JPS6060652A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部拐に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　：］が高く、照射する電磁波のス
ペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有
すること、光応答性が速く、Ｄｆ望の暗抵抗値を有する
こと、使用時において人体に対して無公害であること、
更には固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容
易に処理することができること等の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以Ｍａ−８１ト表記す）があシ
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２’
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材としての
応用、独国公開第２９３３４１１号公報には光導変換読
取装置への応用が記載されている。

百年ら、従来のａ−８ｉ　で構成された光導電層を有す
る光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特
性の点、更には経時的安定性の点において、結合的な特
性向上を計る必要があるという更に改良される可き点が
存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部利は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って残像が生
ずる所謂ゴースト現象を発する様になるか、或いは高速
で総返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかった。

史には、ａ−８ｉ　は可視光領域の短波長側に較べて、
長波側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係舷が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロケ８ンランプ
や螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用
し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が
残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支
持体自体が７光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って、画像の「Ｒケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなシ、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を割るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロダン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電
的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

炉には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室よシ取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８１材料そのものの特性改良が割られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｔに
就で電子写真用像形部拐や固体撮像装直重読取装置等に
使用される光導電部拐としての適用性とその応用性とい
う観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリコ
ン原子を母体とし、水素原子０（）又はハロゲン原子（
３）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファス
利料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化ア
モルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素化アモル
ファスシリコン〔以後これ等の総称的表記としてｒａ−
８ｉ（＝’Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成され、光導
電性を示す層を有する光導電部材の層構成を匂後に説明
される様に特定化して設計され作成された光導電部材は
、実用上著しく優れた特性を示すばがシでなく、従来の
光導電部拐と較べてみてもあらゆる点において凌駕して
いること、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優
れた特性を有していること及び長波長側に於ける吸収ス
啄りトル特性に優れていることを見出しだ点に基いてい
る。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部制を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる１ハ１と支
持体との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優
れ、構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の、旨い
光導電部利を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形１Ｍ、部材とし
て適用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る程度に、静電像形成の為の＠　電処理の際の
電荷保持能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性
の低下が殆んど観測されない優れた電子写Ａ−Ｚｌ￥性
を有する光導電部拐を提供することである。

本発明の四に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つｌ（像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子を含む非晶質材料で構成さ
れた第１０層領域（へ））とシリコン原子を含む非晶質
材料で構成され光導電性を示す第２の層領域（Ｓ）とが
前記支持体側より順に設けられた層構成の第１の層と、
シリコン原子と炭素原子を含む非晶質材料で構格された
第二の層とで（１へ成された光受容層を有し、前記第１
の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布状態
が層厚方向に不均一であって、前記第１の層領域Ｇ）に
伝導性を支配する物質が含有され、前記第一の層には９
紫原子が含有されていることを特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設削された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留■、位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高
品質の画像を安定して繰返しイ（することかできる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される第一の
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との智着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光ｉＪ々に於いて
光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ
、且つ光応答が速い。

１゛Ｊ下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳
細に説明する。

第１図は、本発明の第１の実施前・様の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部利用として
の支持体１０１の上に、゛第一の層（１）１０２と第二
の層ω）１０３と有し、該第二の層（Ｉｆ）　１０３は
自由表面１０６を一方の端面に有している。

第一の層（１）　１０２は、支持体１０１側より、ゲル
マニウム原子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）　（以後ｒ
ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成された第
１の層領域（Ｇ）　１０４．−とａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成され光尋電性を有する第２の層領域（Ｓ）　１０５
とが順に積層された層構造を有する。

第１の層領域（Ｇ）　１０４中に含有されるゲルマニウ
ム原子は、該第１の層領域（Ｇ）　１０４の層厚方向に
は連続的であって且つ前記支持体１０１の設けられであ
る側とは反対の側信−の層（１）　ｉ　０２の第二の層
ω）１０３側）の方に対して前記支持体１０１側の方に
多く分布した状態となる様に前記第１の層領域Ｃ）１０
４中に含有される。

本発明の光導電部拐１００に於いては、少なくとも第１
の層領域（Ｇ）、１０４に伝導特性を支配する物質（Ｃ
）が含有されておシ、第１の層領域ｔ１．）１０４に所
望の伝導特性が与えられている。　′本発明に於いては
、第１の層領域←）１ｏ４に含有される伝導特性を支配
する物質（Ｃ）は、第１の層領域Ｃ）１０４の全層領域
に万偏なく均一に含有されても良く、第１の層領域←）
１０４の一部の層領域に偏在する様に含有されても良い
。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層領域Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の層領域
←）中に含有させる場合には、前記物質り）の含有され
る層領域（ＰＮ）は、第１の層領域ＩＧ）の端部層領域
として設けられるのが望ましいものである。殊に、第１
の層領域（Ｇ）の支持体側の端部層領域として前記層領
域（ＰＮ）が設けられる場合には、該層領域（ＰＮ）中
に含有される前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を所
望に応じて適宜逆折することによって支持体から第一の
Ｍ　（１）中への特定の極性の電荷の注入を効果的に阻
止することが出来る。

本発明の光導電部利に於いては、伝導特性を側割するこ
との出来る物質（Ｃ）を、第一の履（１）の一部を構成
する第１の層領域←）中に、前記した様に該層領域（Ｇ
）の全域に万偏なく含有させてもよいし、或いは層厚方
向に偏在する様に含有させてもよく、更には、第１の層
領域船上建設けられる第２の層領域（Ｓ）中にも前記物
質（Ｃ）を含有させても良い。

第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場
合には、第１の層領域り）中に含有される前記物質（Ｃ
）の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて、第
２の層領域（Ｓ）中に含有させる物質Ｃ）の種類やその
含有量、及びその含有の仕方が適宜法められる。本発明
に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を
含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層領域
Ｃ）との接触界面を含む層領域中に前記物質を含有させ
るのが望ましい。本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は
第２の層領域（Ｓ）の全層領域に万偏なく含有させても
良いし、或いは、その一部の層領域に均一に含有させて
も良いものである。

第１の層領域側と第２０層領域（ト））の両方に伝導特
性を支配する物質Ｃ）を含有応せる場合、第１の層領域
０）Ｋ於ける前記物η（Ｃ）が含有されている層領域と
、第２の層領域（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有さ
れている層領域とが、互いに接触する様に設けるのが望
ましい。又、第１の層領域←）と第２の層領域（Ｓ）と
に含有される前記物質（Ｃ）は、第１の層領域＠）と第
２の層領域（Ｓ）とに於いて同種類でも異種類であって
も良く、又、その含有量は各層領域に於いて、同じでも
具っていても良い。

しかしながら、本発明に於いては、各層領域に含有され
る前記物％す）が両者に於いて同秤類である場合には、
２Ｆ：１の層領域←）中の含有量を充分多くするか、又
は、電気的特性の異なる種類の物Ｇ←）を、所望の各層
領域に夫々含有させるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも第一の層（Ｉ）を構成す
る第１の層領域り）中に、伝導特性を支配する物？、ｆ
　（Ｃ）を含有させることにょシ、該物η（Ｃ）の含有
される層領域〔第１の層領域ＩＧ）の一部又は全部の層
領域のいずれでも良い〕の伝導特性を所望に従って任意
に制御することが出来るものであるが、この杼な物質と
しては、ＦＩ謂、半導体分野で云われる不純物を挙げる
ことが出来、本発明に於いては、形成される第一の層（
１）を構成するａ−３ＩＧｅ（Ｈ＋Ｘ）に対して、ｐ型
伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導特性を与える
ｎ型不純物を挙げることが出来る。具体的には、ｐ型不
純物としては周期律表第■族に属する原子（第■族原子
）、例えば、Ｂ（硼素）　、　Ａｔ（アルミニウム）　
、　Ｇａ　（ガリウム）　、　Ｉｎ　（インジウム）　
、　Ｔｔ　（タリウム）等があシ、殊に好適に用いられ
るのけ、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）　、　Ａｓ　（砒素）、
Ｓｂ（アンチモン）　、　Ｂｌ　（ビスマス）等であシ
、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ　ｒ　Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導特性、或いは該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。又、前記層領
域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の層領域や、該
他の層領域との接触界面に於ける特性との関係も湾部、
されて、伝導特性を制御する物質の含有鎖が適宜選択さ
れる。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量は、好ましくは０、０
１〜５　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よシ好適
には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　ａ
最適には１〜５×１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとされる
のが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有ｎ１
を好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、よシ好
適には５０　ａｔｏｍｉｃ　、ｐｐｍ以上、最適には１
００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とすることによって、
例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場
合には、第二の層θ１）の自由表面が■極性に帯電処理
を受けた際に支持体側からの第一の！　（１）中への電
子の注入を効果的に阻止することが出来、又、前記含有
させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、第二
の層ω）の自由表面が○極性に帯電処理を受けた際に、
支持体側から館−の層（Ｉ）中への正孔の注入を効果的
に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域シ）には、層領域（ＰＮ）に含
有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導型の極性
とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ）
を含有させても良いし、或いは同極性の伝導型を有する
伝導特性を支配する物質（Ｃ）を、層領域（ＰＮ）に含
有させる実際の量よシも一段と歩方い量にして含有させ
ても良い。この様な場合、前記層領域［Ｆ］）中に含有
される前記伝導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、
層領域（ＰＮ）に含有される前記物質Ｃ）の極性や含有
量に応じて助望に従って適宜決定されるものであるが、
好ましくは０．００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　ａよシ好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｌｃ　ｐ
ｐｍ　＊最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域□□□）に
同雅の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、層領域体）に於ける含有量は、好ましくは３０ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、第一の層（Ｉ）中に一方の極性の伝
導型を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域
と他方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を
含有させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触
領域に所謂空乏層を設けることも出来る。詰シ、例えば
第一の層（１）中に前記のｐ型不純物を含有する層領域
と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触する
様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層を設ける
ことが出来る。

本発明の光導電部劇においては、第１の層領域（Ｇ）中
に含有されるケ９ルマニウム原子の分布状態は、層厚方
向においては、前記の様な分布状態を取シ、支持体の表
面と平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望
ましい。

本発明に於いては、第一の層領域（Ｇ）上に設けられる
澱２の層領域（Ｓ）中には、ダルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様な層構造に第一０層（１）を形成す
ることによって、可視光領域を含む比較的短波長から比
較的短波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ
ている光導電部拐とし得るものである。

又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にダルマニウム原子が連続的に分
布し、ダルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持
体側よｐ第２の層領域（Ｓ）に向って減少する変化が与
えられているので、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域
（Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、且つ後述する様に
支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを
極端に犬きくすることによシ、半導体レーザ等を使用し
た場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切れな
い長波長側の光を第１の層領域（Ｇ）に於いて、実質的
に完全に吸収することが出来、支持体面からの反射によ
る干渉を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ
）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々
がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので
、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成され
ている。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有されるダルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１Ｏ図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層領域（Ｇ）の層厚を
示し、ｔ、は支持体側の第１の層領域（Ｇ）の端面の位
置を、ｔＴは支持体側とは反対側の第１の層領域（Ｇ）
の端面の位置を示す。即ち、ケ゛ルマニウム原子の含有
される第１の層領域（Ｇ）はｔＢｌｌｌｌｌよりｔＴ側
て向って層形成がなされる。

第２図には、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるケ９ル
マニウム原子の層厚方向の分布状態の琳ｌの典型例が示
される。

第２図に示される例では、ダルマニウム原子の含有され
る第１の層領域（Ｇ）が形成される支持体の表面と該＠
１０層領域（Ｇ）の表面とが接する界面位１司ｔＢより
ｔｌの位置までは、ゲルマニウム原子の分布濃■Ｃが０
１なる一定の値を取υながらケ°ルマニウム原子が形成
される第１の層領域（Ｇ）に含有され、位７７ｔ１よシ
は濃度Ｃ２よシ界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に
減少されている。界面位置ｔ、においてはゲルマニウム
原子の分布濃度ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢよシ位１ｆｆＬｔ、に至
るまで濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴに
おいて濃度Ｃ６となる様な分布状態を形成、している。

第４図の場合には、位置ｔＢよシ位置ｔ２−１ではゲル
マニウム原子の分布ざ５度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ
、位Ｍ　ｔ　ｚ　と位＠ｔ、との間において、除徐に連
続的に減少され、位置ｔＴにおいて、分布に４度Ｃは実
質的に零とされている（ここで実質的に零とは検出限界
量未満の場合である）。

第５図の場合には、ケ９ルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置輸よｐ位＠ｔＴに至るまで、濃度ＣＢより連続的に
徐々に減少され、位置１Ｔにおいて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ケ８ルマニウム原子の分布
―度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９
と一定値であり、位＠ｔＴにおいては誤凹ＣＩＯとされ
る。位置ｔ３　と位置ｔ、との間では、分布濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ３よシ位置ｔＴしこ至るまで減少され
ている。

第７図に示さｔしる例においては、分布濃度Ｃは位１ｉ
？ｆｔＢより位置ｔ４１ではとはＣ１１の一定値を取υ
、位置ｔ４　より位置ｔＴｉでは濃度ＣＩ２より濃度Ｃ
Ｉ３まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢよりもＺ［ｔ　に
至る筐で、ケ゛ルマニウム原子の分布桜度ＣはθＦ１）
度Ｃ１’４よシ実″疏的に零に至る様に一次関数的に減
少している。

俳９図においては、位置ｔＢよりｉ’Ｏ置装５に至る寸
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、ｅ）度Ｃｌ６１
シ濃度Ｃ１６まで一次関数的に減少−Ｊ　ｉｌ−％　ｈ
”ｌ。

置ｔ５　と位置ｔＴとの間においては、濃度Ｃ＋ａの一
定値とされた例が示されている。

ｆｆｌｌｏ図に示される例においては、ケ゛ルマニウム
原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢにおいて紬度Ｃ１７であυ
、位置ｔ６に至る寸ではこの濃度Ｃ１７より初めはゆっ
くシと減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減
少さＪｔで位＠ｔ６では１度Ｃ１８とされる。位置ｔ６
と位置ｔ７との間においては、初め急激にＭｉ少されで
、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７でａ朋Ｃ
Ｉ９となシ、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、極めてゆ
っくシと律々に減少されて位置ｔ８において、１１４度
Ｃ２０に至る。

位＠ｔｓ　と位ｈｉｔＴＯ間におい−ＣＩ＋：、、ＩＩ
Ｂ度Ｃ２０より実質的に零になる様ＩｆＣ図に示す如き
形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１Ｏ図により、・壬噌１の層領域（
Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層Ｊ’ｊ７方向
の分布状態の典型例の幾つかを４゛、６明した様に、本
発明においては、支持体側において、ケ゛ルマニウム原
子の分布誌度Ｃの高い’Ｈｌ１分を有［２、界面１Ｔ（
Ｊｌｌにおいては、前記分布諧度Ｃは支持体側に・咬べ
て可成シ低くされ、た）３１Ｘ分を有するケ゛ルマニウ
ム原子の分布状態が紀ｌの１☆１領域（Ｃ）に設けられ
ている。

本発明に於ける光導電部拐’ｆｒ：　Ｓ成する肌−の層
（Ｉ）を桁成する第１の層領域（Ｇ）は好ましくは上記
した様に支持体側の方にケ゛ルマニウム原子が比較的高
濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有するのが望貰
しい。

本発明に於いては局在領域（４）は、第２図乃至第１０
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５
μ以内に設けられるのが望せしいものである。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界面位１顛
ｔＢより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合も
あるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部と１−るかは、形成される紀−の層ＣＩ）に夾求延れ
る特性に従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｒｒ１８ｘがシリコン原子に対して、好ま
しくはｌ　０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好
適には５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には
ｌ　Ｘ　ｌ　Ｏ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様
な分布状態となシ倚る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第一の層（Ｉ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（
ｔＢから５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘ
が存在する様に形成されるのが好ましい。

本発明において、第１の層領域中に含有されるゲルマニ
ウム原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成され
る様に所望に従って適宜法められるが、好ましくは１〜
９．５ＸＩＯ”　ａｔｏｍｉｃ　ｌ）２ｍ％よシ好まし
くは１００〜８Ｘ　ｌ　０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、
最適には５００〜７×ｌＯ５ａｔＯ１０５ａｔＯとされ
るのが望ましい。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と石３２の層領域（
Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為
の重要な因子の１つであるので形成さｉする光導電部材
に所望の特性が充分与えらｉｌ、る様ｖＣ１光導電部材
の設計の際に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、郭
博Ｉ−（ｋ＋　３　ｎ　Ｘ〜５０μ、より好ましくは、
４０１〜４０μ、最適には５０Ｘ〜３０μとされるのが
望せしい。

又、第２のｌナク領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０
．５〜９０μ、よシ好ましくは１〜８０μ、最適には２
〜５０μとされるのが望せしい。

第１のｊυ層領域Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層領域（Ｓ）
の層月■Ｔの和（ＴＢ＋Ｔルよ、両層領域に要求さね、
る特性と第一の層（Ｉ）全体に要求きれる特性との相互
間の有機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に
所望に従っ更適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ十Ｔ）の
数値範囲は好ましくはｌ−１００μ、より好適には１〜
８０μ、ノＩｔ適には２〜５０μとされるのが望ましい
。

本究明のよシ好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔけ、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１なる関係
を面足するように、夫々に対して適宜適切な数値が選択
されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の迭択に
於いて、より好ましくはＴＢ／Ｔ≦０．９、最適にはＴ
Ｂ、／″ｒ≦０．８なる関係が満足される様に層厚Ｔ１
１及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量がｌ　Ｘ　Ｉ　Ｏ５ａｔｏｍｉ
ｃｐｐｍ以上の場合には、ｍ１０層領域（Ｇ）の層厚Ｔ
Ｂは、成可〈薄くされるのが望ましく、好捷しくは３０
μ以下、よシ好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以
下とされるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて第一の層（Ｉ）を構成す
る第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）中に含有
されるハロゲン原子（３）としては、具体的にはフッ素
、塩素、臭素、ヨウ紫が挙げられ、殊にフッ素、塩素を
好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において−ａ〜５ｊＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される
第１の層領域（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
１、Ｘ　ｉ４ツタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る。例えば、グロー放電法によって−ａ−８ＩＧｅ（Ｈ
，Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形成するには
、基本的にはシリコン原子（Ｓｔ）ｋ供給し得るＳ１供
給用の原料ガスとダルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得
るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて水系原子（）
ｌ）　；ｚｒ導入用原料ガス又は／及びノ・ロダン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆ｆｊ
’を室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位１りに設置されであ
るｔ９ｒ定の支持体表面上に含有さノ′シるケ゛ルマニ
ウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線に従って１ｉｉ
ｉＪ　却しながらａ−８ＩＧｅＱＩｙＸ）からなる層を
形成させ力、ば良い。又、スパッタリング法で形成する
場合にＣま、例えばＡｔ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ
等のガスをベースとした混合ガスのみ囲気中でＳＩて４
１’＋成されたターダ、、ト、或いは、該ターケ゛ソト
とＧｅで４１゛す成されたターゲットの二枚を使用して
、又は、ＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用して
、必要に応じて、ＩＩｅ　、　Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈
されｌこＧｅ供給用の原料ガ゛スを、必要に応じて１水
貼原子（１，１）又は／及びハロゲン原子（３）導入用
のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガ
スのグラズマ雰囲気を形成すると共に、前記Ｇｅ供給用
の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制御
しながら、前記のターダッ）Ｑスパッタリングしてやれ
ば良い。イオンシレーティング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ダルマニウム
又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着、
ｊｐ　）に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、
エレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発さ
せ、飛翔蒸発物を所望のガスゾラズマ雰１ｍ気中を通過
させる以外は、スパッタリング法の場合と同様にする事
で行うことが出来る。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスと成シ
得る物質としては、Ｓ　Ｉｎ２　＋　Ｓ　１２Ｈ６＋　
Ｓ　ｌ　５ＨＢ　＋５ｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用される
ものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ
、８１、供給効率の良゛さ等の点でＳ［４１Ｓｉ２Ｈ６
が好ましいものとして挙げられる。Ｇｅ供給用の原料ガ
スと成シ得る物質としては、ＧｅＨ４＊　Ｇｅ２Ｈ６，
Ｇｅ３Ｈ８，、。

Ｇｅ　ａ馬ｏ＋Ｇｅ５Ｈｔ、２＊９９６Ｈｔ４，９Ｇ７
Ｉ！ｔ６．ＧｅａＨｌａ　ｌ　Ｇｅ、Ｈ２゜等のガス状
態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用
されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱
い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４，Ｇｅ
２Ｈ６，Ｇｅ３ＨＢが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロダ導入子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲンガス、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン銹導体等のガス状態の
又はガス化し得る）・ロダン化合物が好ましく挙けられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とｔｕ４成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るノ・ロダン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、ｆＡ素、ヨウ累のハ
ロゲンガス、ＢｒＦ　、　Ｃ１Ｆ　、　ＣｌＦ３．Ｂｒ
Ｆ、、。

ＢｒＦ、　、　ＩＦ３．　ＩＦ、　、　ＩＣ２，ＩＢｒ
等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る〇 ハロダン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロダン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．８１２Ｆ６ｒ　５ｉＣ４４，ＳｉＢｒ４等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来る
。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物ケ採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共に８１を供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロダン原子を含むａ−８ＩＧｅか
ら成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳ１供給
用の原料ガスとなるハロゲン化合物とＧｅ供給用の原料
ガスとなる水素化ダルマニウームとＡｒ　ｇ　Ｈ２ＨＨ
ｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして
ｍ１０層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー
放電を生起してこれ笠のガスのプラズマ雰囲気を形成す
ることによって・所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）
を形成１−得るものであるが、水素原子の導入割合の制
御を一層芥易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水
素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスを所望量混
合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
ｒｉＪ記のハロゲン化合物又は前記のハロダン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積至中に導入して該ノｆスのプ
ラズマ雰囲気全形成し７てやれば良い。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、■■２、或いは６ｉＪ記したシラン類
又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をス・ぞツタ
リング用の堆積室中に４す入して該ガス類のプラズマ雰
囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロダン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　Ｈｅ６．　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｔＨ２Ｉ、
、　。

５ｉＨ２Ｃｔ２．５ＩＨＣＡ３．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｔ
）ＩＢｒ３４９のハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅＨ
Ｆ　５　ｒ　ＧＩＩＨ２Ｆ　２　ｒＧｅＨｓＦ　ＩＧｅ
ＨＣＺ３．ＧｅＨｚＣＺ２　、Ｇｅ！（ｘｃＺ　ｌＧｅ
ＨＢｒ５　。

ＧｅＨ２Ｂｒ２　、ＧｅＨ５Ｂｒ　、ＧｅＨＩ、＋　Ｇ
ｅＨ２Ｉ２　、ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ダルマ
ニウム、等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン
化物、ＧｅＦａ　。

ＧｅＣｌ４．　ＧｅＢｒ４．　ＧｅＩ、　＋　ＧｅＦ２
＋　ＧｅＣ１２，ＧｅＢｒ２　ｒＧｅＩ２等のハロゲン
化ゲルマニウム、等のカス状態の或いはガス化し得る物
質も有効な第１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質として
挙げる躯が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、第１
の層領域（Ｇ）形成の際に府中にハロゲン原子の導入と
同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適なハロ
ダン導入用の原料として使用される。

水素原子ｆ：第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入する
には、上記の他にＨ２、或いはＳｉＨ４ｒ　５ｉ２Ｈ６
゜Ｓ１３■■８，５Ｉ４ＩＩ、。等の水素化硅素をＧｅ
　ｆ供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物
と、或いは、Ｇｅ）Ｔ４１　Ｇｅ、、）（６＋　Ｇｅ３
Ｈ８ｒｃｚｅａＨ７ａ　＋　Ｇｅｓ馬、１ＧＱ６Ｈ７４
４Ｇｅ７Ｈ，６１Ｇｅ８Ｈ，８，Ｇ１１９Ｈ２０等の水
素化ゲルマニウムとＳｉ　ｆ＜供給する為のシリコン又
はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を・
生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好オしい例において、形成される光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有される氷菓原子（旬の量又
はハロゲン原子閃の量又は水素原子とハロゲン化物の量
の和（Ｈ十Ｘ　）は好捷しくは０．０１〜４　Ｑ　ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ａｔｏｍｉ　
ｃチ・最適にｋｌ：　ｏ、　１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（）０又は
／及びハロゲン原子（３）の量を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子（Ｉη、或いはハロゲン
原子００を含有させる為に使用される出発物質の堆秋装
置系内へ嘴人する量、放電電力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、ａ−３ｌ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）を形成するには前記した第１の層領域（
Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給用の原
料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領域
（Ｓ）形成用の出発物質（ＩＩ）　）　’ｒ使用して、
η）ｌの層領域（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条
件に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンプレーテ（フグ法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される第２の層領域（Ｓ）　ｋ形成するには、基本
的には前記したシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳ１
供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（均導
入用の又は／及びハＶグン原子（３）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室
内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されで
ある所定の支持表面上にａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形成をせれは良い。又、スパッタリング法で形成する
場合には・例えばＡｒ　＋　Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで
構成されたターゲットをスパッタリングする際為水素原
子（■◇又は／及びハロケ゛ン原子（Ｘ）　Ｌ’％入用
のガスをスフ４ツタリング用の堆積室に導入しておけば
良い。

本発明に於いて、形成される第一の層（Ｉ）を構成する
第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量
又はハロケ゛ン原子（３）の駄又は水素原子とハロケ゛
ン原子の量の和（Ｈ十Ｘ　）は、好ましくは１〜４０ａ
ｔｏｍｉｃ％、より好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ係
・最適には５〜２５　ａｔｏｍｌｃ％とされるのが望ま
しい。

第一の層（Ｉ）を構成する層領域中に、伝４髄性を１ｌ
ｉｌｊ御する物質（Ｃ）、例えば、第１Ｉ＋族原子或い
は第■族原子を’ｔ７’ｆｆ造的に導入して前記物質（
Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）を形成するには、層形
成の際に、第０１族原子縛入用の出発物質或いは第■族
原子棉入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、第一の
層（Ｉ）　ｋ形成する為の他の出発物質と共に導入して
やれば良い。この様な第■族原子導入用の出発物質と成
シ得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用され
るのが望ましい。その様な第■族原子導入用の出発物質
として具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６，
Ｂ４Ｆ１１ｏ、　１１５Ｈ２゜Ｂ５ＨＮ　Ｉ　Ｂ６Ｈ１
゜”　６　Ｈ４２１８６Ｋ　＋　４等の水素化硼素、Ｂ
Ｆ３．　ＢＣｌ２．　ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が
挙げられる。この他、ＡｌＣｌ２．　ＧａＣｌ３　ｒ　
Ｇａ（ＣＨ３）３゜ＩｎＣ７３ｊ　ＴｔＣｔ５等も挙げ
ることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子等入用としては、ＰＨ５，
Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ３゜ＰＦ５
．　ＰＣｌ３．　ＰＣｌ５．ｐＢｒ５．　ＰＩｒ５．　
ＰＩ、　’４のハロケ゛ン比隣が挙げられる。この他、
ＡｓＨｓ、ＡｓＦ５　。

ＡｓＣｔ、　ｒ　ＡｓＢｒ５ｒ　ＡｓＦ５＋　ＳｂＨ３
＋　ＳｂＦ３．　ＳｂＦ５＋５ｂｃｔ５．５ｂｃｔ５．
　ＢＩＨ３，ＢＩＣ，／、３．　ｕ＋Ｂｒ、后も第■族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
出来る。

本発明の光導電部材に於いては・直光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と第一の層（Ｉ）との間の密着性の
改良をＣ１゛る目的の為に、第一の１ｍ　（Ｉ）中には
、窒素原子が含有される。第一のＪば（Ｉ）中に含有さ
れる窒素原子は、第一の層（Ｉ）の全層領域に刀偏なく
含有さり、ても良いし、或いは、第一の層（Ｉ）の一部
の層領域のみに含有させて偏在させても良い。

又、窒素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（Ｎ）がｄ’ｙ−
の層（Ｉ）の層７３％方向に於いては、均一であっても
、８Ｃ２図乃至第１０図留出いて説明したケ゛ルマニウ
ノ・原子の分布状態と同様に分布濃度Ｃ（Ｎ）が層厚方
向には不均一であっでも良い。

詰や、窒素原子の分布濃度ｃ　（Ｈが層厚方向に不均一
である場合の窒素原子の分布状態は、第２図乃至ｍ１０
図を用いて説明したケ゛ルマニウム原子の場合と同様に
説明され得る。

本発明に於いて、第一の層（ｒ）に設けられる窒素原子
の含有されている層領域（へ））は、光感度と暗抵抗の
向上を主たる目的とする場合には、第一の層（Ｉ）の全
層領域を占める様に設けらｔし、支持体と第−の層（Ｉ
）との間の密着性の強化を計るのを主たる目的とする場
合には、第一の層（Ｉ）の支持体側端部層領域を占める
様に設けられる。

前者の場合、層領域（ロ）中に含有される窒素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に計る為
に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、第一の層（
Ｉ）の第二の層（ｎ）側に於いて比較的低濃度に分布さ
せるか、或いは、第一のＪ＠　（Ｉ）の第二の層（Ｉｆ
）　ＩＩ！ｌの領域には、窒素原子を積極的には含有さ
せない様な窒素原子の分布状態を層領域（Ｎ）中に形成
すれば良い。

本発明に於いて、第１の層ＣＩ）に設けらｊする層領域
（ハ）に含有される窒素原子の含有量は・層領域（へ）
自体に要求される特性、或いは該層領域（６）が支持体
に直に接触して設けられる場合には、該支持体との接触
界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、
適宜選択することが出来る。又、前記層領域（Ｎ）に直
に量触して他の層領域が設けられる場合には、該他の層
領域の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける１辞
性との関係も考ｐＫさＪして、窒素原子の含有量が適宜
選択される。

層領域（Ｎ）中に含有される・ぞ素原子のｉｔは、形成
される光導電部拐に要求さＪしる特性に応じて所望に従
って適宜法めらＪ）、るが、好ましくは０．００１〜５
０　ａｔｏｍｉｃ％、よル好ましくは０．００２〜４０
ａ　ｔ　ａｍ　ｉ　ｃ％、最適には０．００３〜３　Ｑ
　ａｔｃ＋ｎｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域−が第１の層（Ｉ）の全域を占
めるか、或いは、第１のＭ　（Ｉ）の全域を占めなくと
も、層領域（財）の層厚Ｔ。の第１の層（Ｉ）の層厚Ｔ
に占める割合が充分多い場合には、層領域（財）に含有
される窒素原子の含有量の上限は、前記の値より充分少
なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（６）の層厚Ｔ。が第１の層
（Ｉ）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上とな
る様な場合には、層領域輪中に含有される窒素原子の散
の上限は、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃチ以下、より
好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ％以下、最適には１０　
ａｔｏｍｌｅｑｂ以下とされるのが望ましい。

本発明において、第一の層（Ｉ）を構成する窒素原子の
含有される層領域（へ））は、上記した様に支持体側の
方に窒素原子が比較的高濃度で官有されている局在領域
（Ｂ）を有するものとして設けられるのが望ましく、こ
の場合には、支持体と第一の層（Ｉ）との間の密着性を
よシ一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全層領域（Ｌ、）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするが又は全
部とするかは、形成される第一の層（Ｉ）に髪求される
特性に従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される窒素原子の層Ｊ阜
方向の分布状態として窒素原子の分布濃度の最大価Ｃｍ
ａｘが好ましくは５００　ａｔｏｍｉｃ　Ｐｐｍ以上、
よシ好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｒｎ以上、最
適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とさｉ’Ｌ
る様な分布状態となシ得る様に１曽形成されるのが望ま
しい。

即ち、本発明においては、窒素原子の含廟される層領域
（へ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５
μ厚の層領域）に分布濃度の最大イ１ａＣｍａｘが存在
する様に形成されるのが望ましい。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）に窒素原子の含有され
た層領域（へ）を設けるには、第一の層（Ｉ）の形成の
際に窒素原子導入用の出発物質を前記した第一の層（Ｉ
）形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやれば良い。

層領域（へ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第一の層（Ｉ）形成用の出発物質の中か
ら所望に従って選択されたものに窒素原子導入用の出発
物質が卵見られる。その様な窒素原子導入用の出発物質
としては、少なくとも窒素原子を構成原子とするガス状
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（へ））を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（６）又は及びハロゲン原子（３）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子と
する原料ガスと、窒素原子（財）及び水素原子０）を構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するかして使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（ｓｉ）と水素原子（６）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（９）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

層領域的）を形成する際に使用される窒素原子（へ））
導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを＋
１に成原子とする例えば窒素（Ｎ２）　、アンモニア（
Ｎｌ２）　、ヒドラジノ（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水
素（ＨＮ、）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等
のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物
等の窒素化合物を挙げることが出来る。この他に、窒素
原子的）の尋人に加えて、ノ・ログン原子（３）の導入
も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）　、四弗
化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のノ・ログン化窒素化合物を挙げ
ることが出来る。

本発明に於いては、層領域（Ｎ）中には窒素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に、窒素原子に加えて、更
に酸素原子を含有することが出来る。

酸素原子を層領域（Ｎ）に導入する為の酸素原子導入用
の原料ガスとしては、例えば酸素（０２）　、オゾン（
０３）　、−酸化窒素（Ｎｏ）　、二酸化窒素（Ｎｏ２
）、−二酸化窒素（Ｎ２０）　、三二酸化窒素（Ｎ２０
３）　ｒ四三酸化窒素（Ｎ２０４）　ｌ三二酸化窒素（
Ｎ２０５）　、三酸化窒素（Ｎｏ、）　、シリコン原子
（Ｓｔ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原
子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ，５ｉＯ８ｉ）Ｉ
３）　、　）ジシロキサン（Ｈ３Ｓ　ｉ　Ｏ８１Ｈ２０
Ｓ　ｉ　Ｈ３）等の低級シロキサン等を挙げることが出
来る。

スパッターリング法によって、窒素原子を含有する層領
域を形成するには、単結晶又は多結晶のｓｔウェーハー
又は８１５Ｎ４ウェーッー−１又はＳｌとＳ　ｉ　３Ｎ
４が混合されて含有されているウェーッ・−をターゲッ
トとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリン
グすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｔとＳｉ３Ｎ４とは別々のターゲットと
して、又はＳｔ　、！：　８１３Ｎ４の混合した一枚の
ターグツ）ｋ使用することによって、スパッター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子Ｃ）Ｏｋｍ成原子とし
て含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによ
って成される。窒素原子導入用の原料ガスとしては、先
述したグロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子
導入用の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効な
ガスとして使用され得る。

本発明に於いて、第一の層（１）の形成の際に、窒素原
子の含有される層領域（Ｎ）を設ける場合、該層領域（
Ｎ）に含有される敏素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方
向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ
　ｐｒｏｆ　ｉ　ｌｅ　）を有する層領域（Ｎ）　’に
形成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（Ｎ
）を変化させるべき窒素原子導入用の出発物質のガスを
、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化さ
せながら、堆積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法によシ、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルパルプの開口を漸次変化させる操作を
行えば良い。

このとき、流量の変化率は線形である必要はなく、例え
ばマイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲
線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ること
もできる。

層領域（Ｎ）をスパッターリング法によって形成する場
合、窒素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方向
で変化させて窒素原子の層厚方向の所望の分布状態（ｄ
ｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一には
、グロー放電法による場合と同様に、窒素原子導入用の
出発物質をガス状態で使用し、該ガフ、を堆積室中へ導
入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させること
によって成される。

第二には、スフ４ツターリング用のターゲットを、例え
ばｓ＋と８１３Ｎ４との混合されたターゲットを使用す
るのであれば、ＳｔとＳｉ３Ｎ４との混合比を、ターゲ
ットの層厚方向に於いて、予め変化させておくことによ
って成される。

本発明に於いて、形成される第一の層（１）ｅ構成する
第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量
又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子と７・ログン
原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは１〜４０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、
最適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ま
しい。

第１図に示される光導電部側１００においては第一の層
（Ｉ）　１０２上に形成される第二の層Ｑｌ）　１０３
は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用／ｌ’
♀性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本
発明の目的を達成する為に設けられる。

又、本発明においては、第一の層（１）　１０２と第二
の層（ＩＩ）１０３とを構成する非晶質羽村の各々がシ
リコン原子という共通の構成要素を有しているので、積
層界面において化学的な安定性の確保が充分成されてい
る。

本発明における第二の層（ＩＤは、シリコン原子（Ｓｌ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後
　１　ａ　−（ｓｔｘｃ、ｘ）ｙ（ａ　ｘ）、−、’但
し、０〈Ｘ１ｙ＜１、と記す）で構成される。

ａ−（ｓｉＸｃｌ−Ｘ）ｙ（ａ、　ｘ）、−、で構成さ
れる第二の層（最の形成はグロー放電法、スパッタリン
グ法、イオンプランテーション法、イオンシレーティン
グ法、エレクトロンビーム法等によって成される。

これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模、作製される光導電部側に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御
が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及び
ハロゲン原子を、作製する第二の層（１）中に導入する
のが容易に行える等の利点からグロー放電法或いはス／
４’ツターリング法が好適に採用される。

更に、本発明においては、グロー放電法トスバッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の層（ＩＩ）ｔ
−形成しても良い。

グロー放電法によって第二の層叩を形成するには、ａ　
−（Ｓ　ｉ　Ｘｃｌ−ｘ）ｙ（Ｈ，ｘ）　１−　ｙ形成
用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体の設置しである真空堆槙用の堆積
室に導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させ
ることでガスプラズマ化して、前記支持体上に既に形成
されである第一の層（１）上にａ−（ＳｉｘＣ４−ｘ）
ｙ（’Ｌ　ｘ）、−ｙを、堆積させれば良い。

本発明において、ａ−（ｓｔｘｃ、−Ｘ）ｙ（Ｈ，ｘ）
１−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓｔ
　）、炭素原子（Ｃ）、水素原子卸、ハロダン原子（イ
）の中の少なくとも１つを構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用され得る。

Ｓｌ、Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてＳｔを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｌを構成原子と
する原料がスと、Ｃを付〜成原子とする原料ガスと、必
要に応じてＨを構成原子とする原料ガス又け／及びＸを
構成原子とする原ネ」ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又はＳｔを構成原子とする原料ガスと、Ｃ
及びＨを構成原子とする原料がス又は／及びＸを構成原
子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混合
するか、或いはＳｉを構成原子とする原石ガスと、Ｓｔ
、　Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は、Ｓ
ｔ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。

又、別には、ＳｌとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原石ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｔとＸとを構成原子とするＪＪｔＦＩがスにＣを４
ａ成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明において、第二の層（Ｕ）中に含有されるハロダ
ン原子（３）として好適なのはＦ　、　Ｃ１ｒ　Ｂｒ　
、　Ｉであり、殊にＦ　、　Ｃ１が望ましいものである
。

本発明において、第二の層（ｎ）を形成するのに有〃１
に使用される原料ガスと成シ得るものとしては、常温常
圧においてガス状態のもの又は容易にガス化しイｑるｑ
ｈ　％４を番げることが出来る。

本発明において、第二の層（ＩＩ）形成用のに、Ｆｌガ
スとして准効に使用されるのは、ＳｌとＨとを構成原子
とする５ＩＨ４、５１２Ｈ６、５ｔ６Ｈ８，５ｔ４Ｈ１
゜等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類等の水素化硅素がス、
ＣとＨとを４１ら成原子とする、例えば炭素数１〜４の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ノ・ロダン単体、
ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ノ・ロダン化硅素
、ハロケ゛ン置換水素化硅累、水素化硅素だ、を挙げる
事が出来る。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（Ｃ）Ｔ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブ
タン（ｎ−Ｃ４Ｈ４゜）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プ
ロピレン（Ｃ５Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ゾテ
ンー２（Ｃ４Ｈ８）、インブチレン（Ｃ４ＩＩ８）　、
インテン（ＣｓＨｌ　ｏ　）　、アセチレン系炭化水素
としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン
（Ｃ３■（４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）、７１０ケ９ン車
体としては、フッ累、塩素、臭素、ヨウ素の／’％ロダ
ンガス、　ノ１０グン化水素としては、ＦＨ、ＨＩ　、
　ＨＣｌ、　ＨＢｒ　。

ハロゲン間化合物としては、ＢｒＦ　＋　ＣＬＦ　＃Ｃ
１Ｆｙ、ｒ　ＣｌＦ５　＊　ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３　、
ＩＦ、、ＩＦ５　。

ＩＣＺ　ｒ　ＩＢｒ　＋　”　ロダン化硅素としてけＢ
ｉＦ４＊５ｉ２Ｆ６ｒ　５ｉＣｔ４＋　５ｉｃｔ３Ｂｒ
　、　５ｉｃｔ２Ｂｒ２゜５ＩＣｔＢｒ３＋　５ＩＣｔ
Ｉ　、　５ｉＢｒ　＋　−”ｅ＋グンＷｌ換４ 水素化硅素としては、Ｓｉ、Ｈ２Ｆ２．５ＩＲ２Ｃｔ２
゜５ｋＨＣ１、ＳｉＨＣｔ　、　５ｉＨｓＢｒ　、　Ｓ
［Ｈ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３ｔ５　３ 水素化硅素としては、Ｓｌ’ｆ（４＊　５１２Ｈ６＋　
５１４Ｈ１゜等のシラン（Ｓｉｌｉｎｅ）類、等を誉げ
ることが出来る。

これ等の他にＣＦ４．　ＣＣ１４ｒ　ＣＢｒ４．　ＣＨ
Ｆ３゜Ｃ１１２Ｆ２１ＣＨ！ｌＦ、ＣＨ２Ｃｌ、ＣＨ３
Ｂｒ、Ｃ■■５工、Ｃ２Ｈ３Ｃｔ等ノハロゲン而゛換パ
ラフィン系炭化水素、ＳＦ４゜ＳＦ６等のフッ素化硫黄
化合物、５ｔ（ＣＨ３）４゜５ｌ（Ｃ２Ｈ５）４等のケ
イ化アルキルや５ｔＣｚ（ＣＨ３）３゜５ｉｃｔ２（Ｃ
Ｈ３）２．５ＩＣｔ３Ｃｌ（３等の）蔦ロケ“ン含有ケ
イ化アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙げ
ることが出来る。

これ等の第二の１８　（ｎ）形成物質は、形成される第
二の層（ＩＩ）中に、所定の組成比でシリコン原子、炭
Ｔａｇ子及びノ・ロケ゛ン原子と必要に応じて水素原子
とが含有される杼に、第二の層（Ｉｌ）の形成の院に所
望に従って選択されて使用される。

グ１１えば、シリコン原子と疾駆原子と水第２原子との
含有が容易に成し得て且つ質望の特性のＦ、：’ｉが形
成され摺るｓ　ｌ　（ＣＨ，）　４と、ノ・ロケ゛ン原
子を自重させるものとしての５ｉＨＣｔ３．５ｔ）Ｔ２
Ｃｔ２．５ｉＣ１４或いは５ｉＨ３Ｃｔ笠をＤｉ定の混
合比にしてガス状態で第二の？ｉ　（ＩＩ）形成用の装
置内に導入してグロー散飛を生起させることによってａ
−（ＳｉＸ’Ｃ１−ｘ）ｙ（Ｃｔ＋Ｈ）１−ｙから成る
第二の層Ｑｌ）を形成することが出来る。

スパッターリング法によって第二の層（ＩＩ）を形成す
るには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェ
ーハー又はＳｔとＣが混合されて含有されているウェー
ハーをターケ°ットとして、これ等を必要に応じてハロ
ゲン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々
のガス雰囲気中でスパッターリングすることによって行
えば良い。

例えば、８１ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の沖料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパック−用の堆精室中
に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記
Ｓｉウェーハーをスバ。

ターリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターケ゛ットとして、
又はＳｌとＣの混合した一枚のターケ゛ットを使用する
ことによって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を含有するガス雰囲気中でスパッターリングする
ことによって成される。Ｃ１■（及びＸの導入用の原料
ガスとなる物質としては先述したグロー放電の例で示し
た第二の層（ＩＩ）形成用の物質がスパッターリング法
の場合にも有効橙９勿質として使用され得る。

本発明において、第二の層ω）をグロー放■；法又ｄス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂・希ガス、例えはＨｅ　ｒＮｅ　ｒ　Ａｒ
　＠４が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明における第二の層（ＴＩ）は、その要求されるＧ
性が所望通りに掬えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｌ、Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを＋１・
°〔成原子とする物質は、その作成条件によって構造的
には活計からアモルファス１での形態を取り、腎°気物
性的には、導電性から半導電性、絶縁伺寸での間の性質
を、又光導電的性ａから非光導箱的性賃までの間の性贋
を、各々示すので本発明においては、目的に応じた所望
の特性を有するａ−（Ｓ膜Ｃ１−Ｘ）ｙ（ＨｌＸ）、−
アが形成される様に、訪ソに従ってその作成条件の選択
が厳密に成される。例えば、第二の層（ＩＩ）を電気的
耐圧性の向上を主な目的として設けるにはａ−（ＳｉＸ
Ｃ，−Ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）、−ｙは使用環境において電気
絶縁性的左動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層（１）が設けられる：１μ合には上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される
光に対しである程度の感度を有する非晶質利料としてａ
−（Ｓ鳴Ｃ４□）ｙ（Ｈ，Ｘ）　、−ｙが作成される。

第一の層（Ｉｌの表面にａ　−（ＳｔｘＣｌ−Ｘ）、（
Ｈｌｘ）１−ｙから成る第二の層（ＩＩ）を形成する際
、層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であって、本発明においては、
目的とする特性を有するａ−（Ｓ　Ｉ　Ｘ　Ｃ１□）ｙ
　＜　Ｈ％　Ｘ）　１ｙが所望通シに作成され得る様に
層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望ましい
。

本発明における、所望の目的が効果的に達成される為の
第二の層（Ｉｌｌの形成法に併せて適宜最適範囲が選択
さルて、第二の層（Ｉｌｌの形成が実行されるが、好ま
しくは２０〜４００℃、よシ好適には５０〜３５０℃、
最適には１００〜３００℃とされるのが望ましい。第二
の層（ｎ）の形成には、層を構成する原子の組成比の微
妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易で
ある事等の為に、グロー放電法やスパッターリング法の
採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二の層（Ｉ
Ｉ）を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層
形成の際の放電ノぐワーが作成されるａ−（Ｓ　Ｉ　ｘ
Ｃ＋　−ｘ　）ｙＸ　１−　ｙの特性を左右する重要な
因子の１つである。

本発明における目的が達成される為の物性を有するａ　
−（ＳｉｘＣ１−Ｘ）ｙＸｌ、が生産性良く効果的に作
成される為の放電・臂ワー条件は、好ましくは１０〜ａ
ｏｏｗ、より好適には２０〜２５０Ｗ、最適には５０〜
２００Ｗとされるのが望ましい。

堆積室内のガス圧は、好ましくは０．０１〜ＩＴｏｒｒ
　、よシ好適には０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とされ
るのが望ましい。

本発明においては第二の層（Ｉ［ｌを作成する為の支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性の
ａ−（ＳｉｘＣ４−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）１−ｙから成る第
二の層（Ｉ［）が形成される様に相互的有機的関連性に
基づいて各層作成ファクターの最適値が決められるのが
望ましい。

本発明の光導電部材における第二の層（ｎｌに含有され
る炭素原子の量は、第二の層（Ｉｔ）の作成条件と同様
、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二の
層（１）が形される重要な因子である。本発明における
第二の層（ＩＩ）に含有される炭素原子の楚は、第二の
層（ｍｌを構成する非晶質材料の種類及びその特性に応
じて適宜所望に応じて決められるものである。

即ち、前記一般式ａ　−’（ＳｔｘＣ，、−ｘ）ｙ（Ｈ
％　Ｘ）＋−ｙで示さ扛る非晶質材料は、大別すると、
シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以
後、ｒ　ａ−８ｔａＣ１−ａ　Ｊ　と記す。但し、Ｏ＜
　ａ　＜　１　）、シリコン原子と炭素原子と水素原子
とで構成される非晶質材料（以後、「ａ−（ＳｉｂＣｌ
、−ｂ）ｃＨｌ−ｃ」と丙己す。但し、０くｂｌ　Ｃ〈
１）、シリコン原子と炭素原子とハロダン原子と必要に
応じて水素原子とで構成される非晶質材料（以後、ａ”
−（Ｓ　Ｉ　ａＣｌ−ａ　）８（Ｈ，Ｘ）　１−ｅ　’
と記す。但し０（ｄＸ　ｅ＜１）に分類される。

本発明において、第二の層（■）がｎ−８ｉ、Ｃ１−ａ
　で構成される場合、第二の層（ｎ）に含有される炭素
原子の量は好オしくは１×１０〜９０　ａｔｏｍｉｃチ
、よシ好適には１〜８０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１
０〜７５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。即ち
、先のａ　−５ｔａＣ１−、のａの表示で行えば、ａが
好ましくは０．１〜０．９９９９９、　よシ好適には０
．２〜０．９９、最適には０．２５〜０．９である。

本発明において、第二の層（Ｉ［）がａ”ｂＣｌ−ｂ）
ｃＨｌ　−ｃで構成さ扛る場合、第二の層（Ｉｔ）に含
有される炭素原子の量は、好ましくはｌＸ１０　〜９０
ａｔｏｍｉｃ％　とされ、よシ好ましくは１〜９０　ａ
ｔｏｍｉ　ｃチ、最適には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましい。水素原子の含有量は、好ましくは
１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、よシ好ましくは２〜３５　
ａｔｏｍｉｃ　％、最適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有量があ
る場合に形成される光導電部材は、実際面において優れ
たものとして充分適用させ得るものである。

即ち、先のａ−（Ｓ’ｂＣ１−ｂ）ｃＨｌ−ｃの表示で
行えば、ｂが好ましくは０．１〜０．９９９９９、よシ
好適には０．１〜０，９９、最適には０．１５〜０．９
、Ｃが好ましくは０．６〜０．９９、より好適には０．
６５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５であるのが
望ましい。

第二の層が、’−（Ｓ’ｄＣ１ｄ）ｅ（Ｈ，ｘ）、−ｅ
　で構成される場合には、第二の層ｆＩｌ中に含有され
る炭素原子の含有ｉけは、好ましくは１×１０〜９０　
ａｔｏｍｉｃ襲、よシ好適には１〜９０　ａｔｏｍｉｃ
チ、最適には１０〜８０　ａｔｏｍｉｃ　％とされるの
が望ましい。ハロゲン原子の含有量は、好ましく如１〜
２０　ａｔｏｍｉｃ係、より好適には１〜１８　ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には２〜１５　ａｔｏｍｉｃ％とされる
のが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含有量があ
る場合に作成される光導電部材を実際面に充分適用させ
得るものである。必要に応じて含有される水素原子の含
有量は、好ましくは１９　ａｔｏｍｉｃ％以下、よシ好
適には１３　ａｔｏｍｉｃ　％以下とされるのが望まし
い。

即ち、先のａ　（Ｓｌ、ＩＣ１−ｃｌ）ｅ（’Ｌ　ｘ）
１−ｅのｄ、ｅの表示で行えば、ｄが好ましくけ０１〜
０．９９９９９、より好適には０１〜０．９９、最適に
は０．１５〜０．９、ｅが好捷しくは０．８〜０．９９
、よシ好適には０．８２〜０．９９、最適には０．８５
〜０．９８であるのが望ましい。

本発明における第二の層（ｍｌの層厚の範囲は、本発明
の目的を効果的に達成する為の重要な因子の１つで、本
発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じて
適宜所望に従って決められる。

又、第二の層（Ｉｌｌの層厚は、該層（Ｉｌｌ中に含有
される炭素原子の量や第一の層（ＩｌＯ層厚との関係に
おいても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従って適宜決定される必要があ
る。更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性
の点においても考慮さｔ”するのが望ましい。

本発明における第二の層（Ｉｌｌの層厚は、好才しくは
０．Ｏｎ　３〜３０　ｔｔ、よシ好適にはｏｏｏ４〜２
０μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望まし
い。

本発明において使用される支持体は、導電性でも電気絶
縁性であっても良い。導電性支持体表しては、例えば、
ＮｌＣｒ　、ステンレス、Ａｌ、Ｃｒ。

Ｍｏ　、Ａｕ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ
　、　Ｐｔ　、　Ｐｂ　等の金属又はこれ等の合金が挙
げらｎる。電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、
号？リエチレン、Ｉリカーボネート、セルローズ　アセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン。

Ｉリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又は
シート、ｆｆラス、セラミック、紙等が通常使用される
。これ等の市、気絶縁性支持体は、好適には少なくとも
その一方の表面を導電処理さ扛、該導電処理された表面
側に他の層が設けられるのが望捷しい。

例えば、ガラスであれは、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａｔ、　Ｃｒ　、　Ｍ（１、Ａｕ　、　Ｉｒ　、　Ｎｂ
　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　。

Ｐｔ　、Ｐｄ　、Ｉｎ２Ｏ５、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（Ｉｎ
２０６＋ＳｎＯ，、）　等から成る薄膜を設けることに
よって導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｌＣｒ　、　Ａｔ、
　Ａｇ　、　Ｐｂ　、　Ｚｎ。

Ｎｉ　、　Ａｕ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ｉｒ　、　
Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　ＴＩ　。

ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着。

ス／′Ｐツタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状
、板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は
決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電
子写真用像形成部材として使用するのであれば連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。

支持体の厚さは、所望通シの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限シ薄くされる。しかしながら、こ
の様な場合支持体のＩＪ造上及び取扱い上、機械的強度
等の一点から、好ましくは１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベにｔま、本発明
の光導電部材を形成するための原料ガスが密封されてお
シ、その１例としてたとえば１１ｏ２は、Ｈｅで稀釈さ
れたＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｓ　ｉ　
Ｈ４／１（ｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅで稀釈
されたＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｇｅ　
Ｈ４／’）Ｉｅと略す。）ボンベ、１１０４けＨ，ｅ　
で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９％、以下Ｂ
２Ｈ６／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０５はＮＨ３カス
（純Ｗ９９．９９９チ）ボンベ、１１０６はＨ２ガス（
純度９９．９９９％）がンペである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のノ々ルブ１１２２〜１１２６
゜リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し
、又、流入バルブ１］１２〜１１１６、流出パルプ１１
１７〜１１２１．補助パルプ１１３２．１１３３が開カ
ルていることを確認して、先づメインバルブ１１３４を
開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。

次に真空計１１３６の続みが約５　Ｘ　１（１””ｔｏ
ｒｒになった時点で補助パルプ１１３２，１１３３、流
出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第一の層（１１を形
成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よ’
）ＳｉＨ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よυＧｅＨ
ｉ、／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０４よＦｔ　Ｂ２Ｈ６
ガス（ｅガス、ガスボンベ１１０５よｌ　ＮＨ３ガスを
パルプ１１２２〜１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２
７〜１１３０の圧を１ｋｇ／ｃｒｎ２に調整し、流入パ
ルプ１１１２〜１１１５を徐々ニ開けて、マスフローコ
ントローラ１１０７〜１１１０内に夫々流入させる。引
き続いて流出パルプ１１１７〜１１２０、補助パルプ１
１３２を徐々に開いて夫々のガス反応室１１　（ｌ　ｌ
に流入させる。このときの５ＩＨ４／）ｌｅガス流量と
Ｇ　ｅＨ４７’）（ｅガス流量とＢ２Ｈ６／Ｉ（ｅガス
流量と１州、ガス流量との比が所望の値になるように流
出バルブ１１１７〜１１２０を調整し、又、反応室１１
０１内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の
読みを見ながらメインパルプ１１３４の開口を調整する
。

そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８によ
シ５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを
確認した後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応
室１１０１内にグロー放電１を生起させ同時にあらかじ
め設計された変化率曲線に従ってＧｅＨａ／Ｈｅガスの
流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によってパ
ルプ１１１８の開口を漸次変化させる操作を行なって形
成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度
を制御する。

この様にして、基体１１３７上に、硼素原子（Ｂ）と窒
素原子（Ｎ）とが含有され、前記の変化率曲線に従った
ゲルマニウム原子の分布状態が形成されている、ａ　−
Ｓ　ｔＧｅ　（ＨＸＸ）で構成された層領域（Ｂ。

Ｎ）が所望の層厚に形成される。層領域（Ｂ、Ｎ）が所
望層厚に形成された段階に於いて、流出ノ々ルブ１１１
８，１１１９．１１２０の夫々を完全に閉じること、及
び必要に応じて放電条件を変えること以外は、同様な条
件と手順に従って所望時間グロー放電を維持することで
前記層領域（Ｂ、Ｎ）上に、硼素原子（Ｂ）、窒素原子
（Ｎ）、及びケ゛ルマニウム原子（Ｇｅ）が含有されて
いない、ａ　−Ｓｔ　（ＨＸＸ）で描成さ扛た層領域（
Ｓ）が形成されて、第一の１ｍ（１）の形成が終了され
る。

上記の光受容層の形成の際に、該層形成開始後、所望の
時間が経過した段階で、堆積室へのＢ２ｊ−１７Ｈｅガ
ス或いはＮＨ，ガスの流入を止めることによって、硼素
原子の含有された層領域（Ｂ）及び窒素原子の含有され
た層領域（Ｎ）の各層厚を任意に制御することが出来る
。

又、所望の変化率曲線に従って、堆積室１１０１へのＮ
Ｈ３ガスのガス流量を制御することによって、層領域（
Ｎ）中に含有される窒素原子の分布状態を所望通シに形
成することが出来る。

第一の層（１）中にハロゲン原子を含有させる場合には
、上記のガスに、例えばＳ　ｒ　Ｆ　４ガスを更に付加
してグロー放電を生起させれば良い。

又、第一の層（１１中に水素原子を含有させずにハロダ
ン原子を含有させる場合には、先のｓ　ＩＨ４Ａ（４ガ
ス及びＧｅＨ４／Ｈｅガスの代シに、ＳｉＦ４／Ｈｅガ
ス及びＧｅＦ４．／’）（ｅガスを使用すれば良い。

上記の様にして所望層厚に形成された第一の層（Ｉｌ上
に第二の層（Ｉｌｌを形成するには、第一のＪｉ　（Ｉ
）の形成の際を同様なパルプ操作によって、例えば５１
１（４１ｆ、ｌ、Ｃ２Ｈ４ガスの夫々を必要に応じてＨ
ｅ等の稲沢ガス稀釈して、所望の条件に従って、グロー
放電を生起させることによって成される。

第二の層ｆＩｌｌ中にハロゲン原子を含有させるには、
例えば５ＩＦ４ガスとＣ２Ｈ４ガス、或いはこれにＳ　
ｉ　Ｈ２ガスを加えて上記と同様にして第二の層（Ｉｌ
ｌを形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出バルブ１１１７〜１１２１から反応室
１１０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助パル
プ１１３２．１１３３を開いてメインバルブ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

第二の層（Ｉ［）中に含有される炭素原子の量は例えは
、グロー放電による場合はＳｉＨ４力゛スと、Ｃ２Ｈ４
ガスの反応室１１０１内に導入される流量比を所望に従
って変えるか、或いは、スバ、ターリングで層形成する
場合には、ターゲットを形成する際シリコンウェハとグ
ラファイトウェハのスパッタ面４１１ｔ比率を変えるか
、又はシリコン粉末とグラファイト粉末の混合比率を変
えてターケ゛７トを成型することによって所望に応じて
制御することが出来る。第二の層（Ｊｌ）中に含有され
るハロダン原子（Ｘ）の損、は、ハロゲン原子尋人用の
原料ガス、例えば５ＩＦ４ガスが反応室１１０１内に導
入される際のｖＩＣ量を調整することによって成される
。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置によｐ１シリンダー状のＡ／
基体上に、紀１表に示す条件で第１２図に示すガスυｌ
ｉ：　ｉ比の変化率曲線に従ってＧｅｆ（４／Ｈｅガス
とＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比金層作成経過時間と
共に変化させて層形ｇｆ：行って電子写真用像形成部材
ケ得た。

こうして付られた揮形成部４′Ａを、（ｔｋ電路光実験
装置に設置し■５．　Ｑ　］（Ｖで０．３ｓｅｃ間コロ
ナ帯屯を行い１直ちに光像を照射した。光像はタングス
テンラング光Ｗを用い、２１Ｉｕｘ−８ｅＣの光近盆選
過型のテストチャートを通して照射させた。

その佼直ちに、■荷電性の現門剤（トナーとキャリアを
台む）を源形成部材衣凹をカスケードすることによって
、１Ｂ？形成部祠表間上に艮好なトナー画像宏得た。揮
形成部材上のトナー画１ボ紮○５、Ｏｋｖのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、屏１す４力に後れ、階調再現
性のよい鮮明な高ｖＡ区の１聞１家がイ４（られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装置によ！ｌｌ第２表に示す条件
で第１３図に示すガス流量比の賀化率曲触に従って、Ｇ
ｅＨ４／Ｈｅ１ｆスと５ｔ）１４／Ｈｅガスのガス流量
比を渣作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして層形成を行って電子写真用像形成部
材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例３ 第１１図に示した製造装置により第３或に示す条件で８
Ｉ８１４図に示すガス流鉱比の変化率曲＋歌に従って、
ＧｅＨ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガスｖｊ：
　Ｍ比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の猿件
は粟流例１と同様にして層形成を行って電子写真用Ｕ形
成部材を得た。

こうして得られた像形Ｊ戊部祠に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めてｍ明な１１！Ｌｌ質が倚られた。

実施例４ 第１１図に示した製造装置によシ、第４辰に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に便ッて、Ｇ　
ｅ　ＩＩ４／ｆ（ｅｆスとＳ　ｒ　Ｈ４Ａｅガスのガス
流量比′（ｃ層作戟経過時間と共に変化さぜ、その他の
条件は実施例１と同様にして、僧形成金行って電子写真
用像形成部材を得た。

こうして倚られた１層形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写Ａｔ（上に１！、Ｉｌｌ鐵を形
成しブねところ４貴めて鮪、明なｌ１ｌＩ但、が得しれ
た。

実施例５ 第１１図に示した製造装置によりγ１ル５衣に示す条件
で第１６図に示すガス流量比の液化ギ曲んＪに従って、
ＧｅＨ４／ｌ（ｅガスとＳ　１Ｈ４Ａ（ｅ　ＺＪ’スの
ガ゛ス流：ＩＩｊ’比をｊｌづ１「成経過時同と共に変
化させ、ヤの池の采件ｌ−Ｌ笑〃己例１と回伺二にして
、ノｉ）し成を１ｆって電子写真用１迷形成部材葡イ４
すた。

こうしてイ；すられた像形成部利に就いて、実施例１と
同様の条件及び手順で転写棋王に画１家を形成したとこ
ろ極めて鮮すコな画質が借られた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置によシ、第６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の便化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／Ｈｅガスと５ｉＨａ／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
と同様にして、層形成を行ってＴ４子写真用像形成部材
を得た。

こうして得られた揮形成直重に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画１象を形成したところ惚
めて鮮明な画質が得られた。

実施例７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示す＊件で
第１８図に示すガス流量比の液化率曲腺に従って、Ｇｅ
Ｈ４／ＨｅガスとＳ　ｉ　Ｈ４／Ｈｅ　ｉｆ　スのガス
流量比をｊ−作成経過時間と共に変化させ、その他の条
件は実施例１と同殊にして、層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られ′ｆｃｉ＆形成部材に就いて、夫す山側
１と同様の条件及び手１胆で転写紙上に１隊を形成した
ところ極めて鮮明な１１！ｌｌ負が得られた。

実施例８ 実施例１に於いて、５ｊＨ４ΔＩｅガスの代９にＳｉ２
Ｈ６／ｋＬｅガスを使用し、第８表に示す条件にした以
外は、実〃山側１と同体の条件にして層形成を行って電
子写真用隊形成部材を倚だ。

こうしてイ！Ｉられた像形成部材に就いて、実施例１と
同１．」ソのヴ１件及び手順でｌム写厭上に画像を形成
したところ４１ｔ＜、めて団・明なｌＩ！Ｉｌ買が借ら
れた。

実施例９ 釆施例１に於いて、５ｉＨ４Ａｅガスの代９にＳ　ｉ　
Ｆ　４．／１（ｅガスを１丈用し、第９表に示す条件に
した以外は、実施例１と同体の条件にしてノロ形成領行
って電子４′、具用１ｙ形成部相を付だ。

こうしてイ（Ｊられた抹形取部材に就いて、実施例１と
同体の５ｆｚ件及び手ｌｌＮ−１で転写紙上に幽１ｙを
形成したところ偵めてＮ；「明２２：ｌｌ１ｉｌ賀が得
られた。

〕乏力也視測１０ 実施例１に於いて、Ｓ　ｉＨ４／’ＩＩｅガスの代シに
（Ｓ　ｉ　Ｈ４／’Ｉ（ｅ　＋ｓ　ｉ　Ｆ　４．’ｌｌ
ｅ　）ガスｋｍ用し１，１４１０　ｔｒに示す条件にし
た以外は、実施レリ１と同体の条件にして層形ｒＪｙ、
をイテって電子写真用像形成部材を１４すた。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡＪ
基体上に、第１１表に示す条件で第１２図に示すガス流
量比の変化率曲ｆＲに従って、ＧｅＨ４／ＨｅガスとＳ
ｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を層作成経過時間と共に
変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材を得た
。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しθ５．ＯｋＶで０．３ｓｅｅ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光源
を用い、２１ｕｘ−ｇｅｃの光蓋を透過型のテストチャ
ートを通してｊｌ（１射させた。

その後直ちに■荷電性の現１ψ剤（トナーとキャリアを
含む）音像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像會、ｅ５、ＯｋＶのコロナ帯電で転
写紙上に枳写した所、解像力に優れ、階調再現性のよい
鮮明な旨濃度の画１域がイ４すられた。

実施例１２ 実施例１１に於いて、第１層の作成の際にはＢ２Ｈ６の
（Ｓ　ｉ　Ｈ４＋Ｇ＠Ｈ４）に対する流量を、比２僧の
作成の際にはＪ３２Ｈ６のＳｉＨ４に対する流量を第１
２表に示す悼に変えた以外は、実施例１１と同様の条件
で電子写真用像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた渾形成部材に就いて、実施例１１と同
様の条件及び手順で転写風上に画１象を形成したところ
第１２表に示す結果が得られた。

実施例１３ 実施例１〜１０に於いて、第２層の作成末件を１Ａ１３
表及び第１４吹に示す条件にした以外Ｑユ、各実力視測
に示す条件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々（
試料扁１３０１〜１３１０．１４０１〜１４１（１）を
作成した。

こうして得られたｉ′メ形成部材の夫々にＢしいて、実
施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に１１初隊を形
成したところ第１３Ａ表及び第１４Ａ表に示す結果が得
られた。

実施例１４ 実施例１に於いて、光源をタングステンラングの代シに
８１０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）を
用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様
のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で
作成した電子写真用像形成部拐に就いてトナー転写画像
の画質評価を行ったところ解像力に優れ、階調り現性の
良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例１５ 層（Ｉｔ）の作成条件を第１５衣に示す各零件にした以
外は、実施例１，７．１１の谷実施例と同様の条件と手
順に従って電子写真用窃形成転写の夫々（試料Ａ　Ｉ　
２−１０１〜１２−１０８．１２−７０１〜１２−７０
８．１２−１１０１〜１２−１１０８の２４個の試料）
を作成した。

こうして得られた谷電子写真用蘭形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、谷実施例にＨｔ・１ｙ、シたのと
同様の条件によって、各実施例に対応した４に子写真用
１駅形成部材の夫々について、転写画ｉ値の総合自負ｍ
”Ｆ　１１１１ｉと繰返し連続使用による１ｌｆｆ］久
住の評１曲を行った。

谷試料の転写１１！ｌＪ像の総合画質評価と、繰返し連
続使用によるｎｊＪ久性の評価の結果を第１６辰に示す
。

火力山側１６ Ｍ　（ＩＩ）の形成時、シリコンウェハとグシファイト
のクーグ面ト而植比ｔｆえて、ノ脅（ｌｌ）におけるシ
リコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は、
実施例１と全く同様な方法によって揮形成転写の夫々を
作成した。こうして得られた１未形成部材の夫々につき
、実施例１に述べた如き、作１オ、現詠、クリーニング
の工程ケポリ５万回味９返した後画像評価を行ったとこ
ろ第１７表の如き結果を得た。

実施例１７ 層ＣＭ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガスとＣ２Ｈ４ガスの
流量化を変えで、層（ｎ）におけるシリコン原子と炭素
原子の含有量比を変化させる以外は実識例１と全く同様
な方法によって像形成部材の夫々を作成した。

こうして付られた各像形成部材につき、実施例１に述べ
たｙｌｌき方法で転写までの工程を約５万回にゴ！ｐ返
した佼、画像評価を行ったところ、第１８辰の如き結果
を得た。

実施例１８ 層（ｎ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガス、５ＩＦ４ガス、
Ｃ２ｊ（４ガスのｊｔ＋：　址比を震えて、非晶買増（
ＩＩ）におけるシリコン原子と炭素原子の含有量比ｅｌ
化させる以外は、実施例１と全く同体な方法によって像
形成１１μ材の夫々を作成した。こうして得られた各像
形成部材につき実施例１に述べた如き作像、現ＩＶ　％
クリーニングの工程を約５力回繰シ返した後、部門評価
を行ったところ第１９表の如き結果を得た。

実施例１９ 厚Ｒ（ＩＩ）の）ＶＩ厚を震える以外は、実施例１と全
く同様な方法によって１ポ形成部Ｉの夫々を作成した。

央り視測１に述べた如ぎ、作像、現像、クリーニングの
工程を綜９返し化２０衣の結果を得た。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成千件を以下
に示す 基体温度：ダルマニウム原子（Ｇｅ　）含有層・・・・
・・約２００℃ダルマニウム原子（Ｇｅ　）非倉有層・
・・・・・約２５０℃放電周波？ａ　：　１３．５６Ｍ
Ｈｚ 反応時反応室内圧：０．３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光専電部材の層構成を説明する為の
俣式的層構成図、第２図乃至ｇ１↓１０図は夫々紀−の
層領域（Ｇ）中のゲルマニウム原子の分布状ｊｌｑを説
明する為の説明図、第１１Ｉ８］は、本発明で１史用さ
れた装置の模式的説明１！＜１で、第１２図乃至絹１８
図は夫々本発明の実施例に於けるガス流量比の俄化率曲
線を示すｄ兄明図である。 １００・・・光薄電部材、１０１・・・支持体、１０２
・・・第一の層（１，）、１０３・・・第二のノー（１
）、１０４・・・第一の層領域（Ｇ）、 １０５・・・第二〇層領域（Ｓ）。 Ｃ Ｃ −一−−→−Ｃ −−一慢−Ｃ ガス３Ｌ量比 力゛ス３Ｌ賃よし 叩１７（財） 手続補正書 昭和ぐ９’ｌｌ　月ユ２［１ 特許庁長官志賀　学　１ｊＩり １　事イ１の表示　適 昭和は年１“ｉｌ　ｉｉｌ、に〔１第＋ｂＱ’／ｘ’；
＋；中・ｆ′（との関係　１１上　願　人 Ｏ：　＋９ｉ　（４’１ｎｉ）　、、、、京都大ＩＩＩ
区下丸子３丁Ｌ１３０番２号Ｉｔ　Ｆ、路”　ＣＩ（］
のキャノン株式会社４代刊１人 住　；す］　東に・、部下代田区九の内２’ｌ’１．ｌ
　Ｇ　ａ２５；丸の内式Φ洲ヒル３３゜補　正　書 本闇明＋Ｙ４１１　’ｔｔｊ中下記事ｍを補正いたし１
ず。 記 ｔｌ；５ｓ　６ｒ　ｔ　９行１ａ、第５９頁２行目にｒ
　ａ　−（ＳｉｘＣ＋−ｘ　）ｙ　ｘ＋−ｙ　−ｌとあ
るをそれぞれｒ　ａ　−（ＳｉｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ
）　＋−ｙＪと訂正する。 代理人　谷　山　輝　雄

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子とダルマ
   ニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の層領
   域（Ｇ）とシリコ−４ン原子を含む非晶質材料で構成さ
   れ光導電性を示す第２の層領域（Ｓ）とが前記支持体側
   よシ順に設けられだ層構成の第一の層と、シリコン原子
   と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の層と
   を有し、前記第１の層領域中に於けるダルマニウム原子
   の分布状態が層厚方向に不均一であって、前記第１の層
   領域←）に伝導性を支配する物質が含有され、前記第一
   の層には窒素原子が含有されている事を特徴とする光導
   電部材。
2. （２）第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方に水素原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）第１の層領域または第２の層領域の少なくともい
   ずれか一方にハロゲン原子が含有されている特許請求の
   範囲第１項または第２項に記載の光導電部制。
4. （４）８１０層領域６）中に於けるダルマニウム原子の
   分布状態が前記支持体側の方に多く分布する分布状態で
   ある特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
5. （５）伝導性を支配する物質が周期律表第１■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材
   。
6. （６）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部拐。