JPS6066850A - Ｍｉｓ容量素子 - Google Patents
Ｍｉｓ容量素子Info
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- JPS6066850A JPS6066850A JP17542683A JP17542683A JPS6066850A JP S6066850 A JPS6066850 A JP S6066850A JP 17542683 A JP17542683 A JP 17542683A JP 17542683 A JP17542683 A JP 17542683A JP S6066850 A JPS6066850 A JP S6066850A
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
産業上の利用分野
本発明は、メーディオ装置６の半導体集積回路に使用し
て好適なメタルインシュレートセミコンダクタ（以下Ｍ
ＩＳ七ｈｊシす。）容量紫芋Ｋ ＩＩＰ、Ｊするもので
ある。 １］゛県技術とその１８１ｊ内点 従来、半祷体集禎回路に使用するＭＩＳ容量素子として
第１図に示すようなものがあった。 第１図において、（１）は例えばシリコンＳｔで形成（
７だ基板を示し、このＳｌ基板（１）の基板面上に基板
のに１′１晶１１１１と一致したＳｌ単結晶層即ちエピ
タキシャル層（２）が形成されている。ここで、エピタ
キシャル層（２）はＮ型、Ｓｌ基板（１）はＰ型となさ
れ両省によりＰＮ接合を形成している。また、これらの
上に例えＵアルミニウムによシ形成された’Ｆｉｔ 楡
（３）（４）を設り史に、これらのアルミニウム電極（
３） （４）の間にし１］え如厚さ３５０ＸのＳ ｆ
３Ｎ４によシ形成した誘電イイ・層（５）を設ける。ま
た、電極（３）を形成するアルミニウムのシンタリング
を防止するだめのポリｓｉＪＭ（６）を設りる。また、
（４ａ）は電極（４）と接合された例え−アルミニウム
よシな４導電層である。そして、電極（３）から端子Ａ
を導出し、導電層（４Ａ）上り端子１３を導出し、Ｓｌ
基板（１）を接地し、端子Ａと端子Ｂとの間ＫＰ）＋定
の存分をもたせＭＩＳ層Ｙ ｊｆ’素子をノ１３成−，
１−，＜ンようになされている。 ところで、このようなＭＩＳ容［ｔ：素子においてｔＪ
高容量化を図るためにｒ’ｒ’ｒ ％、体層の）４．＋
さを４９くシ、電極（３）と電極（４）との間隔を狭く
することが望−ｆれた。しかし、このりｆ来例にあって
け誘電１体層（り） ’ｘ−形成しているＳ ］ ３Ｎ
４の膜を薄１１！ｉ化して２００Ｘ〜３００Ｘにすると
、第２図に示すように′ｒ［、極（３Ｊ ？、・形成１
′るアルミニウムが５１３Ｎ４の誘電体層（５）を突き
１友けでもう一方の１：４（さく（４）側まで到達しい
わゆるアルミニウムり（３ｂ）が起こり短絡し容量素子
とならなくなってし址うことか多かった。ここで、（３
ａ）はアルミニウムの拡散層、（６ａ）はｔｊ’１ｖＳ
１の拡散層、（６１））ｉ’、Ｊ： 、１ＱＩＪ Ｓｌ
の粒状層である。このアルミスパイク（３ｂ）が生じる
ため、従来例でＩｒｊ、ｍ電体層（５）を十分にンｔ’
ｔ くすることができず１１１月ｈ＋があった。寸だ、
Ｍｏ。 Ｗ、ＴＩ４！Ｆの膜をノ１？成してＭ！強してもアルミ
スパイクを完全に防止できなかった。 発明の目的 本発明（・、１、上述の欠点をｈτＦ消するためになさ
れ／ζもので、歩留りが良く、高容甲′のＭＩＳ容ｋ（
素子を４Ｒ）ＩＩ、することを目的とするものである。 ブ１１明の概吸 本発明Ｎ＋Ｉｓ Ｓ ：＋・素子は、基板」−に誘電体
層を介して′１Ｆ記極を形成したＭＩＳ容■素子におい
て、誘電体層を高誘ｆ（ｊ率をイｊする高融点金属の安
定な酸化ＩＩＩλと他の絶縁Ｒ６Ｋより形成するように
したもので１、！ｂ・留りが良く高合、量のＭＩＳ ｙ
景素子をｖｔ供するものである。 実施例 第３図を参照して、本発明のＭｉｓ容酔素子の一実施例
について敢１明しよう。この第３図において第１図に対
応する部分には同−省１号を（＋１１．そ力、らの詳細
な説明は省略する。 第３図において、（８）は高誘電率を有する高融点金属
の安定な酸化膜例えはｊηさ２７０ＸのＴ１１２０５１
！＋３を示し、このＴａ２０５１１％’＋（８）を減圧
ＣＶＩ）法で形成し、従来問題となったアルミス・やイ
クを防止するようにする。凍た、絶縁層としての８１３
Ｎ４１Ｅ！ （５ａ）を例え―ｊｊすさ９５Ｘに形成す
る。ここで、Ｔ１１２０５により得られる容量ＣＴをＳ
ｉ３Ｎ４によりイ！Ｉられる容−１４４ＣＮの１０倍と
なるようにする。他の部′７）＋」： Ｎ １１ｒ：来
のＭＩＳ容量素子と同様に形成する。 次に、との例のＭＩＳ容伶素子の１１（ソコ１１１王稈
中Ｔａ２０５の薄膜（８）を減圧ＣＶＤ法により形成す
る丁杉・°につき説明する。 反応炉（ＩＱ＋は、拡散炉型を用い、炉芯者（］（ｌａ
）内を弁（１０ｂ）を用いて真空７」？ンプ（図示せず
）に二より００１１−−ル程度に減圧出来るようにする
・ま／こ、弁（１０（りを介して酸素ガス０２を例えば
流速ＩＱＩＩＣＣＭ以下で炉芯’ｔ（１０ａ）内に供給
する。また、５ｔ’（１０ｄ）を介してＴａの有機化合
物としてのＴａ２０５を例えば窒素がスＮ２のみをキャ
リアがスとして使用し炉芯％’ （１０ａ）内に供給す
る。この場合、Ｔａ２０５の酸素ガス０２に対する分圧
比は１以上で即ちＴａ２０５の力を等圧あるいはそれ以
上のＦ９ｉ定の分圧とするようにコントローラ（１ン１
示せず）にてガスを炉芯償（］Ｏａ）に供給するように
する。また、炉芯管（，１（ｌａ）内でＴａ２０５を熱
分解する温ｌｕｘ ｉ、Ｊヒータ（１０ｅ）ｋＣ−て４
２（１℃〜４７０℃を１呆つものとする。また、つニー
バーボー） （１０ｆ）はガスが均一によどみ層と（７
てウェーハー（１０ｇ） Ｍ ＩＭ！に供給されるよう
にする５、このような減圧ＣＶＤ法によると、例えば厚
さ２５０人で高ｈ ｉｉ、、 ３：のＴ ａ ２０５
Ｍ膜がイ（Ｉられる。憤に、板圧ＣＶＤ法によ乙と均一
の組成で均一の膜厚を制御１１１７１良く１番）られる
ことかイ１１（かめられた〇ち７５：みに、従来のＴａ
２０５の形成法とし°Ｃは陽極ｉＩ、’）、’ 、ｉヒ
法、ＰＶＤ法、熱醇化法、ＣＶＤ法があったが、この例
のＴａ２Ｏ，膜（８）の形成にｊ］）って１１−上ｉｒ
ｌ、し７だ減圧ＣＶＤ法によるのが最も安定して卦１−
なｎｌ、：ＩＰｒ′を形成することができる。ここで、
Ｉｔ’３４’ｌｉ ｒｊ、’９化法はＴａをスパッタリ
ング又ｄ電子夕ｉ！ ；’ｔ４塘また後に（ｏｏｎ）２
・ＨＣ２またはＨ３ＰＯ４液中で陽極酸化するもので簡
便な製法であるが均一な組成がイ！ｊられなかつ／（。 捷た、ＰＶＤ法として（ｄＴａを酸素分圧中で反’Ｉ’
ｊ’ｌ ｊ”−スパッタリングする方法、Ｔａ２０５を
スパッタリングゴーる方法、さらにＴａをスパッタリン
グした後、０２をイメンｔｌ−人しアニールする方法が
考えられるが、Ｔａ２０５膜（８）の膜厚制御が難しか
った。捷／こ、＾ｊ（ｆｆｒｙ化法に１スパツタリング
又は電子線蒸漸でＴａ膜を作シ水蒸気中又はＣＯ２ガス
中で熱酸イ１′、するもので酸化ｆｌｉ制御が捕しくＴ
ａ２０５膜（８）の組成ずれが／１−しやすく不１１．
７１当であった。また、ＣＶＤ法ｒｊ： ＴａＣ７５＋
Ｃｏ２−１− ＩＩ。系即ぢＴａのハロケ”７化合物あ
るいｔ：Ｊ、−Ｔａ（ＯＣ２１１ｓ）ｓ −１−０７十
Ｈ２０系即ちＴａの南イ委化合物を用い化で）′反応を
付う気相成長によるものであるが、形成Ｙｉｒ７１度が
ｌｆ６ ＜多結晶になシやすく均一な膜厚がイ（ｊられ
ないので不適当であったのである。 このように措成したこの例のＭＩＳ寥量素子の回ｐ、’
ｉ′ｌは・１５図に示１−ように端子Ａ Ｋ Ｔａ２０
５膜（８）部分についての６ Ｉ’ ＣＴ ％絶縁層と
してのＳ Ｓ 、Ｎ４の膜（５ａ）？′Ｘｌ、分につい
ての′白−ｆ’ｒ’ＣＮが直列ｊν続され、電（傘（４
）の７−ト抵抗Ｒｓを介してＺｋ：子Ｂに接続され、所
定の”？−ｉ Ｗｉ素子として’ｃＪ’ｉｔ ＜ことに
なる。ここで、Ｒ７は’Ｉ’ａ、、０５１１；′！（８
） １４１５分についての抵抗分を容）ｉｊ ｃＴと並
列に考えンυものであり、また、Ｄは下層のＰＮ接合に
」るダイオード、Ｃｓ１（ｌこのＰＮ接合の容）−を３
１ｆ１列的に考え／こもの−にれらＰＮ桜合ダイオード
Ｄと容１ｊＣＳの並列回路ｔま−：ｉｌ：がＪν地され
ている。この第５図に示ず回路に１１ この例のように
容部Ｃ７を容量ＣＮより十分大きく例えは１０倍程度に
とると、第Ｇ ｌ”Ｉに示ずＡ４ｌ５ 芥ｊ（：素子の
容部につき容ｆｉ’ｔ、ＣＨの値／Ｃけを考えた回路と
はは等価と考えられる。ＪｆｔＪ波数対ｈ＃ ｆｌｊ、
容量の％性は、第７図に示すように、ｒ ａ ２０５１
ｆｔ、 （８）を形成しない従来の場合の特性を示す点
ｉｊ＋！Ｉのグラフ０υとこの例のＴａ２０５１１Ａ（
ｓ）を形成した場合の特性を示すグラフ０のとを比較す
ると数１００ＮＩＨｙ、まで周波数特イ」−の相違はな
かった。そノ１．ゆえ、実用上Ｔａ２０５ 膜（８）を
形成したことによって静７１・容量については何ら悪影
響ｖ、１ない。′！ｉた、回ｊｒ１１’ｒのアドミタン
スＹにつき実部Ｒｅ［Ｙ：］と虚部Ｉ ｍ ＣＹ ）と
の比をとった、 １３□ａ ＝Ｒ・
て好適なメタルインシュレートセミコンダクタ（以下Ｍ
ＩＳ七ｈｊシす。）容量紫芋Ｋ ＩＩＰ、Ｊするもので
ある。 １］゛県技術とその１８１ｊ内点 従来、半祷体集禎回路に使用するＭＩＳ容量素子として
第１図に示すようなものがあった。 第１図において、（１）は例えばシリコンＳｔで形成（
７だ基板を示し、このＳｌ基板（１）の基板面上に基板
のに１′１晶１１１１と一致したＳｌ単結晶層即ちエピ
タキシャル層（２）が形成されている。ここで、エピタ
キシャル層（２）はＮ型、Ｓｌ基板（１）はＰ型となさ
れ両省によりＰＮ接合を形成している。また、これらの
上に例えＵアルミニウムによシ形成された’Ｆｉｔ 楡
（３）（４）を設り史に、これらのアルミニウム電極（
３） （４）の間にし１］え如厚さ３５０ＸのＳ ｆ
３Ｎ４によシ形成した誘電イイ・層（５）を設ける。ま
た、電極（３）を形成するアルミニウムのシンタリング
を防止するだめのポリｓｉＪＭ（６）を設りる。また、
（４ａ）は電極（４）と接合された例え−アルミニウム
よシな４導電層である。そして、電極（３）から端子Ａ
を導出し、導電層（４Ａ）上り端子１３を導出し、Ｓｌ
基板（１）を接地し、端子Ａと端子Ｂとの間ＫＰ）＋定
の存分をもたせＭＩＳ層Ｙ ｊｆ’素子をノ１３成−，
１−，＜ンようになされている。 ところで、このようなＭＩＳ容［ｔ：素子においてｔＪ
高容量化を図るためにｒ’ｒ’ｒ ％、体層の）４．＋
さを４９くシ、電極（３）と電極（４）との間隔を狭く
することが望−ｆれた。しかし、このりｆ来例にあって
け誘電１体層（り） ’ｘ−形成しているＳ ］ ３Ｎ
４の膜を薄１１！ｉ化して２００Ｘ〜３００Ｘにすると
、第２図に示すように′ｒ［、極（３Ｊ ？、・形成１
′るアルミニウムが５１３Ｎ４の誘電体層（５）を突き
１友けでもう一方の１：４（さく（４）側まで到達しい
わゆるアルミニウムり（３ｂ）が起こり短絡し容量素子
とならなくなってし址うことか多かった。ここで、（３
ａ）はアルミニウムの拡散層、（６ａ）はｔｊ’１ｖＳ
１の拡散層、（６１））ｉ’、Ｊ： 、１ＱＩＪ Ｓｌ
の粒状層である。このアルミスパイク（３ｂ）が生じる
ため、従来例でＩｒｊ、ｍ電体層（５）を十分にンｔ’
ｔ くすることができず１１１月ｈ＋があった。寸だ、
Ｍｏ。 Ｗ、ＴＩ４！Ｆの膜をノ１？成してＭ！強してもアルミ
スパイクを完全に防止できなかった。 発明の目的 本発明（・、１、上述の欠点をｈτＦ消するためになさ
れ／ζもので、歩留りが良く、高容甲′のＭＩＳ容ｋ（
素子を４Ｒ）ＩＩ、することを目的とするものである。 ブ１１明の概吸 本発明Ｎ＋Ｉｓ Ｓ ：＋・素子は、基板」−に誘電体
層を介して′１Ｆ記極を形成したＭＩＳ容■素子におい
て、誘電体層を高誘ｆ（ｊ率をイｊする高融点金属の安
定な酸化ＩＩＩλと他の絶縁Ｒ６Ｋより形成するように
したもので１、！ｂ・留りが良く高合、量のＭＩＳ ｙ
景素子をｖｔ供するものである。 実施例 第３図を参照して、本発明のＭｉｓ容酔素子の一実施例
について敢１明しよう。この第３図において第１図に対
応する部分には同−省１号を（＋１１．そ力、らの詳細
な説明は省略する。 第３図において、（８）は高誘電率を有する高融点金属
の安定な酸化膜例えはｊηさ２７０ＸのＴ１１２０５１
！＋３を示し、このＴａ２０５１１％’＋（８）を減圧
ＣＶＩ）法で形成し、従来問題となったアルミス・やイ
クを防止するようにする。凍た、絶縁層としての８１３
Ｎ４１Ｅ！ （５ａ）を例え―ｊｊすさ９５Ｘに形成す
る。ここで、Ｔ１１２０５により得られる容量ＣＴをＳ
ｉ３Ｎ４によりイ！Ｉられる容−１４４ＣＮの１０倍と
なるようにする。他の部′７）＋」： Ｎ １１ｒ：来
のＭＩＳ容量素子と同様に形成する。 次に、との例のＭＩＳ容伶素子の１１（ソコ１１１王稈
中Ｔａ２０５の薄膜（８）を減圧ＣＶＤ法により形成す
る丁杉・°につき説明する。 反応炉（ＩＱ＋は、拡散炉型を用い、炉芯者（］（ｌａ
）内を弁（１０ｂ）を用いて真空７」？ンプ（図示せず
）に二より００１１−−ル程度に減圧出来るようにする
・ま／こ、弁（１０（りを介して酸素ガス０２を例えば
流速ＩＱＩＩＣＣＭ以下で炉芯’ｔ（１０ａ）内に供給
する。また、５ｔ’（１０ｄ）を介してＴａの有機化合
物としてのＴａ２０５を例えば窒素がスＮ２のみをキャ
リアがスとして使用し炉芯％’ （１０ａ）内に供給す
る。この場合、Ｔａ２０５の酸素ガス０２に対する分圧
比は１以上で即ちＴａ２０５の力を等圧あるいはそれ以
上のＦ９ｉ定の分圧とするようにコントローラ（１ン１
示せず）にてガスを炉芯償（］Ｏａ）に供給するように
する。また、炉芯管（，１（ｌａ）内でＴａ２０５を熱
分解する温ｌｕｘ ｉ、Ｊヒータ（１０ｅ）ｋＣ−て４
２（１℃〜４７０℃を１呆つものとする。また、つニー
バーボー） （１０ｆ）はガスが均一によどみ層と（７
てウェーハー（１０ｇ） Ｍ ＩＭ！に供給されるよう
にする５、このような減圧ＣＶＤ法によると、例えば厚
さ２５０人で高ｈ ｉｉ、、 ３：のＴ ａ ２０５
Ｍ膜がイ（Ｉられる。憤に、板圧ＣＶＤ法によ乙と均一
の組成で均一の膜厚を制御１１１７１良く１番）られる
ことかイ１１（かめられた〇ち７５：みに、従来のＴａ
２０５の形成法とし°Ｃは陽極ｉＩ、’）、’ 、ｉヒ
法、ＰＶＤ法、熱醇化法、ＣＶＤ法があったが、この例
のＴａ２Ｏ，膜（８）の形成にｊ］）って１１−上ｉｒ
ｌ、し７だ減圧ＣＶＤ法によるのが最も安定して卦１−
なｎｌ、：ＩＰｒ′を形成することができる。ここで、
Ｉｔ’３４’ｌｉ ｒｊ、’９化法はＴａをスパッタリ
ング又ｄ電子夕ｉ！ ；’ｔ４塘また後に（ｏｏｎ）２
・ＨＣ２またはＨ３ＰＯ４液中で陽極酸化するもので簡
便な製法であるが均一な組成がイ！ｊられなかつ／（。 捷た、ＰＶＤ法として（ｄＴａを酸素分圧中で反’Ｉ’
ｊ’ｌ ｊ”−スパッタリングする方法、Ｔａ２０５を
スパッタリングゴーる方法、さらにＴａをスパッタリン
グした後、０２をイメンｔｌ−人しアニールする方法が
考えられるが、Ｔａ２０５膜（８）の膜厚制御が難しか
った。捷／こ、＾ｊ（ｆｆｒｙ化法に１スパツタリング
又は電子線蒸漸でＴａ膜を作シ水蒸気中又はＣＯ２ガス
中で熱酸イ１′、するもので酸化ｆｌｉ制御が捕しくＴ
ａ２０５膜（８）の組成ずれが／１−しやすく不１１．
７１当であった。また、ＣＶＤ法ｒｊ： ＴａＣ７５＋
Ｃｏ２−１− ＩＩ。系即ぢＴａのハロケ”７化合物あ
るいｔ：Ｊ、−Ｔａ（ＯＣ２１１ｓ）ｓ −１−０７十
Ｈ２０系即ちＴａの南イ委化合物を用い化で）′反応を
付う気相成長によるものであるが、形成Ｙｉｒ７１度が
ｌｆ６ ＜多結晶になシやすく均一な膜厚がイ（ｊられ
ないので不適当であったのである。 このように措成したこの例のＭＩＳ寥量素子の回ｐ、’
ｉ′ｌは・１５図に示１−ように端子Ａ Ｋ Ｔａ２０
５膜（８）部分についての６ Ｉ’ ＣＴ ％絶縁層と
してのＳ Ｓ 、Ｎ４の膜（５ａ）？′Ｘｌ、分につい
ての′白−ｆ’ｒ’ＣＮが直列ｊν続され、電（傘（４
）の７−ト抵抗Ｒｓを介してＺｋ：子Ｂに接続され、所
定の”？−ｉ Ｗｉ素子として’ｃＪ’ｉｔ ＜ことに
なる。ここで、Ｒ７は’Ｉ’ａ、、０５１１；′！（８
） １４１５分についての抵抗分を容）ｉｊ ｃＴと並
列に考えンυものであり、また、Ｄは下層のＰＮ接合に
」るダイオード、Ｃｓ１（ｌこのＰＮ接合の容）−を３
１ｆ１列的に考え／こもの−にれらＰＮ桜合ダイオード
Ｄと容１ｊＣＳの並列回路ｔま−：ｉｌ：がＪν地され
ている。この第５図に示ず回路に１１ この例のように
容部Ｃ７を容量ＣＮより十分大きく例えは１０倍程度に
とると、第Ｇ ｌ”Ｉに示ずＡ４ｌ５ 芥ｊ（：素子の
容部につき容ｆｉ’ｔ、ＣＨの値／Ｃけを考えた回路と
はは等価と考えられる。ＪｆｔＪ波数対ｈ＃ ｆｌｊ、
容量の％性は、第７図に示すように、ｒ ａ ２０５１
ｆｔ、 （８）を形成しない従来の場合の特性を示す点
ｉｊ＋！Ｉのグラフ０υとこの例のＴａ２０５１１Ａ（
ｓ）を形成した場合の特性を示すグラフ０のとを比較す
ると数１００ＮＩＨｙ、まで周波数特イ」−の相違はな
かった。そノ１．ゆえ、実用上Ｔａ２０５ 膜（８）を
形成したことによって静７１・容量については何ら悪影
響ｖ、１ない。′！ｉた、回ｊｒ１１’ｒのアドミタン
スＹにつき実部Ｒｅ［Ｙ：］と虚部Ｉ ｍ ＣＹ ）と
の比をとった、 １３□ａ ＝Ｒ・
〔９〕
Ｉｍ［灼
についてはＴａ２０５膜（８）を形成しろ：い従、、！
１６例の」λ、”１合の点線のグラフα；多ととの例の
Ｔ１１２０ ｓルミ ＜ｓ＋を形成（７たこの例の場合
のグラフα喧とを什−１−：）するとオーディオの音声
帯域としての低周波域でｋｌ： ｔａｌｌδが小さくで
き、より良好な容量素子となっていることがわかる。 以上述べたように、この実施例によノ’１． ｉｌｊ、
基板上に誘電体層を介して’ｒａｔ ４飢を形ＪｊＳ’
、 ｌ、たＭＩＳ：外；；１素子において訪市、体層に
高誘１［１；率でＳ Ｉ、Ｎ、よりも低い抵抗率を持ち
熱応力もＳＩ３Ｎ４回イ・）とでダシ；ｊなＴａ２ｏ５
膜（８）を形成した２層構造としたので、誘′ぺ・１体
層をＳＩ３Ｎ４膜（５ａ）を９５ Ｘ Ｋ薄膜、（６化
してもアルミニウムが突き抜けるアルミス・やイクを防
１）二できる。それゆえ、高容遇のＭＩＳ容！素子をイ
ＩＪることか−Ｃきろ利益がある。寸た、この例ではＴ
ａ ２０５膜（８）を減圧ＣＶＤ法により形成したの
で安定して均一な膜厚の良′ｄな膜を形成でき歩留り良
＜ＭＩＳ ｇ Ｎ素子をイ（することができる利益があ
る。また、−δの周波数特性がオーディオの音声帯域と
しての低周波数域で小さくでき、より高性能のＭＩＳ容
Ｍ素子を得ることができる利益がある。 捷だ、上述実施例においてはＴ１１２０５膜（８）を形
成したが、高誘電率を有する高融点金楓の安定な酸化膜
としてのＮｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２による薄膜を用いてもよ
い。寸た、絶縁層を５ＩＯ２，Ａｔ２０３等により形成
することも口ｊ能である。 なお、本発明は上述実施例に限らず本発明の要旨を逸脱
することなく、その他種々のイ１゛４成が取り借ること
は勿論である。 う１１明の効果 Ａ２発明によれは、ＭＩＳ答吊素子の電極間に設ける。 Ｊ５５膜層を重線電率を廟する高融点金九の安定ｉ’ｉ
： ｎｙ化１１１．￥と他の絶縁層により形成するよう
にしたので、高′谷石、のＩＶＩＩｓ谷址素子を歩留り
良くイ！することができる利益がある。
１６例の」λ、”１合の点線のグラフα；多ととの例の
Ｔ１１２０ ｓルミ ＜ｓ＋を形成（７たこの例の場合
のグラフα喧とを什−１−：）するとオーディオの音声
帯域としての低周波域でｋｌ： ｔａｌｌδが小さくで
き、より良好な容量素子となっていることがわかる。 以上述べたように、この実施例によノ’１． ｉｌｊ、
基板上に誘電体層を介して’ｒａｔ ４飢を形ＪｊＳ’
、 ｌ、たＭＩＳ：外；；１素子において訪市、体層に
高誘１［１；率でＳ Ｉ、Ｎ、よりも低い抵抗率を持ち
熱応力もＳＩ３Ｎ４回イ・）とでダシ；ｊなＴａ２ｏ５
膜（８）を形成した２層構造としたので、誘′ぺ・１体
層をＳＩ３Ｎ４膜（５ａ）を９５ Ｘ Ｋ薄膜、（６化
してもアルミニウムが突き抜けるアルミス・やイクを防
１）二できる。それゆえ、高容遇のＭＩＳ容！素子をイ
ＩＪることか−Ｃきろ利益がある。寸た、この例ではＴ
ａ ２０５膜（８）を減圧ＣＶＤ法により形成したの
で安定して均一な膜厚の良′ｄな膜を形成でき歩留り良
＜ＭＩＳ ｇ Ｎ素子をイ（することができる利益があ
る。また、−δの周波数特性がオーディオの音声帯域と
しての低周波数域で小さくでき、より高性能のＭＩＳ容
Ｍ素子を得ることができる利益がある。 捷だ、上述実施例においてはＴ１１２０５膜（８）を形
成したが、高誘電率を有する高融点金楓の安定な酸化膜
としてのＮｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２による薄膜を用いてもよ
い。寸た、絶縁層を５ＩＯ２，Ａｔ２０３等により形成
することも口ｊ能である。 なお、本発明は上述実施例に限らず本発明の要旨を逸脱
することなく、その他種々のイ１゛４成が取り借ること
は勿論である。 う１１明の効果 Ａ２発明によれは、ＭＩＳ答吊素子の電極間に設ける。 Ｊ５５膜層を重線電率を廟する高融点金九の安定ｉ’ｉ
： ｎｙ化１１１．￥と他の絶縁層により形成するよう
にしたので、高′谷石、のＩＶＩＩｓ谷址素子を歩留り
良くイ！することができる利益がある。
第１図は従来のＭＩＳ容量素子の例を示す断面図、第２
図は第１図例の要部の例を示ず断面１ツ１％第３図は本
発明ＭＩＳ容量素子の一実施例を示す断面図、第４図、
第５１凶、第６図及び？！、７図ｒ、↓−それぞれ第３
図例の説、明に供する線図である。 （１）け基板、（３） （４）は電極、（５ａ） ｉｔ
８１５Ｎ４膜、（８）ｔまＴ ａ ２０５膜である。 同 イ公 １に！ イノ、 盛 □′＋ 、・’、、、
）、ｊ時山１１＋ 第１図 第２図 Ａ Ｂ 第４図 手続補正書 昭和５９イ１５月 ２９１１ １ 中、ｆ’ｌ （）） 表 小 昭和５８年特許願第 １７５４２６号 また明の名称 ｒ、Ｊ Ｉ Ｓ ＠ ｉｌ（メく子３１
山１１を−４るｈ ・１灯′１との１内１糸 ′４’、’１．！’１Ｉ１１
’＋ ｌ！＋！Ｉｆ人（１１すｌ 東ジ；・、）１１；
品１１１１ズ北品１１１６１’１１７音３５゛弓と、４
ｆ１．１２１８・ ソニー株式会ｉ′１代表月Ｖ、１′
吊１之 友 １“、、＋ １ｊＩＨ，７：１１５．１’
ｌｌｌ ＩＩＩ’（］’ｉ令のＩｆｆ・ｊ 昭和 １−
月 １１（１） 明細書中、第２頁第８行「ンンタリ
ング」とあるを「城散によるスパイクの発’＝ｌ Ｊに
削ｊＥする。 （２）同、第４頁第１２行〜第１４行「ここで、・・・
となるようにする。」とあるを削除する。 （３）同、第５頁第４行、第６行、第７行及び第１１行
ｒ Ｔａ２０５ Ｊとあるをｇ Ｔａ（ＯＲ）５ Ｊ
Ｉｃ訂正する。 （４）同、第６頁第４行ｒ （ＵＵＨ）２Ｊとあるをｒ
（ＣＯＯＨ）２Ｊ Ｋ訂正する。 （５） 同、第６頁第１５行「ＣＶＤ法」とあるを「常
圧ＣＶＩ）法」に訂正する。 （６）図面中、第７図を別紙の、＋１．！Ｊり訂正１−
る。 以」ニ
図は第１図例の要部の例を示ず断面１ツ１％第３図は本
発明ＭＩＳ容量素子の一実施例を示す断面図、第４図、
第５１凶、第６図及び？！、７図ｒ、↓−それぞれ第３
図例の説、明に供する線図である。 （１）け基板、（３） （４）は電極、（５ａ） ｉｔ
８１５Ｎ４膜、（８）ｔまＴ ａ ２０５膜である。 同 イ公 １に！ イノ、 盛 □′＋ 、・’、、、
）、ｊ時山１１＋ 第１図 第２図 Ａ Ｂ 第４図 手続補正書 昭和５９イ１５月 ２９１１ １ 中、ｆ’ｌ （）） 表 小 昭和５８年特許願第 １７５４２６号 また明の名称 ｒ、Ｊ Ｉ Ｓ ＠ ｉｌ（メく子３１
山１１を−４るｈ ・１灯′１との１内１糸 ′４’、’１．！’１Ｉ１１
’＋ ｌ！＋！Ｉｆ人（１１すｌ 東ジ；・、）１１；
品１１１１ズ北品１１１６１’１１７音３５゛弓と、４
ｆ１．１２１８・ ソニー株式会ｉ′１代表月Ｖ、１′
吊１之 友 １“、、＋ １ｊＩＨ，７：１１５．１’
ｌｌｌ ＩＩＩ’（］’ｉ令のＩｆｆ・ｊ 昭和 １−
月 １１（１） 明細書中、第２頁第８行「ンンタリ
ング」とあるを「城散によるスパイクの発’＝ｌ Ｊに
削ｊＥする。 （２）同、第４頁第１２行〜第１４行「ここで、・・・
となるようにする。」とあるを削除する。 （３）同、第５頁第４行、第６行、第７行及び第１１行
ｒ Ｔａ２０５ Ｊとあるをｇ Ｔａ（ＯＲ）５ Ｊ
Ｉｃ訂正する。 （４）同、第６頁第４行ｒ （ＵＵＨ）２Ｊとあるをｒ
（ＣＯＯＨ）２Ｊ Ｋ訂正する。 （５） 同、第６頁第１５行「ＣＶＤ法」とあるを「常
圧ＣＶＩ）法」に訂正する。 （６）図面中、第７図を別紙の、＋１．！Ｊり訂正１−
る。 以」ニ
Claims (1)
- 基板上に誘電体層全弁して電極を形成したＭＩＳ容井１
子において、上記誘電体層を高誘電率を有する高融点金
属の安定な酸化膜と他の絶縁層により形成するようにし
たことを特徴とするＭＩＳ容量素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17542683A JPS6066850A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | Ｍｉｓ容量素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17542683A JPS6066850A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | Ｍｉｓ容量素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066850A true JPS6066850A (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=15995888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17542683A Pending JPS6066850A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | Ｍｉｓ容量素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066850A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61145854A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS62142342A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63177454A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-21 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5565458A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-16 | Nec Corp | Memory cell |
| JPS5745968A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-16 | Ibm | Capacitor with double dielectric unit |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP17542683A patent/JPS6066850A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5565458A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-16 | Nec Corp | Memory cell |
| JPS5745968A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-16 | Ibm | Capacitor with double dielectric unit |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61145854A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS62142342A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0464470B2 (ja) * | 1985-12-17 | 1992-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS63177454A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-21 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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