JP2689687B2 - Ｉｃ実装用基板 - Google Patents
Ｉｃ実装用基板Info
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- JP2689687B2 JP2689687B2 JP12175490A JP12175490A JP2689687B2 JP 2689687 B2 JP2689687 B2 JP 2689687B2 JP 12175490 A JP12175490 A JP 12175490A JP 12175490 A JP12175490 A JP 12175490A JP 2689687 B2 JP2689687 B2 JP 2689687B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- silicon carbide
- mounting substrate
- layer
- aluminum
- Prior art date
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は例えば大出力IC実装用基板、特にその放熱性
を改良し、軽量化を図ったIC実装用基板に関する。
を改良し、軽量化を図ったIC実装用基板に関する。
＜従来の技術＞ 従来のこの種のIC実装用基板としては、例えばアルミ
ナ基板の表裏面にCu導体薄板を被着したものがあった。
これは、Cu薄板のアルミナ基板への積層後、所定温度に
加熱することにより、Cu−Ｏの共晶融液を生じさせ、ア
ルミナ基板（Al2O3）との反応層を形成し、Al2O3とCuと
を接合するものである。
ナ基板の表裏面にCu導体薄板を被着したものがあった。
これは、Cu薄板のアルミナ基板への積層後、所定温度に
加熱することにより、Cu−Ｏの共晶融液を生じさせ、ア
ルミナ基板（Al2O3）との反応層を形成し、Al2O3とCuと
を接合するものである。
＜発明が解決しようとする課題＞ しかしながら、このような従来のCu導体を用いたIC実
装用基板にあっては、回路形成用またはベース板用の薄
板材としてCu導体を用いているため、その基板全体とし
て重量が大きく、また、このCu導体とアルミナ基板等と
の熱膨張率の差異が大きいため、熱サイクル試験におい
ては該アルミナ基板にひび割れが発生し易いという課題
が生じていた。
装用基板にあっては、回路形成用またはベース板用の薄
板材としてCu導体を用いているため、その基板全体とし
て重量が大きく、また、このCu導体とアルミナ基板等と
の熱膨張率の差異が大きいため、熱サイクル試験におい
ては該アルミナ基板にひび割れが発生し易いという課題
が生じていた。
そこで、本発明は、軽量化を図るとともに耐熱サイク
ル特性に優れたIC実装用基板を提供することを、その目
的としている。
ル特性に優れたIC実装用基板を提供することを、その目
的としている。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明は、炭化珪素層と、この炭化珪素層の両面にろ
う材層を介して被着されたアルミニウム層と、を有する
IC実装用基板である。
う材層を介して被着されたアルミニウム層と、を有する
IC実装用基板である。
＜作用＞ 本発明に係るIC実装用基板にあっては、Cu薄板の替わ
りにアルミニウム薄板を使用しているため、基板全体と
しての軽量化を図ることができる。また、高熱伝導率の
炭化珪素基板を使用しており、かつこれにアルミニウム
薄板をろう材により被着しているため、加熱等に起因す
る応力を緩和することができ、熱サイクル試験に対して
も耐性が大きく基板の寿命が長くなっている。
りにアルミニウム薄板を使用しているため、基板全体と
しての軽量化を図ることができる。また、高熱伝導率の
炭化珪素基板を使用しており、かつこれにアルミニウム
薄板をろう材により被着しているため、加熱等に起因す
る応力を緩和することができ、熱サイクル試験に対して
も耐性が大きく基板の寿命が長くなっている。
＜実施例＞ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例に係るIC実装用基板を示す
ための断面図である。
ための断面図である。
この図において、11は絶縁体である炭化珪素層（SiC
基板、例えば炭化珪素基焼結体板）であって、この炭化
珪素層11の両面にはろう材層12A,12Bを介して回路形成
用のアルミニウム層（またはアルミニウム合金層）13A,
13Bがそれぞれ被着されている。このろう材としてはAl
−Si系、Al−Ge系、Al−Cu系等のろう材が使用される。
基板、例えば炭化珪素基焼結体板）であって、この炭化
珪素層11の両面にはろう材層12A,12Bを介して回路形成
用のアルミニウム層（またはアルミニウム合金層）13A,
13Bがそれぞれ被着されている。このろう材としてはAl
−Si系、Al−Ge系、Al−Cu系等のろう材が使用される。
更に、これらのアルミニウム層13A,13Bの各表面にはN
iメッキ層（またはCuメッキ層）14A,14Bが被着されてい
る。
iメッキ層（またはCuメッキ層）14A,14Bが被着されてい
る。
以上の構成に係る薄板基板にあっては、炭化珪素層11
はAl−Si系のろう材12A,12Bとの接合強度が強く、また
アルミナよりも高い熱伝導率を有している（SiCの熱伝
導率は35〜270W/mKであるのに対して、Al2O3のそれは15
〜20W/mKである）。したがって、炭化珪素を絶縁板材と
して用いることによって高放熱性および高接合力が得ら
れることとなる。
はAl−Si系のろう材12A,12Bとの接合強度が強く、また
アルミナよりも高い熱伝導率を有している（SiCの熱伝
導率は35〜270W/mKであるのに対して、Al2O3のそれは15
〜20W/mKである）。したがって、炭化珪素を絶縁板材と
して用いることによって高放熱性および高接合力が得ら
れることとなる。
また、アルミニウム層13A,13Bは回路形成用またはベ
ース板用として用いられるものであり、更にこの基板全
体としての軽量化に資するものである。例えばこのアル
ミニウム層13A,13Bは0.2〜0.4mm程度であり、アルミニ
ウム密度が2.7〜2.8g/cm3程度であるのに対し、従来のC
u導体密度は8.9〜9.0g/cm3程度である。
ース板用として用いられるものであり、更にこの基板全
体としての軽量化に資するものである。例えばこのアル
ミニウム層13A,13Bは0.2〜0.4mm程度であり、アルミニ
ウム密度が2.7〜2.8g/cm3程度であるのに対し、従来のC
u導体密度は8.9〜9.0g/cm3程度である。
そして、上記ろう材層12A,12Bは熱サイクル試験に対
してもそのろう材自体が塑性変形可能であってアルミニ
ウム層13A,13Bと炭化珪素層11との間の熱膨張率の差に
基づく相対的な伸縮を吸収、緩和するものである。この
点からしても耐熱サイクル特性は向上しているものであ
る。
してもそのろう材自体が塑性変形可能であってアルミニ
ウム層13A,13Bと炭化珪素層11との間の熱膨張率の差に
基づく相対的な伸縮を吸収、緩和するものである。この
点からしても耐熱サイクル特性は向上しているものであ
る。
＜効果＞ 以上説明してきたように、本発明によれば、基板全体
として軽量化を達成することができる。また、炭化珪素
層についてひび割れ等が生じることがなく、基板全体と
しての耐熱サイクル特性が高められる。また、アルミニ
ウム層と炭化珪素層等との接合強度も高められる。
として軽量化を達成することができる。また、炭化珪素
層についてひび割れ等が生じることがなく、基板全体と
しての耐熱サイクル特性が高められる。また、アルミニ
ウム層と炭化珪素層等との接合強度も高められる。
第１図は本発明の一実施例に係るIC実装用基板の概略構
造を示す断面図である。 11……炭化珪素層、 12A,12B……ろう材層、 13A,13B……アルミニウム層、 14A,14B……Niメッキ層もしくはCuメッキ層。
造を示す断面図である。 11……炭化珪素層、 12A,12B……ろう材層、 13A,13B……アルミニウム層、 14A,14B……Niメッキ層もしくはCuメッキ層。
フロントページの続き (72)発明者 湯沢 通男 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三 菱金属株式会社中央研究所内 (72)発明者 黒光 祥郎 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三 菱金属株式会社中央研究所内 (56)参考文献 特開 平２−122550（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】炭化珪素層と、この炭化珪素層の両面にろ
う材層を介して被着されたアルミニウム層と、を有する
ことを特徴とするIC実装用基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12175490A JP2689687B2 (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | Ｉｃ実装用基板 |
| EP91107032A EP0455229B1 (en) | 1990-05-02 | 1991-04-30 | Ceramic substrate used for an electric or electronic circuit |
| DE69127927T DE69127927T2 (de) | 1990-05-02 | 1991-04-30 | Keramisches Substrat verwendet für eine elektrische oder elektronische Schaltung |
| KR1019910007202A KR0173783B1 (ko) | 1990-05-02 | 1991-05-02 | 전기회로 또는 전자회로의 성형에 사용되는 세라믹기판 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12175490A JP2689687B2 (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | Ｉｃ実装用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0418746A JPH0418746A (ja) | 1992-01-22 |
| JP2689687B2 true JP2689687B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=14819062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12175490A Expired - Lifetime JP2689687B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-11 | Ｉｃ実装用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2689687B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2918191B2 (ja) | 1994-04-11 | 1999-07-12 | 同和鉱業株式会社 | 金属−セラミックス複合部材の製造方法 |
| US5965193A (en) | 1994-04-11 | 1999-10-12 | Dowa Mining Co., Ltd. | Process for preparing a ceramic electronic circuit board and process for preparing aluminum or aluminum alloy bonded ceramic material |
| CN103570221A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-12 | 蚌埠玻璃工业设计研究院 | 一种带过滤装置的锡槽 |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP12175490A patent/JP2689687B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0418746A (ja) | 1992-01-22 |
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