JPS608626B2 - 半導体装置のパツケ−ジ方法 - Google Patents

半導体装置のパツケ−ジ方法

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JPS608626B2
JPS608626B2 JP8233479A JP8233479A JPS608626B2 JP S608626 B2 JPS608626 B2 JP S608626B2 JP 8233479 A JP8233479 A JP 8233479A JP 8233479 A JP8233479 A JP 8233479A JP S608626 B2 JPS608626 B2 JP S608626B2
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resin
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正行 片岡
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置のパッケージ方法に関するものであ
る。
従来より、半導体素子等を装着した半導体部品をフレー
ム内に収納し、その内部を中空またはシリコン樹脂など
を充填した後、蓋をしてパッケージを行なう場合、この
フレームの蓋に空気逃げ用の穴を設け、蓋付けした後、
その穴を樹脂で埋め込んだりあるいは他の都材を張り合
わせてその穴の封止を行なっていた。
第１図は従来の半導体装置のパッケージ方法を説明する
ための半導体装置の一例を示す要部断面図である。
同図において、半導体素子などが装着された半導体部品
１を搭載した底板２にこの底板２を囲むフレーム３を接
着した後、このフレーム３内にシリコン樹脂４などを充
填して半導体部品１を保護する。その後、カバー５を取
り付けるが、この場合、カバー５を樹脂６でフレーム３
に接着させる際、フレーム３内の圧力が高くなって接着
時にカバー５が浮き上らないようにするためにカバー５
に予め空気逃げ用の穴７を設けておく。そして、カバー
５を取り付けた後、この穴７を埋めるため、ェポキシな
どの加溢しなくても硬化する樹脂８で穴７を封止してパ
ッケージを終了する。しかしながら、このようなパッケ
ージ方法によると、空気逃げ用の穴７を封止する樹脂８
は、主にェポキシ系樹脂が用いられるが、この穴７封止
用樹脂８に熱硬化性樹脂を用いると、加温中にフレーム
ー内から空気が出てきて穴７の封止ができず、また常温
硬化性樹脂を用いると、乾燥して固化するまでに長時間
を要し、作業性を著しく低下させていた。
また、この穴７の封止にセラミック、アルミニウム板な
どの他の都村を張り合わせるにしても作業性、価格など
の面において種々の問題があった。したがって本発明は
上記従来の欠点に鑑みてなされたものであり、ェポキシ
系パッケージ材をＰ．Ｂ．Ｔ．のような熱可塑性の樹脂
を使用して成形し、蓋付け後、半田ゴテなどのような熱
源にて穴を押え込むことにより蓋自体の樹脂を穴に埋め
込み、穴を封止させたものである。以下図面を用いて本
発明による半導体装置のパッケージ方法について詳細に
説明する。第２図、第３図は本発明による半導体装置の
パッケージ方法の一例を説明するための図であり、第２
図は熱可塑性樹脂で製作したカバーを示し、第３図は半
導体装置を示したものであり、第１図と同記号は同一要
素となるのでその説明は省略する。
まず、第２図において「 ５′は熱可塑性樹脂により形
成されたフレーム３のカバーでありトこのカバー５′の
中央部分には断面図で示すように上面側から下面側方向
に漏斗状に広がる穴７ｒが設けられている。そして「第
３図に示したようにフレーム３内にシリコン樹脂４を充
填し、上記カバー５′を樹脂６によりフレーム３に接着
した後、このカバー５′の穴７′の上方から例えば半田
銀の先端部のような熱榛９を押し付けることによって穴
７′の周囲の樹脂が溶融し、第３図に示すようにこの穴
７′が塞がれて封止されることになる。このようなパッ
ケージ方法によると、カバー５′に設けられた空気逃げ
用の穴７′の封止が熱棒９により容易にできるため、余
計な樹脂が不要となるとともに、パッケージ作業が極め
て単純となる。
また、半導体装置のカバー５′上面に製品の番号などを
刻印するものは穴封止工程と同時にマーキングを行なう
ことも可能となる。以上説明したように本発明による半
導体装置のパッケージ方法によれば、空気逃げ用の穴封
止が極めて容易に、かつ作業性よくでき、しかも低コス
トで得られる極めて優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のパッケージ方法の一例を説明するための
半導体装置の一例を示す要部断面図、第２図は本発明に
係わる熱可塑性樹脂カバーを示す要部断面図、第３図は
本発明によるパッケージの一例を説明するための半導体
装置の一例を示す要部断面図である。 １・・・・・・半導体部品、２……底板、３……フレー
ム、４……シリコン樹脂、５，５′……カバー、６……
樹脂「 ７，７′……穴、８……樹脂、９……熱棒。 繁ｌ図 第２図 才３図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体部品を搭載した底板に該底板を囲むように開
    口部を有するフレームを装着し、該フレーム内に半導体
    部品の保護材を充填した後、該フレーム開口部にカバー
    を装着し、該開口部を閉塞させる半導体装置のパツケー
    ジ方法において、前記カバーを熱可塑性樹脂で形成し、
    かつ予め空気逃げ用の穴を設けるとともに、該カバーで
    フレーム開口部を閉塞した後に該空気逃げ用穴周縁部を
    加熱溶融させることにより該穴を封止することを特徴と
    する半導体装置のパツケージ方法。 ２ 前記空気逃げ用穴を、前記カバーの上面側から下面
    側に向って漏斗状に広がるように形成することを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置のパツケー
    ジ方法。
JP8233479A 1979-06-26 1979-06-26 半導体装置のパツケ−ジ方法 Expired JPS608626B2 (ja)

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JPS566456A JPS566456A (en) 1981-01-23
JPS608626B2 true JPS608626B2 (ja) 1985-03-04

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JPS5735331B2 (ja) * 1973-08-10 1982-07-28
JPS57188850A (en) * 1981-05-15 1982-11-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sealing method for semiconductor element
JPS58140642U (ja) * 1982-03-15 1983-09-21 日本電気株式会社 ハイブリツドｉｃのケ−ス封入構造
US5248548A (en) * 1991-11-22 1993-09-28 Memtec America Corporation Stainless steel yarn and protective garments
JP6323066B2 (ja) * 2013-03-29 2018-05-16 オムロン株式会社 電子機器

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