JPS6068488A - メモリカ−ドとその製造方法 - Google Patents

メモリカ−ドとその製造方法

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JPS6068488A
JPS6068488A JP59116825A JP11682584A JPS6068488A JP S6068488 A JPS6068488 A JP S6068488A JP 59116825 A JP59116825 A JP 59116825A JP 11682584 A JP11682584 A JP 11682584A JP S6068488 A JPS6068488 A JP S6068488A
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module
memory card
window
substrate
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ルネ、ローズ
アラン、ルブジヨク
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Flonic SA
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の和する技術分野〕 この発明は集積回路を内蔵したタイプの携帯型メモリカ
ードおよび経済的方法によるこの種のカードの製造方法
に関する。 更に詳しくは、この発明は前納式のカードに適用するこ
とができる。すなわち、最初にカードに成る信託価額を
与えておき、この価額に対する支払いによって一枚のカ
ードを購入してサービスの提供を受けることができるよ
うにするものである。 このサービス提供は、単位価額によってメモリの各要素
の状態を順次にキャンセルしまたは変更して、カードの
合計価額を使ってしまうまで受けることができる。 〔発明の技術的背景〕 何らかのサービス提供、例えば電話通信のサービスを受
けるための電子メモリカードは既に提案されている。 この種のカードのメモリは、次々にカードを使うことに
より、初期状態から第２の状態へ不可逆的に順次転換す
るため、メモリの全ての要素が第２の状態へ移行してし
まったＪ４’合に
【、↑、カードは使用不能となる。 このカードは再生不能、す１工わちその初期状態にメモ
リの各要素を彷帰さゼることができたいため、カードは
使い捨てにする以外たがった。 また、消費材料の価額を蕩°小にするために、原価はで
きる限り低くすることが重ぞ゛である。 規格化したフォーマットのμ子メモリカードの製造方法
もいくつか知られている。 これらのツノ法によれば、カード中に設けた發孔内に集
積回路を搭載し、次にこの空孔の全部または一部に二層
のコーティング材料を充填する。この後、１粘回路をカ
ードとのテーク交換装置ｉ＋’＋″に揺枕するための金
属製のコンタクト部分だけを残しで、一枚の薄膜でカー
ド面をｍう。 これらの方法は、一般に一連のデリヶー１□　７；Ｃ操
作を必要とする。すなわち、空孔を升う成し、適当な支
持体に搭載した集積回路モジュールを準４ｎｉ＋　Ｌ、
このユニットを空孔中に挿入ｗ着し、ユニットの保護膜
を形成し、空孔を塞ぎ、最終的な加圧を行い、カードを
成形するといった具合である。 しかし、このような方法は、使用後に捨ててしまうよう
なカードの製造に適用するには費用がかかりすぎる。 〔発明の目的、仲要および効果〕 従って、この発明はメモリカードを経済的に得ることが
でき、また処理工程数の少いメモリカードの製造方法を
提供することを目的とする。 この目的を達成するため、この発明によれば、カードの
支持体であるプラスチック材料の内部に集積回路を封入
したタイプのメモリカードの製造方法において以下のよ
うな工程を備えるようにする。すなわち、 ａ）絶縁性基板を備えた電子モジュールを用意し、この
とき基板の第１の面上に金属製コンタクト部分を１餉す
る。また、前記基板の第２の面に搭載する集積回路を用
意し、このと、き前記モジュールの厚みは前記カードの
厚みより小さくする。 ｂ）前記プラスチック材料中の前記モジュールを設置す
べき部分を局部的に軟化温度にまで高める。 Ｃ）同時に、前記軟化した部分で前記カードの一面上に
前記モジュールを加圧し、前記電子モジュールが前記カ
ードの厚み内に配置されまた前記コンタクト部分がカー
ドの前記面とほぼ水平になるまで前記材料中に前記モジ
ュールを押込む。 なお、電子モジュール自身を加熱して、これをプラスチ
ック材料と接触させて部分的に加熱し、材料を軟化させ
るようにしてもよい。 以上のように、一方でモジュール自身を穿孔要素として
用い、他方でカードのプラスチック材料を部分的に軟化
させることにより、一連の処理工程のうちのいくつか例
えばモジュールユニッ）１７）形状の空孔を準備する工
程、空孔内にモジュールを挿入し接着する工程、空孔を
塞ぐエイ９、およびカードの成形工程を省略することが
できる。 他の実施例によれば、この発明に係る方法は次のような
工程を備えるようにする。すなわち、ａ）少くとも１つ
の中央窓および複数の周辺窓を備えた絶縁性基板を有す
る電子モジュールを準備し、少くとも前記窓の側に配置
した金楓製コンタクト部分の一面上に集積回路を形成し
たベレットを前記基板は備え、この集積回路が少くとも
部分的に前記中央窓に搭載され、また前記中央窓の佃で
コンタクト部分上に固定する。 ｂ）集積回路の断面より大きな断面を有する開口部分を
カードの一側から他側に向けて穿孔形成する。 Ｃ）前記ベレットが前記開口部分内に埋込まれるように
前記モジュールを位置決めする。 ｄ）前記開口部分の周辺部分のプラスチック材料を部分
的に軟化温度に高める。 θ）同時に、前記周辺部分のカードの一面上で前記モジ
ュールを加圧し、前記電子モジュールが前記カードの厚
み内に１的され、また前記°コンタクト部分がカード而
とほぼ水平になるまで、前記材料中に前記絶縁基板を埋
込む。 いない前記開口部分を絶縁材料で充填する。 なお、電子モジュール自身を加熱して、これをプラスチ
ック材料と接触させて部分的に加熱し、材料を軟化させ
るようにしてもよい。 以上のように、電子モジュールを搭載する空孔の一部を
形成するために絶縁基板を穿孔要素として用いることに
より、カード中に相当の精度をもって予め空孔を形成す
る工程を排除できる。 また、プラスチック材料を、部分的に溶融しまたは軟化
させることにより、電子モジュールとカード本体を形成
するプラスチック材料との間の接合を改善することがで
きる。 また、％に加熱工務を考鬼してもプラスチック材料の変
形は極めて小さく、またカードの外側部分を実質的に変
形させてしまうこともない。 さらに、電子モジネール自身の形成工程は片面に印刷し
たプリント回路を用いることができ、また絶縁性基板を
１通する孔の金属化工程を排除でき、このため絶縁性基
板の一面に配置したコンタクト部分と基板の他面に配置
した集積回路との接続を堅固にすることができる。 また、この発明は、前述の方法によって実現するメモリ
カードを提供することを目的とする。 この目的を達成するため、この発明によれば、プラスチ
ック材料から成る一枚の片部材に絶縁性基板の一面に搭
載した集積回路を備え、前記基板は前記片部材の一面と
同一面上に金近化したコンタクト部分を有し、前記コン
タクト部分は集積回路を搭載したとは逆の基板面上に配
「し、また前記基板の金属化した孔を介して接続リード
によって集積回路の端子に接続し、前記集積回路および
前記接続リードを保護膜材料中に埋設したメモリカード
において、前記片部材は前記モジュールを押込むことに
より少くとも部分的に形成した収納部分を備え、前記基
板は前記片部材を形成するプラスチック材料によって少
くとも部分的に充填した複数の開口部分を備えるように
する。 なお、コンタクト部分との電気的接続は前記複数の開口
部分の少くともいくつかの内面を金属化することによっ
て行ってもよい。 また、他の実施例によれば、前記Ｐ縁基板はその一面上
にコンタクト部分を有し；すだベレットを部分的に搭載
する中央窓と外気的接続を行うための一端部を収納する
周辺窓とを（ｆｆｉｉえており、前記カード本体は前記
ベレットの一部および前ｉ、ｌＯ：　電気的接続部分を
収「１し、その第２の面内に開口する開口部分を備え、
前記開口部分はベレットが占有してい１工い中央窓の部
分および周辺窓を共に充填する絶縁材料によって充填す
る」：うにする。 〔発明の実施例〕 以下、添付図面を参照してこの発明の詳細な説明する。 第１図はこの発明の瀉工の天施例に係るカードを示すも
のであり、第２図は第１図のＩｉ　−ＩＩ　１ｇで切断
した部分を拡大して示すｆｌｒ曲図でＪ’）る。 これらの図面によれば、メモリカード１０は、第１図か
ら分かるように、その上面σ）左上隅に−う中の金属化
部分１１を備夾でいる。この金属化部分１１はカードの
電気回路を検査装置りおよびデータ交捗装置に電気的に
接続するのに用いる。 カードは例えばポリビニル塩化物（ｐｖｃ　）等の可撓
性プラスチック材料がら成る単一の片部材１２がら成り
、規格化されたサイズのものである。 コンタクト部分１１は、例えばポリイミド、ポリエステ
ル、エポキシガラスのような電気的に絶縁性のある基板
１３の一面１３’上で金属化処理を行うことにより得ら
れる。また、基板１３はその内側面にコンタクト部分１
１に対応する導電領域１４を有する。この領域１４は最
初の金属化処理で同様に形成する。 このコンタクト部分１１と導電性領域１４とは、絶縁性
基板の全厚にわたって内壁を金属化した孔１５によって
電気的に接続するのが望ましい。この場合、孔１５の中
央部分は金属化しないことが望まし℃・。 基板１３は接着等によって搭載する集積回路１６のベレ
ットの支持体として用いる。ペレ：？／　）　１６は回
路のコンタクト端子があるのとは逆の而で基板面上に搭
載する。端子１７は、接続リード１８１ｃよって導電領
域】４に接続する。このアセンブリ？＋″−電子モジュ
ール２０を形成する。 集積回路■６のベレットおよび接続リード１８は、電気
的に絶縁性のある材料から成る保Ｐ　Ｊｌｉｊ！材料】
９中に埋設されている。保護膜材料】９θ）　Ｊ！、Ｉ
さは片部材１２の厚さより小さく、例えばほぼ１時間１
００”Ｃの雰囲気中で重合する”ＲＰＯＴＥＣＮＩ　’
　（四棒）のＨ２Ｏにというエポキシ樹脂を用いること
ができろ。 このような保護膜材料は電気的絶紛材として作用するば
かりでたく、アセンブリの側ｉ性を高めるのにも役立つ
。また、保ｔφ１１１７利料の外形は水滴の形状に憚で
いるため、電子モジュールをプラスチック材料中に押込
み易い。この桐料は、通常の実施例に反して、可撓的ま
たはｉ；ｉｌ！性的プ、ｃもので′ｔ、ｃ、　＜、剛性
材料である。 回路１６はこうしてコンタクト部分】Ｉ、金属化された
孔１５、金属化された傾城１４、および接Ｋｆ′ｆ’）
　−ド比を介してアクセス可能である。ここで、孔Ｉ５
は内側部分だけが金属化されており、後述するように内
部は片部材１２のｐｖｃによって充たされていることに
注意すべきである。このことは、片部材１２中に基板１
３を固着するのに寄与する。 第１図および第２図で説明した構造のカードの製造方法
は次のようである。 まず、基板１３の両面を金属のラミネート加工および電
解の一方または双方によって金属化し、またフォトエツ
チングによって所望の形状に領域１１゜Ｊ４を形成する
。次に、複数の孔１５を穿孔し、これらの孔１５を通常
の方法で金属化する。 また、各開口部分１５の端部１５ａは拡げである。 こうすることにより−１開口部分の端部周辺の金属化膜
を均一にすることができる。 次に、基板１３の一面に集積回路１６を設置し、接続リ
ード１８を導電領域１４上にハンダ付する。それから、
硬化性のエポキシ接着剤のような保護膜材料１９をペレ
ッ）　１６上に塗布し、１００”Ｃ位の温度で１時間の
間硬化するまで放置する。 第３図は、以上のようにして得られた電子モジュール２
０が充分に硬化した後、カード中にこれを埋込む様子を
示している。 基板１３はこの場合ガラスエポキシであり、その各面の
大部分は金属化されている。ただし、非導電性の細線２
ｊは金属化されておらず、各導電、領域１１　、１４を
分離している。 余端化膜はほぼ３５ミクロン程度の厚さであり、はぼ１
００ミクロン穆度の厚さのある絶縁基板を実質的に補強
している。基板は適当に硬化した充填材料と共に、錐の
ような穿孔要素として作用するｐｊ１体を形成する。 第２図および第３図で示すこの発明の第１の実施例によ
れば、重子モジュール２ｏは押圧装置６２３によって保
持するようにしている。ずなゎち、モジュール２０は、
装置の空孔２４１内に開口しているコンクｙ）２４で示
す吸引装部”によって保持されている。 この装置ｕの大きさは、電子モジニールの開口部分１５
が空孔２４’に対応して位Ｆ・）′するように１ｆって
いる。また、装置２３は抵抗２５で示す加熱手段を備え
ている。 カードの支持体を成す片部材１２は、ゎずがの凹部２７
を備えた台２６上に設置する。この片部材１２は、電子
モジュール２ｏを埋込もうとする片部材１２中の領域が
前述の凹部２７の上に位置するように設置する。 加熱装置２５は、電子モジュールが１７０″Ｃ程度の温
度になるように電力を供給する。装置２３は、片部材１
２の上面上で笛子モジーールに２Ｘ１０’Ｐａ程度の局
部圧力がかがるようにする。また、接触した状態で、プ
ラスチック材料が部分的に軟化するような温度、例えば
５０　”Ｃ程度であるようにする。 こうした加圧および局部加熱を組合せることにより、モ
ジュールをコンタクト部分１１が片部材１２の上面にほ
ぼ水平になるまで押込む。電子モジュールを押込むこと
によりプラスチック材料が押出され、開口部分１５に充
満するようになる。この充満は、装置２３による吸引効
果によってさらに助長される。 グラスチック材料の押出しによる変、形は、・台２６の
凹部２７中に局部的に残存する。このとき、プラスチッ
ク材料はまだ軟化状態にあるため、吸引を停止し、片部
材１２を軽く加圧する。このため、「平坦化」を図るこ
とがてき、開口部分Ｉ５中のプラスチック利刺の盛上っ
た部分２９の上ｇ＋、：部を押返すことになり、その盛
上った部分２９が空孔部分１５ａを充満するようになる
。 従って、盛上り部分２９はリベットの役目を果たし、少
（とも部分的に片部相１２中で重子モジ一ルの固着を堅
固なものとする。 また、プラスチック材料の押出しは凹部２７に対応する
部分１９１で局部的に生じているが、カードの外側部分
はこの領域でしか変形しておらす、カードの最終的な成
形操作は不要と１Ｌる。 さらに、カード中の物子モジーールの固着を改善するた
め、第１図に示すような補強開口：う５を絶縁基板１３
に設けるようにしてもよい。この開口３５は、何らの電
気的接続機能を有しておらず、従って金属化してない。 この補助開口３５は、１１ｊ、気的接続用の開口部分１
５のない領域中で基板の周辺部端部に特別に設けるよう
にする。 大４Ｂ生産においては、ハンダ付による接トｈ操作およ
び集積回路のベレットの保護膜形成操作は、一連の基板
フィルム上で連続して実行することができる。すなわち
、そのフィルム上で、規則的な間隔で全ての導電領域、
および所望の形状で配置した金属化された孔を形成する
ようにする。次に、フィルム中のモジュールを功離す操
作をし、この後カード中への埋込み操作を行う。 第４図および第５図はこの発明の第２の実施例を示す。 この実施例によれば、グラスチック材料の片部材１２中
に電子モジュールを埋込む方法が異なっている。 第４図に示す・ように、第２図または第３図と同様の絶
縁基板１３を用意し、この−面に集積回路■６を固定す
る。 この場合、第２図で示したような接続リード■８はなく
、また従って保畿膜１９を形成する工程もないことに注
意されたい。しかし、片部材１２中に完全に貫通した開
口部分３０を設ける。この−白部分３０の大きさは、そ
の断面で、絶縁基板１３より小さく、集積回路１６より
大幅に大きい。 電子モジニール２０は、集積回路１６が開口部分３０に
埋込まれるように、片部材１２の上面から配置する。次
に、第２図および第３図でも説明したように、片部材１
２の温度を局部的に軟化温度として基板を押圧する。こ
の操作のため、Ｍ５子モジュールは前述の装置２３で保
持する。 との工程中で、基板１３の周辺部分は、導電性のコンタ
クト部分が片部材１２の」面と水平Ｋｔｘるまで、プラ
スチック材料中に押込む。この段階で、プラスチック材
料が若子押出される。 しかし、開口部分３０が）、るため、この押出しは第１
の実施例におけるほどにも重大で１．已・ことに注意さ
れたい。この押出しは開口部分３ｏによって自由になっ
ている領域に局在するものであり、カードの最終的な外
形形状に伺らの影響も与え１．ｃい。 また、このときプラスチック材料が複数の開口部分１５
を充満するようになり、装置ｉ’ｊ　２３の吸引がこの
操作を助長する。 次に、集積回路１６の端子と金左化剖１分との汁気的接
続を周知の方法で行う。 最後に、集積回路１６が占めていない開口部分３゜の各
部を、例えばエポキシ樹脂のような絶縁性充填物３２で
充満する。 このような実施例によれば、次のようないくつかの利点
がある。 すなわち、第１に、電子モジュールを埋設してもカード
の外形形状を何ら変形させない。また、集積回路と金属
化部分との間の接続工８が容易なものとなる。この場合
、電子モジュールをカード中に設置した後に接続を行え
るためである。 従って、この接続のために取扱う部分はそのカード自身
に限られ、接続の長さを低減できる。第１の実施例によ
れば、集積回路が異なる場合、接続操作も異なりまた接
続リードの長さも無視できなかった。 以上の説明から、全ての場合について次のように結論で
きる。すなわち、集積回路を含む電子モジュールの少く
とも一部と基板とは電子モジュールをカード中に埋込む
ための穿孔要素として用い、この際カードを形成するプ
ラスチ、り材料を部分的に軟化温度に高めるようにして
オ６く。 第６〜１０図はこの発明の第３の実施例を示す一連の工
程図である。 第６図によれば、絶縁材料か后成る細長ス）　ＩＪツブ
部材１１０の一部が示されている。このス）　ＩＪツブ
部材１１０の埋さけ例えば１２０ミクロンであり、望ま
しくは可撓性の絶縁材料であるようにする、例えば、’
ＫＡＰＴＯＮ”　（商標）という名の商品またはエポキ
シで器ったグラスファイバｔ！＆＋ｔｔを用いる。 このストリップ部材１１０中に、第６図に示すように一
部の窓部を設ける、各群は、それぞれ正方形の中央窓部
１１２と、複数の周辺窓部１１４とをイハ１１えている
。この変形例によれば、正方形の中央窓部１１２のスト
リップ部材１１０の長手方向と交差する方向の２辺に沿
って合計７つの周辺窓部１１４がある。 この場合、電子モジュールを形成するためにＴＡＢと呼
ばれる技術を用いることができる。すなわち、同一のス
）　ＩＪツブ部材１１０上に複数の電子モジュールを形
成するものである。また、所望の大きさに切断した絶縁
支持体を分離して、電子モジュールを個々に形成しても
よい。 次に、第７図に示すように、絶縁基鈑１１０の一面をラ
ミネート加工その他周知の方法によって金属膜１１６で
覆う。この金属膜［６の厚みは例えばほぼ３０ミクロン
である。この金属膜１１６を周知の方法で蝕刻し、後述
するようにして電気的なコンタクト部分を形成する。 第８図は、集積回路のペレク）１１８を中央窓部１１２
の部分から金属膜＋１６に接着する次の工程を示す。 窓部１１２の断面に従って上から絶縁基板を見た場合、
窓部】１２の大きさは、集Ｓ回路を受入れることができ
るように、４８回路の大きさより大きい。集積回路１１
８は導ｉ１１件の接着層１２０によらて金Ｊ’Ａ膜１１
６上に接着する。 金属膜１１６の一部と年債回路１１８の下面１１８１す
なわち集積回路１１８の接続端子１１８２を設けてない
面との面による電気的接続はこのようにして行う。 このような方法によれば、集積回路をＮ　＋　ＭＯ８技
術によって製造でき、特に有利である。また、中央窓部
１１２から見た拵続部分はペレッ）１１．８の固定支持
体として用いることができる。 次に、第９図に示すように、導牝、糾四２２を接続′す
る。 ４電に１２２の一端は集積回路１１８の端子１１８２の
１つにハンダ付し、導Ｎ紳】２２の各他端は周辺窓部１
１４の１つに挿入し、超音波等によってその窓部１１４
から見た金住膜１１６の露出ａｉ＋上に接続する。 た“後に、絶縁材料のストリップ部材１１０を苗終形状
であるモジュールを形成イるために切断する。 この様子は、例えば第１ｏ図（ａｌ　、　（１））で示
すようである。第１０図（ａ）は第９図の上刃から七ジ
ーールを見た場合、第１０図（ｂ）は下方からモジュー
ルを見た場合を示している。 ｚ＜　１０　ｗ＋　（ｂ＋によれば、金属化したコンタ
クト部分が異なった形状をしているのが良く分かる。襞
１に、エツチングによって金属化したコンタクト部分１
．３０が各々周辺窓部１１４の一つに位置するようにし
、また全風化部分１３２が中央窓部１１２の下に位置す
るようにしていることが分かる。この中央の金属化部分
１３２は電、子回路１１８全体とのコンタクト部分を形
成している。 このような実施例によれば、既述の利点の他に電子モジ
ュールの全体的な厚みを減少させることができる。半導
体ベレットが部分的に絶縁基板の厚み内に搭載されるた
めである。また、絶縁基板中で行う処理も簡単である。 基板の全厚にわたって窓部を形成することが処理の全て
であり、また接続リード１２２が可撓的であるため厳密
な位置合せを必要としないためである。 第１１〜１３図はこの発明の第４の実施例に関する。 第１１図および第１２図は以上のような電子モジュール
をカード本体中に埋設する様子を示すものである。第１
３図はこうしたカードの平面−でおる。 第１３図からも分かるように、カードは基本的にＰＶＯ
等のプラスチック材料の本体から成り、一般的には矩形
状を成し、厚さは例えば０．７６２ｍｍで左、る。 ます、第１２図に示すように、カード本体に円筒形状の
開口部分１４２を形成する。カード面に平行なこの開口
部分１４２の開口面は絶縁基板１１０に形成した窓部１
１２　、１１４が占める領域より大ぎく、絶縁基板１１
０の全面積より小さい。 カード１４０は熱的に絶縁した台１４４上に股部する。 電子モジュール１４６（第１１図）は、これを埋設する
ために、コンタクト部分１３０を有する電子モジュール
の面で装置１４８によって保持される。 例えば、装置１４８は減圧ＶＦであり、電子モジュール
１４６の基板で閉じた装置の空孔１５０内を真空ポンプ
によって減圧する。すなわち、コンジット１５２の一端
を真空ポンプに接続し、他端を空孔１５０に開口づ−る
ようにする。 この装置１４８によって電子モジュールは保持され、開
口部分１４２の周囲のカード本体】４０の上面部分１４
０１にモジュールを配ｔ６１シ、ベレット１１８および
接続リード１２２が開口部分１４２中に挿入されるよう
にする。 カード本体にモジュール１４６を埋設するために、例え
ば２ｘｌＱ５Ｐａ程度の圧力をモジュールに加え、この
際カード本体を形成するプラスチック材料の基板が侵入
する領域を部分的に加熱する。この部分的な加熱を行う
ために、装置１４８は発熱抵抗１５４から成る加熱手段
１４８を備えることが望ましい。 こうして、電子モジュールとカードを形成するプラスチ
ック材料とが接触することにより、プラスチック材料は
接触した領域で部分的に軟化する。 軟化温度は５０℃程度−であり、電子モジュール自身は
１７０℃程度の温度に加熱する。 装置１４８の軟化および加圧の組合せ効果によって、モ
ジュール１４６の絶縁基板の周囲はプラスチック材料中
に侵入させるための穿孔要素として作用１−る。電子モ
ジュールのコンタクト部分１３０゜１３２が、部分１４
０□において、カード本体の上面と水平になった段階で
加圧を停止する。 絶縁基板の周囲を埋込む際、カード本体を形成するプラ
スチック材料が開口部分１４２の側壁を変形させるため
、部分的に押出される。泥」２図にプラスチック材料が
押出された後の変形した開口部分１４２の（ｔ’ｔｌｌ
ｉ１４２．を示している、こうして、この変形がカード
の外縁部にまで拡がることはなく、従って規格化された
カードの外形寸法に影響を与えることはない。 また１、第１２図に示すように、開口部分１４２または
電子モジュールが占めていｔ〔い少くどもその一部に絶
縁性のエポキシ樹脂１５６を充填する。この間、宮部分
１１２　、１１４は閉じられて（・るため、コンタクト
部分１３０　、１３２はエポキシ４ｒ、ｌ脂プＩ−カー
ド本体の上面上に出てくるのを防止するのに役立てるこ
とができる。 上述の火施例によれげ、牝子モジーールは既述のように
し７て形成することができろが、持続り−ド１２２の説
明はしてない。 以上のようにして形成したモジュールはカード本体の中
に埋設する。次に、開口部分１４２を介して接続リード
１２２をペレ／１・θ号１７゛子上およびＪｌ’ｌｉ辺
窓部を介してコンタクト部分」二に接続する。 滑後に、開口部分１４２に絶縁性のエポキシ樹脂１５６
を充填する。 以上のいくつかの実施例において、電子モジ−一ル１４
６の周辺部分とカード本体との結合をさらに有効に改善
することができる。 第１に、第１１図に示すように、モジュールの周辺部分
に絶縁基板１１０および金属膜１１６を貫通する複数の
孔１６０を準備するようにする。この孔１６０は金属膜
１１６内で端部１６０】が拡がっている。 このため、カード本体中に電子モジュールを埋設する際
、軟化したプラスチック材料が孔１６０中を上昇し、リ
ベットと同様の形状１６２を構成する。 孔１６０内をプラスチック材料が上昇することは吸引装
＠　１４８の作用によって助長される。 第２に、第９図に示すように、窓部１１２　、１１４が
占める領域外に、電子モジュールの一部を成す絶縁基板
１１０の金属化されていない面Ｔｌｃ接着剤の層１６４
を設けるようにする。この接着、剤の層】６４は例えば
ポリエステルである。 モジュールの加熱の際、接着剤の層は軟化し、カード本
体を形成するプラスチック材料に強力に接着する。 この方法は、絶縁基板の表面が平ｍでない場合に特に有
効である。例えば、基板がＫＡＰ’ｌ’ＯＮ　である場
合にこの方法を用いることができる。 また、この発明に係る埋設方法によれば次のような重大
な利点がある。 すなわち、プラスチ、７り材料を？ａＦ？Ａ＋Ｌまたは
軟化してカード本体中に適当な収ｐ１部分を形成するた
め、絶縁基板の周辺部を穿孔投索として用いることによ
り、π１子モジュールの絶縁Ｊル板とカード本体との間
を良好に接着することができる。 また、プラスチック材料の加熱は電子モジーール自体を
介して行われるため、加熱は必砂な部分のみに局限でき
る。さらに、絶縁基板の周辺部分のみがプラスチック材
料中に侵入するため、プラスチック材料のはみ出しは極
めて減少する。この場合、カード中に形成した開口部分
１４２の側壁１４２１の変形しか引起されない。しかも
、開口部分１４２の内側壁のこの変形により、エポキシ
樹脂の充填材１５６とカード本体との密着性が改善され
る。 こうして、カード本体と電子モジュールとの間の結合を
全体的に極めて良好なものにすることができる。このこ
とは、この種のカードに必要な折曲に対する機械強度の
要求を、こうして完成したカードが満足するために必要
であるのはもちろんのことである。 以上の説明では、電子回路は単一の半導体ペレットによ
って形成されているとした。しかし、電子回路を２つま
たはそれ以上のペレットで構成してもこの発明に属する
のはもちろんのことである。 この場合、多数の中央窓部を設けるか、複数のペレット
を配詐し得る大きさの単一の中央窓を設けるかすればよ
い。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の第１の実施例に係るメモリカードの
平面図、第２図はこの発明の第１の実施例に係るメモリ
カードの一部断面図、第３図はこの発明の第１の実施例
に係るメモリカードの製造工程図、第４図はこの発明の
第２の実施例の断面図、第５図はこの発明の第２の実施
例の製造工程図、第６図ないし第９図はこの発明の第３
の実施例の各製造工程を示す工程図、第ＪＯンｌはこの
発明の第３の実姉例の一部平面一図、第１１図はこの発
明の第４の実施例を示す断面図、第１２［７はこの発明
の第４の実施例の製造工釈図、第１３図はこの発明の第
４の実施例に係るメモリカードの平面図である。 １０・・・メモリカード、１１・・コンタクト部分、１
２−・・片部材、１３・・基板、１４・・・導＠領域、
１５・・・孔、１６・・−集積回路、１７・・・端子、
Ｊ８・・・接続リード、１９・・保詳膜材料、２０・・
・電子モジュール、３０・・・開口部分、３２・・・充
填物、１１０・・・ストリップ削材、１１２　、１１４
・・・窓部、１１６・・・金属膜、１１８・・・集積回
路、１２２・・接続リード、１３０　、、１３２・・・
コンタクト部分、１４０・・パカード、１４２・・・開
口部分、１４６・・・重子モジュール、１６０・・・孔
、１６４・・・接着剤ＩＬ出願人代理人　猪　股　清 手続補正書（旋） 昭和５９年１０月λ千日 特許庁長官　志　賀　学　殿 １　事件の表示 昭和５９年　特許願　第１１６８２５号゛事件との関係
　特許出願人 フロニク、ソシエデ、アノ二１１ ４代理人 昭　和　５９年　９　月　５　Ｅｌ （１）　別紙の通り。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板の一面に搭載した集積回路を備えた電子モ
    ジュールをプラスチック材料の片部材中に有し、前記基
    板は前記片部材の面の位黄で金属化したコンタクト部分
    を備え、このコンタクト部分は回路を搭載したとは逆の
    基板面上に配置しまた接続リードで回路の端子に接続し
    てなるメモリカードにおいて、 プラスチック材料の片部材は前記モジュールを少くとも
    部分的に押込むことのできる収納部分を備え、また前記
    絶縁性基板は前記片部材を成すプラスチック材料で少く
    とも部分的に充満される複数の開口部分を備えているこ
    とを特徴とするメモリカード。 ２、特許請求の範囲第１項記載のカードにおし・て、前
    記開口部分の少くとも数個の内（ｉｌ＋　壁は金属化し
    、前記コンタクト部分を接続部分に電気的に接続したこ
    とを特徴とするメモリカード。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項のいずれかに記
    載のカードにおいて、前記集積回路に向って開口する開
    口部分の端部は末広がりとし、この開口部分を充満する
    プラスチ・ンク材料がリベットの役目を果していること
    を特徴とするメモリカード。 ４、プラスチック材料のカード本体と、カード本体中に
    搭載し絶縁性支持体、前’Ｆカードの一面から集積回路
    にアクセス可能であるようにしたコンタクト部分、およ
    び前記回路］［びに前記コンタクト部分間の電気的′ｆ
    ｇ、続手段全手段る霜、−７モジユールとを備えたメモ
    リカードにおし・て、前記絶縁性支持体（１１０）はコ
    ンタクト部分（１３０、］３２　）、中央窓６ｔ８（１
    １２）および周辺窓部（１，１４）をその−面に備え、
    前記中央窓部（１１２）は少くとも部分的に前記ベンツ
    ）　（１１８）を収納し、前記周辺窓部（１１４）は前
    記牝気的拝続手段（１２２）の一端を配置し、また前記
    カード本体（１４０）はその第２の面内で開口する開口
    ３ｂ分（１４２）を備え、この開口部分内に前記ベレッ
    トの一部および前記電気的接続手段を配置し、また前記
    開口部分はベレットによって占められてい′ｒ、（い前
    記中央窓部σ）一部および周辺窓部を共に絶縁材料（１
    ５６）で充したことを特徴とするメモリカード。 ５、ａ）−面上に電気的コンタクト部分（１３０。 １３２）、中央窓部（１１２）および周辺窓部（１１４
    ）を備え、前記電気的コンタクト部分が前記各窓部を閉
    塞している絶縁性支持体（１１０）と、ｂ）前記中央窓
    部（１１２）中に少くとも部分的に収納し、前記中央窓
    部に対応して配置したコンタクト部分上に固定した集積
    回路のベレット（ＵＳ）と、 Ｃ）一端を前記ベレット（ｉ］ｓ）のＰ３続惰ｊｕ子（
    １１８１）上に固定し、他端を前記周辺窓部（１１４）
    の１つに挿入しこの周辺窓部（１１４）に対応するコン
    タクト部分（１３０）に固定した電気的接続リードとを
    備えたことを特徴とするメモリカード用電子モジュール
    。 ６、カードの支持体であるプラスチック材料の内部に集
    積回路を封入した型のメモリカードの製造方法において
    、 ａ）第１０面（１３’）に配設した金属化したコンタク
    ト部分（１１）を有する絶縁性基板（１３）と、この基
    板の第２の而に搭載したシ（１］口回路（１６）とを備
    え、前記カードの厚さよりも薄い厚さのｔ子モジエール
    （２０）　′ｆｒ：用意し、ｂ）前記プラスチック月利
    中の前記モジュールを設置すべき部分を局部的に軟化温
    度にまで高め、 Ｃ）同時に、前記軟化した部分で前ｇ＋２カードの一面
    上に前記モジュール（２０）を加圧し、前記部子モジー
    ールがＡｉ、ｆ　Ｆｊｌ’、！カードの片シ内に配置ｔ
    されまた前記コンタクト１１１２分か前；１弓ノノード
    の前記面とほぼ水平にｉｃるまでｆ１４ｆｌ　ｌ［：　
    Ｉｔ科料中曲ｉ＋ｆモジーールを押込むことを特徴とす
    ４）メモリカードの製造方法。 ７、特許請求の範囲第６項記載のブ）沈にお（・て、前
    記電子モジュールは、前記第２の面に金属化部分（１４
    ）を有する前記基板（１３）上に前記集積回路（■６）
    を搭載し、前記金属化部分（１４）に前記集積回路の端
    子（１７）を電気的に接続し、集積回路と接続リードと
    を電気的絶縁性のある保護膜部材（１９）で伴い、基板
    および保護膜によって形成されるモジュールの厚さはカ
    ードの厚さより小さくし、前記保護膜部材を硬化させて
    得ることを特徴とするメモリカードの製造方法。 ８、％許請求の範囲第６項記載の方法において、前記材
    料を加熱する前にカード０ωの一方から他方へ貫通する
    開口部分（３θ）を形成し、前記カードの一面に平行な
    面でのこの開口部分の開口面積は前記集積回路の面積よ
    り大きく月つ前記基板の面積より小さくし、前記開口部
    分内に前記集積回路が容易に挿入できるように前記モジ
    ュールを前記カード面上に配信することを行替とするメ
    モリカードの製造方法。 ９、％許請求の範囲第８項記載の方法において、前記絶
    縁基板は金属化部分（１４）を備え、前記モジュールを
    埋設する工程の後前記集稍回路の端子と前記基板の第２
    の面の金属化部分とを′ｆｉ？続リード（１８）で隼、
    気的に接続し、前記開口部分（３ωの残りの部分に絶縁
    材料（３２）を充填することを特徴とするメモリカード
    の製造方法。 ｉｏ、特許請求の範囲第７〜９項のうちのいずれかに記
    載の方法において、前記電子モジュールは前記集積回路
    の存在する領域外で前記基板の一方から他方へ貫通する
    複数孔（１５）を備え、前記モジｓ−−ルの挿入に際し
    て前記プラスチック材料中に前記モジュールを少くとも
    部分的にしっかり固定するため前記複数の孔中に前記プ
    ラスチック材料を浸入させることを特徴とするメモリカ
    ードの製造方法。 比特許請求の範囲第１０項記載の方法におり・で、前記
    モジュールは、前記基＆（１３）に設けた前記孔（１５
    ）の少くとも数個の内側壁を、前記コンタクト部分（１
    １）と基板の第２の面に形成した金属化部分とを軍、免
    的に接続するため、導体膜で争って形成することを特徴
    とするメモリカードの製造方法。 １２、特許請求の範囲第７項記載の方法において、前記
    膜ＨＦＩ）部材（■９）はエポキシ樹脂であることを特
    徴とするメモリカードの製造方法。 １３、特許請求の範囲第６〜１２項のうちのいずれかに
    記載の方法において、前記１子モジュールを加熱して前
    記プラスチック月利を局部的に軟化温度にまで高めるこ
    とを特＃にとするメモリカードの製造方法。 １４、カード本体を形成するプラスチック材料の内部に
    収納した１稍回路のペレットと、前記カード本体の一面
    に配置し前記膜〃を回路と乳気的に接続する複数の和気
    的コンタクト部分とを備えたメモリカードの製造方法に
    おいて、 ａ）前記電子モジュール（１４Ｂ）は、コンタクト部分
    （１ａｏ　、　１３２　）を成ず複数の導ル領域をその
    一面に有する絶縁性支持体（１１０）を備え、この絶縁
    性支持体０１０）は中央窓部（１１２）および周辺窓部
    （１１４）を備え、各窓部は前記導電領域の一つと対向
    するように配糖し、また前記電子モジュール（１４６）
    はペレット（１１８）を備え、このペレットは少くとも
    部分的に前記中央窓部（１１２）内に収納しまたペレッ
    トの一面は前記中央窓部（１１２）に対応して配置した
    導牝領域（１３２）上に固定し、 ｂ）前記カード本体中に断面が本体の各面に平行な開口
    部分（１４２）を設け、この開口部分の大きさは窓部分
    を備えた前言１１基板の部分よりも大きく且つ前記モジ
    ュールよりも小さくし、Ｃ）前記窓部（１１２，１１４
    ）を前記［１）目部分（１４２）と対向して配置するた
    めに前記本体の一面に前記電子モジュール（１４６）を
    １償１ｌ−１ｄ）前記プラスチック材料を局部１１りに
    軟化幅１度に高め、 ｅ）同時に、前記工程ｄ）で、前記ｔ！子モモジュール
    １４６）を前記カード本体のん１記而」二で加圧し、前
    記カード本体に対向して１値した絶縁性支持体（１１０
    ）の部分が局部的に軟化したプラスチック材料中に、前
    記導郭領域が前記カード本体の面とほぼ水平になるまで
    、挿入し、ｆ）前記開口部（１４２）の前記モジュール
    が占めていない部分を絶縁材料（１１６）で充満するこ
    とを特徴とするメモリカードの製造方法。 Ｊ５．特許請求の範囲第１４項記載の方法において、前
    記電子モジュールは、前記絶縁性支持体中に前記中央窓
    部（１１２）および周辺窓部（１１４）を形成し、前記
    支持体の一面に金属膜（１１６）を敷設し、コンタクト
    部分（１３０，１３２）を画定するため前記膜をエツチ
    ングして各コンタクト部分が前記各窓部と対応するよう
    に配置し、前記ベンツ）　（１１８）を前記窓部（１１
    ２）内に西装置し、接続端子のないペレットの面（１１
    ８１）で前記ペレットをペレットとコンタクト部分との
    短気的接続を達成するようにコンタクト部分（１３２）
    上に固定して得ることを特徴とするメモリカードの製造
    方法。 ［６，特許請求の範囲第１５項記載の方法叫おいて、前
    記電子モジュールは、接続リード、（１２２）の一端を
    前記ペレットの各接続端子（１１８２）上に固定し、ま
    た前記リード（１２２）の他端を前記周辺窓部（１１４
    ）の１つに挿入し、前記他端を対応するコンタクト部分
    （１３ｏ）に固定して得ることを動機とするメモリカー
    ドの鋤布方法。 １７、特許請求の範囲第１５項記ｇの方法において、前
    記膜８ｅ）およびｆ）の間で、ベンツ）　（１１６’）
    の各接続端子（１１８２）上に接続リード（１２２）の
    一端を固定し、リード（１２２）の他端を前記周辺窓部
    （１１４）の１つに導入し、この他端を対応するコンタ
    クト部分（１３０）上に固定するようにしたことを特徴
    とするメモリカードの製造方法。 １８、特許請求の範囲第１４〜１７項のうちの℃・ずれ
    かに記載の方法において、前記電子モジュールは、前記
    絶縁性支持体および前記コンタク）９１１分の少くとも
    １つを貫通する少くとも１つの孔（１６０）を設け、こ
    の孔は前記コンタクト部分（１３０，１３２〕中で端部
    （１６０，）を拡け、また前記工程ｅ）の間に前記孔中
    に前記軟化したプラスチック月利の一部を上昇させ、こ
    の材料が硬化した後リベット（１６２）を形成して得る
    ことを特徴とするメモリカードの製造方法。
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