JPS6068626A - 半導体スライス処理装置 - Google Patents
半導体スライス処理装置Info
- Publication number
- JPS6068626A JPS6068626A JP17729583A JP17729583A JPS6068626A JP S6068626 A JPS6068626 A JP S6068626A JP 17729583 A JP17729583 A JP 17729583A JP 17729583 A JP17729583 A JP 17729583A JP S6068626 A JPS6068626 A JP S6068626A
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- JP
- Japan
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- semiconductor slice
- head
- electrode
- semiconductor
- slice
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＬＳＩ製造工程における半導体スライスの表
面処理に用いる処理装置に関するものである。
面処理に用いる処理装置に関するものである。
従来この種の装置は半導体スライスの裏面を真空ポンプ
によって吸着し、同時に半導体スライスと電極とを接触
させ、処理水を噴水ヘッドから噴出させて半導体スライ
ス表面を処理するか、あるいは半導体スライス裏面を電
極に接触させてＯＩＪングを介して真空ポンプで吸着さ
せ、これを処理液中に浸漬させて半導体スライス表面を
処理するのが一般的であった。と′ころが、いずれの場
合にも真空ポンプによる吸着方式を採用しているため、
一旦処理液が半導体スライスの裏面へまわり込む現象が
発生すると、真空ポンプ等の内部に処理液が浸入し、内
部の腐食が発生して装置故障の原因となり、また噴水ヘ
ッド方式においては、噴出する処理液中に液循環中に発
生した気泡が含まれ、半導体スライスめ処理分布にも影
響をおよぼすという欠点があった・ 本発明は上記欠点を除去するもので、真空ポンプ等によ
る半導体スライスの吸着保持機構に代えてねし結合され
たインナーヘッドとアウターヘッドとによシ半導体スラ
イスを保持し、さらに電極と半導体スライスとの接触を
確実、均一に行ない、かつまた噴水ヘッドを使用せずに
半導体スライスの表面処理を行なうようにしたことを特
徴とするものであシ、以下図面に従って本発明の一実施
例を詳細に説明する。
によって吸着し、同時に半導体スライスと電極とを接触
させ、処理水を噴水ヘッドから噴出させて半導体スライ
ス表面を処理するか、あるいは半導体スライス裏面を電
極に接触させてＯＩＪングを介して真空ポンプで吸着さ
せ、これを処理液中に浸漬させて半導体スライス表面を
処理するのが一般的であった。と′ころが、いずれの場
合にも真空ポンプによる吸着方式を採用しているため、
一旦処理液が半導体スライスの裏面へまわり込む現象が
発生すると、真空ポンプ等の内部に処理液が浸入し、内
部の腐食が発生して装置故障の原因となり、また噴水ヘ
ッド方式においては、噴出する処理液中に液循環中に発
生した気泡が含まれ、半導体スライスめ処理分布にも影
響をおよぼすという欠点があった・ 本発明は上記欠点を除去するもので、真空ポンプ等によ
る半導体スライスの吸着保持機構に代えてねし結合され
たインナーヘッドとアウターヘッドとによシ半導体スラ
イスを保持し、さらに電極と半導体スライスとの接触を
確実、均一に行ない、かつまた噴水ヘッドを使用せずに
半導体スライスの表面処理を行なうようにしたことを特
徴とするものであシ、以下図面に従って本発明の一実施
例を詳細に説明する。
第１図、第２図は従来の半導体スライス処理装置である
。第１図は吸着ヘッド１によって半導体スライス２が吸
着され、噴水ヘッド３より噴出する処理液４が半導体ス
ライス２の表面を処理し、下方へ噴水ヘッド３に沿って
流下し、回収されて循環ポンプ５で循環される噴水ヘッ
ド方式を示している。この方式では半導体スライス２の
裏面に液が捷わり込んだ場合、処理液を真空ポンプ６で
吸い込んでしまうため、処理液によってポンプ６内に浸
食が発生し、また、噴水ヘッド３から噴出する処理液中
に液循環時に発生する気？包が含まれ、半導体スライス
表面の処理分布に影響を与えるという問題がある。第２
図は、吸着ヘット７に半導体スライス８をＯ’Ｊング９
を介して吸着させ、処理液中に浸漬させて処理を行なう
Ｏリング吸着方式を示している。この方式でも第１図と
同様に、真空ポンプ１０で処理液を吸い込むため、ポン
プ１０内に浸食が発生し、装置の故障の原因となる。
。第１図は吸着ヘッド１によって半導体スライス２が吸
着され、噴水ヘッド３より噴出する処理液４が半導体ス
ライス２の表面を処理し、下方へ噴水ヘッド３に沿って
流下し、回収されて循環ポンプ５で循環される噴水ヘッ
ド方式を示している。この方式では半導体スライス２の
裏面に液が捷わり込んだ場合、処理液を真空ポンプ６で
吸い込んでしまうため、処理液によってポンプ６内に浸
食が発生し、また、噴水ヘッド３から噴出する処理液中
に液循環時に発生する気？包が含まれ、半導体スライス
表面の処理分布に影響を与えるという問題がある。第２
図は、吸着ヘット７に半導体スライス８をＯ’Ｊング９
を介して吸着させ、処理液中に浸漬させて処理を行なう
Ｏリング吸着方式を示している。この方式でも第１図と
同様に、真空ポンプ１０で処理液を吸い込むため、ポン
プ１０内に浸食が発生し、装置の故障の原因となる。
第３図は、本発明に係る半導体スライス保持機構の実施
例を示す断面図である。図において、リング状のアウタ
ーヘッド１１の開口縁に、外縁側（ｃ下傾する環状の圧
着面１２を設けるとともに、アウターヘッド１１の鍔部
１１ｃの内周に雌ねじ１３を刻設する。一方インナーヘ
ッド１４に凹部１５を設けるとともに、インナーヘッド
１４の鍔部１４ａの外周に雄ねじ１６を刻設する。
例を示す断面図である。図において、リング状のアウタ
ーヘッド１１の開口縁に、外縁側（ｃ下傾する環状の圧
着面１２を設けるとともに、アウターヘッド１１の鍔部
１１ｃの内周に雌ねじ１３を刻設する。一方インナーヘ
ッド１４に凹部１５を設けるとともに、インナーヘッド
１４の鍔部１４ａの外周に雄ねじ１６を刻設する。
インナーヘッド１４の凹部１５内に電極座１７、電極１
８及び半導体スライス↓９を順に挿入し、一方アウター
ヘッド１１の圧着面１２にＯリング２０をセットし、イ
ンナーヘット１４の雄ねじ１６をアウターヘッド１１の
雌ねじ１３にねじ結合する。インナーヘット１４の緊締
力でＯリング２０を介して半導体スライス１９の外縁を
アウターヘッド１１の圧着面１２に圧着するとともに、
電極１８と接触させて、該半導体スライス１９を両ヘッ
ド１１．１４間に保持する。この保持機構全体を処理槽
２１に浸漬して半導体スライス処理を行なう・ 本発明は、以上説明した如く、インナーヘッドとアウタ
ーヘッドとをねし結合し、その両ヘッドの間に０リング
を介して半導体スライスを保持するようにしたため、従
来のように処理液で浸食される真空ポンプが不要になり
、半導体スライスの裏面へ液がまわり込む現像が発生し
ても装置が浸食事故により伴出することがない。捷だ両
ヘッド間に挾んでその緊締力により半導体スライスと電
極とを接触させるため、その両者を確実、均一に接触さ
せることができる。また噴水ヘッドを必要としないため
、気泡による半導体スライスの処理分布への悪影響をな
くすととがてきる効果を有するものである。
８及び半導体スライス↓９を順に挿入し、一方アウター
ヘッド１１の圧着面１２にＯリング２０をセットし、イ
ンナーヘット１４の雄ねじ１６をアウターヘッド１１の
雌ねじ１３にねじ結合する。インナーヘット１４の緊締
力でＯリング２０を介して半導体スライス１９の外縁を
アウターヘッド１１の圧着面１２に圧着するとともに、
電極１８と接触させて、該半導体スライス１９を両ヘッ
ド１１．１４間に保持する。この保持機構全体を処理槽
２１に浸漬して半導体スライス処理を行なう・ 本発明は、以上説明した如く、インナーヘッドとアウタ
ーヘッドとをねし結合し、その両ヘッドの間に０リング
を介して半導体スライスを保持するようにしたため、従
来のように処理液で浸食される真空ポンプが不要になり
、半導体スライスの裏面へ液がまわり込む現像が発生し
ても装置が浸食事故により伴出することがない。捷だ両
ヘッド間に挾んでその緊締力により半導体スライスと電
極とを接触させるため、その両者を確実、均一に接触さ
せることができる。また噴水ヘッドを必要としないため
、気泡による半導体スライスの処理分布への悪影響をな
くすととがてきる効果を有するものである。
第１図、第２図は従来の半導体スライス処理装置の側面
図、第３図は本発明の実施例を示す構造断面図である。 １１・・・アウターヘッド、１３・・・雌ねじ、１４・
・・インナーヘッド、１６・・・雄ねじ、１８・・・電
極、１９・・半導体スライス 特許出願人 日本電気株式会社
図、第３図は本発明の実施例を示す構造断面図である。 １１・・・アウターヘッド、１３・・・雌ねじ、１４・
・・インナーヘッド、１６・・・雄ねじ、１８・・・電
極、１９・・半導体スライス 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- （１）リング状のアウターヘッドと、半導体スライス、
電極及び電極塵をはさんでアウターヘッドにねじ結合し
、０リングを介して半導体スライスの外周縁をアウター
ヘッドに圧着するとともに、半導体スライスの裏面に電
極を接触させるインナーヘッドとからなる半導体スライ
ス保持機構を備えたことを特徴とする半導体スライス処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17729583A JPS6068626A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 半導体スライス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17729583A JPS6068626A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 半導体スライス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068626A true JPS6068626A (ja) | 1985-04-19 |
Family
ID=16028516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17729583A Pending JPS6068626A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 半導体スライス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068626A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04221828A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Nippondenso Co Ltd | マスキング装置 |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP17729583A patent/JPS6068626A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04221828A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Nippondenso Co Ltd | マスキング装置 |
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