JPS6070721A - ラテラルエピタキシャル成長方法 - Google Patents
ラテラルエピタキシャル成長方法Info
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- JPS6070721A JPS6070721A JP58176902A JP17690283A JPS6070721A JP S6070721 A JPS6070721 A JP S6070721A JP 58176902 A JP58176902 A JP 58176902A JP 17690283 A JP17690283 A JP 17690283A JP S6070721 A JPS6070721 A JP S6070721A
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- JP
- Japan
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- sio2
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- single crystal
- region
- silicon layer
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H10P14/3802—
-
- H10P14/3814—
-
- H10P14/2905—
-
- H10P14/3238—
-
- H10P14/3244—
-
- H10P14/3411—
-
- H10P14/3458—
-
- H10P14/382—
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176902A JPS6070721A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | ラテラルエピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176902A JPS6070721A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | ラテラルエピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070721A true JPS6070721A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0377654B2 JPH0377654B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1991-12-11 |
Family
ID=16021749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176902A Granted JPS6070721A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | ラテラルエピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070721A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP58176902A patent/JPS6070721A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0377654B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1991-12-11 |
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