JPS61164026U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61164026U JPS61164026U JP4830185U JP4830185U JPS61164026U JP S61164026 U JPS61164026 U JP S61164026U JP 4830185 U JP4830185 U JP 4830185U JP 4830185 U JP4830185 U JP 4830185U JP S61164026 U JPS61164026 U JP S61164026U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flat plate
- gas introduction
- lower electrode
- plasma etching
- doughnut
- Prior art date
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- Pending
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- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
図面は、本考案の実施例によるプラズマエツチ
ング装置を示す要部図である。 １……下部電極、２……上部電極、３……外周
ガス導入管、４……内周ガス導入管、５……ガス
吹出口、６……半導体ウエハ。
ング装置を示す要部図である。 １……下部電極、２……上部電極、３……外周
ガス導入管、４……内周ガス導入管、５……ガス
吹出口、６……半導体ウエハ。
補正 昭６０．８．２２
図面の簡単な説明を次のように補正する。
明細書第４頁第７行目の「図面は、」を「第１
図は、」と補正します。
図は、」と補正します。
Claims (1)
- 被処理体を保持するとともに下部電極を構成す
る平板の形状をドーナツ状とし同平板の内周側お
よび外周側に、それぞれ、ガス吹出口を分散配設
したガス導入管を設置したことを特徴とするプラ
ズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4830185U JPS61164026U (ja) | 1985-04-01 | 1985-04-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4830185U JPS61164026U (ja) | 1985-04-01 | 1985-04-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61164026U true JPS61164026U (ja) | 1986-10-11 |
Family
ID=30564429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4830185U Pending JPS61164026U (ja) | 1985-04-01 | 1985-04-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61164026U (ja) |
-
1985
- 1985-04-01 JP JP4830185U patent/JPS61164026U/ja active Pending
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