JPS6086795A - 薄膜ｅｌパネルの封止構造 - Google Patents
薄膜ｅｌパネルの封止構造Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は交流電界の印加に依ってＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒ。
Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光を呈する薄膜ＥＬ素子
を使用したＥＬ表示パネルに対して有効な技術となる薄
膜ＥＬ素子保護用流体の封止構造に関するものである。
を使用したＥＬ表示パネルに対して有効な技術となる薄
膜ＥＬ素子保護用流体の封止構造に関するものである。
〈従来技術〉
従来、０．１〜２．Ｏｗｔ％のＭｎ（あるいはＣｕ。
Ａｔ、Ｂｒ等）をドープしたＺ ｎ Ｓ ＋ Ｚ ｎ
Ｓ ｅ等の半導体発光層を誘電体薄膜でサンドイッチし
た三層構造薄膜ＥＬ素子が開発され、発光緒特性の向上
が確かめられている。この薄膜ＥＬ素子は数ＫＨｚの交
流電界印加によって高輝度発光し、しかも長寿命である
という特徴を有している。
Ｓ ｅ等の半導体発光層を誘電体薄膜でサンドイッチし
た三層構造薄膜ＥＬ素子が開発され、発光緒特性の向上
が確かめられている。この薄膜ＥＬ素子は数ＫＨｚの交
流電界印加によって高輝度発光し、しかも長寿命である
という特徴を有している。
薄膜ＥＬ素子の１例としてＺ ｎ Ｓ ａ Ｍｎ薄膜Ｅ
Ｌ素子の基本的構造を第１図に示す。ガラス基板１上に
Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２等の透明電極２、さらにその上に
積層してＹｚＯａ ＋ ＴｉＯ２＋ Ａｌ２Ｏ３、５ｉ
３ｅｒ。
Ｌ素子の基本的構造を第１図に示す。ガラス基板１上に
Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２等の透明電極２、さらにその上に
積層してＹｚＯａ ＋ ＴｉＯ２＋ Ａｌ２Ｏ３、５ｉ
３ｅｒ。
５ｉＯｚ等からなる第１の誘電体層３がスパッタあるい
は電子ビーム蒸着法等により重畳形成されている。第１
の誘電体層３上にはＺｎＳ：Ｍｎ焼結ベレットを電子ビ
ーム蒸着することにより得られるＺｎＳ発光層４が形成
されている。ＺｎＳ発光層４上には第１の誘電体層３と
同様の材質から成る第２の誘電体層５が積層され、更に
その上にＡ１等から成る背面電極６が蒸着形成されてい
る。透明電極２と背面電極６け交流電源７に接続され、
薄膜ＥＬ素子が駆動される。
は電子ビーム蒸着法等により重畳形成されている。第１
の誘電体層３上にはＺｎＳ：Ｍｎ焼結ベレットを電子ビ
ーム蒸着することにより得られるＺｎＳ発光層４が形成
されている。ＺｎＳ発光層４上には第１の誘電体層３と
同様の材質から成る第２の誘電体層５が積層され、更に
その上にＡ１等から成る背面電極６が蒸着形成されてい
る。透明電極２と背面電極６け交流電源７に接続され、
薄膜ＥＬ素子が駆動される。
電極２，６間にＡＣ電圧を印加すると、ＺｎＳ発光層４
の両側の誘電体Ｆ５３．５間に上記ＡＣ電圧が誘起され
ることになり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界
によって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネル
ギーを得た電子が、直接Ｍｎ発光センターを励起し、励
起きれたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄色の
発光を行なう。
の両側の誘電体Ｆ５３．５間に上記ＡＣ電圧が誘起され
ることになり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界
によって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネル
ギーを得た電子が、直接Ｍｎ発光センターを励起し、励
起きれたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄色の
発光を行なう。
上記の如き構造を有する薄膜ＥＬ素子は、スペース・フ
ァクタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイ
スとして種々の表示装置に文字、記号、静止画像、動画
像等の表示手段として利用することができ非常に有効な
ものである。しかしながら、薄膜ＥＬ素子の三層構造部
は誘電体層が製造工程途中で発生した多数のピンホール
やマイクロクランク等を含み、これらの欠陥を通してＺ
ｎ Ｓ発光層４に湿気等が侵入し易くこれが原因とな
ってＥＬ発光損失による発熱、層間剥離、素子特性の劣
化等を招来する。この問題を解決することを目的として
、第２図に示すような流体を利用したツーリング構造が
提唱されている。この構造は薄膜ＥＬ素子特有の不完全
さ 即ちピンホール等によって通電時に生じるブレーク
ダウンのため起る微小な熱損傷領域の拡大を防止、固定
化し、大気環境下での湿気保護、放熱効果、ざらに振動
、たわみに対しても有効な改良技術となるものである０ 以下、第２図に基いて説明すると、ガラス基板１上に一
定ピノチ間隔で平行配列された線状の透明電極２、第１
の誘電体層３、ＺｎＳ発光層４が順次積層され、ＺｎＳ
発光層４上にはＳｉ３Ｎ４膜とＳｉ３Ｎ４膜上に重畳さ
れｆｖ Ａ １．２０３膜とから成る第２の誘電体層５
が２層構造で積層され、更に上記透明電極２と直交する
方向に一定ピノチ間隔をもって平行配列された線状の背
面電極６が第２の誘電体層５上に設けられ、マトリック
ス電極構造の薄膜ＥＬ素子が構成されている。この薄膜
ＥＬ素子を封止するため、ガラス基板１にスペーサ１０
全介して背面ガラス板１１が対向配置され、ガラス基板
１、スペーサ１０ 及び背面ガラス板１１の各接合部は
接着剤１２で固定密封されて外囲器が構成されている。
ァクタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイ
スとして種々の表示装置に文字、記号、静止画像、動画
像等の表示手段として利用することができ非常に有効な
ものである。しかしながら、薄膜ＥＬ素子の三層構造部
は誘電体層が製造工程途中で発生した多数のピンホール
やマイクロクランク等を含み、これらの欠陥を通してＺ
ｎ Ｓ発光層４に湿気等が侵入し易くこれが原因とな
ってＥＬ発光損失による発熱、層間剥離、素子特性の劣
化等を招来する。この問題を解決することを目的として
、第２図に示すような流体を利用したツーリング構造が
提唱されている。この構造は薄膜ＥＬ素子特有の不完全
さ 即ちピンホール等によって通電時に生じるブレーク
ダウンのため起る微小な熱損傷領域の拡大を防止、固定
化し、大気環境下での湿気保護、放熱効果、ざらに振動
、たわみに対しても有効な改良技術となるものである０ 以下、第２図に基いて説明すると、ガラス基板１上に一
定ピノチ間隔で平行配列された線状の透明電極２、第１
の誘電体層３、ＺｎＳ発光層４が順次積層され、ＺｎＳ
発光層４上にはＳｉ３Ｎ４膜とＳｉ３Ｎ４膜上に重畳さ
れｆｖ Ａ １．２０３膜とから成る第２の誘電体層５
が２層構造で積層され、更に上記透明電極２と直交する
方向に一定ピノチ間隔をもって平行配列された線状の背
面電極６が第２の誘電体層５上に設けられ、マトリック
ス電極構造の薄膜ＥＬ素子が構成されている。この薄膜
ＥＬ素子を封止するため、ガラス基板１にスペーサ１０
全介して背面ガラス板１１が対向配置され、ガラス基板
１、スペーサ１０ 及び背面ガラス板１１の各接合部は
接着剤１２で固定密封されて外囲器が構成されている。
外囲器内には薄膜ＥＬ素子が内蔵されるとともにシリコ
ンオイル、真空グリース等の薄膜ＥＬ素子保護用注入流
体１３が充填封入されている。注入流体１３に要求され
る東件としては（１）ピンホールへの浸透性があり、（
２）絶縁耐圧が高く、（３）耐熱性、耐湿性に優れ、（
４）薄膜ＥＬ素子構成膜と反応せず、（５）蒸気圧、熱
膨張係数の小さい流動性の液状又は半固型状物質である
ことが望寸しいが特にピンホールへの浸透性があり絶縁
耐圧がある程度高いこと及び薄膜ＥＬ素子構成膜と反応
しないことを要する。スペーサ１０にはシリコンオイル
等注入用の微小注入孔１４が１個乃至数個設けられてい
る。尚、１５は電極２，６のリード端子部１５である。
ンオイル、真空グリース等の薄膜ＥＬ素子保護用注入流
体１３が充填封入されている。注入流体１３に要求され
る東件としては（１）ピンホールへの浸透性があり、（
２）絶縁耐圧が高く、（３）耐熱性、耐湿性に優れ、（
４）薄膜ＥＬ素子構成膜と反応せず、（５）蒸気圧、熱
膨張係数の小さい流動性の液状又は半固型状物質である
ことが望寸しいが特にピンホールへの浸透性があり絶縁
耐圧がある程度高いこと及び薄膜ＥＬ素子構成膜と反応
しないことを要する。スペーサ１０にはシリコンオイル
等注入用の微小注入孔１４が１個乃至数個設けられてい
る。尚、１５は電極２，６のリード端子部１５である。
〈発明の目的〉
本発明けよ記薄膜ＥＬ素子保護用流体が充填された薄膜
ＥＬパネルに於いて、流体封止構造に関する改良技術を
提供することを目的とする。
ＥＬパネルに於いて、流体封止構造に関する改良技術を
提供することを目的とする。
〈実施例〉
第３図は本発明の１実施例の説明に供する薄膜ＥＬパネ
ルの構成断面図である。
ルの構成断面図である。
ガラス基板１上に透明電極２が帯状に一定ピッチ間隔を
もって平行配列され、薄膜Ｅ Ｌ素子１６が構成されて
いる。この薄膜ＥＬ素子１６を収納する如く皿状の背面
ガラス板１７がガラス基板１上に重畳され、その内部間
隙に薄膜ＥＬ素子が内蔵されている。ガラス基板１と背
面ガラス板１７の接合部は光硬化性樹脂、エポキシ樹脂
等の接着剤で密封されている。背面ガラス板１７の製作
工程途中に於ける詳細を第４図に示す。背面ガラス板１
７としてはソーダガラスやホウケイ酸ガラス等が使用さ
れ、ＥＬ素子構造部の収納部分がサンドエツチング等に
より深さ１１膜ｍ程度に凹陥成形されている。凹陥成形
領域の隅部１愉所には流体注入用の注入孔１８が形成さ
れ、またこの注入孔１８の外方端には直径３〜１０１ｍ
深き１ ｍｍ程度のザグリ穴と一辺１５〜２０＋＋＋ｍ
深さ０．５ ｍｍ程度の凹陥部が重畳して２段に形成さ
れている。注入孔１８はザグリ穴と凹陥部の中心位置に
配置され、この中に中空の注入用パイプ１９が挿入固定
されている。
もって平行配列され、薄膜Ｅ Ｌ素子１６が構成されて
いる。この薄膜ＥＬ素子１６を収納する如く皿状の背面
ガラス板１７がガラス基板１上に重畳され、その内部間
隙に薄膜ＥＬ素子が内蔵されている。ガラス基板１と背
面ガラス板１７の接合部は光硬化性樹脂、エポキシ樹脂
等の接着剤で密封されている。背面ガラス板１７の製作
工程途中に於ける詳細を第４図に示す。背面ガラス板１
７としてはソーダガラスやホウケイ酸ガラス等が使用さ
れ、ＥＬ素子構造部の収納部分がサンドエツチング等に
より深さ１１膜ｍ程度に凹陥成形されている。凹陥成形
領域の隅部１愉所には流体注入用の注入孔１８が形成さ
れ、またこの注入孔１８の外方端には直径３〜１０１ｍ
深き１ ｍｍ程度のザグリ穴と一辺１５〜２０＋＋＋ｍ
深さ０．５ ｍｍ程度の凹陥部が重畳して２段に形成さ
れている。注入孔１８はザグリ穴と凹陥部の中心位置に
配置され、この中に中空の注入用パイプ１９が挿入固定
されている。
注入用パイプ１９６″ｉ金属製で保護用流体の注入前は
長く延設されている。保護用流体としてシリコーンオイ
ルを使用した場合、その注入操作は次の如く行なわれる
。即ち、真空下に薄膜ＥＬ素子１６を内蔵した外囲器を
置き、脱ガス処理後、注入用パイプ１９の先端をシリコ
ーンオイル槽内に浸漬し、周囲を常圧下に復帰させる。
長く延設されている。保護用流体としてシリコーンオイ
ルを使用した場合、その注入操作は次の如く行なわれる
。即ち、真空下に薄膜ＥＬ素子１６を内蔵した外囲器を
置き、脱ガス処理後、注入用パイプ１９の先端をシリコ
ーンオイル槽内に浸漬し、周囲を常圧下に復帰させる。
この圧力制御によってシリコーンオイルは注入用パイプ
１９内を通過して外囲器内部へ注入される。シリコーン
オイルの注入操作が完了すると第５図（５）に示す如く
注入パイプ１９の注入孔１８との接合部近傍を圧着し注
入パイプ１９内部を閉塞して仮封止する。
１９内を通過して外囲器内部へ注入される。シリコーン
オイルの注入操作が完了すると第５図（５）に示す如く
注入パイプ１９の注入孔１８との接合部近傍を圧着し注
入パイプ１９内部を閉塞して仮封止する。
次に仮封止部の注入パイプ１９を第５図（Ｂ）に示す如
く切断し、切断部の注入パイプ１９にエポキシ系樹脂や
光硬化性樹脂等から成る接着剤２０全貼着して注入パイ
プ１９を完全封止する。接着剤２０はザグリ穴の上平面
位置から上方へ突出しないように深さＤの範囲で設ける
。更にこの上に平板のガラスキャップ２２を凹陥部へ挿
入して接着剤で冠着する。接着剤としては光硬化性接着
剤等が使用される。ガラスキャップ２２の寸法は凹陥部
形状に対応して１０〜１８ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ程度に
設定する。ガラスキャップ２２の被冠によりザグリ穴部
が密封される。捷たザグリ穴部に形成される空隙は熱膨
張等によりシリコーンオイルが注入用パイプ１９の封止
部より洩出した場合の貯溜部として利用できる。ガラス
キャップ２２の代わりにプラスチック、セラミック、金
属あるい（ｄコム等を使用することもできるが、本実施
例では背面ガラス板１７との密着性を考慮してガラスを
使用した○ 尚、第６図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は背面ガラス板１７にザ
グリ穴や凹陥部を形成することなく皿状成形されたガラ
スキャップ２４を用いて注入パイプの封止部を密封した
従来の封止構造部を示す。
く切断し、切断部の注入パイプ１９にエポキシ系樹脂や
光硬化性樹脂等から成る接着剤２０全貼着して注入パイ
プ１９を完全封止する。接着剤２０はザグリ穴の上平面
位置から上方へ突出しないように深さＤの範囲で設ける
。更にこの上に平板のガラスキャップ２２を凹陥部へ挿
入して接着剤で冠着する。接着剤としては光硬化性接着
剤等が使用される。ガラスキャップ２２の寸法は凹陥部
形状に対応して１０〜１８ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ程度に
設定する。ガラスキャップ２２の被冠によりザグリ穴部
が密封される。捷たザグリ穴部に形成される空隙は熱膨
張等によりシリコーンオイルが注入用パイプ１９の封止
部より洩出した場合の貯溜部として利用できる。ガラス
キャップ２２の代わりにプラスチック、セラミック、金
属あるい（ｄコム等を使用することもできるが、本実施
例では背面ガラス板１７との密着性を考慮してガラスを
使用した○ 尚、第６図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は背面ガラス板１７にザ
グリ穴や凹陥部を形成することなく皿状成形されたガラ
スキャップ２４を用いて注入パイプの封止部を密封した
従来の封止構造部を示す。
本実施例による封止構造と従来の封止構造を比較すると
、背面ガラス板に円形状ザグリ穴及び矩形状凹陥部を二
段切込みしてガラスキャップ２２を凹陥部内に没入させ
た封止構造の方が総合的な厚さがガラスキャップの分だ
け薄くなる。またガラスキャップ自体も薄いものを使用
することができる３、尚、凹陥部形状は矩形以外により
径大の円形あるいけ多肉形状に成形しても良い。
、背面ガラス板に円形状ザグリ穴及び矩形状凹陥部を二
段切込みしてガラスキャップ２２を凹陥部内に没入させ
た封止構造の方が総合的な厚さがガラスキャップの分だ
け薄くなる。またガラスキャップ自体も薄いものを使用
することができる３、尚、凹陥部形状は矩形以外により
径大の円形あるいけ多肉形状に成形しても良い。
〈発明の効果〉
以上詳説した如く、本発明によれば薄形ディスプレイパ
ネルの総合的な厚さを厚くすることなく薄膜ＥＬ素子保
護用流体の封止を行なうことができる。寸だ封止イ２と
して用いるガラスキャップ等は薄い部材を利用すること
ができるため、軽量化、低コスト化全達成することも可
能となる。
ネルの総合的な厚さを厚くすることなく薄膜ＥＬ素子保
護用流体の封止を行なうことができる。寸だ封止イ２と
して用いるガラスキャップ等は薄い部材を利用すること
ができるため、軽量化、低コスト化全達成することも可
能となる。
第１図は薄膜ＥＬ素子の具体的構造を示す構成図である
。第２図は従来の薄膜ＥＬパネルの１例を示す要部構成
図である。第３図は本発明の１実施例の説明に供する薄
膜ＥＬパネルの要部構成図である。第４図は第３図の薄
膜ＥＬパネルに使用される背面ガラス板の断面図である
。第５図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）ｉｌ′ｉ：本発明の１実施
例を説明する封止構造部の製造工程図である。第６図（
５）（Ｂ）（Ｃ）は従来のガラスキャップに凹陥部を設
けた封止構造を説明する製造工程図である。 １・・・ガラス基板 １６ 薄膜ＥＬ素子１７・・・背
面ガラス板 １８・・注入孔１９ ・注入用パイプ ２
０ 接着剤 ２２ 平板ガラスキャップ
。第２図は従来の薄膜ＥＬパネルの１例を示す要部構成
図である。第３図は本発明の１実施例の説明に供する薄
膜ＥＬパネルの要部構成図である。第４図は第３図の薄
膜ＥＬパネルに使用される背面ガラス板の断面図である
。第５図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）ｉｌ′ｉ：本発明の１実施
例を説明する封止構造部の製造工程図である。第６図（
５）（Ｂ）（Ｃ）は従来のガラスキャップに凹陥部を設
けた封止構造を説明する製造工程図である。 １・・・ガラス基板 １６ 薄膜ＥＬ素子１７・・・背
面ガラス板 １８・・注入孔１９ ・注入用パイプ ２
０ 接着剤 ２２ 平板ガラスキャップ
Claims (1)
- １ 透光性前面基板と背面板とから成る外囲器内に薄膜
ＥＬ素子及び該薄膜ＥＬ素子に対する絶縁性保護用流体
を収納した薄膜ＥＬノぐネルに於いて、前記背面板に前
記絶縁性保護用流体を注入するための注入孔を穿設する
とともに該注入孔の外方端に径太のザグリ穴と凹陥部を
重畳形成し、該ザグリ穴内で前記注入孔の開口を封止す
るとともに前記凹陥部に平板キャップを被冠して密封し
たことを特徴とする薄膜ＥＬノ々ネ３−の封止構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195418A JPS6086795A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 薄膜ｅｌパネルの封止構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195418A JPS6086795A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 薄膜ｅｌパネルの封止構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086795A true JPS6086795A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16340752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195418A Pending JPS6086795A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 薄膜ｅｌパネルの封止構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086795A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068693A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-09 | ||
| JPS577086A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Sharp Kk | Thin film el panel |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP58195418A patent/JPS6086795A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068693A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-09 | ||
| JPS577086A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Sharp Kk | Thin film el panel |
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