JPS6071137U - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6071137U JPS6071137U JP16172983U JP16172983U JPS6071137U JP S6071137 U JPS6071137 U JP S6071137U JP 16172983 U JP16172983 U JP 16172983U JP 16172983 U JP16172983 U JP 16172983U JP S6071137 U JPS6071137 U JP S6071137U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma cvd
- substrate
- upper electrode
- power source
- frequency power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１゛図はプラズマＣＶＤ装置の構成図、第２図は従来
の上部電極でＡは断面図、Ｂは平面図、第３図は本考案
に係る上部電極でＡは縦断面図、Ｂは横断面図また第４
図は上部電極と基板との位置関係図である。 図において、１は基板、４は上部電極、６は高周波電源
、８はガス導入管、９は噴出口、１０は内側円周部。
の上部電極でＡは断面図、Ｂは平面図、第３図は本考案
に係る上部電極でＡは縦断面図、Ｂは横断面図また第４
図は上部電極と基板との位置関係図である。 図において、１は基板、４は上部電極、６は高周波電源
、８はガス導入管、９は噴出口、１０は内側円周部。
Claims (1)
- ヒータを内蔵すると共に接地された下部電極上に被処理
基板が載置され、これに対向して上部に′ 反応ガス
の噴出口を備えた上部電極が高周波電源に接続されて設
けられているプラズマＣＶＤ装置において、所噺の反応
ガス圧雰囲気中で電界を加えプラズマ化学反応を起こさ
せるのに使用する上部電極が複数個のガス噴出口を中空
円筒状電極の内側円周部に備えて構成さ、れていること
を特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16172983U JPS6071137U (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16172983U JPS6071137U (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6071137U true JPS6071137U (ja) | 1985-05-20 |
Family
ID=30355343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16172983U Pending JPS6071137U (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6071137U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5260570A (en) * | 1975-11-13 | 1977-05-19 | Toshiba Corp | Vapor phase growing device |
| JPS5748226A (en) * | 1980-09-05 | 1982-03-19 | Matsushita Electronics Corp | Plasma processing method and device for the same |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP16172983U patent/JPS6071137U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5260570A (en) * | 1975-11-13 | 1977-05-19 | Toshiba Corp | Vapor phase growing device |
| JPS5748226A (en) * | 1980-09-05 | 1982-03-19 | Matsushita Electronics Corp | Plasma processing method and device for the same |
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