JPS6094729A - 半導体装置のガラス被覆方法 - Google Patents
半導体装置のガラス被覆方法Info
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- JPS6094729A JPS6094729A JP58202026A JP20202683A JPS6094729A JP S6094729 A JPS6094729 A JP S6094729A JP 58202026 A JP58202026 A JP 58202026A JP 20202683 A JP20202683 A JP 20202683A JP S6094729 A JPS6094729 A JP S6094729A
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- Japan
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- glass
- electrolyte
- glass powder
- semiconductor device
- dispersion medium
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置に対するガラス膜の被覆方法に関
する。
する。
周知のように、半導体装置の表面安定化の１つの手段と
してガラス被覆によるパシベーションがあり、その被覆
方法として遠心分離沈降法、印刷法、ドクターブレード
法、スビーナー法、電気泳動法等があげられるが、半導
体装置の所定の場所、例えばメサ型装置のメサ溝のみに
ガラス膜を均一に付着するには、電気泳動法が最も優れ
ている。
してガラス被覆によるパシベーションがあり、その被覆
方法として遠心分離沈降法、印刷法、ドクターブレード
法、スビーナー法、電気泳動法等があげられるが、半導
体装置の所定の場所、例えばメサ型装置のメサ溝のみに
ガラス膜を均一に付着するには、電気泳動法が最も優れ
ている。
一般に電気泳動法では、イソプロピルアルコールやアセ
トン等の分散媒の液中に電解質としてＮＨ，ガスやＮＨ
，ＯＨを使用するが、この方法によるとＺｎ０−Ｂ＠Ｏ
Ｈ−８１０ｇ系の亜鉛系ガラスにおいては良好な付着を
得ることが出来るが、亜鉛系ガラスに比べて耐薬品性に
優れたｐｂｏ −Ｂ、ｏ、 −５ｉ−ｏ、−１□０３系
や、ＰｂＯ−ＳｉＯ雪−Ａ：ＬｌＯ，系の鉛系ガラスに
は不適合、即ち、ガラスが所定の場所に付着しても流れ
出すライニング現象を起こしたり、また、所定面以外に
付着して使用に耐えうるものではなかった。そのため従
来では、鉛系ガラスを半導体装置に被覆する場合、遠心
分離沈降法や印刷法等で半導体装置の全面にガラスを付
着させ、焼成後にフォトレジストで選択的にエツチング
してガラスを除去するという煩雑な方法に頼りでいた。
トン等の分散媒の液中に電解質としてＮＨ，ガスやＮＨ
，ＯＨを使用するが、この方法によるとＺｎ０−Ｂ＠Ｏ
Ｈ−８１０ｇ系の亜鉛系ガラスにおいては良好な付着を
得ることが出来るが、亜鉛系ガラスに比べて耐薬品性に
優れたｐｂｏ −Ｂ、ｏ、 −５ｉ−ｏ、−１□０３系
や、ＰｂＯ−ＳｉＯ雪−Ａ：ＬｌＯ，系の鉛系ガラスに
は不適合、即ち、ガラスが所定の場所に付着しても流れ
出すライニング現象を起こしたり、また、所定面以外に
付着して使用に耐えうるものではなかった。そのため従
来では、鉛系ガラスを半導体装置に被覆する場合、遠心
分離沈降法や印刷法等で半導体装置の全面にガラスを付
着させ、焼成後にフォトレジストで選択的にエツチング
してガラスを除去するという煩雑な方法に頼りでいた。
本発明は上記従来の問題点を解決し、耐薬品性に優れた
鉛系ガラスにおいてもランニング現象が起らず、且つ所
定面以外に付着しない電気泳動法による半導体装置のガ
ラス被覆方法を提供するものである。
鉛系ガラスにおいてもランニング現象が起らず、且つ所
定面以外に付着しない電気泳動法による半導体装置のガ
ラス被覆方法を提供するものである。
本発明は、電気泳動法でガラス粉末を半導体装置の所定
面に付着させて被覆するに当り、電解質を含むガラス粉
末分散媒の液に界面活性剤を添加することを特徴とする
。
面に付着させて被覆するに当り、電解質を含むガラス粉
末分散媒の液に界面活性剤を添加することを特徴とする
。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
ガラス粉末のランニング現象に最も強く影響するものは
、使用する分散媒の誘電率に大きく起因し、ガラスの誘
電率と分散媒の誘電率の差が大きい程互いの界面に出来
る電位差が大となり、反発力が強くガラス粒子が流れ出
すが、逆にガラスと分散媒の誘電率がほぼ同一になると
ガラス粉末が凝集して分散しなくなる。本発明によれば
、分散媒の誘電率を７〜１２０間、即ち、ガラスの誘電
率の６〜８より少し高めに維持することによってランニ
ング現象をなくす〜ことが可能である。分散媒としては
、イソプロピルアルコール、アセトン、エチルアルコー
ル、メチルアルコール、酢酸エチルが適当であり、特に
イソプロピルアルコールと酢酸エチルを所定割合に混合
することにより誘電率を７〜１２に調整出来る。
、使用する分散媒の誘電率に大きく起因し、ガラスの誘
電率と分散媒の誘電率の差が大きい程互いの界面に出来
る電位差が大となり、反発力が強くガラス粒子が流れ出
すが、逆にガラスと分散媒の誘電率がほぼ同一になると
ガラス粉末が凝集して分散しなくなる。本発明によれば
、分散媒の誘電率を７〜１２０間、即ち、ガラスの誘電
率の６〜８より少し高めに維持することによってランニ
ング現象をなくす〜ことが可能である。分散媒としては
、イソプロピルアルコール、アセトン、エチルアルコー
ル、メチルアルコール、酢酸エチルが適当であり、特に
イソプロピルアルコールと酢酸エチルを所定割合に混合
することにより誘電率を７〜１２に調整出来る。
電解質としてはＮＨ８ガス、ＮＨ，ＯＨ酸系のｌ（Ｆ
、 ＨＮＱ。
、 ＨＮＱ。
等があるが、電気特性、特に信頼性の面からＮＨ。
ガスとＮＨ，ＯＨが望ましい。電解質の量は０．０５〜
０゜１ｍｏ砂の範囲が好ましく、この範囲以下ではガラ
ス粉末に電荷を帯させるという効果が発揮されず、逆に
多すぎると液のアルコール度が強くなり、ガラス粉末が
沈降して分散媒の液の濃度が薄くなる０ 更に、界面活性剤を０．０１〜０．１ｇ／ｌ添加するこ
とにより、付着したガラス粒子同志の接着力を高めると
同時に、電解質と共にガラスに強い電荷をもたせること
が出来、電着の際の選択性を向上させ、所定面以外への
付着をなくす。界面活性剤がｏ、ｏ］ｇ／ｌ以下のとき
は、ガラス粒子同志の接着力が弱くなり、０．１ ｇ／
／以上のときは、接着力が高まりすぎてガラス粉末の二
次凝集が起こり、分散媒の液の濃度が薄くなる。界面活
性剤としては、ポリオキシエチレンポリグリセリングリ
コールやポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル
等の非イオン界面活性剤が適している。
０゜１ｍｏ砂の範囲が好ましく、この範囲以下ではガラ
ス粉末に電荷を帯させるという効果が発揮されず、逆に
多すぎると液のアルコール度が強くなり、ガラス粉末が
沈降して分散媒の液の濃度が薄くなる０ 更に、界面活性剤を０．０１〜０．１ｇ／ｌ添加するこ
とにより、付着したガラス粒子同志の接着力を高めると
同時に、電解質と共にガラスに強い電荷をもたせること
が出来、電着の際の選択性を向上させ、所定面以外への
付着をなくす。界面活性剤がｏ、ｏ］ｇ／ｌ以下のとき
は、ガラス粒子同志の接着力が弱くなり、０．１ ｇ／
／以上のときは、接着力が高まりすぎてガラス粉末の二
次凝集が起こり、分散媒の液の濃度が薄くなる。界面活
性剤としては、ポリオキシエチレンポリグリセリングリ
コールやポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル
等の非イオン界面活性剤が適している。
下表は半導体装置のガラス被覆方法について本発明方法
と従来方法との電着条件の比較を示す。
と従来方法との電着条件の比較を示す。
同表に示す本発明方法の条件でガラス粉末をメサ型半導
体装置に付着したのが第１図である。また比較のため同
表に示した従来方法の条件でガラス粉末をメサ型半導体
装置に付着したのが第２図である。第１図中１１はメサ
面、１２はガラス層、１８は酸化膜を示す。
体装置に付着したのが第１図である。また比較のため同
表に示した従来方法の条件でガラス粉末をメサ型半導体
装置に付着したのが第２図である。第１図中１１はメサ
面、１２はガラス層、１８は酸化膜を示す。
県下余白
この図から明らかなように、本発明方法による電着状況
は従来方法のものと比較して極めて優れており、半導体
装置の所定面に正確にガラス膜を被覆形成出来る。更に
、鉛系ガラスの場合でもランニング現象が起こらず、目
、つ所定面以外に付着することもないので、不要部分の
ガラス除去作業を要せず、耐薬品性、電気的特性に優れ
た半導体装置を製造することができる。
は従来方法のものと比較して極めて優れており、半導体
装置の所定面に正確にガラス膜を被覆形成出来る。更に
、鉛系ガラスの場合でもランニング現象が起こらず、目
、つ所定面以外に付着することもないので、不要部分の
ガラス除去作業を要せず、耐薬品性、電気的特性に優れ
た半導体装置を製造することができる。
第１図は本発明方法によってガラス粉末を付着した半導
体装置の断面図、第２図は従来方法によってガラス粉末
を付着した半導体装置の断面図である。 １１−−・メサ面 １２・拳・ガラス粉末１３・・・酸
化膜 特許出願人 日本電気硝子株式会社 代表者 長崎 準− 第１図 ２ １ 第２図 ＝ ７− 手続補正書（方式） 昭和５９年 ２月２２Ｆ１ １ 事件の表示 ｍ４ｒａ ｔｓ＃Ｊｆ’４１ｆｌ’ｌｌ癒ｚｏｚｏｚ
ｂ ４２、 π−ｎ の名称 治着Ａ泰蓼薯のＩ今岱加１験矢承 ３、補正をする者 事件との関係 ｄｔ”ｌ”ｆ−出願人 住所 滋賀県大津市晴嵐二丁目７番１号４、補正命令の
日付 ４’ｌｄ ３９ 停／ １１ ／／ Ｆ３ （’ｌｆｄ
ｒｌｅｆｒｃｙ６ｆ斗／Ｒ３１Ｂ）５、補正の対象 厘暇春ンＪ−１／％゛ｅｑ軸も ｂ 錫壬の内短
体装置の断面図、第２図は従来方法によってガラス粉末
を付着した半導体装置の断面図である。 １１−−・メサ面 １２・拳・ガラス粉末１３・・・酸
化膜 特許出願人 日本電気硝子株式会社 代表者 長崎 準− 第１図 ２ １ 第２図 ＝ ７− 手続補正書（方式） 昭和５９年 ２月２２Ｆ１ １ 事件の表示 ｍ４ｒａ ｔｓ＃Ｊｆ’４１ｆｌ’ｌｌ癒ｚｏｚｏｚ
ｂ ４２、 π−ｎ の名称 治着Ａ泰蓼薯のＩ今岱加１験矢承 ３、補正をする者 事件との関係 ｄｔ”ｌ”ｆ−出願人 住所 滋賀県大津市晴嵐二丁目７番１号４、補正命令の
日付 ４’ｌｄ ３９ 停／ １１ ／／ Ｆ３ （’ｌｆｄ
ｒｌｅｆｒｃｙ６ｆ斗／Ｒ３１Ｂ）５、補正の対象 厘暇春ンＪ−１／％゛ｅｑ軸も ｂ 錫壬の内短
Claims (4)
- （１） 電気泳動法でガラス粉末を半導体装置の所定面
に被覆するに当り、ガラス粉末分散媒の液に電解質及び
界面活性剤を添加することを特徴とする半導体装置のガ
ラス被覆方法。 - （２） ガラス粉末分散媒の液の誘電率を７〜１２に調
整する特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置のガ
ラス被覆方法。 - （３）電解質としてＮＨ，ガ′Ｘスは皿、ＯＨを０．０
５〜０、１ ｍｏｌ／ｌ使用する特許請求の範囲第（１
）項記載の半導体装置のガラス被覆方法。 - （４）界面活性剤かαＯ１〜α］ ｇ／ｌ 添加される
特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置のガラス被
装置方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58202026A JPS6094729A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体装置のガラス被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58202026A JPS6094729A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体装置のガラス被覆方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6094729A true JPS6094729A (ja) | 1985-05-27 |
| JPH033931B2 JPH033931B2 (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=16450688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58202026A Granted JPS6094729A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体装置のガラス被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6094729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107533972A (zh) * | 2016-02-05 | 2018-01-02 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| CN109121423A (zh) * | 2017-04-19 | 2019-01-01 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP58202026A patent/JPS6094729A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107533972A (zh) * | 2016-02-05 | 2018-01-02 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| CN107533972B (zh) * | 2016-02-05 | 2020-07-24 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| CN109121423A (zh) * | 2017-04-19 | 2019-01-01 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| CN109121423B (zh) * | 2017-04-19 | 2020-05-19 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH033931B2 (ja) | 1991-01-21 |
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