JPS60140696A - 薄膜elパネルの封止構造 - Google Patents

薄膜elパネルの封止構造

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JPS60140696A
JPS60140696A JP58247177A JP24717783A JPS60140696A JP S60140696 A JPS60140696 A JP S60140696A JP 58247177 A JP58247177 A JP 58247177A JP 24717783 A JP24717783 A JP 24717783A JP S60140696 A JPS60140696 A JP S60140696A
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thin
film
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利昭 石井
猪原 章夫
岸下 博
上出 久
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は交流電界の印加によって、EL(E 1ect
ro Lu+n1nescence)発光を呈する1l
llEL素子を使用したEL表示パネルに刻して有効な
技術となる薄膜EL素子保護用流体の封止構造に関する
ものである。
〈従来技術〉 従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光層に規則
的に高い電界(10’V/cb+程度)を印加し、絶縁
耐圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、0
.1〜2.0u+t%のMn(あるいはCu、A1.B
?等)をドープしたZuS、Zn5e等の半導体発光層
をY2O2,TiO2等の誘電体薄膜でサンドイッチし
た三層構造ZnS: Mn (又はZn5e: Mn)
EL素子が開発され、発光緒特性の向上か確められてい
る。この薄膜EL素子は数KHzの交流電界印加によっ
て高輝度発光し、しかも長か命であるという特徴を有し
ている。
薄膜EL素子の一例としてZn; Mn薄膜EL素子の
基本的構造を第1図に示す。
第1図に基づいて、薄膜EL素子の構造を具体的に説明
すると、力゛ラス基板1上にIn2O3,Sn○2等の
透明電極2、さらにその上に積層して”1’2031 
TlO2+ A120s+ 5i31’tLI 5io
2等からなる第1の誘電体層3がスパッタあるいは電子
ビーム蒸着法等により重畳形成されている。第1の誘電
体層3上にはZn: Mn焼結ペレットを電子ビーム蒸
着することにより得られるZnS 発光層4が形成され
ている。このと外、蒸着用の711:Mn焼結ペレット
には活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定され
たベレットが使用される。
ZnS 発光層4上には第1の誘電体層3と同様の材質
から成る第2の誘電体層5が積層され、更にその上にA
、12等から成る背面電極6が蒸着形J&されている。
透明電極2と背面電極6は交流電源7に接続され、薄膜
EL素子が駆動される。
電極2,6開にAC電圧を印加すると、ZnS発光層4
の両側の誘電体層3,5間に上記AC電圧か誘起される
ことになり、従って、ZnS発光層4内に発生した電界
によって伝導体に励起されかつ加速されて充分なエネル
ギーを得た電子が、直接N411発光センターを励起し
、誘起されたMu発光センターが基底状態に戻る際に黄
色の発光を行なう。即ち、高電界で加速された電子かZ
nS発光層4中の発光センターであるZnサイトに入っ
たMn原子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々
5850人をピークに幅広い波長領域で、強い発光を呈
する。
上記の如き構造を有する薄膜EL素子は、スペース・7
アクタの利点を生め化だ平面薄型ディスプレイ・デバイ
スとして、文字及び図形を含むコンピュータの出力表示
端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画像
、動画像等の表示手段として利用することかでき、非常
に有効なものである。
しめ化ながら、薄膜EL素子の誘電体層は製造工程途中
で発生した多数のピンホールやマイクロクラック等を含
み、これらの欠陥を通してZnS発光層4に湿気等が侵
入するため、EL発光損失による発熱9層間剥離、素子
特性の劣化等を招来する。
上記問題を解決することを目的として、第2図に示すよ
うに、薄膜EL素子特有の不完全さ、即ち、ピンホール
等によって通電時に生じるブレークダウンのため起る微
小な熱損傷領域の拡大を防止、固定化し、大気環境下で
の湿気保護、放熱効果、さらに振動、たわみに対しても
有効な改良技術となるシーリング方式が提唱されている
この薄膜ELパネルは第1図におけよ透明電極2及び背
面電極6が帯状に成形され、互いに直交する如く複数本
配列されたマトリックス電極構造が採用されており、透
明電極2と背面電極6が平面図的に見て交叉した位置が
パネルの1絵素に相当する。
第2図に基づいて説明すると、ガラス基板1上に一定ピ
ッチ間隔で平行配列された透明電極2、第1の誘電体層
3、ZnS 発光層4が順次積層され、ZnS発光層4
」二にはSi3N、膜とSi3N、股上に重畳されたA
l2O3膜とから成る第2の誘電体層5か2層構造で積
層され、更に上記透明電極2と直交する方向に一定ピッ
チ間隔をもって平行配列された背面電極6が第2の誘電
体層S上に設けられ、薄膜EL素子が構成されている。
この薄膜EL素子を封止するため、ガラス基板]にスベ
′ −サ10を介して背面ガラス板11か対向配置され
、ガラス基板1.スペーサ10及び背面ガラス板11の
各接合部は接着剤12で固定密封され、薄膜EL素子に
対する外囲器が構成されている。
外囲器内には薄膜EL素子が内蔵されるとともに、シリ
コンオイル、真空グリース等の薄膜EL素子保護用注入
流体13が充填封入されている。注入流体13に要求さ
れる条件としては(1)ピンホールへの浸透性があり、
(2)絶縁耐圧が高く、(3)耐熱性、耐湿性に優れ、
(4)薄膜EL素子構成膜と反応せず、(5)蒸気圧、
熱膨張係数の小さい流動性物質であることが望ましいが
、特にピンホールへの浸透性があり絶縁耐圧かある程度
高いこと及び薄膜EL素子構成膜と反応しないことを要
する。
スペーサ10にはシリコンオイル等注入用の微小注入孔
14力弓個乃至数個設けられている。また、透明電極2
及び背面電極6のリード端子部15はガラス基板1と背
面ガラス板11の接合部を介して外囲器外部のガラス基
板1上へその一端が延設され、駆動制御用回路(図示せ
ず)と電気的に接続されている。
(発明の目的) 本発明は上記薄膜EL素子保護用流体が充填された薄膜
ELパネルにおいて、流体封止構造に関する改良技術を
提供することを目的とする。より詳しくは、熱に起因す
る背面板のコーナ一部の集中応力を減少させてコーナ一
部の剥離を防止して、薄膜Fj−パネルの1J止構造の
信頼性を高めることを目的とする。
(実施例) 以下、本発明の1実施例を従来例と対比しつつ詳細に説
明する。
第3図、第4図は、従来の薄膜E、Lパネルの構成断面
図及び平面図である。ガラス基板1上に透明電極2が帯
状に一定ピッチ間隔をもって平行配列され、薄膜EL素
子16が構成されている。この薄膜EL素子16を収納
する如く皿状の背面ガラス板17かガラス基板1上に重
畳され、その内部間隙に薄膜EL素子が内蔵される。ガ
ラス基板1と背面ガラス板17の接合部は光硬化性(4
1脂。
エポキシ11+脂等の接着剤で密封されている。背面ガ
ラス板17としては、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス
等が使用され、EL素子構造部p収納部分がサンドエツ
チング等により深さ1闘程度に凹陥成形されている。凹
陥成形領域の隅部1箇所には流体注入用の注入孔18が
形成され、中空の注入用パイプ]9が挿入されている。
注入用パイプ19は金属製で、注入孔18に接着固定さ
れている。この注入用パイプ19より外囲入内に薄膜E
L素子保護用注入流体が封止され、ガラスキャップ22
により封止される。
ところで、上記2枚のガラス板1,17を接着する場合
、熱膨張係数を全く同値にすることで、応力に依存する
問題は軽減される。しカル、コスト面、物性面において
異種ガラス(熱膨張係数が異なった)を貼り合す必要の
有する場合、応力問題は避は難い事実である。第5図(
A)は第3.4図に示す従来の形態1i0−概念的に示
したちのである。
この場合、コーナ一部31の接着+i】は、直線部32
の接着中を又とすると、a×となり、接着rl+は最長
となる。このため、コーナ一部31に応力か集中し、特
にコーナー先端部には無理な力がかがることが予想され
る。このことは、信頼性テストの−っである冷熱サイク
ルテストにて、コーナー先端部より剥離が生じることで
よく表わされてぃ一方、第5図(B)、(C)、(D)
は本発明の構造を示し、背面ガラス17のコーナ一部3
1に樹脂接着部20の直線部の接着中Xを保証しつつ、
外側にあるいは外と内側に面取りを施したもので、その
点のみか第3.4図に示す従来例と異なるものである。
第5図(B)は、コーナ一部3」の最長部を直線部32
のX巾と同等にしたもの、また第5図(C)は背面ガラ
ス板17の凹陥成形部の堀込みのコーナーな面取1) 
L、直線部32と同等の中を保証しつつコーナー外側を
面取りしたもの、また、第5図(D)は第5図(C)と
同様に、曲線状に面取りしたものである。
このように、背面板1゛7の4つのコーナ一部31に、
直線部32のu1重接着中Xを保証するように面取りを
施すことによって、執に起因するコーナ一部への集中応
力発生か減少し、薄膜EL索子封止の信頼性が高くなる
(発明の効果) 以」二の説明で明らかなように、この発明の薄膜ELパ
ネルの封止構造は、背面板のコーナ一部に面取りを施す
という簡単な構成によって、熱に起因するコーナ一部へ
の集中応力を減少して、薄膜ELパネルの信頼性を高め
ることかでき、実用的 □価値が極めて大なるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は薄膜EL素子の具体的構造を示す構成図、@2
図は従来の薄膜ELパネルの一例を示す要部構成図、第
3図は本発明の一実施例の説明に供する薄膜ELパネル
の要部構成図、第4図は第3図の薄膜IELパネルの平
面図、第5図(A)、第5図(B)1第5図(C)、第
5図(D)は夫々本発明の詳細な説明する平面図である
。 1・・・ガラス基板、 16・・・薄膜EL素子、17
・・・背面ガラス板、18・・・注入孔、−19・・・
注入用パイプ、20・・・樹脂接着部、23・・・凹陥
部、 22・・・力゛ラスキャップ、31・・・コーナ
一部、 32・・・直線部。 特許出願人 シャープ株式会社 代 理 人 弁理士 前出 葆はが2名第1図 第2図 第3図 第4図 第5図(A) 第5図(B) 第5図(C) 第5図(D) 手続補正書(,2) ■、小事件表示 昭和58年特許願第 247177 号2発明の名称 薄膜ELパネルの封止構造 3補正をする者 事件との関係 特許出願人 4代理人 5補正命令の日付:自発補正 7、補正の内容 ■ 明細書中、次の箇所を訂正します。 発明の詳細な説明の欄 (1)第4頁第20行目 [第1図におけよ」とあるを、 「第1図における」と訂正します。 (2)第7頁第1行目から第、2行目 「集中応力」とあるを、 「応力集中」と訂正します。 (3)第8頁第11行目 「必要の1とあるを、 「必要を」と訂正します。 (4)第8頁第16行目 「このため」とあるを、 「また構造上」と訂正します。 (5)第9頁第17行目 「集中応力」とあるを、 「応力集中」と訂正します。 以 上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透光性前面基板と背面板とから成る外囲器内に薄
    膜EI−素子及び該薄膜EL素子に刻する絶縁性保護用
    流体を収納した薄膜ELパネルにおいて、 前記背面板の略々コーナ一部に面取りを施したことを特
    徴とする薄膜ELパネルの封止構造。
JP58247177A 1983-12-27 1983-12-27 薄膜elパネルの封止構造 Granted JPS60140696A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS509397A (ja) * 1973-05-23 1975-01-30
JPS577086A (en) * 1980-06-16 1982-01-14 Sharp Kk Thin film el panel
JPS5740291A (en) * 1980-08-21 1982-03-05 Sony Corp Computer

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