JPS6012653A - X線管用タ−ゲツト - Google Patents
X線管用タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS6012653A JPS6012653A JP11827583A JP11827583A JPS6012653A JP S6012653 A JPS6012653 A JP S6012653A JP 11827583 A JP11827583 A JP 11827583A JP 11827583 A JP11827583 A JP 11827583A JP S6012653 A JPS6012653 A JP S6012653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- alloy
- base plate
- tungsten
- ray tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/10—Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
- H01J35/108—Substrates for and bonding of emissive target, e.g. composite structures
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、大容k・高速回転両極X線管に用いるX線管
用ターゲットに関するものである。
用ターゲットに関するものである。
従来この種のXs管用ターゲットとしては、まず、モリ
ブデンからなる基板にタングステンまたはその合金から
なる薄板(約1卸ぐらい)を妬;造によす鮎り合せた構
造のものがある。この構造はタングステン年休からなる
ものに比べれば軽量化がはかられているものの、まだ相
当に1(いという欠点をもっている。次に、仁のような
モリブデン基板のターゲットでモリブデン基板部分を傅
くシて、そのタングステン板を貼り合せた側の反対側に
グラファイトの円板をろう付けによ、b 接合した軽量
化ターゲットがある。この場合、グラファイトの使用に
よシ軽量で熱容量の大きいターゲットを作ることが容易
になるが、モリブデン基板を用いているためなお重いこ
と、モリブデンとグラファイトとのろう付けl71i
Wが弱いことなどの欠点がある。ぜらに、グラファイト
基板にタングステンまたはタングステン合金層をコーテ
ィングすることによυ軽量化をはかったターゲットがあ
る。この場合は大容量で@量のターゲットを作りやすい
が、強友の点で非常に弱いという欠点がある。このよう
に従来の構造はいずれも大容量で高速回転のターゲット
に適するものとはいえなかった。
ブデンからなる基板にタングステンまたはその合金から
なる薄板(約1卸ぐらい)を妬;造によす鮎り合せた構
造のものがある。この構造はタングステン年休からなる
ものに比べれば軽量化がはかられているものの、まだ相
当に1(いという欠点をもっている。次に、仁のような
モリブデン基板のターゲットでモリブデン基板部分を傅
くシて、そのタングステン板を貼り合せた側の反対側に
グラファイトの円板をろう付けによ、b 接合した軽量
化ターゲットがある。この場合、グラファイトの使用に
よシ軽量で熱容量の大きいターゲットを作ることが容易
になるが、モリブデン基板を用いているためなお重いこ
と、モリブデンとグラファイトとのろう付けl71i
Wが弱いことなどの欠点がある。ぜらに、グラファイト
基板にタングステンまたはタングステン合金層をコーテ
ィングすることによυ軽量化をはかったターゲットがあ
る。この場合は大容量で@量のターゲットを作りやすい
が、強友の点で非常に弱いという欠点がある。このよう
に従来の構造はいずれも大容量で高速回転のターゲット
に適するものとはいえなかった。
本栃!:」kよとのような事1kに鑑みてなされたもの
で、その目的は、強度が高く、大容量φ高速回転のX
ill %に効“適なX緑青用ターゲットを提供するこ
とKある。
で、その目的は、強度が高く、大容量φ高速回転のX
ill %に効“適なX緑青用ターゲットを提供するこ
とKある。
このような目的を達成するために、本発明は、熱伝導性
の高いセラミック拐を基材として強度を確保し、その表
面にタングステンまたはその合金層をコーティングして
用いたものである。以下、実施例ケ用いて本発明の詳細
な説明する。
の高いセラミック拐を基材として強度を確保し、その表
面にタングステンまたはその合金層をコーティングして
用いたものである。以下、実施例ケ用いて本発明の詳細
な説明する。
出1図は不発明の一実施例を示すX線管用ターゲットの
断面図である。円板状の基板1には熱伝導性の高いセラ
ミック羽を使用し、その上面外周部の傾斜面、すなわち
焦点軌道i11]llにタングステンまたはタングステ
ン合金、例えはレニウム。
断面図である。円板状の基板1には熱伝導性の高いセラ
ミック羽を使用し、その上面外周部の傾斜面、すなわち
焦点軌道i11]llにタングステンまたはタングステ
ン合金、例えはレニウム。
タングステン合金をCVL)法等によシコーテイングし
、コーティング層2を形成しである。セラミ ゛ツク材
としては、例えばHeOを添加したSiCが用イラレる
が、この材料はアルミニウムと同等レベルの高い熱伝導
性を有するとともに強度もf[1と同等レベルでグラフ
ァイトと比べて約10倍と高く、大容量・高速回転には
最遠である。しかし、このようなセラミック材を用いた
基板1は絶縁Uであるので、ターゲットに入った電子を
陽極のロータ側に尋くために焦点軌道面11のコーチイ
ンク層2とロータの結合穴12との間に′に1.気的4
fz fit手段を介在させる必要がある。このために
、基板lの上面13の焦点軌道面11とp−夕結合穴1
2との間の部分に耐熱性金ハまたは合金からなるコーテ
ィングJ’973をcV D %蒸着等の方法により設
けである。このコーティングM3の材料としては、例え
ば、タングステン又はタングステン合金、又はモリブデ
ンなど力頌士熱性および導電度の点から好ましい。また
このコーティング層3は、焦点軌道面11とロータ結合
穴12との714]の基板lの表面全体に設りてもよい
し、第2図に示すように部分的に設けてもよいが、ター
ゲットからの熱輻射能専を考広してその面積を設定する
必要がある。
、コーティング層2を形成しである。セラミ ゛ツク材
としては、例えばHeOを添加したSiCが用イラレる
が、この材料はアルミニウムと同等レベルの高い熱伝導
性を有するとともに強度もf[1と同等レベルでグラフ
ァイトと比べて約10倍と高く、大容量・高速回転には
最遠である。しかし、このようなセラミック材を用いた
基板1は絶縁Uであるので、ターゲットに入った電子を
陽極のロータ側に尋くために焦点軌道面11のコーチイ
ンク層2とロータの結合穴12との間に′に1.気的4
fz fit手段を介在させる必要がある。このために
、基板lの上面13の焦点軌道面11とp−夕結合穴1
2との間の部分に耐熱性金ハまたは合金からなるコーテ
ィングJ’973をcV D %蒸着等の方法により設
けである。このコーティングM3の材料としては、例え
ば、タングステン又はタングステン合金、又はモリブデ
ンなど力頌士熱性および導電度の点から好ましい。また
このコーティング層3は、焦点軌道面11とロータ結合
穴12との714]の基板lの表面全体に設りてもよい
し、第2図に示すように部分的に設けてもよいが、ター
ゲットからの熱輻射能専を考広してその面積を設定する
必要がある。
さらに、基板1の上記コーティング層3を被覆した以外
の上面13および下面I4は、そのままで熱輻射能専が
品ければむき出しのままでよいが、熱幅射能専が低い場
合にtiTiOz、ZrC&、At203などのm化物
をコーティングして黒化することにより熱輻射能奔を高
める。
の上面13および下面I4は、そのままで熱輻射能専が
品ければむき出しのままでよいが、熱幅射能専が低い場
合にtiTiOz、ZrC&、At203などのm化物
をコーティングして黒化することにより熱輻射能奔を高
める。
上述したセラミック材は、グラファイトと比較して密度
が約1.6倍と大きくなるが、同一体積では熱容It1
が約1.3倍と大きくすることができるため、同一〃シ
容近での重加増加は約3(lで、グラファイトと近い重
鎖のターゲットを作ることができるとともに、前述した
ように強度はグラファイトに比べて約10倍も強いので
、高速回転に十分耐えられるターゲットが得られる。
が約1.6倍と大きくなるが、同一体積では熱容It1
が約1.3倍と大きくすることができるため、同一〃シ
容近での重加増加は約3(lで、グラファイトと近い重
鎖のターゲットを作ることができるとともに、前述した
ように強度はグラファイトに比べて約10倍も強いので
、高速回転に十分耐えられるターゲットが得られる。
なお、熱伝導性が高くかつ軽量で十分な機械的強度を有
するセラミック材としては、上述したBeU添加の8i
Cの外にも例えばkls Oxやその他の添加材を加え
lヒbic +窒化けい累などを用いることができる。
するセラミック材としては、上述したBeU添加の8i
Cの外にも例えばkls Oxやその他の添加材を加え
lヒbic +窒化けい累などを用いることができる。
・〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、基拐として熱伝
導性の良好なセラミック円板を用いたことKよシ、グラ
ファイトと同様に@号でありながら高い強度を有する大
容量・高速回転に斌したX線管用ターゲットをイUるこ
とができる。
導性の良好なセラミック円板を用いたことKよシ、グラ
ファイトと同様に@号でありながら高い強度を有する大
容量・高速回転に斌したX線管用ターゲットをイUるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
舘1図は本発明の一央飾@1−・示す1721目・イ1
.552図は電気的接続手段の椅成例を示ず平面i+/
lで4ンる。 l・・・・セラミック材からなる基板、2・・・・タン
グステン′!またけその合金層外らなるコーティングン
ラ、3・・・・電気的接続手段としてのコーティング1
シヒ、+1・・・・傾斜した焦点軌道面、!2曲ロータ
結名僧穴13・・・・基板上面、l 4−用基板下面。
.552図は電気的接続手段の椅成例を示ず平面i+/
lで4ンる。 l・・・・セラミック材からなる基板、2・・・・タン
グステン′!またけその合金層外らなるコーティングン
ラ、3・・・・電気的接続手段としてのコーティング1
シヒ、+1・・・・傾斜した焦点軌道面、!2曲ロータ
結名僧穴13・・・・基板上面、l 4−用基板下面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 !、 熱伝導性の良好なセラミック材からなる中心にロ
ータ結合穴を有するセラミック円板の上面外周部に傾斜
面を設け、この傾斜面にタングステンまだはその合金層
をコーティングするとともに、このコーティング層と上
記ロータ結合穴との11」1に電気的接続手段を介在さ
せてなるX線管用ターゲット。 2、電気的接続手段は、コーティング層とロータ結合穴
との間のセラミック円板の表面の少なくとも一部にコー
ティングした耐熱性の金属または合金層であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載のX−線管用ターゲ
ット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11827583A JPS6012653A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | X線管用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11827583A JPS6012653A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | X線管用タ−ゲツト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6012653A true JPS6012653A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14732613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11827583A Pending JPS6012653A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | X線管用タ−ゲツト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6012653A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5031201A (en) * | 1989-08-31 | 1991-07-09 | Comurhex Societe Pour La Conversion De L'uranium En Metal Et Hexafluore | Rotating X-ray tube anticathode |
-
1983
- 1983-07-01 JP JP11827583A patent/JPS6012653A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5031201A (en) * | 1989-08-31 | 1991-07-09 | Comurhex Societe Pour La Conversion De L'uranium En Metal Et Hexafluore | Rotating X-ray tube anticathode |
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