JPS6066816A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （Ａ）　発明の技１ド」分シＩＩ 木）ら１す」は重子ビーム蕗光装姪、１行にパターン全
励起光により照射し、発生した光電子音ウエノ）などに
結像する転写型の電子ビーム１１・、％ｊ’ｅ　’ｈ’
ｉ　ｉ？−のｈす束結像系に関するものである。

■）　技術の背景と問題点 従来、転写型の′電子ビーム蕗う°Ｃ装置１′す、では
、例えば２棟の仕事関数の異なる物質により形成したレ
チクルマスクなど全励起ノｔにより照射し、その発生し
た光電子を加速し、加速した光＋ｌＬ子を磁界レンズに
よりウェハなどに結像させて、レチクルマスクのパター
ンの転写を行なっていた。この除励起光により照射され
たレチクルマスクのパターンの仕事関数の小さい！ｌｌ
性質ら放出された光電子耐加速する８１１分と、七〇）
加速された重子？！″精１２ζ１−る部分と音別々にも
うけていた。その１こめ／Ｊｌｌ　、ｖｌ、された電子
音結像する磁界レンズの収差、行に球ｕｎ収光りため、
レチクルマスクから放１月されノこうｉＬ　ｑ□出」二
の光電子がウニへ面に集束されても、磁界レンズの光軸
中心から半径方向に離れるに１／６い、レチクルマスク
から放出された光電子に幻′１″るカッ（夕１率が大き
（なりウニへ面より手前に結１子され、ウエハ１川では
レチクルマスクのパターンがボケてしまうという問題が
あった。

（Ｃ）　発明の目的と格成 本発明は、レチクルマスクなど奮励起ブＣによりノ：１
、Ｘ県ＪｊＬ、うろ生した元′ｔｄ子を加速集束し、ウ
ェハ而に７話なさぜΦ電子ビーム路光装置において、光
電子の加速に除し磁界レンズの作用を重畳させるととも
に、光電子の磁界レンズによる結像に除しｒ′Ｔ！川加
ノ用ｉ作用ヲＵｋ畳させることにより、レチクルマスク
のパターンをウニへ面に１好明に転写すること金ＩＥＩ
　ｌ’ｌ’Ｊとしている。そのため、本兄明の′電子ビ
ーム、１７元装置は、ハターン會もうけたレチクルマス
クと１．□某しチクルマスクに励起光を照射する照射部
と、ｎＡ　Ｉ！ｉ４割都により照射されたレチクルマス
クから光生した′電子奮加連（１す束する加速集束都と
、１、＼Ｕ１１　ｉ：Ｉｉ束東）４１へにより力ＩＪ連
果束された１Ｌ子を結１致すω４１’ｊ　Ｉ：Ｘ糸とを
イｆす金電子ビームＥ’ｉ４光装置において、１」１１
記加連果束都に１’ｌ’電加迷レンズおよび磁界レンズ
ｔもうけるとともに前記結像系に磁界レンズおよび）：
Ｊ”ｉ西加運レンズと全イイすることｒ行値とじている
。

■）発明の実施例 第１図はレチクルマスクの１（１′口戎ｆ／ｌｌ　葡ｉ
Ｊ＼し、ｒ４）２図は従来の電子ビーム露光装置Ｉｊ′
ｆ３：示し、第３図は他のレチクルマスクの４４６賊例
荀示し、２１３４図は木兄ψＪのｌ笑施構戟例ケ７バし
、第５１ヌ」は他の失施例をボす。席ｊ中、■はレチク
ルマスク、］−］は基板、２は被ｊ漠、３はパターン、
４は加速Ｊ１す上電極、５は絞り、６，１２はイ鍬昇レ
ンズ、７に１、ウェハ、８はステージ、９は電源、１０
は゛）′（＝伽、］■はシャッタ、１３は偏向コイルケ
表わす。

第１図はレチクルマスク７示し、ガシスなどの透明基板
１−１の面上に既知の方法により、Ｊ　Ｃなどの素子製
造のためのパターン３を形成Ｊ′る。

そして、光電子放出板ｈ−′＋　２　を全曲に形Ｊｊ１
５づ−る。

第２図は従来の電子ビーム籍う゛０東１１゛１−葡７Ｊ
Ｚし、第１図図示のレチクルマスク１ケ本久１）１に取
り（’］ける。そして、負の１−６′亀圧例えば−２５
Ｋ　Ｖｒ印加するとともに背向から励起元金ｊでα躬す
る。）’に　’ｉ１．＋、　”ｆ放出被膜２から放出さ
れた光′Ｉも、子（第２図点にｊ、）矢印９は′重圧の
印加された有孔円板状の加速集束電４ζ４により力り迷
され、刀目速された′「氏子のうち光軸中心の゛電子の
みが絞り５を進退し、通過した電子はイ１存昇レンズ６
によりウェハ７にｍ　ｆ＆されて、レチクルマスク１の
パターン３の転写が行なわれる。

Ｉｊム写の１余のム・ｈうＣ量はレチクルマスクｌ全照
射する１時間ケシャツタなどによりＭり整することによ
り行なう。ウェハ７の全面に蕗元するには、ステージ８
盆順次移動させ、上記′電子線によるレチクルマスク１
のパターン３の転写葡繰り返す。レチクルマスクｌの九
′１１Ｌ子放出囲および電子線の通路は真／？−二に保
ｊ、テされ金４、 第３図は他のレチクルマスフケ示す。このレチクルマス
ク１は第１図図示のレチクルマスク１とは冗１．１：す
、扱）ｒ、４１　ｉ示板１−１の而の全体に形成し、七
の１グパターン３栄形Ｊ現したものである。

第４　＋３１は本光り」の１笑力再横戟例を示す。本発
明の１０、−■−ビームム・′１１元装置に第３図図示
のレチクルマスクを取り付り゛、貝の１１．′ｌ′亀川
、用えば−２５ＫＶケ１１〕加するとともに、；ｙｉ’
ｚ　４図図示の如（、有孔円板状の加速集束電極４に夫
々市圧全＋：ＪＪ加Ｊ−る。この加速集束電極４に゛醒
圧金印加ずΦことにより第４図図示の如（、下方向に凸
の加速市、界が生Ｊ″る。

今キセノン・マーキュリランプ１０７Ｊ）らのＩＩｉ、
ｌＪ起光葡シャッタ１１（５介し、百孔円ｆｌ’ｉ１４
状反躬私５で反射させてレチクルマスク１に＋＋＠躬１
−る。Ｉ！ｔｉ　４（Ｊされムニレテクルマスクｌのパ
ターン３は光１ｊｊ子全放出する。放出されたブＣ電子
は仮数の加速４１１束屯搏４により加速集束されるとと
もに重畳された磁界レンズ１２による集束作用？受ける
。この＋６１、；：１！　４１Ｎ＜１図示のように加速
集束゛屯・政４により下方に凸の市、昇カ生じ、レチク
ルマスク１のパターン３かも放出された光電子に河し、
光軸上の電界に比し光軸から１・１１れた位置の電界強
度が強い１こめ）Ｃ軸から離れた位置の光電子ｎ）速夏
が：）’Ｉ’、軸上の光ｉｊ３．子に比し速い−このた
め磁界レンズによるｙｌ；＋１１１か’）　ｉ’ｉｌｌ
れた位１位の電子に対ｊるレンズ作用、いわゆ４曲折率
が元軸上の曲折率よりも尚いこと１（どによ４）ウェハ
７而でのパターン３のホケｆｉ：軽減することができる
。同様に７ＪＩ］運集束ｍ極をメ１ｔねる絞り５２）Ｉ
Ｈ，・Ｉｉした′１．．．子奮ウェハ７に、詰機させる
場合にも、磁界レンズ６による昂１シζ作用に重畳させ
て加速集東軍・；ノ４ヶも５げることによりウェハ７へ
のパターン３のボケ”：ｆ：　’ｊＵ：減させることが
できる。なお上記磁ｙ゛１′−レノズ６−や１２による
作用は、う゛Ｃ電子走行行程中の−１１１３にのみ１効
くようにされている。、また図中１；３は偏向コイルで
あり、レチクルマスク１のパターン：３がウェハｎｕに
転写される位酋金合わせるｆこめのものである１、 −ｊ投には、Ｘ方向とＹ方間とにパターン３の転写位１
１’、、、（７Ｊ任２［ｋに７１寥動させることができ
る。又、大ざｌ、ｆ、ウェハ７、例えは５インチの全開
に露光するにはステージτＩＫ↓次移ｊｉ、ｉＪｒざぜ
前述の電子露光装置Ｋ　ヨ；、）　ｙ；□元−ｆ、３（
Ａエリ返−」−。ルル元量の調狭はシャッタ１１の１）
ｙＪ放してい７ろ時１１ミ］によって行なう。

化５区は他の１．、Ｉふ／ＪＬＩＪ　１ンりを７ＪＣし
、レチクルマスク１奮曲ｆ１１」にしたＬ易モＦ　’Ｃ
ンＪマす。

！：４’Ｊ　５１￥ｊｆｃｌｏ’、・て、曲ｔｉｎ　Ｋ
曲げタレ−Ｊ−り／ｌ／　７　スフ１〒木兄１ル」の罠
ｌｒシに１１ゾり旬げ、レチクルマスク１の１岑而から
励ｒＩＮブ０葡照射する。レチクルマスクｌの表向に形
成した光電子放ｕｊ用の被片−！２から成用された光電
子は加速果束屯似４および磁界レンズ６により、既述し
たようにウェハ７に請１求さね、レチクルマスク１のパ
ターン３の転写が１」なわれる。この１祭、光電子放出
面である１／チクルマスク１が曲面にされているため、
ブｔ　ｉｎｎがＩう半イ１−刀回に１征れた位置から放
出された光重、子がウェハ聞より手前で結１隊される現
衣ケ木兄明に係る装置−４とイ］］俟って軒減し、レチ
クルマスク１のパターン紮１！ｌｉ明にウェハに転与さ
ぜることかできる。

（ＥＪ　発明の効果 以上説明した如（、不発ψ」によれば、レチクルマスク
のパターンに／助起光により照射し、〕１−ノドした九
′電子紮加速し、ウエノ’　１ＩＩｌに結白ず・心市子
ビーム蕗元装置において、レチクルマスクｎ・らシ（Ｌ
生した光電子音加速するに踪し磁界レンズの作用を重畳
させるとともに、光電子の磁界レンズによゐ結像に際し
静電加速作用ケ車な１−させているため、レチクルマス
クのパターン葡７ｔｔＩ　１４１１Ｊにウェハ［ｎｌに
転Ｊ−ｉ′させることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はレチクルマスクの１４ｆ＆成例’３）　ｙＪ＜
　シ、第２図は、Ｋ米の、６子ビーム蕗光装（αを示し
、第３図は他のレチクルマスクの４１＃　ｆ、例全示し
、第４図は本発つ」の］央ｈＩ口構成例金示し、第５図
は本発明のＨａ）■実施１．！！厄例賢示す。 １２Ｊ　中、１はレチクルマスク、２はＳＩＮ、３はパ
ターン、４は加連集束′ＩＬ極、５は絞り、６，１２は
イ１晟昇レンズ、７はウエノ）、８はステージ、１０は
ｔｔ　ｔｉ、ＩＩはシャッタを表わす。 ｌＩＭ−許出願人　富士通株式会社 代理人弁理士　森　１）　克 （外１名）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. パターン？も５す′たレチクルマスクと、該レチクルマ
   スクに励起光全照射する照射部と、該照射ｆＳＩＳによ
   り３４＜４６Ｂされたレチクルマスクから発生した’１
   ．．Ｌ＋全加連果束する店ｊ速集東部と、該〃口速集東
   部により）Ａｌ迷集束された電子に結像する結像系とを
   イ“Ｔ−Ｊ−るＩル子ビームｉ；ｉ）光装置Ｅｉにおい
   て、前記刀目速集束１１ｂに１」」弓トＬ加運ンンズお
   よび磁界レンズをもうけるとともに１イげ記結像系に磁
   界レンズおよび’ｆｆｆ’亀加迂レンズとを有すること
   をｑ：ｆ似とする′電子ビーム＋、’＋；　：ｙＬ良直
   。