JPS6079734U - 気相成長装置におけるガス噴出ノズル - Google Patents

気相成長装置におけるガス噴出ノズル

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JPS6079734U
JPS6079734U JP17092683U JP17092683U JPS6079734U JP S6079734 U JPS6079734 U JP S6079734U JP 17092683 U JP17092683 U JP 17092683U JP 17092683 U JP17092683 U JP 17092683U JP S6079734 U JPS6079734 U JP S6079734U
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JP
Japan
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gas
gas ejection
nozzle according
ejection nozzle
reaction
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JP17092683U
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伸夫 柏木
宮崎 美彦
繁 鈴木
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Shibaura Machine Co Ltd
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Toshiba Machine Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は縦型気相成長装置における従来の反応ガス噴出
ノ・ズル部の縦方向断面図であり、第2図は本考案によ
る同反応ガス噴出ノズル部の縦方向断面図である。 1・・・・・・ノズル、2・・・・・・ワークコイル、
3・・・・・・サセプタ、4・・・・・・基台、5・・
・・・・回転軸、7・・・・・・ノズル支持体、8・・
・・・・ブツシュ、9・・・・・・ふた部材、10・・
・・・・ボルト、11・・・・・・ノズルの内筒、11
a・・・・・・ノズルの内筒の噴出孔、12・・・・・
・ノズルの外筒、12a・・・・・・ノズルの外筒の噴
出孔、13・・・・・・キャリヤガス導入孔、14・・
・・・・溝、15・・・・・・キャリヤガス供給孔、1
6・・・・・・反応ガス供給通路、17・・・・・・反
応ガス供給孔。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 1 基板を保持し所定の反応温度まで加熱する手段と、
    前記基板に対して反応ガスを供給するガス噴出ノズルを
    内部に収納した反応室を有する気相成長装置において、
    少なくともガス噴出孔の近傍に至るまでの部分を、中心
    部に反応ガス、周辺部にキャリヤガスを流すようにした
    ことを特徴とする気相成長装置におけるガス噴出ノズル
    。 2 上端部に夫々ガス噴出孔を有する同心の内外両筒状
    部材で構成され、前記内側筒状部材内に反応ガスを、前
    記外側筒状部材内にキャリヤガスを流すようにした、実
    用新案登録請求の範囲第1項に記載のガス噴出ノズル。   。 3 前記内外両筒状部材の下端部はノズル支持体に装着
    されたブツシュと係合し、前記外側筒状部材の下端部は
    キャリヤガス導入孔を介して外部供給源と連通し、前記
    内側筒状部材の下端部はふた部材に設けた供給通路を介
    して外部反応ガス供給源と連通している、実用新案登録
    請求の範囲第2項に記載のガス噴出ノズル。 4 前記内外両筒状部材に形成されたガス噴出孔が同じ
    高さ位置に設けられている、実用新案登録請求の範囲第
    2項に記載のガス噴出ノズル。 5 前記外側筒状部材のガス噴出孔が前記内側筒状部材
    のガス噴出孔より高い位置に設けられている実用新案登
    録請求の範囲第2項に記載のガス噴出ノズル。 6 前記キャリヤガスが水素ガス、前記反応ガスがジク
    ロールシランガスである実用新案登録請求の範囲第1項
    に記載のガス噴出ノズル。 7 前記キャリヤガスが水素ガス、前記反応ガスがモノ
    シランガスである実用新案登録請求の範囲第1項に記載
    のガス噴出ノズル。 8 前記キャリヤガスは水素ガス、前記反応ガスが四塩
    化シリコンである、実用新案登録請求の範囲第1項に記
    載のガス噴出ノズル。
JP17092683U 1983-11-04 1983-11-04 気相成長装置におけるガス噴出ノズル Granted JPS6079734U (ja)

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JPS6079734U true JPS6079734U (ja) 1985-06-03
JPH0513003Y2 JPH0513003Y2 (ja) 1993-04-06

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62113419A (ja) * 1985-11-12 1987-05-25 Nec Corp 気相エピタキシヤル成長装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5524424A (en) * 1978-08-09 1980-02-21 Kokusai Electric Co Ltd Forming device of pressure-reduced epitaxial layer

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS62113419A (ja) * 1985-11-12 1987-05-25 Nec Corp 気相エピタキシヤル成長装置

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JPH0513003Y2 (ja) 1993-04-06

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