JPS6070879A - 固体撮像素子の欠陥補償回路 - Google Patents
固体撮像素子の欠陥補償回路Info
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- JPS6070879A JPS6070879A JP58181706A JP18170683A JPS6070879A JP S6070879 A JPS6070879 A JP S6070879A JP 58181706 A JP58181706 A JP 58181706A JP 18170683 A JP18170683 A JP 18170683A JP S6070879 A JPS6070879 A JP S6070879A
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 49
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 29
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 241000282330 Procyon lotor Species 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000004793 poor memory Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は固体撮像素子の欠陥？ｌＩｉσｉ： １Ｉｌｆ
１８＋こ関するものである。
１８＋こ関するものである。
〈従来技術〉
ＣＣＤ等を用いた固体撮像素子は無欠陥な素子を製造す
るのが困難であり、製造歩留りが悪いことか問題となっ
ている。そのため電気的な回路を伺加して欠陥部４を行
ない、数点の欠陥を含む素子を実用レベルにし、実質的
な歩留りを向上させる方法か種々考案されている。それ
らの方法の１つ０こ欠陥位置をあらかじめメモリに記憶
させておき、欠陥点のテークを近接する正常点のテーク
に置換するという補正方法かあるっ 第１図１こ従来の欠陥補償装置の１例を示ｔ１、ｌは固
体撮像素子、２は遅延回路、３はアナロクスイッチ、４
は固体撮像素子の欠陥位置情報を記憶するメモリ、５は
メモリ４のアドレスをｄ１数するカウンタ、６は画素の
位置を計数するカウンタ、７は各回路の制御信号を与え
るパルス発生器である。メモリ４１こは、基準点から１
番目の欠陥点まで何りロック離れているかの情報１１
と、０番め以降の欠陥点がｎ−１番めの欠陥点から何り
ロック離れているかの情報Ｉｎ（ｎ≧２）か記憶されて
いる。固体撮像素子ｌより１画面出力されることにアド
レスカウンタ５がＯにリセットされ、メモリ４の先頭に
記憶された情報１１が読み出されてカウンタ６にロード
される。カウンタ６は固体撮像素子１の転送りロックに
同期したパルス発生器７から出力されるクロ・７りφ５
ｉこより減算される。カウンタ６に転送された情報■１
の値は、固体撮像素子１か１番めの欠陥点のデータを出
力する時に丁度カウンタ６かＱｌこなり、補正パルスＴ
カ出力される関係に設定される。このようにして欠陥点
のデータに同期した補正パルスＴが出力される。補正パ
ルスＴはアナログスイッチ３に与えられて接点の切換え
を制御し、欠陥データか検出された画素は遅延回路２を
とおった近接点の正常なデータに置換される。。
るのが困難であり、製造歩留りが悪いことか問題となっ
ている。そのため電気的な回路を伺加して欠陥部４を行
ない、数点の欠陥を含む素子を実用レベルにし、実質的
な歩留りを向上させる方法か種々考案されている。それ
らの方法の１つ０こ欠陥位置をあらかじめメモリに記憶
させておき、欠陥点のテークを近接する正常点のテーク
に置換するという補正方法かあるっ 第１図１こ従来の欠陥補償装置の１例を示ｔ１、ｌは固
体撮像素子、２は遅延回路、３はアナロクスイッチ、４
は固体撮像素子の欠陥位置情報を記憶するメモリ、５は
メモリ４のアドレスをｄ１数するカウンタ、６は画素の
位置を計数するカウンタ、７は各回路の制御信号を与え
るパルス発生器である。メモリ４１こは、基準点から１
番目の欠陥点まで何りロック離れているかの情報１１
と、０番め以降の欠陥点がｎ−１番めの欠陥点から何り
ロック離れているかの情報Ｉｎ（ｎ≧２）か記憶されて
いる。固体撮像素子ｌより１画面出力されることにアド
レスカウンタ５がＯにリセットされ、メモリ４の先頭に
記憶された情報１１が読み出されてカウンタ６にロード
される。カウンタ６は固体撮像素子１の転送りロックに
同期したパルス発生器７から出力されるクロ・７りφ５
ｉこより減算される。カウンタ６に転送された情報■１
の値は、固体撮像素子１か１番めの欠陥点のデータを出
力する時に丁度カウンタ６かＱｌこなり、補正パルスＴ
カ出力される関係に設定される。このようにして欠陥点
のデータに同期した補正パルスＴが出力される。補正パ
ルスＴはアナログスイッチ３に与えられて接点の切換え
を制御し、欠陥データか検出された画素は遅延回路２を
とおった近接点の正常なデータに置換される。。
第２図にアナログスイッチ３の入力Ｓｏ、Ｓ。
と出力信号Ｓ２を示す。Ｓｏか固定撮像素子からの直接
の信号、Ｓ、が遅延回路２の出力信号、Ｔが補償パルス
、Ｓ２がアナログスイッチ３の出力信号で、欠陥補償か
なされた結果である。画素位置カウンタ６から補正パル
スＴが出力されるとアドレスカウンタ５は１つ加算さノ
１１、メモリ４に記憶された情報１□かカウンタ６１こ
ロートされる。
の信号、Ｓ、が遅延回路２の出力信号、Ｔが補償パルス
、Ｓ２がアナログスイッチ３の出力信号で、欠陥補償か
なされた結果である。画素位置カウンタ６から補正パル
スＴが出力されるとアドレスカウンタ５は１つ加算さノ
１１、メモリ４に記憶された情報１□かカウンタ６１こ
ロートされる。
続いて−Ｆ記動作と同様にカウンタ６かφｓｃこより減
算され、Ｏになった暗部正パルス′Ｆか出力される。Ｊ
２１、上のくりかえしにより、メモリ４に記憶された情
報に従い欠陥補償が行なわれる。。
算され、Ｏになった暗部正パルス′Ｆか出力される。Ｊ
２１、上のくりかえしにより、メモリ４に記憶された情
報に従い欠陥補償が行なわれる。。
ところてこのような欠陥補償方式で欠陥位置を記憶する
のに必要な情ｓｉは、固定撮像素子の分解能を縦５００
×横４００程度とすると。
のに必要な情ｓｉは、固定撮像素子の分解能を縦５００
×横４００程度とすると。
５００Ｘ４００＝２０００００となり、２１７＜２００
０００＜ ２１８であるので、１四山ｊの位置情報を記
憶するためには１Ｂヒツト必要である。ところが、現在
市場にあるメモリは８ヒ・ット構成が主体であり、これ
を使用すれば、１８ヒツトを記憶するために８×３の２
４ビツト使用すること１こなり、メモリの記憶効率が悪
くなる。またビ・７ト数か２４ビツトに増えることによ
り回路が複雑化し、欠陥補償回路を安価に構成する妨け
となっていた。
０００＜ ２１８であるので、１四山ｊの位置情報を記
憶するためには１Ｂヒツト必要である。ところが、現在
市場にあるメモリは８ヒ・ット構成が主体であり、これ
を使用すれば、１８ヒツトを記憶するために８×３の２
４ビツト使用すること１こなり、メモリの記憶効率が悪
くなる。またビ・７ト数か２４ビツトに増えることによ
り回路が複雑化し、欠陥補償回路を安価に構成する妨け
となっていた。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来の欠陥補償回路の欠点を除去し、メモ
リの利用効率を高めて、入手容易なより少ないビット数
のメモリ例えば１６ビツトで位置情報を記憶させ得る固
体撮像素子の欠陥補償回路を提供する。
リの利用効率を高めて、入手容易なより少ないビット数
のメモリ例えば１６ビツトで位置情報を記憶させ得る固
体撮像素子の欠陥補償回路を提供する。
〈実施例〉
まず第３図［ａｌ（ｂ）は奇数フィールド、偶数フィー
ルドを示す固体撮像素子のインクレース方式による走査
の様子を示したもので、図中Ａが実際の表示期間、Ｂが
水平帰線期間、Ｃが垂直帰線期間にあたる。
ルドを示す固体撮像素子のインクレース方式による走査
の様子を示したもので、図中Ａが実際の表示期間、Ｂが
水平帰線期間、Ｃが垂直帰線期間にあたる。
第４図は固体撮像素子の１フレーム中の基本クロックパ
ルスを示したものである。ｊＡ Ｊ９］ 間内のパルス
が転送り口・ツタに相当し、このパルスに同期して画像
情報か送出され、水平帰線期間Ｂと垂直帰線期間Ｃ間で
は画像情報は送出されない。ここでメモリ領域の効率的
な利用を図って欠陥位置情報を記憶させるために、第４
図のように基本クロックパルスに先頭から番号をイ・」
す、最初の欠陥位置（まそのパルス番号を記′１Δし、
］１を２以上の数としてｎ番目の欠陥位置はそのパルス
とｎ−１８めの欠陥に対応するパルスとの間に存在する
パルスの数によって相対距離を記憶させる。この相対距
離がとりつる最大の値はｌフレームに含まれるパルス数
程度であり、その数Ｎは縦５００横４００の分解能を持
つ固体撮（象素子ては２１７＜ Ｎ ＜ ２”である。
ルスを示したものである。ｊＡ Ｊ９］ 間内のパルス
が転送り口・ツタに相当し、このパルスに同期して画像
情報か送出され、水平帰線期間Ｂと垂直帰線期間Ｃ間で
は画像情報は送出されない。ここでメモリ領域の効率的
な利用を図って欠陥位置情報を記憶させるために、第４
図のように基本クロックパルスに先頭から番号をイ・」
す、最初の欠陥位置（まそのパルス番号を記′１Δし、
］１を２以上の数としてｎ番目の欠陥位置はそのパルス
とｎ−１８めの欠陥に対応するパルスとの間に存在する
パルスの数によって相対距離を記憶させる。この相対距
離がとりつる最大の値はｌフレームに含まれるパルス数
程度であり、その数Ｎは縦５００横４００の分解能を持
つ固体撮（象素子ては２１７＜ Ｎ ＜ ２”である。
このように相対距離は１６ヒソトては表現てきない場合
がありうる。この場合に対処するため実際の欠陥と欠陥
の間に予め仮の欠陥を数点設定し、欠陥点と欠陥点との
相対側１ｉｊｌｊをオペて２］６未満とする。即ち８ビ
ツトの整数倍て且っより少ない容量内で記憶させる。
がありうる。この場合に対処するため実際の欠陥と欠陥
の間に予め仮の欠陥を数点設定し、欠陥点と欠陥点との
相対側１ｉｊｌｊをオペて２］６未満とする。即ち８ビ
ツトの整数倍て且っより少ない容量内で記憶させる。
また、補償回路を簡略化するためには５上記設定された
仮の欠陥は実際の欠陥とＩＸ別せず同名に扱う方か都合
かよい。ところか仮の欠陥点にも補償を行なえば画像に
よってその点に補償誤差か生するという問題がある。
仮の欠陥は実際の欠陥とＩＸ別せず同名に扱う方か都合
かよい。ところか仮の欠陥点にも補償を行なえば画像に
よってその点に補償誤差か生するという問題がある。
そのたぬ木実施例では、上記仮の欠陥点を表示に関係な
い水平帰線期間Ｂ内の点に設定する。即ち欠陥点の位置
情報をパルスの相対位置を使用して記憶させ、もしその
情報量か１６ビツトを越える場合は欠陥点の間の適当な
水平帰線期間内の数点を仮の欠陥点として記憶させるこ
とにより、各欠陥点間の相対距離を、２１６未満にする
。仮の欠陥点をどの水平帰線期間のどのパルスに設定す
るかは何通りにも設定できるが、とのように選ぶかは木
質的な問題ではない。また必要な仮の欠陥数は２１８÷
２１６−４であるから、最大４〜５点設定すればよくメ
モリの容量に影響を与えるものではない。
い水平帰線期間Ｂ内の点に設定する。即ち欠陥点の位置
情報をパルスの相対位置を使用して記憶させ、もしその
情報量か１６ビツトを越える場合は欠陥点の間の適当な
水平帰線期間内の数点を仮の欠陥点として記憶させるこ
とにより、各欠陥点間の相対距離を、２１６未満にする
。仮の欠陥点をどの水平帰線期間のどのパルスに設定す
るかは何通りにも設定できるが、とのように選ぶかは木
質的な問題ではない。また必要な仮の欠陥数は２１８÷
２１６−４であるから、最大４〜５点設定すればよくメ
モリの容量に影響を与えるものではない。
以−りの説明は２番目り、降の欠陥位置とその１つ前の
欠陥位置との相対距離に関して述べたが、１番目の欠陥
位置か２１６個以上のパルスを計数した位置に存在する
場合でも、同様の考え方で１番めの欠陥より前に仮の欠
陥点を数点設定することにより、欠陥位置を１６ヒツト
で表現することかできる。第５図は実際の欠陥点かＡ１
とＡ２である撮像素子について水平帰線期間Ｂ内にＢ
、、Ｂ２゜Ｂ３の仮の欠陥点を設定することにより各欠
陥点の相対距離を２１６未満にてきることを示す。
欠陥位置との相対距離に関して述べたが、１番目の欠陥
位置か２１６個以上のパルスを計数した位置に存在する
場合でも、同様の考え方で１番めの欠陥より前に仮の欠
陥点を数点設定することにより、欠陥位置を１６ヒツト
で表現することかできる。第５図は実際の欠陥点かＡ１
とＡ２である撮像素子について水平帰線期間Ｂ内にＢ
、、Ｂ２゜Ｂ３の仮の欠陥点を設定することにより各欠
陥点の相対距離を２１６未満にてきることを示す。
第６図に木発明の一実施例の回路ブロック図を示す。図
中メモリを除く他の構成は第１図と同して説明を略する
。メモＩＪ ８１こは実際の欠陥点と上述のように表示
に関係のない期間を選んで与えた仮の欠陥点の位置を与
える】６ビ・ットの情報か記憶されている。
中メモリを除く他の構成は第１図と同して説明を略する
。メモＩＪ ８１こは実際の欠陥点と上述のように表示
に関係のない期間を選んで与えた仮の欠陥点の位置を与
える】６ビ・ットの情報か記憶されている。
まず固体撮像素子ｌより１画面か出力されることにアド
レスカウンタ５はＯにリセットされ、メモリ８の先頭に
記憶された１６ビソトの情報１１′がカウンタ６にロー
ドされる。欠に固定撮像素子工の基本クロックφにより
カウンタ６はσｋｎされる。１１′の値は最初の欠陥点
もしくは、仮の欠陥点のパルス位置で、カウンタ６かＯ
になり補正パルスＴが出力される値にあらかしめ設定さ
れる。
レスカウンタ５はＯにリセットされ、メモリ８の先頭に
記憶された１６ビソトの情報１１′がカウンタ６にロー
ドされる。欠に固定撮像素子工の基本クロックφにより
カウンタ６はσｋｎされる。１１′の値は最初の欠陥点
もしくは、仮の欠陥点のパルス位置で、カウンタ６かＯ
になり補正パルスＴが出力される値にあらかしめ設定さ
れる。
補正パルスＴの制御によりアナロクスイッチ３が切換え
られ、固体撮像素子１の出力は遅延回路２をとおった近
接点のデータに置換される。ここで実際の欠陥点てあれ
ば第２図のように欠陥の補償が行なわれる。また仮の欠
陥点てあれば同じくデータの置換が行なわれるが、仮の
欠陥点は水平帰線期間Ｂ内の点に選んでいるため表示に
はなんら影響を与えない。補正パルスＴが出力されると
アドレスカウンタ５は１つ加算され、メモリ８に記憶さ
れた１６ビツトの情報１２′がカウンタ６にロードされ
る１１以上のくりかえしてカウンタ６がφにより減算さ
れ、内容か０になった時次の補正パルスＴか出力される
。
られ、固体撮像素子１の出力は遅延回路２をとおった近
接点のデータに置換される。ここで実際の欠陥点てあれ
ば第２図のように欠陥の補償が行なわれる。また仮の欠
陥点てあれば同じくデータの置換が行なわれるが、仮の
欠陥点は水平帰線期間Ｂ内の点に選んでいるため表示に
はなんら影響を与えない。補正パルスＴが出力されると
アドレスカウンタ５は１つ加算され、メモリ８に記憶さ
れた１６ビツトの情報１２′がカウンタ６にロードされ
る１１以上のくりかえしてカウンタ６がφにより減算さ
れ、内容か０になった時次の補正パルスＴか出力される
。
以上の説明から明らかなように本発明では固体撮像素子
の基本クロックパルスのうち１表示が行なわれない期間
の適当な点を仮の欠陥点としてメモリに記憶させること
により欠陥点と欠陥点との間に間隔を２１６未満等の所
定の値未満にし、またその間隔の値をメモリに記憶させ
て、その情報に従って欠陥補償□を行なうことにより仮
の欠陥点をもうけない従来の方式と同等の補償効果を得
ることができる。本発明の方式を用いれは欠陥点の位置
情報が１６ビツトで与えられ、るので、現在主流の８ビ
ツト構成のメモリを有効に利用することかできる。
の基本クロックパルスのうち１表示が行なわれない期間
の適当な点を仮の欠陥点としてメモリに記憶させること
により欠陥点と欠陥点との間に間隔を２１６未満等の所
定の値未満にし、またその間隔の値をメモリに記憶させ
て、その情報に従って欠陥補償□を行なうことにより仮
の欠陥点をもうけない従来の方式と同等の補償効果を得
ることができる。本発明の方式を用いれは欠陥点の位置
情報が１６ビツトで与えられ、るので、現在主流の８ビ
ツト構成のメモリを有効に利用することかできる。
く効 果〉
以上本発明によれば、欠陥点の位置をメモリに効率よく
記憶させることができ５人手が容易なメモリを用いて比
較的大画素数の固体撮像素子についても、欠陥の補償回
路を従来の方法に比して安価に構成でき、実用価値の高
い袖（賞回路を得ることかできる。
記憶させることができ５人手が容易なメモリを用いて比
較的大画素数の固体撮像素子についても、欠陥の補償回
路を従来の方法に比して安価に構成でき、実用価値の高
い袖（賞回路を得ることかできる。
第１図は従来装置のブロック図、第２図は欠陥補償動作
を説明するための波形図、第３図はインクレース方式の
走査を示す図、第４図及び第５図は本発明の一実施例を
説明するための画素走葺と欠陥画素との関係図、第６図
は木発明による一実施例のブロック図である。。 ｌ：固定撮像素子、３：アナログスイノチ。 ５ニアドレスカウンタ、６：カウンタ、７．パルス発生
器、８：メモリ。
を説明するための波形図、第３図はインクレース方式の
走査を示す図、第４図及び第５図は本発明の一実施例を
説明するための画素走葺と欠陥画素との関係図、第６図
は木発明による一実施例のブロック図である。。 ｌ：固定撮像素子、３：アナログスイノチ。 ５ニアドレスカウンタ、６：カウンタ、７．パルス発生
器、８：メモリ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）複数の撮像素子を配列してなる固体撮像素子と、固
体撮像素子の欠陥位置を記憶するメモリを備え、メモリ
からの読み出し信号によって欠陥部分を補償してなる回
路において、メモリに記憶する位置情報は隣接する欠陥
の間隔によって与えられ、該間隔が所定のビット数以上
である欠陥位置は、上記隣接する欠陥間に位置し、且つ
画面に表示されない点を予め設定して照点の位置情報を
メモリに記憶させ、照点の位置を欠陥位置として欠陥位
置情報を形成し、該情報をメモリに記憶させてなる固体
撮像素子の欠陥補償回路５． ２）前記固体撮像素子は撮像素子数Ｎ（２１＜Ｎく２
）からなり、８ｍ＜ｉ＜８（ｍ＋りとすると欠陥を記憶
する上記メモリは最大８ｍピントからなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の固体撮像素子の欠陥部
１賞回路２．
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181706A JPS6070879A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 固体撮像素子の欠陥補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181706A JPS6070879A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 固体撮像素子の欠陥補償回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070879A true JPS6070879A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0129475B2 JPH0129475B2 (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=16105429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181706A Granted JPS6070879A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 固体撮像素子の欠陥補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070879A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7301571B2 (en) | 2003-01-17 | 2007-11-27 | Fujifilm Corporation | Method and imaging apparatus for correcting defective pixel of solid-state image sensor, and method for creating pixel information |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394117A (en) * | 1977-01-28 | 1978-08-17 | Sony Corp | Noise elimination circuit for solid state pickup device |
| JPS574862U (ja) * | 1980-06-10 | 1982-01-11 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149187A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Derukon Kk | Apparatus for measurimg and inddicating slump value in batcher plant |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP58181706A patent/JPS6070879A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394117A (en) * | 1977-01-28 | 1978-08-17 | Sony Corp | Noise elimination circuit for solid state pickup device |
| JPS574862U (ja) * | 1980-06-10 | 1982-01-11 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7301571B2 (en) | 2003-01-17 | 2007-11-27 | Fujifilm Corporation | Method and imaging apparatus for correcting defective pixel of solid-state image sensor, and method for creating pixel information |
| US7872680B2 (en) | 2003-01-17 | 2011-01-18 | Fujifilm Corporation | Method and imaging apparatus for correcting defective pixel of solid-state image sensor, and method for creating pixel information |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0129475B2 (ja) | 1989-06-12 |
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