JPS6063275A - 液晶性化合物 - Google Patents
液晶性化合物Info
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- JPS6063275A JPS6063275A JP16939983A JP16939983A JPS6063275A JP S6063275 A JPS6063275 A JP S6063275A JP 16939983 A JP16939983 A JP 16939983A JP 16939983 A JP16939983 A JP 16939983A JP S6063275 A JPS6063275 A JP S6063275A
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- general formula
- crystal compound
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な液晶性化合物に関する。
表示素子の分野において低消費電力の電気光学素子が望
まれている。液晶表示セルは液晶分子の配向を電気的に
制御でき、しかもその電気抵抗が非常に高いためそのよ
うな要求にかなうものとして注目されている。
まれている。液晶表示セルは液晶分子の配向を電気的に
制御でき、しかもその電気抵抗が非常に高いためそのよ
うな要求にかなうものとして注目されている。
液晶表示セルのなかでも、液晶ドツトマトリクス表示セ
ルは、電子式卓上計算機を始めとして、事務機器、電子
計算機の端末表示装置等に使用され始めている。その結
果、液晶表示セルとしては、より見やすく、また、より
表示画素数の大きいものがめられている。
ルは、電子式卓上計算機を始めとして、事務機器、電子
計算機の端末表示装置等に使用され始めている。その結
果、液晶表示セルとしては、より見やすく、また、より
表示画素数の大きいものがめられている。
ドツトマトリクス表示とは、図形あるいは文字等の情報
を点の集合として表示するものであり、表示画素数が多
くなるためにマルチプレックス駆動が必要になる。当初
！／７もしくは１／８デユーテイで駆動された１行表示
のセルが一般的であったが、最近ではｌ／３２デユーテ
イあるいハ１／８４デユーティ等の要求が生じ、 ＴＮ
セルのマルチプレックス駆動特性を改良する事が重要な
課題となっている。
を点の集合として表示するものであり、表示画素数が多
くなるためにマルチプレックス駆動が必要になる。当初
！／７もしくは１／８デユーテイで駆動された１行表示
のセルが一般的であったが、最近ではｌ／３２デユーテ
イあるいハ１／８４デユーティ等の要求が生じ、 ＴＮ
セルのマルチプレックス駆動特性を改良する事が重要な
課題となっている。
そこで、マルチプレックス駆動特性のすぐれた液晶組成
物を見い出すために種々検討した結果、一般式（Ｉ） で示される４−（トランス−４′−アルキルシクロヘキ
シル）安息香酸３″−フルオロ−４″−アルコキシフェ
ニルエステル ヘキサン環を示し、Ｒ，Ｒ′は炭素数１〜Ｂの直鎖アル
キル基を示す）は無色透明でかつ液晶から等方性液体へ
転移する温度が１００℃以上と高いすぐれた液晶性化合
物であり、しかも一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含
む正の誘電性異方性を持つネマチック液晶組成物がマル
チプレックス駆動特性がすぐれていることを見い出した
。
物を見い出すために種々検討した結果、一般式（Ｉ） で示される４−（トランス−４′−アルキルシクロヘキ
シル）安息香酸３″−フルオロ−４″−アルコキシフェ
ニルエステル ヘキサン環を示し、Ｒ，Ｒ′は炭素数１〜Ｂの直鎖アル
キル基を示す）は無色透明でかつ液晶から等方性液体へ
転移する温度が１００℃以上と高いすぐれた液晶性化合
物であり、しかも一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含
む正の誘電性異方性を持つネマチック液晶組成物がマル
チプレックス駆動特性がすぐれていることを見い出した
。
ＴＮセルのマルチプレックス駆動特性は、駆動電圧、電
圧マージン、応答速度等で表わされることが多いが、表
示コントラストに直接影響する特性としては電圧マージ
ンが最も重要である。電圧マージン（Ｍ）とは駆動電圧
の変動がどの程度許容できるかを表わす値であり、選択
波形で充分点灯するための最低電圧（Ｖａｎ）と半選択
波形でクロストークが生じ始める最高電圧（Ｖｏｆｆ）
との差の駆動電圧に対する割合として次式の用に定義さ
れる。
圧マージン、応答速度等で表わされることが多いが、表
示コントラストに直接影響する特性としては電圧マージ
ンが最も重要である。電圧マージン（Ｍ）とは駆動電圧
の変動がどの程度許容できるかを表わす値であり、選択
波形で充分点灯するための最低電圧（Ｖａｎ）と半選択
波形でクロストークが生じ始める最高電圧（Ｖｏｆｆ）
との差の駆動電圧に対する割合として次式の用に定義さ
れる。
Ｍ−（Ｖｏｆｆ−Ｖａｎ）／ＶＤ Ｘ １００％ （１
）ＶＤ＝（Ｖｏｎ＋Ｖｏｆｆ）／２ （２）電圧マージ
ンが大きい程走査線数を増す事ができ、また、表示コン
トラストも優れたものになる。
）ＶＤ＝（Ｖｏｎ＋Ｖｏｆｆ）／２ （２）電圧マージ
ンが大きい程走査線数を増す事ができ、また、表示コン
トラストも優れたものになる。
式（１）、（２）において、Ｖａｎ、Ｖｏｆｆは印加波
形、視野角、温度あるいは点灯状態とクロストーク状態
の定義等により意味が変るため、以下の説明では常法に
従い次の用に定義する。
形、視野角、温度あるいは点灯状態とクロストーク状態
の定義等により意味が変るため、以下の説明では常法に
従い次の用に定義する。
まず、ＴＮセルは従来から知られている様に印加電圧の
実効値に応じて作動するので、使用波形のデユーティ比
、あるいはバイアスが変化してもＴＮセル間の相対比較
をするためには１種類の波形による比較で充分である。
実効値に応じて作動するので、使用波形のデユーティ比
、あるいはバイアスが変化してもＴＮセル間の相対比較
をするためには１種類の波形による比較で充分である。
そこで、１／８デユーテイ１／４バイアス波形を用いた
場合の電圧マージンにより比較する。視野角（θ）はＴ
Ｎセルの法線方向より、低視角明視方向へ１０６から４
０°の範囲を想定する。また、温度は２５℃とし、θ＝
１０’において電圧印加による節度変化がその飽和値
の５０％に達する電圧でＶｏｎ 。
場合の電圧マージンにより比較する。視野角（θ）はＴ
Ｎセルの法線方向より、低視角明視方向へ１０６から４
０°の範囲を想定する。また、温度は２５℃とし、θ＝
１０’において電圧印加による節度変化がその飽和値
の５０％に達する電圧でＶｏｎ 。
θ−４０″ において２５％でクロストーク発生と考え
ＶｏＮと定義する。
ＶｏＮと定義する。
本発明の一般式（Ｉ）の化合物のアルキル基Ｒ，Ｒ′の
長さは夫々は１〜ＢとされるがＸの炭素数の合計は小さ
いと融点が高く、大きいと粘度が高いので、５以Ｅ８以
下が好ましい。
長さは夫々は１〜ＢとされるがＸの炭素数の合計は小さ
いと融点が高く、大きいと粘度が高いので、５以Ｅ８以
下が好ましい。
本発明の式（Ｉ）の化合物は他の液晶化合物と混合して
用い、その使用可能温度範囲を広げ、さらにマルチプレ
ックス駆動性を改良するものであり、他の液晶化合物に
対して通常ｌχ〜５０％゛さらに好ましくは３ｚ〜３０
％混合して使用されればよい。
用い、その使用可能温度範囲を広げ、さらにマルチプレ
ックス駆動性を改良するものであり、他の液晶化合物に
対して通常ｌχ〜５０％゛さらに好ましくは３ｚ〜３０
％混合して使用されればよい。
化合物（Ｉ）の誘電異方性２５℃において一２程度であ
り、ＴＮセルに用いるために正の誘電異方性を持った液
晶と併用せねばならない。こうした目的に適合する正の
誘電異方性を持つ化合物（Ｎｐ材料と称す）の例を以下
に列記する。
り、ＴＮセルに用いるために正の誘電異方性を持った液
晶と併用せねばならない。こうした目的に適合する正の
誘電異方性を持つ化合物（Ｎｐ材料と称す）の例を以下
に列記する。
（Ｒ” 、 Ｒ’“は炭素数１〜８の直鎖アルキル基、
ＸはＦ 、 ＣＩ、Ｂｒ等のハロゲン基を意味する。）
Ｎｐ材料として好ましい物性は誘電異方性が大きいこと
である。従って末端にＣＮ基を持つ化合物を用いること
が一般的であり、ＣＮ基を持つ中でも特に好ましい化合
物である。
ＸはＦ 、 ＣＩ、Ｂｒ等のハロゲン基を意味する。）
Ｎｐ材料として好ましい物性は誘電異方性が大きいこと
である。従って末端にＣＮ基を持つ化合物を用いること
が一般的であり、ＣＮ基を持つ中でも特に好ましい化合
物である。
等が挙げられる。また、誘電異方性は前記化合物程大き
くなくとも、相溶性の観点で優れたＮｐ材料は 等である。
くなくとも、相溶性の観点で優れたＮｐ材料は 等である。
また、誘導異方性が負もしくは零に近い材料と併用する
事もできる。その目的は液晶組成の誘電異方性、ネマチ
ック温度領域、屈折率の異方性等の物性を要求仕様に適
合させるためのものであり、具体的には （Ｒ” 、 Ｒ’“は炭素数１〜８の直鎖アルキル基）
等が用いられる。
事もできる。その目的は液晶組成の誘電異方性、ネマチ
ック温度領域、屈折率の異方性等の物性を要求仕様に適
合させるためのものであり、具体的には （Ｒ” 、 Ｒ’“は炭素数１〜８の直鎖アルキル基）
等が用いられる。
なお、これらの化合物は単なる例示にすぎなく、水素原
子のハロゲン原子、シアノ基、メチル基等への置換、シ
クロヘキサン環、ベンゼン環の他の六員環、五員環等へ
の置換、環の間の結合基の変更等種々の材料が選択使用
される。
子のハロゲン原子、シアノ基、メチル基等への置換、シ
クロヘキサン環、ベンゼン環の他の六員環、五員環等へ
の置換、環の間の結合基の変更等種々の材料が選択使用
される。
本発明の組成物は、液晶セルに注入されて用いられる。
代表的な液晶セルとしては、ツイストネマチック（ＴＮ
）型液晶セルがあり、ガラス、プラスチック等の透明基
板内面にＩｎ２ ０３−５ｎ０２等の透明電極を所望の
パターン状に形成して、必要に応じて５ｉ０２ 、ポリ
イミド等のオーバーコートをし、横配向層を形成した基
板を相対向せしめ周辺をシールし、液晶を注入し注入口
を封止したものであり、この内外面に偏光板を積層して
使用される。又、この外相転移型、ゲストホスト型、動
的散乱型又はそれらを組み合せて用いられてもよい。
）型液晶セルがあり、ガラス、プラスチック等の透明基
板内面にＩｎ２ ０３−５ｎ０２等の透明電極を所望の
パターン状に形成して、必要に応じて５ｉ０２ 、ポリ
イミド等のオーバーコートをし、横配向層を形成した基
板を相対向せしめ周辺をシールし、液晶を注入し注入口
を封止したものであり、この内外面に偏光板を積層して
使用される。又、この外相転移型、ゲストホスト型、動
的散乱型又はそれらを組み合せて用いられてもよい。
本発明では、ドツトマトリックス表示等のＴＮセルのマ
ルチプレックス駆動に適しており、特に高デユーテイ比
のマルチプレックス駆動に適している。
ルチプレックス駆動に適しており、特に高デユーテイ比
のマルチプレックス駆動に適している。
さらにセルの構造としては透明基板と透明電極の間に５
ｉ０２ 、ＡＩ ２０３などのアングーコート層を設け
る、反射性電極を用いる、２層電極を用いる、カラー偏
光板を用いる、カラーフィルターを用いる、半導体基板
を用いる、２層素子とする等種々の応用が可能であり、
時計、伝宅、計測器、自動車用計器、ゲーム、コンピュ
ータ一端末機等種々の用途に使用可能である。
ｉ０２ 、ＡＩ ２０３などのアングーコート層を設け
る、反射性電極を用いる、２層電極を用いる、カラー偏
光板を用いる、カラーフィルターを用いる、半導体基板
を用いる、２層素子とする等種々の応用が可能であり、
時計、伝宅、計測器、自動車用計器、ゲーム、コンピュ
ータ一端末機等種々の用途に使用可能である。
本発明の一般式（Ｉ）の化合物は例えば以下に示す方法
によって製造することができる。
によって製造することができる。
第１段階 式（ＩＩ）の化合物を塩化チオニルあるいは
オキシ塩化リン等の塩素化剤を用いて塩素化し、式（Ｉ
ＩＩ）の化合物を製造する。
オキシ塩化リン等の塩素化剤を用いて塩素化し、式（Ｉ
ＩＩ）の化合物を製造する。
第２段階 第１段階で製造された式（ｍ）の化合物と、
式（ＩＶ）の化合物をピリジン等の塩基、性物質の存在
下に反応させ目的とする式（Ｉ）の化合物を製造する。
式（ＩＶ）の化合物をピリジン等の塩基、性物質の存在
下に反応させ目的とする式（Ｉ）の化合物を製造する。
次に実施例をもって本発明を具体的に説明する。
実施例１
一般式（ＩＩ）においてＲがｌｌ−Ｃ３Ｈ７の化合物２
４．８ｇ （０，１モル）、四塩化炭素１００ｍ文と塩
化チオニル１５ｍ５Ｌの混合物を環流下６時間加熱した
後、溶媒と過剰の塩化チオニルを留去して、残渣として
一般式（ｍ）においてＲがｎ−Ｃｓ１４７の化合物を得
た。これをトルエン５０ ｍ文に溶解し、これに一般式
（ＩＶ）においてＲ′がｎ”ＣａＨｑの化合物を１６．
８ｇ（０，１モル）を加え、さらにピリジンを１０ｇ加
えて室温にて３時間攪拌したのち、析出したピリジン塩
酸塩をろ別して、ろ液を希塩酸、水の順に洗浄した後、
硫酸マグネシウムを加えて乾燥し、ろ液の溶媒を留去し
て、目的とする一般式（Ｉ）においてＲがｎ−Ｃ，Ｈ，
でＲ′がｎ−ｃａｔ＋ｑの化合物の粗結晶を得た。これ
をメタノールから２回再結晶した。収量２４．７ｇ 、
収率６４ｚ。
４．８ｇ （０，１モル）、四塩化炭素１００ｍ文と塩
化チオニル１５ｍ５Ｌの混合物を環流下６時間加熱した
後、溶媒と過剰の塩化チオニルを留去して、残渣として
一般式（ｍ）においてＲがｎ−Ｃｓ１４７の化合物を得
た。これをトルエン５０ ｍ文に溶解し、これに一般式
（ＩＶ）においてＲ′がｎ”ＣａＨｑの化合物を１６．
８ｇ（０，１モル）を加え、さらにピリジンを１０ｇ加
えて室温にて３時間攪拌したのち、析出したピリジン塩
酸塩をろ別して、ろ液を希塩酸、水の順に洗浄した後、
硫酸マグネシウムを加えて乾燥し、ろ液の溶媒を留去し
て、目的とする一般式（Ｉ）においてＲがｎ−Ｃ，Ｈ，
でＲ′がｎ−ｃａｔ＋ｑの化合物の粗結晶を得た。これ
をメタノールから２回再結晶した。収量２４．７ｇ 、
収率６４ｚ。
ホットステージ付偏光顕微鏡下での観察により、この化
合物は９４．８℃において融解し、８４．９００から１
２８．０℃の間でスメクチック相を示し、１２８．０〜
１７８．８°Ｃの間でネマチック相を示す。
合物は９４．８℃において融解し、８４．９００から１
２８．０℃の間でスメクチック相を示し、１２８．０〜
１７８．８°Ｃの間でネマチック相を示す。
この化合物のＩ ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３溶媒、ＴＭＳ内
部標準） δ（ｐｐｍ） ０．８０〜２．０［ｆ Ｃｏｍｐｌｅｘ ｍ、 ２５Ｂ
２．５７ ｔ、Ｊ＝９Ｈｚ ＩＩ ４、Ｏｔ、Ｊ＝８Ｈｚ ２Ｈ Ｅ１．８８〜７．０？ Ｃｏｍｐｌｅｘ ｍ、 ３Ｈ７
，２Ｂ、８．０３ Ａ２ Ｂ２ ｑｕａｌｔｅｔ ４Ｈ
この化合物のＩＲスペクトル（ＫＢｒ錠）を第１図に示
す。
部標準） δ（ｐｐｍ） ０．８０〜２．０［ｆ Ｃｏｍｐｌｅｘ ｍ、 ２５Ｂ
２．５７ ｔ、Ｊ＝９Ｈｚ ＩＩ ４、Ｏｔ、Ｊ＝８Ｈｚ ２Ｈ Ｅ１．８８〜７．０？ Ｃｏｍｐｌｅｘ ｍ、 ３Ｈ７
，２Ｂ、８．０３ Ａ２ Ｂ２ ｑｕａｌｔｅｔ ４Ｈ
この化合物のＩＲスペクトル（ＫＢｒ錠）を第１図に示
す。
実施例２
実施例１において、一般式（ＩＶ）の化合物としてＲ′
が０２１１５の化合物を用いる以外は、実施例１と同様
にして一般式（Ｉ）においてＲがｎ−Ｃ３Ｈｙ、 Ｒ′
がＣ２Ｉ＋５の化合物を得た。
が０２１１５の化合物を用いる以外は、実施例１と同様
にして一般式（Ｉ）においてＲがｎ−Ｃ３Ｈｙ、 Ｒ′
がＣ２Ｉ＋５の化合物を得た。
実施例３
実施例１において、一般式（ＩＶ）の化合物としてＲ′
がｌｌ−Ｃ３Ｈ７の化合物を用いる以外は、実施例１と
同様にして一般式（Ｉ）においてＨがｎ−Ｃ＊Ｔｏ、
Ｒ′がｎ−Ｃ３Ｈｔの化合物を得た。
がｌｌ−Ｃ３Ｈ７の化合物を用いる以外は、実施例１と
同様にして一般式（Ｉ）においてＨがｎ−Ｃ＊Ｔｏ、
Ｒ′がｎ−Ｃ３Ｈｔの化合物を得た。
実施例４
実施例１において、一般式（ＩＶ）の化合物としてＲ′
がｎ−Ｃ３Ｈ１１の化合物を用いる以外は実施例１と同
様にして一般式（Ｉ）においてＲがｎ−Ｃ３Ｈｙ、 Ｒ
′がＣ！１Ｈ１１の化合物を得た。
がｎ−Ｃ３Ｈ１１の化合物を用いる以外は実施例１と同
様にして一般式（Ｉ）においてＲがｎ−Ｃ３Ｈｙ、 Ｒ
′がＣ！１Ｈ１１の化合物を得た。
実施例５
実施例１において、一般式（ＩＩ’ ）の化合物として
Ｒ′がｎ−ＣａＨｑの化合物を用い、一般式（ＩＶ）の
化合物として、 Ｒ′がＣ２ＩＩ５の化合物を用いる以
外は実施例１と同様にして一般式（Ｉ）においてＲがｎ
−Ｃ４１１９、Ｒ′がＣ２Ｉｔｓの化合物を得た。
Ｒ′がｎ−ＣａＨｑの化合物を用い、一般式（ＩＶ）の
化合物として、 Ｒ′がＣ２ＩＩ５の化合物を用いる以
外は実施例１と同様にして一般式（Ｉ）においてＲがｎ
−Ｃ４１１９、Ｒ′がＣ２Ｉｔｓの化合物を得た。
実施例６
実施例５において、一般式（ＩＶ）の化合物としてＲ′
がｎ−Ｃ３Ｈｙの化合物を用いる以外は、実施例５と同
様にして一般式（Ｉ）においてＲがｎ−Ｃ４Ｈ７、Ｒ′
が１ｌ−０３ｔｂの化合物を得た。
がｎ−Ｃ３Ｈｙの化合物を用いる以外は、実施例５と同
様にして一般式（Ｉ）においてＲがｎ−Ｃ４Ｈ７、Ｒ′
が１ｌ−０３ｔｂの化合物を得た。
実施例７
実施例５において、一般式（ＩＶ）の化合物としてＲ′
がｎ−Ｃａｔｌｇの化合物を用いる以外は、実施例５と
同様にして一般式（Ｉ）においてＲがｎ−Ｃ，１ｌｌ７
、 Ｒ′がｎ−Ｃ３１１７の化合物を得た。
がｎ−Ｃａｔｌｇの化合物を用いる以外は、実施例５と
同様にして一般式（Ｉ）においてＲがｎ−Ｃ，１ｌｌ７
、 Ｒ′がｎ−Ｃ３１１７の化合物を得た。
実施例８〜ｉ。
本発明の化合物を含むネマチック液晶を使用したＴＮセ
ルを１／８デユーティ−１／１４バイアス波形で２５℃
にて駆動した場合のＶＤ、Ｍを第１表に示す。化合物は
下記の略号で表す。
ルを１／８デユーティ−１／１４バイアス波形で２５℃
にて駆動した場合のＶＤ、Ｍを第１表に示す。化合物は
下記の略号で表す。
Ａ（実施例１）
の等重量混合液晶
の等重量混合液晶
り
第１表
本発明の化合物は１種あるいは１種以上を必要に応じて
、他のネマチック、コレステリンク、スメクチック液晶
、二色性染料等に混合した液晶として所望形状の電極を
有する透明基板間に封入して液晶表示素子として使用さ
れる。
、他のネマチック、コレステリンク、スメクチック液晶
、二色性染料等に混合した液晶として所望形状の電極を
有する透明基板間に封入して液晶表示素子として使用さ
れる。
また、この素子は、必要に応じて各種アンダーコート、
配向制御用オーバーコート、偏光板、フィルター、反射
層等を有していてもよく、多層セルとしたり、他の表示
素子と組みあわせたり、半導体基板を用いたり、あるい
は光源を用いたりする種々のものがある。
配向制御用オーバーコート、偏光板、フィルター、反射
層等を有していてもよく、多層セルとしたり、他の表示
素子と組みあわせたり、半導体基板を用いたり、あるい
は光源を用いたりする種々のものがある。
また、液晶表示素子の駆動方式としては、ダイナミック
スキャタリング（ＤＳＭ）方式、ライステ・ンドネマチ
ック（ＴＮ）方式、ケストホス） （ＧＨ）方式、二周
波方式、スメクチック相の電気および／ヌは熱光学方式
等液晶表示素子の分野で公知の方式を採用することがで
きる。
スキャタリング（ＤＳＭ）方式、ライステ・ンドネマチ
ック（ＴＮ）方式、ケストホス） （ＧＨ）方式、二周
波方式、スメクチック相の電気および／ヌは熱光学方式
等液晶表示素子の分野で公知の方式を採用することがで
きる。
本発明の液晶性化合物はクリアリングポイントか高く、
本発明の液晶性化合物を含む液晶組成物はマルチプレッ
クス駆動特性が優れており、今後種々の応用が可能であ
る。
本発明の液晶性化合物を含む液晶組成物はマルチプレッ
クス駆動特性が優れており、今後種々の応用が可能であ
る。
第１図は、本発明実施例の液晶性化合物のＩＲスペクト
ル図。 手続補正書は式） 昭和５９年 ２月／〆日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１６９３９９号 ２、発明の名称 液晶性化合物 ３、補正をする者 事件との関係 特詐出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号名称 （
００４）旭硝子株式会社 ４、代理人
ル図。 手続補正書は式） 昭和５９年 ２月／〆日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１６９３９９号 ２、発明の名称 液晶性化合物 ３、補正をする者 事件との関係 特詐出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号名称 （
００４）旭硝子株式会社 ４、代理人
Claims (1)
- （１）一般式（Ｉ） で表わされる液晶性化合物 キサン環を示し、Ｒ，Ｒ’は炭素数１〜６の直鎖アルキ
ル基を示す）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16939983A JPS6063275A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 液晶性化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16939983A JPS6063275A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 液晶性化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063275A true JPS6063275A (ja) | 1985-04-11 |
| JPH0571579B2 JPH0571579B2 (ja) | 1993-10-07 |
Family
ID=15885875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16939983A Granted JPS6063275A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 液晶性化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063275A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62286954A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Asahi Glass Co Ltd | フロロアルコキシフエノ−ル誘導体化合物及びそれを含有する液晶組成物 |
| US4769176A (en) * | 1985-01-22 | 1988-09-06 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Biphenyl esters and liquid crystal materials and devices containing them |
| WO1992005230A2 (en) * | 1990-09-26 | 1992-04-02 | MERCK Patent Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Fluorobenzene derivatives |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS577448A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal ester and its production |
| JPS58126840A (ja) * | 1982-01-23 | 1983-07-28 | Chisso Corp | ４−（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）安息香酸３−ハロゲノフエニルエステル |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP16939983A patent/JPS6063275A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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| JPS577448A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal ester and its production |
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| US4769176A (en) * | 1985-01-22 | 1988-09-06 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Biphenyl esters and liquid crystal materials and devices containing them |
| JPH0729990B2 (ja) * | 1985-01-22 | 1995-04-05 | イギリス国 | ビフエニルエステル及び液晶材料及びそれ等を含有する装置 |
| JPS62286954A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Asahi Glass Co Ltd | フロロアルコキシフエノ−ル誘導体化合物及びそれを含有する液晶組成物 |
| WO1992005230A2 (en) * | 1990-09-26 | 1992-04-02 | MERCK Patent Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Fluorobenzene derivatives |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0571579B2 (ja) | 1993-10-07 |
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