JPS608627B2 - 樹脂モ−ルド半導体デバイス - Google Patents
樹脂モ−ルド半導体デバイスInfo
- Publication number
- JPS608627B2 JPS608627B2 JP12684477A JP12684477A JPS608627B2 JP S608627 B2 JPS608627 B2 JP S608627B2 JP 12684477 A JP12684477 A JP 12684477A JP 12684477 A JP12684477 A JP 12684477A JP S608627 B2 JPS608627 B2 JP S608627B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- semiconductor chip
- molded
- resin mold
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂モールド半導体デバイスに関する。
この種の半導体デバイスにおいては、半導体チップとこ
れを埋設しているモールド樹脂体とが応力により剥離し
て、両者の間に隙間を生ずる傾向がある。
れを埋設しているモールド樹脂体とが応力により剥離し
て、両者の間に隙間を生ずる傾向がある。
この応力は、モールド前の樹脂と半導体チップの熱応力
の偉いと、モールド後、製品を金型から離す時に製品に
加えられる突出し力とが原因となって生ずる。上記隙間
の発生は、デバイスの金属部分、たとえばアルミニウム
材料部分を腐蝕させ、デバイスの早期劣化の原因となる
ので、好ましくない。したがって、本発明の目的は、半
導体チップとこれを埋設しているモールド樹脂との間の
ストシスを緩和し、両者の剥離を防止し得る樹脂モール
ド半導体デバイスを提供することである。
の偉いと、モールド後、製品を金型から離す時に製品に
加えられる突出し力とが原因となって生ずる。上記隙間
の発生は、デバイスの金属部分、たとえばアルミニウム
材料部分を腐蝕させ、デバイスの早期劣化の原因となる
ので、好ましくない。したがって、本発明の目的は、半
導体チップとこれを埋設しているモールド樹脂との間の
ストシスを緩和し、両者の剥離を防止し得る樹脂モール
ド半導体デバイスを提供することである。
この目的を達成するために本発明の一実施例は、半導体
チップを埋設しているモールド樹脂体の上下両面に、平
面方向から見て前記半導体チップをおおうような溝また
は凹所を形成したことを特徴とするものである。
チップを埋設しているモールド樹脂体の上下両面に、平
面方向から見て前記半導体チップをおおうような溝また
は凹所を形成したことを特徴とするものである。
第１〜３図は本発明による半導体デバイスの一実施例を
示すものである。
示すものである。
１は半導体チップであり、図示していないボンディング
・ワイヤを介してリード・フレーム２に電気的に接続さ
れ、樹脂モールドーこよりモールド樹脂体３内に埋設さ
れている。
・ワイヤを介してリード・フレーム２に電気的に接続さ
れ、樹脂モールドーこよりモールド樹脂体３内に埋設さ
れている。
モールド樹脂体３の上下両面には、平面方向から見て半
導体チップ１を取囲むように、溝４，５が形成されてい
る。溝４，５を形成することにより、樹脂体３の全合成
応力が半導体チップ１に加わることなく、溝４，５によ
り、チップ１に加わる応力は緩和され、チップ１と樹脂
体３との剥離が無くなり、したがって隙間の発生による
腐蝕も無くなる。
導体チップ１を取囲むように、溝４，５が形成されてい
る。溝４，５を形成することにより、樹脂体３の全合成
応力が半導体チップ１に加わることなく、溝４，５によ
り、チップ１に加わる応力は緩和され、チップ１と樹脂
体３との剥離が無くなり、したがって隙間の発生による
腐蝕も無くなる。
溝４，５を形成しておくのが不都合な場合は、そこに半
導体チツプーと同じ膨張係数を有するリング状部材を充
填しておいてもよい。第４図は樹脂体３の両面に、凹所
６，７を形成した実施例を示すものである。
導体チツプーと同じ膨張係数を有するリング状部材を充
填しておいてもよい。第４図は樹脂体３の両面に、凹所
６，７を形成した実施例を示すものである。
凹所６，７を形成することにより第１〜３図の実施例と
同様に応力を緩和し得ると共に、両凹所６，７の大きさ
を調整することにより、たとえば凹所６を凹所７よりも
大きくすることにより、樹脂体３にこれが常にチップ１
を締付ける方向の反り力を与え、両者間に隙間を形成し
にくくする作用を付与することができる。
同様に応力を緩和し得ると共に、両凹所６，７の大きさ
を調整することにより、たとえば凹所６を凹所７よりも
大きくすることにより、樹脂体３にこれが常にチップ１
を締付ける方向の反り力を与え、両者間に隙間を形成し
にくくする作用を付与することができる。
第１図および第２図は本発明による樹脂モールド半導体
デバイスの一実施例のそれぞれ横断面図および縦断面図
、第３図は第１，２図の半導体デバイスの部分平面図「
第４図は本発明の他の実施例の縦断面図である。 １・・・・・・半導体チップ、２・・…・リードフレー
ム、３……モールド樹脂体、４，５……溝、６，７…・
・・凹所。 肉ｌ図 精２図 対３図 第４図
デバイスの一実施例のそれぞれ横断面図および縦断面図
、第３図は第１，２図の半導体デバイスの部分平面図「
第４図は本発明の他の実施例の縦断面図である。 １・・・・・・半導体チップ、２・・…・リードフレー
ム、３……モールド樹脂体、４，５……溝、６，７…・
・・凹所。 肉ｌ図 精２図 対３図 第４図
Claims (1)
- １ 半導体チツプを埋設しているモールド樹脂体の上下
両面に、平面方向から見て前記半導体チツプをおおうよ
うな溝または凹所を形成したことを特徴とする樹脂モー
ルド半導体デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12684477A JPS608627B2 (ja) | 1977-10-24 | 1977-10-24 | 樹脂モ−ルド半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12684477A JPS608627B2 (ja) | 1977-10-24 | 1977-10-24 | 樹脂モ−ルド半導体デバイス |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP790286A Division JPS61166052A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 樹脂モールド半導体デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5460564A JPS5460564A (en) | 1979-05-16 |
| JPS608627B2 true JPS608627B2 (ja) | 1985-03-04 |
Family
ID=14945261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12684477A Expired JPS608627B2 (ja) | 1977-10-24 | 1977-10-24 | 樹脂モ−ルド半導体デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608627B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435923U (ja) * | 1987-08-29 | 1989-03-03 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6157530U (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-17 | ||
| US7646089B2 (en) | 2008-05-15 | 2010-01-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor package, method for manufacturing a semiconductor package, an electronic device, method for manufacturing an electronic device |
-
1977
- 1977-10-24 JP JP12684477A patent/JPS608627B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435923U (ja) * | 1987-08-29 | 1989-03-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5460564A (en) | 1979-05-16 |
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