JPS61206677U - - Google Patents

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JPS61206677U
JPS61206677U JP8962485U JP8962485U JPS61206677U JP S61206677 U JPS61206677 U JP S61206677U JP 8962485 U JP8962485 U JP 8962485U JP 8962485 U JP8962485 U JP 8962485U JP S61206677 U JPS61206677 U JP S61206677U
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JP
Japan
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susceptor
shallow
vapor phase
phase growth
growth apparatus
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JP8962485U
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案を適用した気相成長装置の内
部の概略断面図、第2ないし第5図は本考案の一
実施例を示すもので、第2図はサセプタの正面図
、第3図は基板載置部の拡大正面図、第4図は基
板載置部と基板ホルダの拡大断面図、第5図は反
応ガスの流れを示す図、第6図は本考案によらな
い場合の反応ガスの流れを参考的に示す図である
。 1……ベースプレート、2……反応外筒、3…
…上プレート、4……反応内筒、8……サセプタ
、15……浅穴底面、16……浅穴下側側面、1
7,17a,17b……基板、18……浅穴、1
9……溝、A……反応ガスの流れ、B……基板ホ
ルダ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 気相成長装置用サセプタにおいて、複数の半導
    体基板載置用浅穴を設け、反応ガス流の下流にし
    てかつ前記浅穴の外縁部に前記浅穴1個につき1
    個または複数個の溝を有することを特徴とする気
    相成長装置用サセプタ。
JP8962485U 1985-06-14 1985-06-14 Pending JPS61206677U (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8962485U JPS61206677U (ja) 1985-06-14 1985-06-14

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JP8962485U JPS61206677U (ja) 1985-06-14 1985-06-14

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JPS61206677U true JPS61206677U (ja) 1986-12-27

Family

ID=30643876

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JP8962485U Pending JPS61206677U (ja) 1985-06-14 1985-06-14

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