | 2011-01-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Anode disk element comprising a conductive coating |
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