JPS6079734U - 気相成長装置におけるガス噴出ノズル - Google Patents
気相成長装置におけるガス噴出ノズルInfo
- Publication number
- JPS6079734U JPS6079734U JP17092683U JP17092683U JPS6079734U JP S6079734 U JPS6079734 U JP S6079734U JP 17092683 U JP17092683 U JP 17092683U JP 17092683 U JP17092683 U JP 17092683U JP S6079734 U JPS6079734 U JP S6079734U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas ejection
- nozzle according
- ejection nozzle
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は縦型気相成長装置における従来の反応ガス噴出
ノ・ズル部の縦方向断面図であり、第2図は本考案によ
る同反応ガス噴出ノズル部の縦方向断面図である。 1・・・・・・ノズル、2・・・・・・ワークコイル、
3・・・・・・サセプタ、4・・・・・・基台、5・・
・・・・回転軸、7・・・・・・ノズル支持体、8・・
・・・・ブツシュ、9・・・・・・ふた部材、10・・
・・・・ボルト、11・・・・・・ノズルの内筒、11
a・・・・・・ノズルの内筒の噴出孔、12・・・・・
・ノズルの外筒、12a・・・・・・ノズルの外筒の噴
出孔、13・・・・・・キャリヤガス導入孔、14・・
・・・・溝、15・・・・・・キャリヤガス供給孔、1
6・・・・・・反応ガス供給通路、17・・・・・・反
応ガス供給孔。
ノ・ズル部の縦方向断面図であり、第2図は本考案によ
る同反応ガス噴出ノズル部の縦方向断面図である。 1・・・・・・ノズル、2・・・・・・ワークコイル、
3・・・・・・サセプタ、4・・・・・・基台、5・・
・・・・回転軸、7・・・・・・ノズル支持体、8・・
・・・・ブツシュ、9・・・・・・ふた部材、10・・
・・・・ボルト、11・・・・・・ノズルの内筒、11
a・・・・・・ノズルの内筒の噴出孔、12・・・・・
・ノズルの外筒、12a・・・・・・ノズルの外筒の噴
出孔、13・・・・・・キャリヤガス導入孔、14・・
・・・・溝、15・・・・・・キャリヤガス供給孔、1
6・・・・・・反応ガス供給通路、17・・・・・・反
応ガス供給孔。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 基板を保持し所定の反応温度まで加熱する手段と、
前記基板に対して反応ガスを供給するガス噴出ノズルを
内部に収納した反応室を有する気相成長装置において、
少なくともガス噴出孔の近傍に至るまでの部分を、中心
部に反応ガス、周辺部にキャリヤガスを流すようにした
ことを特徴とする気相成長装置におけるガス噴出ノズル
。 2 上端部に夫々ガス噴出孔を有する同心の内外両筒状
部材で構成され、前記内側筒状部材内に反応ガスを、前
記外側筒状部材内にキャリヤガスを流すようにした、実
用新案登録請求の範囲第1項に記載のガス噴出ノズル。 。 3 前記内外両筒状部材の下端部はノズル支持体に装着
されたブツシュと係合し、前記外側筒状部材の下端部は
キャリヤガス導入孔を介して外部供給源と連通し、前記
内側筒状部材の下端部はふた部材に設けた供給通路を介
して外部反応ガス供給源と連通している、実用新案登録
請求の範囲第2項に記載のガス噴出ノズル。 4 前記内外両筒状部材に形成されたガス噴出孔が同じ
高さ位置に設けられている、実用新案登録請求の範囲第
2項に記載のガス噴出ノズル。 5 前記外側筒状部材のガス噴出孔が前記内側筒状部材
のガス噴出孔より高い位置に設けられている実用新案登
録請求の範囲第2項に記載のガス噴出ノズル。 6 前記キャリヤガスが水素ガス、前記反応ガスがジク
ロールシランガスである実用新案登録請求の範囲第1項
に記載のガス噴出ノズル。 7 前記キャリヤガスが水素ガス、前記反応ガスがモノ
シランガスである実用新案登録請求の範囲第1項に記載
のガス噴出ノズル。 8 前記キャリヤガスは水素ガス、前記反応ガスが四塩
化シリコンである、実用新案登録請求の範囲第1項に記
載のガス噴出ノズル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17092683U JPS6079734U (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 気相成長装置におけるガス噴出ノズル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17092683U JPS6079734U (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 気相成長装置におけるガス噴出ノズル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079734U true JPS6079734U (ja) | 1985-06-03 |
| JPH0513003Y2 JPH0513003Y2 (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=30373000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17092683U Granted JPS6079734U (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 気相成長装置におけるガス噴出ノズル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079734U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113419A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-25 | Nec Corp | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5524424A (en) * | 1978-08-09 | 1980-02-21 | Kokusai Electric Co Ltd | Forming device of pressure-reduced epitaxial layer |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP17092683U patent/JPS6079734U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5524424A (en) * | 1978-08-09 | 1980-02-21 | Kokusai Electric Co Ltd | Forming device of pressure-reduced epitaxial layer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113419A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-25 | Nec Corp | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513003Y2 (ja) | 1993-04-06 |
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