JPS6085543A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS6085543A JPS6085543A JP19379683A JP19379683A JPS6085543A JP S6085543 A JPS6085543 A JP S6085543A JP 19379683 A JP19379683 A JP 19379683A JP 19379683 A JP19379683 A JP 19379683A JP S6085543 A JPS6085543 A JP S6085543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- film
- wiring
- poly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路（以下ＩＣと記す）において、
微細化高（Ｈ頼性を達成するためのｌＣの構造に関する
ものである。近年、ＩＣの微細加工技術の進歩には目覚
しいものがある。特にＭＯ８ＩＣのゲート電極に高融点
金属であるポリシリコン全使用したＳｉゲート技術は１
Ｍ０８ＩＣの微細化、高速化を達成する上で画期的な技
術であった。
微細化高（Ｈ頼性を達成するためのｌＣの構造に関する
ものである。近年、ＩＣの微細加工技術の進歩には目覚
しいものがある。特にＭＯ８ＩＣのゲート電極に高融点
金属であるポリシリコン全使用したＳｉゲート技術は１
Ｍ０８ＩＣの微細化、高速化を達成する上で画期的な技
術であった。
８ｉゲート技術によシ、ゲート電極とソース。
ドレイン拡散層との自己整合が可能とな９、また、電極
材料として、従来から使用されていＡＡＡとともに電極
配線の多層化が可能となった。これによシエＣの微細化
、高集積化、高速化が微細加工技術の進歩とともに飛躍
的に進み、Ｓｉゲート技術は現在のＩＣ技術の主流とな
りている。８ｉゲート技術は、上記の様な長所を有する
が、ポリシリコン七半導体基板表面に堆積すること、ポ
リシリコンとＡ４間に絶縁膜が必要なこと等、ＩＣの製
造工程において表面段差が生じやすい構造となっている
。表面段差は配線の断線音引き起し、配線幅の微細化と
ともに、増々重要な問題となってきている。
材料として、従来から使用されていＡＡＡとともに電極
配線の多層化が可能となった。これによシエＣの微細化
、高集積化、高速化が微細加工技術の進歩とともに飛躍
的に進み、Ｓｉゲート技術は現在のＩＣ技術の主流とな
りている。８ｉゲート技術は、上記の様な長所を有する
が、ポリシリコン七半導体基板表面に堆積すること、ポ
リシリコンとＡ４間に絶縁膜が必要なこと等、ＩＣの製
造工程において表面段差が生じやすい構造となっている
。表面段差は配線の断線音引き起し、配線幅の微細化と
ともに、増々重要な問題となってきている。
本発明の目的は、上記表面段差の内、ポリシリコン上や
コンタクトホール部の構造全改良することによシ、従来
技術の難点全克服し、製造工程での歩留改善１Ｍ頼度向
上全達成しようとするものである。
コンタクトホール部の構造全改良することによシ、従来
技術の難点全克服し、製造工程での歩留改善１Ｍ頼度向
上全達成しようとするものである。
本発明においては、ポリＳｉ上のコンタクトホール周辺
部の層間絶縁膜が、それ以外の部分に比較し、薄く形成
され、底面段差は低減される。
部の層間絶縁膜が、それ以外の部分に比較し、薄く形成
され、底面段差は低減される。
以下に、本発明を図面に基いてよル詳細に説明する。第
１図は従来技術による構造でめ勺、ポリＳｉ３上のコン
タクトホールを通してＡ１配線６が接続されている。通
常ボ１Ｊ８ｉ３上には酸化膜４が２０００〜３０００人
形成され、更にリンガラス膜５が５０ｔ）０〜１５００
０λ堆、積される。この状態でポリ８ｉ３上にコンタク
トホールを形成すると層間絶縁膜の厚さは７０００〜１
８０００人になシ、ＡＡ配［６が１００００λ程度被着
された場合、時として段差部において、断線７か生ずる
場合がある。
１図は従来技術による構造でめ勺、ポリＳｉ３上のコン
タクトホールを通してＡ１配線６が接続されている。通
常ボ１Ｊ８ｉ３上には酸化膜４が２０００〜３０００人
形成され、更にリンガラス膜５が５０ｔ）０〜１５００
０λ堆、積される。この状態でポリ８ｉ３上にコンタク
トホールを形成すると層間絶縁膜の厚さは７０００〜１
８０００人になシ、ＡＡ配［６が１００００λ程度被着
された場合、時として段差部において、断線７か生ずる
場合がある。
第２図は本発明による構造を示す。本発明においてはポ
リ８ｉ３上のコンタクトホール部分以外は第１図と同様
に７０００〜ｘｓｏｏｏＡ程度の酸化膜４とリンガラス
膜５との眉間絶縁膜が形成されるが、コンタクトホール
部においてはリンガラス膜５に接続して酸化膜８が１０
００〜２０００人程度に形成されるため、この部分の層
間絶縁膜はこの部分で３０００〜５０００人となる。こ
の状態で１００００λ程度のＡＡ６が被着されても段差
部分において断線が生ずることはなくなる。
リ８ｉ３上のコンタクトホール部分以外は第１図と同様
に７０００〜ｘｓｏｏｏＡ程度の酸化膜４とリンガラス
膜５との眉間絶縁膜が形成されるが、コンタクトホール
部においてはリンガラス膜５に接続して酸化膜８が１０
００〜２０００人程度に形成されるため、この部分の層
間絶縁膜はこの部分で３０００〜５０００人となる。こ
の状態で１００００λ程度のＡＡ６が被着されても段差
部分において断線が生ずることはなくなる。
第３図〜第６図は本発明による構造會得るための製造方
法を示す。
法を示す。
第３図はポリＳｉ３上に酸化膜４及びリンガラス膜５が
形成されている状態を示す。第４図は通常のフォトリン
グ２フイ技術でコンタクトホール周辺のリンガラス層５
が除去された状態を示す。
形成されている状態を示す。第４図は通常のフォトリン
グ２フイ技術でコンタクトホール周辺のリンガラス層５
が除去された状態を示す。
次に第５図に示す様に９００℃〜１０００℃程度のタク
トホール９全形成すれば第２図に示す構造が得られる。
トホール９全形成すれば第２図に示す構造が得られる。
本発明′に実際にＳｉゲー）ＭＯ８ＩＣに適用した所、
ウェハー当シのチップ収率が約３〜５％改善され、本発
明の有効性が実証された。
ウェハー当シのチップ収率が約３〜５％改善され、本発
明の有効性が実証された。
本発明の構造金得るためには、例として第３図〜第６図
に示した方法金あげたが、他の方法によっても同様の構
造金得ることができる。例えば酸化膜８はＣＶＤ法によ
っても形成できる。又、層間絶縁膜４及び５は一般にＩ
Ｃ製造工程に用いられる他の絶縁膜であっても本発明に
よる構造全得る仁とができる。
に示した方法金あげたが、他の方法によっても同様の構
造金得ることができる。例えば酸化膜８はＣＶＤ法によ
っても形成できる。又、層間絶縁膜４及び５は一般にＩ
Ｃ製造工程に用いられる他の絶縁膜であっても本発明に
よる構造全得る仁とができる。
第１図は従来技術によるポリＳｉ上のコンタクトホール
部の構造會示す断面図でおる。 １・・・・・・８ｉ半導体基板、２・・・・・・酸化膜
、３・・・・・・配線として形成されたポリ８１．４・
・・・・・ポリ５ｉ３Ｘｔ″覆う酸化膜、５・・・・・
・リンガラス膜、７・・・・・・配線Ａ１の断線。 第２図は本発明の一実施例による構造會示す断面図であ
る。 ８・・・・・・薄い熱酸化膜を示す。 第３因〜第６図は本発明の一実施例による構造を得るた
めの一製造方法を各工程毎に示す断面図である。 ９・・・・・・ポリＳｉ３上のコンタクトホール。 ゝ−一、／ 箋３１ 条４ｍ 年／回
部の構造會示す断面図でおる。 １・・・・・・８ｉ半導体基板、２・・・・・・酸化膜
、３・・・・・・配線として形成されたポリ８１．４・
・・・・・ポリ５ｉ３Ｘｔ″覆う酸化膜、５・・・・・
・リンガラス膜、７・・・・・・配線Ａ１の断線。 第２図は本発明の一実施例による構造會示す断面図であ
る。 ８・・・・・・薄い熱酸化膜を示す。 第３因〜第６図は本発明の一実施例による構造を得るた
めの一製造方法を各工程毎に示す断面図である。 ９・・・・・・ポリＳｉ３上のコンタクトホール。 ゝ−一、／ 箋３１ 条４ｍ 年／回
Claims (1)
- Ｓｉゲート電極構造會有するＭＯ８型半導体集積回路に
おいて、電極配線間は絶縁膜にあけられたコンタクトホ
ールで接続されておル、該コンタクトホール周辺におい
て、前記絶縁膜はそれ以外の部分よシ薄く形放されてい
ることに’ｌ’Ｔ−徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19379683A JPS6085543A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19379683A JPS6085543A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085543A true JPS6085543A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16313917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19379683A Pending JPS6085543A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085543A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8403309B2 (en) | 2003-09-05 | 2013-03-26 | Bridgestone Corporation | Vibration isolating apparatus |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP19379683A patent/JPS6085543A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8403309B2 (en) | 2003-09-05 | 2013-03-26 | Bridgestone Corporation | Vibration isolating apparatus |
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