JPS6069057A - 純枠なアジピン酸モノエステルの製法 - Google Patents

純枠なアジピン酸モノエステルの製法

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JPS6069057A
JPS6069057A JP59144533A JP14453384A JPS6069057A JP S6069057 A JPS6069057 A JP S6069057A JP 59144533 A JP59144533 A JP 59144533A JP 14453384 A JP14453384 A JP 14453384A JP S6069057 A JPS6069057 A JP S6069057A
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acid monoester
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ヴオルフガング、リヒター
ヴアルター、デイステルドルフ
ルドルフ、クマー
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C67/00Preparation of carboxylic acid esters
    • C07C67/39Preparation of carboxylic acid esters by oxidation of groups which are precursors for the acid moiety of the ester

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  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、純粋なアジピンはモノエステルの製法に関す
る。
従来技術 従来公知の純粋なアジピン酸モノエステルの製法におい
ては、アジピン酸から出先しかつエステル化をモノエバ
チル段階で中断させようとした。
米国特r!F第4,314,071号明細薔から公知の
1紙では、アジピン酸をアルコールで水溶液中で触媒と
しての硫酸の存在下にエステル化する、この際モノエス
テルを生成するにつれ直ちに無価性浴削で抽出する。該
反応は5日間以内実施され、このことは者しい時間的浪
費を意味する。更に、抽出物から96%の純度を荷する
にすぎないアジピン酸モノエステルが得られ、より純粋
なアジピン酸モノエステルを達成するためには、複雑な
後処理が必要である。
ドイツ連邦共相国特許出願公開第2404359号明細
書に記載された方法も、アジピン酸から出発しかつ該ア
ジピン酸をアルコールでアジピン酸1モル当り水少なく
とも1モルの存在下にエステル化している。この場合の
アジピン酸モノエステルの収率はなお満足されない、そ
れというのも副住成物として著しい門のアジピンはジエ
ステルが得られるからである。純粋なアジピン酸モノエ
ステルを得るためには、アジピン酸ジエステルは高い費
用をかけて分離しなければならない。
発明が解決しようとする問題点 従って、本発明の技術的課題は、アジピン酸モノエステ
ルを高い収率及び尚い純度で製造することであった。
問題点を解決するための手段 前記課題は、純粋なアジピン酸モジエステルヲ製造する
方法において1 、) ペンテン酸エステルと−は化炭素及び水素とを9
0〜140℃の温度で5〜300°バールの圧力下にコ
バルト又は口7ウムのカルボニル錯体の存在下に反応さ
せかつ5−ホルミルバレリアン酸エステルを分離しかつ り こうして得られた5−ホルミルバレリア/酸エステ
ルを分子酸素又は分子酸素を包有するガスで20〜10
0℃の温度で1〜10バールの圧力下に酸化させる ことにより解決される。
発明の効果 本発明の新規方法は、尚い収率で進行しかつ299−の
純度を有するアンピンばモノエステルを生by、すると
いう利点を有する。
作用 出兄化曾慄としては、ペンテン酸エステル、例えば1〜
12個の炭素原子を+J′するアルキル基、5〜12個
の炭素原子を有するシクロアルキルエステル、7〜9個
の炭素原子を有するアルカリルエステル又はフェニルエ
ステルを使用する。ペンテン酸アルキルエステル、狩に
1〜4個の炭素原子を有するアルカノールから誘導され
るものを使用するのが有利である。有利なペンテン酸エ
ステルは、例工ば4−ペンテン醒メチルエステル、4−
ペンテン酸エテルエステル、3−ペンテン酸フロビルエ
ステル、3−ペンテン酸プナルエステル、4−ペンテン
醒オクチルエステル、3−ぺ/テン酸シクロヘキソルエ
ステル、4−ペンテン赦ベンジルエステルスは3−ペン
テン酸フェニルエステルである。
反応のためには、−m化炭素と水素の混合物を使用する
。好ましくは混合物は一酸化炭素と水素を10 : 9
0〜50 : 50のモル比で含有する。特に10 :
 40の一酸化炭素と水素とのモル比の混合物が袴に有
利であることが立証された。
ヒドロホルミル化の際には、90〜140℃の温度を便
んしかつロジウムカルボニル錯体を使用する際には10
0〜120℃のra度を使用するのが有利である。更に
、5〜300バールの圧力、ロジウムカルボニル錯体を
使用する除にはイq刊には5〜20バールの圧力を保持
すべきである。
ヒドロホルミル化触媒としては、ロジウム又はコバルト
のカルボニル錯体を使用1−ル。カルボニル錯体は反応
前に製造づ−ることもできるが、有利にはそり場でロジ
ウム又はコバルトの塩、例えはそれらの脂肪酸塩例えば
酢酸コバルト又は酢酸ロジウムから形成させることがで
きる。口/ラム−又はコバルトカルボニル錯体は付加的
に第三級ホスフィン又は第三級ホスフィツトによって変
性されているのが好ましい。適当であるのは、例えば第
三級アルキルホスフィン及びアリールホスフィン並びに
第三級アルキル−及びアリールホスフィツトである。こ
の礪6、トリフェニルホスフィン、+tSさ、れたトリ
アリールホスフィン例えばトリトリルホスフィン、アル
キルジアリールホスフィ/例えばヘキシルジフェニルホ
スフィンを使用丁0のが竹イリである〇 ロジウム腹皮は金−として8f昇して反応重台すに対し
て有利には50〜500 ppmである。ロジウムのカ
ルボニル錯体を前記ホスフィン又はホスフィツトで変性
するのが特に有利である。ホスフィン又はホスフィツト
はロジウムに対して3〜100倍モル過剰で使用するの
が好ましい。
コバルトカルボニル触媒を使用する場合には、特に例え
ば直接的にブタジェンと−は化炭素及びアルカノールと
をコバルトカルボニル錯体の存在下に反応させる除に生
成するような3−ペンテン敞エステルをヒドロホルミル
化のために使用する除には、ホスフィン及びホスフィツ
トによる変性を行なわな(ともよい。こうして得られた
反応混合物は有利にコバルトカルボニル触媒で別のm 
71111物を用いず100〜140℃の温度及び15
0〜200バールの圧力でヒドロホルミル化することが
できる。
また、溶剤例えば液状芳香族炭化水素例えばトルエン又
はキシレン、史にカルボン酸エステル例えばI’llエ
ステル、酪酸エステル又はバレリア/鍍エステル並びに
反応の原に自体で生成するような筒那点の稲曾生成物を
使用することも可カビである。
ペンテンエステルのヒドロホルミル化の際に得られる反
応混合物は、未反応ペンテンばエステル、共用された触
媒、有価生成物として生成した5−ホルミルバレリアン
酸エステル並びに副生成物例えば4−ホルミルバレリア
ン酸エステル、バレリ77Mエステル、ヒドロキシカプ
ロンはエステル及び筒沸点の網台生成物を含有する。こ
れらの反応低−8′物から、反応生成物をまず触媒から
例えば蒸留叉は抽出によって分離しかつ仄いで分留によ
り単能する。こうして得られた5−ホルミルバレリアン
赦エステルを第2工程で酸化のために使用する。
5−ホルミルバレリアン酸エステルの酸化は、20〜1
00℃の温度でかつ1〜10バールの圧力下に分子酸素
又は分子酸素を言刊するガスを用いて実施する。この場
合には、50〜?30Cの温度ぞ抹狩1−るのが好よし
い0分子ば系馨言仔するガスは、例えば80谷夏%まで
牛7占性ガス例えば窒素、二は化炭素又は希ガスを含有
することかでざる。酸化は一般に触媒不在で進行する。
しかし、酸化はアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化カ
リウム又は水酸化ナトリウム等の触媒を0.001〜0
.5重量%の童で、又はコバルト又はマンガンの金属塩
、例えば師酸コバルト又は酢酸マンガン等の触媒を合端
として耐昇して0.001〜0.1重蓋%、有利には0
.02〜0.08厘童−の霊で硝加することにより付加
的に促進させることもできる。
こうして得られた反応混合物を蒸留することにより、ジ
エステル及びアジピン戚不含でありかつ高沸点の成分を
含有しないアンピン酸モノエステルが得られる。
本発明の万臥に基づいて得られるアンピン酸モノエステ
ルは、コルベ(Kolbe ) 8成に基ツキセバシン
ばエステルを製這するために過当である。
次に矢施例により不発明方欣を詳細に説明する。
実施例 容積2tの尚比容器内で、4−ペンテン鍍メチルエステ
ル342 f (3モル)を富有するヘンテン酸メチル
エステル混合吻360fT?r:)ルエン60(J m
A中に溶かす。触媒として、錯化合物HRhCOL3(
i。
=トリフェニルホスフィンンの形のトリフェニルホスフ
ィン 70.2 F (21ミリモル)及びロジウム1
0811g(1,04ミリモルンを加える。該反応混合
物を110℃如加熱しかつ次いで木葉80モルチと−酸
化炭素20モル係の混合物と一緒に8バールの圧力に調
整する。反応中に圧力が7バ一ル未満に低下すると、圧
力を水素と一酸化炭素の当モル量混合物を後圧縮するこ
とにより8バールに調整する。
2時間の反応時間俊、反応を中断しかつ反応混合物を蒸
留によって俊処理する。この場合、未反応ペンテン酸メ
チルニスfル81.3f(18,5%)ハレリアンばメ
チルエステル 9.IQ 2.6%ノ4−ホルミルバレ
リアンはメチルエステル 26.8Q 6.2%)5−
ホルミルバレリアンばメチルエステル 310.2Q7
1.8%ンヒドロキシカプロンばメチルエステル 2.
2r((1,5%〕嶋沸点の網台生成物 17F(0,
4卸が得られる。
ヒドロホルミル化の収率ば71.8%、5−ホルミルバ
リレアンぼエステルに対する選択率は88.1チである
前記で得られた5−ホルミルバレリアン酸メチルエステ
ル288 F (2モルンを尿酸内で常圧(1バール)
及び50℃の温度で酸素を導入することにより6時間酸
化する。この鍮せ、〉99%の反応率が達成される。得
られた反応混合物を光填塔内で2ミリバール及び126
℃の温度で蒸留する。〉99%の純度のアンビン醒モノ
メチルエステル3071が得られる。ば化の収¥は95
.9%である。
特許出願人 パスフ アクチェ/ゲゼルシャフト代理人
弁理士田代魚治 第1頁の続き Qlnt、C1,’ 識別記号 庁1 ; 」整理番号 4H ′連邦共和国、6710、フランケンタール、クロイツ
シLトラーセ、6

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1) N枠なアジピン酸モノエステルを製造する方法
    において、 a)ペンテン緻エステルと一酸化炭来及び水素とを90
    〜140℃の温度で5〜300バールの圧力下にコバル
    ト又はロジウムのカルボニル錯体の存在下に反応させか
    っ5−ホルミルバレリアン酸エステルを0Nffiしか
    つ り こうして得られた5−ホルミルバレリアン酸エステ
    ルを分子販累又は分子ば累を倉荷するガスで20〜10
    0℃の確度で1〜10バールの圧力下にば化させる ことを籍蒙とする純粋なアジピン酸モノエステルの製法
    。 <2)3−Rび/又は4−ペンテンIC+−4−アルキ
    ルエステルを特徴する特許請求の範囲第1項記瓢の方法
    。 (3)第三級ホスフィン又は第三級ホスフィツトで変性
    されたロンラムカルボニル錯体な触媒とし″て使用する
    、特許請求の範囲第1項又は第2項記載の方法。 (4) 3−ペンテン緻エステルをコバルトカルボニル
    錯体の存在下に反応させる、特許請求の範囲第1項から
    第3.!Jtりいずれか1項に記載の方法。
JP59144533A 1983-07-14 1984-07-13 純枠なアジピン酸モノエステルの製法 Granted JPS6069057A (ja)

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CA1237443A (en) 1988-05-31
JPH0380144B2 (ja) 1991-12-24
US4537987A (en) 1985-08-27
EP0131860B1 (de) 1987-05-20
EP0131860A2 (de) 1985-01-23
EP0131860A3 (en) 1985-11-06

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