JPS60122957A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉ、）
　／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、更には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用
時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記す）があシ
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材としての応
用、独国公開第２９３３４１１号公報しかしながら、従
来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する光導電部材
は、暗抵抗値、光感度。

光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の点にお
いて、総・金的な特性向上を計る必要があるという更に
改良される可き点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰シ返し使用し
続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像
が生ずる所謂ゴースト現象を発する様になるとｉｚ或い
は、高速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する、
等の不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８１は可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よシも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、また、通常使用されているノ・ログ／
ランプや螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効
に使用し得ていないという点に於いて、夫々改良される
余地が残っている。

又、別には、照射さ−れる光が光導電層中に於いて、充
分吸収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層管透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなυ、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を段組する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｌに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とする非晶質材料、殊にシリコン原子を
母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材料、所
謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化アモルファ
スシリコン、或いはハロゲン含有水素化アモルファスシ
リコン〔以後これ等の総称的表記として「ａ−８ｌ　（
Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成され、光導電性を示す
光受容層を有する光導電部材の層構成を、以後に説明さ
れる様に特定化して設計され作成された光導電部材は、
実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光
導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕してい
ること、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優れ
た特性を有していること及び長波長側に於ける吸収スペ
クトル特性に優れていることを見出した点に基いている
。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性を有する光導電部材を提供することである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、ゲル
マニウム原子と必要に応じてシリコン原子、水素原子、
ハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも１つを含む非晶質材料
〔以後ｒ　ａ　−Ｇｏ　（Ｓｌ　、ＩＬＸ）Ｊと記す〕
で構成された層領域（Ｇ）とシリコン原子を含む非晶質
材料で構成され光導電性を示す層領域（Ｓ）とが前記支
持体側よシ順に設けられた層構成の第一の層およびシリ
コン原子と窒素原子とを含む非晶質材料で構成された第
二の層から成る光受容層とを有し、前記第一の層は、酸
素原子を含有し、その層厚方向に於ける分布濃度が夫々
ｃ　（ｉ）。

Ｃ（３）　、　Ｃ（２）でおる第１０層領域（１）、第
３の層領域（３）、第２の層領域（２）をこの順で支持
体側よシ有することを特徴とする（但し、Ｃ（３）＞Ｃ
（２）、Ｃ（すで且つｃ　（ｉ）　、　Ｃ（３）のいず
れか一方はＯでない）。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高（
、／−＝−７）−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於・いて光
感度が高く、殊に半導体レーデとのマツチングに優れ、
且つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明するため
に模式的に示した模式的構成図である。−第１図に示す
光導電部材１００は、光導電部材用としての支持体１０
１の上に、第一の層（１）１０２と第二の層（ｎ）　１
０３とから成る光受容層１１０を有するもので、該第二
の層（ｎ）　１０３は自由表面１０６を一方の端面に有
している。

第一の層（１）　１０２は、支持体１０１側よシｓ　−
Ｇｓ　（８１、Ｈ，Ｘ）で構成された層領域（Ｇ）　１
０４と、ａ　−Ｓｌ　（Ｈ，Ｘ）で構成され光導電性を
有する層領域（Ｓ）　１０５とが順に積層され先導構造
を有する。

層領域（Ｇ）　１０４中に含有されるゲルマニウム原子
は、該層領域（Ｇ）　１０４中に万遍無く均一に分布す
る様に含有されても良いし、或いは層厚方向には万遍無
く含有されてはいるが分布濃度が不均一であっても良い
。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行
な面内方向に於いては、均一な分布で万遍無く含有され
るのが面内方向に於ける特性の均一化を計る点からも必
要である。

殊に、層領域ＣＧ）の層厚方向には万遍無く含有されて
いて且つ前記支持体１０１の設けられである側とは反対
の側（第一の層（１）　１０２の第二の層（ＩＩ）　１
０３側）の方に対して前記支持体１０１側の方に多く分
布した状態となる様にするか、或いはこの逆の分布状態
となる様に前記層領域（Ｇ）１０４中に含有される。

本発明の光導電部材においては、層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向におい
ては、前記の様な分布状態を取シ、支持体の表面と平行
な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい。

本発明に於いては、層領域（Ｇ）上に設けられる層領域
（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておらず、
この様な層構造に第一の層（１）を形成することによっ
て、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長
迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光導
電部材とし得るものである。

又、層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布状
態が全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、ゲ
ルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よシ
層領域（Ｓ）に向って減少する変化が与えられている場
・合には、層領域（Ｇ）と層領域（Ｓ）との間に於ける
親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部に於い
てゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくするこ
とにょシ、半導体レーザ等を使用した場合の、層領域（
Ｓ）では殆んど吸収し切れない長波長側の光を層領域（
Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、支
持体面からの反射による干渉を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材の好ましい実施態様例の１つで
ある層領域（Ｇ）にシリコン原子が含有されている場合
には、層領域（Ｇ）と層領域（Ｓ）とを構成する非晶質
材料の夫々がシリコン原子という共通の第１４成要素を
有しているので、積層界面に於いて化学的な安定性の確
保が充分成されている。

第２図乃至第１０図には、ゲルマニウム原子が不均一に
分布されて含有されている場合における光導電部材の層
領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向
の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（Ｇ）の層厚を示し、
１は支持体側の層領域（Ｇ）の端面の位置を、ｔ、は支
持体側とは反対側の層領域（Ｇ）の端面の位置を示す。

即ち、ゲルマニウム原子の含有される層領域（Ｇ）は１
Ｂ側よシｔ、側に向って層形成がなされる。

第２図には、層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る層領域（Ｇ）が形成される支持体の表面と該層領域（
Ｇ）の表面とが接する界面位置ｔ、よシｔ１の位置まで
は、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ，なる一定の値
を取シながらゲルマニウム原子が形成される層領域（Ｇ
）に含有され、位置ｔ１よシは濃度Ｃ２よシ界面位置Ｅ
Ｔに至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置
１Ｔにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはＣ３と
される。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔｌｌよシ位置叫に至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔ、において
濃度Ｃｓとなる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔ３よ多位置ｔ２まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ｃ６と一定値とされ、位
置１．と位置１Ｔとの間において、除徐に連続的に減少
され、位置１Ｔにおいて、分布濃。

度Ｃは実質的に零とされている（ここで実質的に零とは
検出限界量未満の場合である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置輸よ多位置ｔ、に至るまで、濃度ｃ８よシ連続的に徐
々に減少され、位置叫において実質的に零とされている
。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置１ｍｌと位置１３間においては、濃度Ｃ９
と一定値であシ、位置叫においては濃度ＣＩＯとされる
。位置ｔ３と位置ｔ、との間では分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ３よ多位置ｔＴに至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
！Ｊ）位置ｔ４までは濃度Ｃｔｔの一定値を取シ、位置
ｔ４よシ位置叫までは濃度Ｃｓｚよシ濃度Ｃ１ｓ　ｔで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位Ｍｔ、よシ位置１Ｔに至
るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＩ４よ
シ実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置１Ｂよシ位置ｔｓに至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１ｌよシ濃度
Ｃ１ｍまで一次関数的に減少され、位置ｔｓと位置し、
との間においては、濃度ｃ１６の一定値とされた例が示
されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置ｔ！ｌにおいて濃度ｃｉｔであシ、位
置ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ？よシ初めはゆっくシ
と減少され、ｔ−の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ６では濃度Ｃ１ｌとされる。位置ｔ６と位置
ｔ７との間においては、初め急激に減少されて、その後
は緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で濃度Ｃｔｅとなシ
、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、極めてゆりくシと徐
々に減少されて位置１．において、濃度ｃ冨＠に至る。

位置ｔｓと位置ｔ、の間においては、濃度ＣＳＯよル実
質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従って減
少されている。

以上、第２図乃至第１０図によυ、層領域（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典型
例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体
側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、界面ｔ、側においては、前記分布濃度Ｃは支持
体側ｇ較ぺて可成シ低くされた部分を有する。図示のよ
うなゲルマニウム原子の分布状態が層領域（Ｇ）に設け
られている場合は、好適な例の１つとして挙げられる。

本発明に於ける光導電部材を構成する第一の〜層（１）
を構成する層領域（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持
体側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有され
ている局在領域（Ａ）　ｔ−有するのが望ましい。

例えば、局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ、より５μ以内に
設けられるのが望ましいものである。

上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ、よシ５μ厚までの
全層領域（ＬＴ）とされる場合もあるし、又、層領域（
Ｌ、）の一部とされる場合もある。局在領域（４）を層
領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部とするかは、形成
される第一の層（１）に要求される特性に従って適宜法
められる６ 局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値ＣｍａＸがシリコン原子との和に対して、好
ましくは１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好適に
は５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１ｘ
１０４ａＬｏｍｌｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態
とな９得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る層領域（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（１
Ｂから５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍ□が存
在する様に形成されるのが好ましい。

本発明において、層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成され
る様に所望に従って適宜法められるが、シリコン原子と
の和に対して、好ましくは１〜１０　Ｘ　１０５ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは１００〜９．５　Ｘ　
１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には５００〜８×
１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｙｎとされるのが望ましい。

本発明に於いて層領域（Ｇ）と層領域（Ｓ）との層厚は
、一本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因子
の１つであるので、形成される光導電部材に所望の特性
が充分与えられる様に、光導電部材の設計の際に充分な
る注意が払われる必要があるＯ 本発明に於いて、層領域（Ｇ）の層厚ＴＩｌは、好まし
くは３０Ｘ〜５０μ、よシ好ましくは４０１〜４０μ、
最適には５０１〜３０μとされるのが望ましい。

又、層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９０
μ、よシ好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５０μと
されるのが望ま−しい。

層領域（Ｇ）の層厚Ｔ、と層領域（Ｓ）の層厚Ｔの和（
ＴＩ＋Ｔ）は、両層領域に要求される特性と第一の層（
１）全体に要求される特性との相互間の有機的関連性に
基いて、光導電部材の層設計の際に所望に従って、適宜
決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲は、好ましくは１〜１００μ、よシ好適には１
〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ましい。

本発明のよシ好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔは、好ましくはＴ、／’ｒ≦１なる関
係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が選択
されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｔお及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、よシ好ましくはＴ、／Ｔ≦０．９最適にはＴＢ
／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及び層
厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐ
ｍ以上の場合には、層領域（Ｇ）の層厚Ｔ、は、可成シ
薄くされるのが望ましく、好ましくは３０μ以下、よシ
好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以下とされるの
が望ましい。

本発明に於いて、形成される第一の層（１）を構成する
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｌｃ　
％　、よシ好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適
には５〜２５　ａｔｏｍｉｅ％とされるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて第一の層（１）を構成す
る層領域（Ｇ）又は／及び層領域（Ｓ）中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素
、ヨウ素が挙げられ、殊に７．素。

塩素を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、第一の層（１）中には、酸素原子が含
有される層領域（０）が設けられる。第一０層（１）中
に含有される酸素原子は、第一０層（１）の全層領域に
万逼なく含有されても良いし、或いは、第一の層（１）
の一部の層領域のみに含有させて遍在させても良い。

本発明に於いて酸素原子の分布状態は、第一の層（１）
全体に於いては前記した様に、層厚方向に不均一である
。集電−砲籾檄へ瓢看磁に第１図に示される光導電部材
１００の第一の層（Ｉ）　１０２は、第１１図に示され
るように酸素原子が含有され、その層厚方向に於ける分
布濃度がＣ（１）なる値である第１の層領域（１）１０
７　、　Ｃ（３）なる値である第３の層領域（３）１０
８　、　Ｃ（２）なる値である第２の層領域（２）　１
　ｏ　９とを有する。層領域（Ｇ）　１０４と層領域（
８）　１０５の接触界面は、第１と第３と第２の層領域
のいずれにあってもよい。

本発明においては上記の第１．第３．第２の各層領域は
、この順で支持体側から配置され、Ｃ（３）＞　Ｃ（２
）　Ｉ　Ｃ（１）で、且つ、Ｃ（１）　Ｉ　Ｃ（２）の
いずれか一方は０でないものとする。また、第１．第３
゜第２の各層領域に於いては層厚方向に均一である。

第１２図乃至第２１図には第一の層（Ｉ）全体としての
酸素原子の分布状態の典型的例が示される。

これ等の各図に於いて、横軸は酸素原子の分布濃度Ｃ（
０）を、縦軸は第一の層（Ｉ）の層厚を示す。

縦軸に示される１Ｂは第一の層（１）の支持体側端面の
位置を、鴨は第一の層（１）の支持体とは反対側の端面
の位置を示す。即ち、第一の層（１）はｔ、側よシ叫側
方向に向って層形成がなされる。

第１２図に示される例では、位Ｗｔ、よ多位置ｔ９まで
は酸素原子の分布濃度Ｃ（０）は濃度Ｃａｔとされ、位
置１．から位置１１１までは酸素原子の分布濃度Ｃ（０
）は濃度ＣＩとし、位置１１１から位置ｔ、ｒまでは濃
度Ｃ！凰としている。

第１３図に示される例では、酸素原子の分布濃度Ｃ（０
）は位置ｔ、から位置ｔｌ意までは濃度ｃｍｓ、位置ｔ
ｌｌから位置ｔ１３までは濃度Ｃ！４と階段状に増加さ
せ、位置ｔｔｓから位置ｔ、までは濃度ＣＯと減少させ
ている。

第１４図の例では、酸素原子の分布濃度Ｃ（０）は、位
ｉ！ｔ、から位置ｔ１４までは濃度Ｃ２６とし、位置ｔ
１＜から位置ｔｉｅ”！では濃度をＣＷｔと階段状に増
加させ、位置ｔｔｓから位置ｔ、までは初期の濃度ＣＳ
Ｓよシも低い濃度ＣＨとしている。

第１５図に示される例では、分布濃度Ｃ（Ｏ）は位置輸
から位置ｔｔｓまでは濃度Ｃ８９とし、位置ｔ１ｓから
位置ｔ１γまでは濃度０１０に減少させ、位置１１１か
ら位置ｔ１１１ｔでは濃度ＣＳｔと階段状に増力口させ
、位置ｔｔｓから位置ｔ！ｌ′！では濃度ＣＩＯに減少
させている。

第１６図に示される例では、第一の層（１）の支持体側
に酸素原子の分布濃度Ｃ（０）の高い層領域が設けられ
ている。この様な酸素原子の分布濃度Ｃ（０）とするこ
とで、帯電処理を受けた際に支持体側からの電荷の注入
を効果的に阻止出来ると同時に支持体と光受容層との間
の密着も強固にすることが出来る。

又、Ｌ２０と鴫の間の層領域には、より低濃度に酸素原
子を含有させることで、光感度を低下させることなく暗
抵抗の一層の向上を計っているＯ第１７図乃至第２１図
の例では、第一の層（１）の支持体側又は、支持体と反
対側に酸素原子の含有されない層領域が第一の層（１）
中に設けらｉｔでいる。

本発明に於いて、第一のＪｆ４（１）に設けられる酸素
原子の含有されている層領域（０）は５．光感度と暗抵
抗の向上を主たる目的とする場合には、第一の層（１）
の全層領域を占める様に設けられ、光受容層の自由表面
からの電荷の注入を防止するためには、第二の層（ＩＩ
）との界面近傍に設けられ、支持体と光受容層との間の
密着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、第
一の層（１）の支持体側端部層領域を占める様に設けら
れる。

上記の第１の場合、層領域（０）中に含有される酸素原
子の含有量は、扁光感度を維持する為に比較的少なくさ
れ、第２の場合には、光受容層の自由表面からの電荷の
注入を防ぐために比較的多くされ、第３の場合には、支
持体との密着性の強化を確実に図る為に比較的多くされ
るのが望ましい。

又、上記王者を同時に達成する目的の為には、支持体側
に於いて比較的高濃度に分布させ、第一の層（１）の中
央に於いて比較的低濃度に分布させ、光受容層の自由表
面側の界面層領域には、酸素原子を多くした様な酸素原
子の分布状態を層領域（０）中に形成すれば良い。

本発明に於いて、第一０層（１）に設けられる層領域（
Ｏ）に含有される酸素原子の含有量は、層領域（０）自
体に要求される特性、或いは該層領域（０）が支持体に
直に接触して設けられる場合には、該支持体との接触界
面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適
宜選択することが出来る。

又、前記層領域（０）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、酸素
原子の含有量が適宜選択される。

層領域（０）中に含有される酸素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが、シリコン原子とゲルマニウム原子と酸
素原子の和〔以後ｒ　Ｔ（８ｉＧｅＯ）Ｊと記す〕に対
して、好ましくはｏ、ｏｏｉ〜５　Ｑ　ａｔ□ｉｅチ、
ヨシ好ましくは０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、最
適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが
望ましい。

本発明に於いて、層領域（０）が第一の層（１）の全域
を占めるか、或いは、第一の層ＣＩ）の全域を占めなく
とも、層領域（０）の層厚Ｔ。の第一の層′（Ｉ）の層
厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域（０）に
含有される酸素原子の含有量の上限は、前記の値よυ充
分多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（０）の層厚Ｔ。が第一の層
（１）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上とな
る様な場合には、層領域（０）中に含有される酸素原子
の量の上限は、好ましくは３０ａｔｏｍｉｅ％以下、よ
り好ましくは２０　ａｔｏｍｌｃ　％以下、最適には１
０　ａｔｏｍｉｃ　％以下とされるのが望ましい。

本発明において、第一の層（１）を構成する酸素原子の
含有される層領域（０）は、上記した様に支持体側及び
自由表面近傍の方に酸素原子が比較的高濃度で含有され
ている局在領域（Ｂ）を有するものとして設けられるの
が望ましく、この場合には、支持体と光受容層との間の
密着性をより一層向上させること及び受容電位の向上を
計ることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１２図乃至第２１図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢまたは１Ｔより５
μ以内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置１
Ｂまたは１Ｔより５μ厚までの全層領域（Ｌ、）とされ
る場合もあるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場
合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の層（１）に要求される
特性に従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状態として、酸素原子の分布濃度Ｃ（０）の最
大値ＣｍａＫが好ましくは５００　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐ
ｍ以上、より好ましくは８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上と
される様な分布状態となシ得る様に層形成されるのが望
ましい。

即ち、本発明においては、酸素原子の含有される層領域
（０）は、支持体側または自由表面側の界面からの層厚
で５μ以内（Ｌ、またはｔ、から５μ厚の層領域）に分
布濃度Ｃ（０）の最大値ｃｍａｘが存在する様に形成さ
れるのが望ましい。

本発明において、ａ　−Ｇｏ（８１、ｉ（、Ｘ）で構成
される層領域（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
。

スパッタリング法、或いはイオングレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によって、層領域（Ｇ）を形成するに
は、基本的にはシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｏ　）を供給
し得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて、シリコ
ン原子（ｓｉ）を供給し得るＳ１供給用の原料ガス、水
素原子（Ｈ）導入用の原料ガス、又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積
室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定
の支持体表面上にａ　−Ｇｅ（Ｓｔ　、）Ｉ、Ｘ）から
なる層を形成すれば良い。又、ゲルマニウム原子を不均
一な分布状態で含有させるには、ゲルマニウム原子の分
布濃度を所望の変化率曲線に従って制御しながらａ　−
Ｇｓ（Ｓｔ　、）１．ｘ）からなる層を形成させれば良
い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成シ
得る物質としては、ＳｉＨ４１５ｓ２Ｈ６１５１５ＨＢ
ａＳｉ４Ｈ，。等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ１供給効率の
良さ等の点で５ｌ）１４．　Ｓｉ　２Ｉ（６が好ましい
ものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、Ｇｅｌ
Ｈ４、Ｇ６２Ｈ６＋　ＧｅｓＨｅ　＋　”４Ｈ１０１Ｇ
ｅ５Ｈ１２ｍＧｅ６）１１４＋Ｇｌ！１７Ｈ１６ｒ　Ｇ
ｅ１ａＨ１ａ　、Ｇｅ＋９Ｈ２０等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇ
ｅ供給効率の良さ等の点で％　Ｇｅ１Ｉ４１Ｇｅ　２Ｈ
６ｍ　”　ＳＨ８が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるノ・ロゲン原千尋入用の原料
ガスとして有効なものとしては、多くのノ・ロゲン化合
物が挙げられ、例えばハロゲンガス。

ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ノーロゲンで置換さ
れたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましいものとして挙げられる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ　＊　ＣＬＦ　＋　Ｃｔ
Ｆ、１ＢｒＦ、。

ＢｒＦ３．　ＩＦ５．　ＩＦ７　、　ＩＣｔ、　ＩＢｒ
等の／”１０ゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物′、所謂、ハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４．５ｔ２Ｆ６．５ｉＣ１４，ＳｉＢｒ４等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げ−ることか出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用し゛てグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成
する場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給
し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ　−５ｉＧ
ｅから成る層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む層領域（Ｇ
）を作成する場合、基本的には、例えば別供給用の原料
ガスとなるハロゲン化硅素とＧｏ供給用の原料ガスとな
る水素化ゲルマニウムとＡｒ　＃　Ｈ２ｓＨｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして層領域（Ｇ
）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって、
所望の支持体上に層領域（Ｇ）を形成し得るものでおる
が、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様に計
る為にこれ等のガスに更に水素ソ！ス又は水素原子を含
む硅素化合物のガスもＱｉ望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独棟のみでなく）５１定の混合比で複数
種混合して使用しても差支えないものでちる。

反応ス／４′ツタリング法或いはイオンブレーティング
法に依ってａ　−８４０ｙ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層
領域（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の
場合にはＳｔから成るターゲットとＧｏから成るターゲ
ットの二枚を、或いはＳｔとＧｅから成るターゲットを
使用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッ
タリングし、イオンブレーティング法の場合には、例え
ば多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニ
ウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着
ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレ
クトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事
で行う事が出来る。この他、Ｓｌで構成されたターゲッ
トをスパッタリングするｌｌ］Ｇａ供給用の原料ガスを
導入して層領域（Ｇ）を形成することも出来る。ゲルマ
ニウム原子の分布を不均一にする場合には、例えば前記
Ｇｏ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に
従って制御しながら、前記のターゲットをスパッタリン
グしてやれば良い。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の刺れの場
合にも形成される層中にノ・ロゲン原子を導入するには
、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良い。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をス／４’　、ｙタ
リング用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲
気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはノ・ロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ　、　ＨＣｔ、　ＨＢｒ　。

ＩＩ等のハロゲン化水素、５ＩＨ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ２
，５ｉＩＴ２Ｃｔ２゜５ＩＨＣｔ３．５ＩＨ２Ｂｒ２．
５ｌｌ−ＩＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧ
ｅＨＦ３＋　ＧｅＨＦ３＋ＧｅＨＩ３．　ＧｅＨＦ３＋
、　ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム、等
の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物、Ｇｅ
Ｆ４．　ＧｅＣ４４，ＧａＢｒ４　、　ＧｅＩ４゜Ｇｅ
Ｆ２．　ＧａＣｌ２　、　ＧｅＢｒ２．　Ｇｅ１２等の
ハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス
化し得る物質も有効な第１の層領域（Ｇ）形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むノ・ロゲン化物は、層
領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては、好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を層領域（Ｇ）中に構造的に導入するには、上
記の他にＨ２、或いは５ＩＩＩ４．　Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ
、Ｈ８゜５１４Ｈ１ｏ等の水素化硅素をＧｏを供給する
為のゲルマニウム、又はゲルマニウム化合物と、或いは
、Ｇ５Ｈ４＋Ｇ＠　２Ｈ６ｒ　Ｇｅ　ｓｅｅ　、Ｇｓ　
４Ｈ１０１Ｇｅ　５Ｈ１２１Ｃ；＠６Ｈ１４ｊ（Ｅ４７
Ｈ１ｂ　＋Ｇ＠５Ｈ１ｓ　＋　Ｇｅ９Ｈ２０等の水素化
ゲルマニウムと８１を供給する為のシリコン又はシリコ
ン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる
事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される第一の層（１
）を構成する層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ
）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは０．０１
〜４０　ａｔｏｍｉａ　％、よシ好適には０．０５〜３
９６１６ｍ１ｃ　％　％最適には０．１〜２５　ａｔｏ
ｍｉｃ　％とされるのが望ましい。

層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｉ（）又は／及
びハロゲン原子＜Ｘ＞の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはノ・ロダン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される層領
域（Ｓ）を形成するには、前記した層領域（Ｇ）形成用
の出発物質（１）の中より、ｃ・供給用の原料ガスとな
る出発物質を除いた出発物質〔層領域（Ｓ）形成用の出
発物質（■）〕を使用して、層領域（Ｇ）を形成する場
合と、同様の方法と条件に従って行う事が出来る。

即ち、本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層領域（８）を形成するには例えばグロー放電法。

スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によりて成される。例え
ば、グロー放電法によって、ａ−Ｓｔ（Ｈ，Ｘ）で構成
される層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子（Ｓｔ、）を供給し得るＳ１供給用の原
料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料がスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に導入して５、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上にａ　−８１（Ｈ＋　Ｘ）からなる層
を形成させれば良い。

又、ス・フッタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペース
とした混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成されたターゲッ
トをスノやツタリングする際、水素原子（ロ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用
の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、第一の層（１）に酸素原子の含有され
た層領域（０）を設けるには、第一の層（１）の形成の
際に酸素原子導入用の出発物質を前記した第一の層（１
）形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやれば良い。

層領域（０）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第一の層（１）形成用の出発物質の中か
ら所望に従９て選択されたものに酸素原子導入用の出発
物質が加えられる。その様な酸素原子導入用の出発物質
としては、少なくとも酸素原子を構成原子とするガス状
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）　ｔ　４４９成原子とする原料ガス
と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びノ・ロダン原
子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で
混合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構
成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の
混合比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｔ）を
構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）、酸
素原子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｕ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０５）、−
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四二酸化窒
素へ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）　、二酸化窒
素（Ｎｏ、）、シリコン原子（Ｓｔ　）と酸素原子（０
）と水素原子（）Ｉ）とを構成原子とする、例えば、ジ
シロキサン（Ｈ，８１０８１Ｂ３）、トリシロキサン（
Ｈ，５ｉＯ８ＩＨ２０ＳｉＨρ等の低級シロキサン等を
挙げることが出来る。

スパッタ尺ノグ法によって、酸素原子を含有する層領域
（０）を形成するには、単結晶又は多結晶のｓｉウェー
ハー又はｓｔｏ□ウェー７１−１又はＳｌと５ｔＯ２が
混合されて含有されているウェーッ１−をターゲットと
して、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって行えば良い。

例えば、Ｓｌウェーッ・−をターゲットとして使用すれ
ば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記８％ウェーッー
−をスパッタリングすれば良い。

又、別には、Ｓｌと５ｔＯ２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｔと５ｉｎ２の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｉ（）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有する
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって成され
る。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロ
ー放電の例で示した原粍ブスの中の酸素原子導入用の原
料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして
使用され得る。

本発明に於いて、第一の層（１）の形成の際に、酸素原
子の含有される層領域（０）　ｔｌ−設ける場合、該層
領域（０）に含有される酸素原子の分布濃度Ｃ（０）を
層厚方向に階段状に変化させて、所望の層厚方向の分布
状態（ｄ＋ｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域
（０）を形成するには、グロー放電の場合には、分布濃
度Ｃ（０）を変化させるべき酸素原子導入用の出発物質
のがスを、そのガス流量を所望の変化率線に従って適宜
変化させながら、堆積室内に導入することによって成さ
れる。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法によシ、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化は、人為的に行う他
に、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計された
変化率線に従って流量を制御し、所望の含有分布濃度線
を得ることもできる。

Ｉｌ！　領域（０）をス・ヤツタリング法によって形成
する場合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｏ）を層
厚方向で変化させて、酸素原子の層厚方向の所望の分布
状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、
第一には、グロー放電法による場合と同様に、酸素原子
導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積゛
室中へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化さ
せることによって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えば８
１と５１０２との混合されたターゲットを使用するので
あれば、別と５ｉｎ２との混合比を、ターゲ、トの層厚
方向に於いて、予め変化させておくことによって成され
る。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第１の層領域（Ｇ）又は／及びゲルマニウム原
子の含有されない第２の層領域（Ｓ）には、伝導特性を
制御する物質（Ｃ）を含有させることによシ、各層領域
の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来る
。即ち、第一の層（Ｉ）中に伝導特性を制御する物質（
Ｃ）を含有する層領域（１’Ｎ）を設けることで、該層
領域（ＰＮ）の伝導特性を所望に従って任意に制御する
ことが出来る。

この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、８１又は
Ｇｅに対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物、及び
ｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る
。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａｔ（ア
ルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、Ｔｔ（タリウム）等がアシ、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（
アンチモン）、ｌ３１（ビスマス）等でアシ、殊に、好
適に用いられるのは、Ｐ　１Ａｍである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）に含有される伝導特性
を制御する物質の含有量は、該層領域（ＰＮ）に要求さ
れる伝導特性、或いは該層領域（ＰＮ）に直に接触して
設けられる他の層領域の特性や、該他の層領域との接触
界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、
適宜選択することが出来る。

又、前記の伝導特性を制御する物質（Ｃ）を第一の層（
１）中に含有させるのに、第一の層（１）の所望される
層領域に局在的に含有させる場合、殊に、第一の層（１
）の支持体側端部層領域（Ｅ）に含有させる場合には、
該層領域（Ｅ）に直に接触して設けられる他の層領域の
特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との関
係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が適
宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５Ｘ１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よシ
好適には０．５〜ｌ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐ
ｍ　、最適には１〜５×１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量が
好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適
には５　Ｑ　ｉｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ以上、最適には、１
００１００ａｔｏ　ｐｐｍ以上の場合には、前記物質（
Ｃ）は、第一の層（１）の一部の層領域に局所的に含有
させるのが望ましく、殊に第一の層（１）の支持体側端
部に層領域（ＰＮ）を偏在させるのが望ましい。

本発明に於いては、層領域（ＰＮ）は、第一の層（１）
を構成する層領域（Ｇ）又は層領域（Ｓ）の一部又は全
領域に設けることが出来る。又、層領域（ＰＮ）は、層
領域（０）の一部又は全領域に設けても良く、或いは層
領域（０）をその一部として包含する様に設けても良い
。

第一の層（１）の支持体側端部層領域（Ｅ）に前記の数
値以上の含有量となる様に前記の伝導特性を支配する物
質（Ｃ）を含有させることによって、例えば該含有させ
る物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、光受容層
の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に支持体側か
ら光受容層中へ注入される電子の移動を効果的に阻止す
ることが出来、又、前記含有させる物質が前記のｎ現不
純物の場合には、光受容層の自由表面がＯ極性に帯電処
理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ注入される
正孔の移動を効果的に阻止することが出来る。

この様に、前記端部層領域（Ｅ）に一方の極性の伝導特
性を支配する物質を含有させる場合には、第一の層（Ｉ
）の残りの層領域、即ち、前記端部層領域（Ｅ）を除い
た部分の層領域（Ｚ）には、他の極性の伝導特性を支配
する物質を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導
特性を支配する物質を、端部層領域（Ｅ）に含有される
実際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良い
。

この様な場合、前記層領域（ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、端部層領域（
Ｅ）に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望
に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは０．
００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　。

よシ好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　、最適には０、１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
されるのが望ましい。

本発明に於いて、端部層領域（Ｅ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層
領域（Ｚ）に於ける含崩量は、好ましくは３０　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。上記した場合
の他に、本発明に於いては、第一の層（１）中に、一方
の極性を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領
域と、他方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。つまシ、例えば、
第一の層（１）中に、前記のｐ型不純物を含有する叩頭
戸と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触す
る様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層を設け
ることが出来る。

第一の層（１）中に伝導特性を制御する物質、例えば第
■涙腺子或いは第Ｖ族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に第■涙腺千尋入用の出発物質或いは第■涙腺
千尋入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、第２の層
領域を形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば
良い。この様な第■涙腺千尋入用の出発物質と成シ得る
ものとしては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層
形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが
望ましい。その様な第■涙腺千尋入用の出発物質として
具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６ＩＢ４Ｈ
１０・Ｂ５Ｈ，・Ｂ５上１１　・Ｂ６Ｈ１０りＬ６Ｈ１
２１Ｂ６■１１４等の水素化硼素、ＢＦ、　、　ＢＣｔ
、　、　ＢＢｒ、等のハロゲン化硼素等が挙げられる。

この他、ｈｔｃｔ、。

ＧａＣｌ２．　Ｇａ（ＣＨρ、　、　ＩｎＣｔｓ　、　
ＴｔＣｌ、等も挙げることが出来る。

第■涙腺千尋入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＫ、　
、　Ｐ２Ｈ４等の水素ダン、ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ３゜Ｐ
Ｆ５．　ＰＣｌ５　、　ＰＣｌ５．　ＰＢｒ３．　ＰＢ
ｒ３．　ＰＩ３等の／％ロゲン化ダン挙げられる。この
他、ＡｓＨ３１７ｋｓＦ３１Ａ＠Ｃ１３，Ａ＠Ｂｒｓ　
、　ＡｓＦ５　、８ｂＨ５、８ｂＦ３．　ＳｂＦ５゜５
ｂＣ１５，５ｂＣＬ５．　ＢＩＨ，、ＢｉＣｌ２　、　
ＢＩＢｒｓ等も第Ｖ涙腺千尋入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることが出来る。

第１図に示される光導電部材１００においては第一の層
（１）　１０２上に形成される第二の層（１１１１０３
は自由表面を有し、王に耐洋性、連続繰返し使用特性、
■気的耐圧性、使用ｊ９境特性、耐久性において本発明
の目的を＝達成する為に設けられる。

本発明における第二の層（ｎ）は、シリコン原子（Ｓｉ
）と窒素原子（Ｎ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質月料〔〔以
後、「ａ−（Ｓ１ｘＮ、−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）１−ｙ」但
し、０＜ｘ、ｙ＜１、と記す〕で構成される。

ａ−（ＳｉｘＮ、−Ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−、で（合成さ
れる第二の層（■）の形成はグロー放電法、スＡ’ツタ
リング法、イオンプランテーション法、イオングレーテ
ィング法、エレク）Ｃｌノンビーム法によって成される
。

これらの製造法は、製造条件、設偏資本投下の負荷イ呈
度、聾ＩＪ造規模、作製される光導電部劇に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望する特性を有する光導電部材を製造する為の作製条件
の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に９累原
子及びハロゲン原子を、作製する第二０層（ＩＩ）中に
導入するのが容易に行える等の利点からグロー放電法或
いはスノクツタリング法が好適に採用される。

更に、本発明においては、グロー放電法とス／？ツター
リング法とを同一装置系内で併用してｐｌ（二の層（Ｉ
ｎを形成しても良い。

グロー放電法によって第二の層（１０を形成するには、
ａ−（８１ｘＮ　１−ｘ　）ｙ　（■＊　Ｘ）　１−ｙ
形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積用の
堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起
させることでガスプラズマ化して、前記支持体上に既に
形成されている第一０層（１）の上にＪＬ−（Ｓ　Ｉ　
ｘＮ　１−ｘ　）ｙ　（Ｈ，ｒ　Ｘ）　１−ｙを堆積さ
せれば良い。

本発明において、ａ　（Ｓ　ｌ　ｘＮ　、−ｘ　）ｙ　
（Ｈ、Ｘ）　１−ｙ形ｊｊ、’Ｖ用の原料ガスとしては
、シリコン原子（ｓｒ）、窒素原子（Ｎ）、水素原子（
Ｈ）、ノ・ロダン原子（Ｘ）の中の少なくとも１つを構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス
化したものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｌ、Ｎ、Ｈ，Ｘの中の１つとしてＳＩを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｔを構成原子と
する原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｔを構成原子とする原料ガスと、Ｎ及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構成原子と
する原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混合する
か、或いはＳｔを構成原子とする原料ガスと、Ｓｉ、Ｎ
及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は、８１．Ｎ
及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混合して使
用することが出来る。

又、別には、ＳｌとＨとを構成原子とする原料ガスにＮ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｌとＸとを構成原子とする原料ガスにＮｆ、！Ｉｔ
ｔ成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明において、第二の層（Ｉｆｌ中に含有される７１
０デン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、ＣＬ、Ｂｒ、■
であり、殊にＦ、Ｃ１が望ましいものである。

本発明において、第二の層（ＩＩ）を形成するのに有効
に使用される原料ガスと成シ得るものとしては、常温常
圧においてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質
を挙げることが出来る。

本発明において、第二の層（ＩＩ）形成用の原料ガスと
して有効に使用されるものとしては、ＳＩとＨとを構成
原子とする８１）Ｉ４．８１□Ｈ６，８３３Ｈ８，８１
４）Ｉ、。

等のシラン（５ｌｌａｎａ　）類等の水素化硅素ガス、
Ｎを構成原子とする或いはＮ、！：■とを構成原子とす
る例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ，）、ヒドラ
ジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ｍｖ３）、アジ化
アンモニウム（ＮＨ４Ｎ、）等のガス状の又はガス化し
得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げる
ことが出来る。この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加え
て、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行えるという点から、
三弗化窒素（Ｆ、Ｎ）　、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等の
ハロダン化望素化合物を挙けることが出来る。

ハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な出発
物質としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の
ハロダンガス、ＢｒＦ、　Ｃ１Ｆ、　ＢｒＦ５゜ＢｒＦ
、、　ＩＦ３．　ＩＦ７．　ＩＣｔ、　ＩＢｒ等のハロ
ゲン間化合物、ＨＦ、　ＨＣｌ、　ＨＢｒ、　ＨＩ等の
ハ０ダン化水素を挙げることが出来る。

これ等の第二の層（ＩＩ）形成物質は、形成される第二
の層（ＩＩ）中に、所定の組成比でシリコン原子、窒素
原子及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有
される様に、第二の層（１）の形成の際に所望に従って
選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と窒素、原子と導入用の原料ガス
と、必要に応じて水素原子導入用又は／及びハロダン原
子導入用の原料ガスを、堆積室内に導入して、グロー放
電を生起させることによってａ−（ｓｔｘＮ、−ｘ）ｙ
（Ｈ，ｘ）１−ｙから成る第二の層（ＩＩ）を形成する
ことが出来る。

スパッターリング法によって第二の層（ｎ）を形成する
には、単結晶又は多結晶のＳ１ウエーハー又はＳＬ、Ｎ
４ウエーハー又はＳｌとＳ　ｌ　３Ｎ４が混合されて含
有されているウェーハーをターゲットとして、これ等を
必要に応じてハロゲン原子又は／及び水素原子を構成要
素として含む種々のガス雰囲気中でスパッターリングす
ることによって行えば良い。

例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、５Ｉ５Ｎ４とＨ又は／及びＸを導入する為の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スバ、ター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成
して前記Ｓｌウェーハーをスパッターリングすれば良い
。

又、別には、ＳＮとＳｌ、Ｎ４とは別々のターグツ）と
して、又は８１と５Ｎ３Ｎ４の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、必要に応じて水素原子又は
／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスノや、
ターリングすることによって成される。Ｎ、Ｈ及びＸの
導入用の原料ガスとなる物質としては先述したグロー放
電の例で示した第二０ｍ　０１）形成用の物質がスパッ
ターリング法の場合にも有効な物質として使用され得る
。

本発明において、第二の層（１）をグロー放軍法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えばｆｌｅ　。

Ｎｏ、Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明における第二の層（Ｉｎは、その要求される特性
が所望通シに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、Ｎ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、各々示
すので本発明においては、目的に応じた所望の特性を有
する！Ｌ−（８１ｘＮ１−ｘ）、（ＨＩＸ）、−、が形
成される様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密
に成される。

例えば、第二の層（ＩＩ）を電気的耐圧性の向上を主な
目的として設けるにはａ　−（Ｓ　ｌ　ｘＮｌ　−ｘ　
）ｙ　（”Ｘ）１−ｙは使用環境において電気絶縁性的
挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返、し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として第二の層Ｃｒ１）が設けられる場合には上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される
光に対しである程度の感度を有する非晶質利料としてト
（ｓ　ｔ　ｘＮｌ　−ｘ　）ｙ　（ｔｉ　＋Ｘ）　１　
、ｙが作成される。

第一の層（１）の表面に８−（８１１Ｎ、−、）ｙ（Ｈ
，Ｘ）、−、から成る第二の層（Ｉｆ）を形成する際、
層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性
を左右する重要な因子であって、本発明においては、目
的とする特性を有するａ−（ＳＩｘＮｌ−Ｘ）ｙ（Ｈ２
Ｘ）１−ｙが所望通りに作成され得る様に層作成時の支
持体温度が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明における、所望の目的が効果的に達成される為の
第二のＪ？４　（ｎ）の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、第二の層（１）の形成が実行されるが、好
ましくは２０〜４００℃、よシ好適には５０〜３５０℃
、最適には１００〜３００℃とされるのが望ましい。第
二の層（Ｉｔ）の形成には、層を構成する原子の組成比
の微妙な制御中層厚の制御が他の方法に較べて比較的容
易である事等の為に、グロー放電法やス・ぐツタ−リン
グ法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で駆二の
層（ＩＩ）を形成する場合には、前記の支持体温度と同
様に層形成の際の放電ノ臂ワーが作成されるａ−（ＳＩ
ｘＮｌ−ｘ）ｙＸ１□の特性を左右する重要な因子の１
つである。

本発明における目的が達成される為の特性を有するａ−
（ｓｔｘＮ、−Ｘ）ｙｘ、−、が生産性良く効果的に作
成される為の放ＩＥパワー条件は、好ましくは１０〜３
００Ｗ、より好適には２０〜２５０Ｗ％最適には５０〜
２００Ｗとされるのが望ましい。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜ｌ　Ｔｏｒｒ
、よシ好適には０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とされる
のが望ましい。

本発明においては第二の層（ＩＩ）を作成する為の支持
体温度、放！パワーの望ましい数値範囲としてＪ甲を 前記した範囲の値が挙げられるが、これらの層作成７ア
クターは、独立的に別々に決められるものではなく、所
望特性のａ−（ＳｔｘＮｌ−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙか
らなる第二の層（ＩＩ）が形成される様に相互的有機的
関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決めら
れるのが望ましい。

本発明の光導電部材における第二のＪ＠　（ＩＩ）に含
有される窒素原子の８は、第二の層（１０の作成条件と
同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第
二の層（Ｉｆ）が形成される重要な因子である。

本発明における第二〇Ｒ（ＩＩ）に含有される窒素原子
の量は、第二の層（ＩＩ）を構成する非晶質材料の種類
及びその特性に応じて適宜所望に応じて決められるもの
である。

即ち、前記一般式ａ−（８１ｘＮ、−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）
１−、で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と窒素原子とで構成される非晶質材料〔以後、ｒ　
ａ−８１，Ｎ１−ａ　Ｊと記す。但し、０＜ａ＜１〕、
シリコン原子と窒素原子と水素原子とで構成される非晶
質材料〔以後、ｒ　ａ−（ｓｔ６Ｎ、−６）ｅｕ、−０
」と記す。

但し、０〈ｂ％ａ＜１）、シリコン原子と窒素原子とハ
ロダン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質劇料〔以後、ｒａ−（ＳｉｄＮｌ、）、（Ｈ，Ｘ）、
、Ｊと記す。但し０＜ｄ、ｓ＜１）に分類される。

本発明において、第二〇湘（１）がａ−８％、Ｎ１−、
で構成される場合、第二の層（ＩＩ）に含有される窒素
原子の量は、好ましくはＩ　Ｘ　１０−３〜９０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、よシ好適には１〜８０　ａｔｏｍｉｃチ、
最適には１０〜７５ａｔｏｍｌｅ％とされるのが望まし
い。即ち、先のａ−８ＩａＮ、−８のａの表示で行えば
、ａが好ましくは０．１〜０．９９９９９、よシ好適に
は０．２〜０．９９、最適には０．２５〜０．９である
。

本発明において、第二の層（ＩＩ）が”−”ｂＮｆ−ｂ
）ｃＨｌ−ｃで構成される場合、第二の層（Ｉｎに含有
される窒素原子の量は、好ましくはｌＸ１０−３〜９０
　ａｔｏｍｉｃ　％とされ、より好ましくは１〜９０　
ａｔｏｍｉｃチ、最適には１０〜８０　ａｔｏｍｉｃ係
とされるのが望ましい。水素原子の含有量は、好ましく
Ｆｉｉ〜４０　ａｔｏｍｉｃチ、よシ好ましくは２〜３
５　ａｔｏｍｌｅ　％、最適にＦｉ５〜３０ａｔｏｍｌ
ｃ　％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有
量がある場合に形成される光導電部材は、実際面におい
て優れたものとして充分適用させ得るものである。

即ち、先のａ（８１ＢＮ、−ｂ）ｅＨｌ−０の表示で行
えばｂが好ましくは０．１〜０．９９９９９、よ）好適
には０．１〜０．９９、最適には０．１５〜０．９、Ｃ
が好ましくは０．６〜０．９９、より好適に嬬０．６５
〜０．９８、最適には０．７〜０．９５であるのが望ま
しい。

第二の層（Ｉｔ）が、’−””’ｄＮｌ−ｄ）ｅ（Ｈ”
１−ｅで構成される場合には、第二の層（Ｉｌｌ中に含
有される窒素原子の含有量は、好ましく　ｔｊ　Ｉ　Ｘ
　１０−３〜９０　ａｔｏｍｉｃチ、よシ好適に−は１
〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には１０〜８０　ａｔ
ｏｍｉｃチとされるのが望ましい。ハロゲン原子の含有
量は、好ましくは１〜２０　ａｔｏｍｉｃチ、より好適
には１〜１８　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には２〜１５ａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのが望１しく、これ等の範囲にハ
ロゲン原子含有量がある場合に作成される光導電部拐を
実際面に充分適用させ得るものである。

必要に応じて含有される水素原子の含有量は、好ましく
は１９　ａｔｏｍｉｃチ以下、よシ好適には１３ａｔｏ
ｍｉｃ　％以下とされるのが望ましい。

即ち、先のａ−（ＳｌｄＮｌ−，１）、（ＨｌＸ）１−
ｅのｄ、＠の表示で行えば、ｄが好ましくは０．１〜０
．９９９９９、よル好適にＦｉｏ、　１〜０，９９、最
適には０．１５〜０．９、ｅが好ましくは０．８〜０．
９９、よシ好適には０．８２〜０．９９、最適には０，
８５〜０．９８であるのが望ましい。

本発明における第二の層（Ｉｔ）の層厚の数範囲は、本
発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子の１つで
ある。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従りて決められる。

又、第二の層（ＩＩ）の層厚は、該層（Ｉｆ）中に含有
される窒素原子の量や第一の層（１）の層厚との関係に
おいても、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従って適宜決定される必要があ
る。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
においても考慮されるのが望ましい。

本発明における第二の層（ｎ）の層厚は、好ましくＦｉ
ｏ、００３〜３０μ、より好適には０．００４〜２０μ
、最適にはｏ、　ｏ　ｏ　ｓ〜１０μとされるのが望ま
しいＯ また、本発明においては、望素原子で得られる効果を更
に助長させる為に、第二の層（ＩＩｌ中に蟹素原子と共
に炭素原子を含有させてもよい。炭素原子を第二の層（
Ｉｔ）に導入する為の炭素原子導入用の原料ガスとして
は、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜５の
飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プ０１４ン（Ｃ，）（８）、ｎ
−ブタン（ｎ−ＣａＨ、ｏ　）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１□
）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４
）％プロピレン（Ｃ，Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｉ（８
）、ブテン−２（Ｃ４１（８）、インブチレン（Ｃ４Ｈ
８）、（ンテン（Ｃ５Ｈ１゜）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２
）、メチルアセチレン（Ｃ，Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６
）等が挙げられる。

これ等の他にＳｔとＣとＨとを構成原子とする原料ガス
として、５ｌ（ＣＨ５）４．５ｌ（Ｃ２Ｈ５）４等のケ
イ化アルキルを挙げることが出来る。

本発明において使用される支持体は、導電性でも電気絶
縁性であっても良い。導電性支持体としては、例えば、
ＮｌＣｒ、ステンレス、Ａｔ、Ｃｒ＋　ＭｏｐＡｕ、　
Ｎｂ＋　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属
又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーゲネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニ＃、／Ｉ７塩化ビニリデン、？
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、　ＮｔａｒｓＡ
ｔＩ　Ｃｒ、　Ｍｅ、　Ａｕ、　Ｉｒ＋　Ｎｂ＋　Ｔａ
、　Ｖ、　ＴＬ　Ｐｔ＋　Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋５ｎＯ２
）　９から成る薄膜を設けることによって導電性が付与
され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、ＮｉＣｒ、　Ａｔ、　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚ
ｎ、　Ｎｌ、　Ａｕｅ　Ｃｒ、　ｊｄｏ。

Ｉｒ＋　Ｎｂ＋　Ｔａ、　Ｖａ　Ｔｌ＋　Ｐｔ等の金稿
の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スバ、タリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネー
ト処理して、その表面に導電性が付与される。支持体の
形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状と
し得、所望によって、その形状は決定されるが、例えば
、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば連続高速複写の場合には、無端
ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さ
は、所望通りの光導電部材が形成される様に適宜決定さ
れるが、光導電部材として可撓性が要求される場合には
、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば
可能な限シ薄くされる。而し乍ら、この様な場合支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、好まし
くは、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２２図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その１例としてたとえば１１０２ｕ、Ｈｅで稀釈され
た８１）１４ガス（純度９９．９９９９６．以下８１　
Ｈａ／４Ｉｅと略す）がンベ、１１０３はＨｅで稀釈さ
れたＧｅＨａガス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨａ
７’ｆ（ｅと略す）ボンベ、１１０４はＮｏ　ｆｆ　Ｘ
　（純度９９．ｃｒ９チ）ボンベ、１１ｏ５はＨｅガス
（純度９９．９９９％）？ンベ、１１０６はＨ２−Ｘス
（純度９９．９９９係）ボンベである。

これらのガスを反応室１１ｏ１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１ｏ６のパルプ１１２２〜１１２６、
リークパルプ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出パルプ１１１
７〜１１２１．補助パルプ１１３２．１１３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインパルプ１１３４を開
いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５刈ｏ−６ｔｏｒｒになっ
た時点で補助バルブ１１３２．１１３３、流出パルプ１
１１７〜１１２１を閉りる。

次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスビンぺ１１ｏ２よシＳ　ｌ
Ｈ４７４Ｉｅガス、ガスボンベ１１ｏ３よｆ）　ＧｅＨ
４，／）Ｉｓガス、ガスボンベ１１０４よりＮｏガスを
パルプ１１２２．１１２３．１１２４を開いて川口圧ゲ
ージ１１２７．１１２８．１１２９の圧を１　ｋｙＡ−
に調整し、流入パルプ１１１２．１１１３．１１１４を
徐々に開けて、マスフローコントローラ１１０７，１１
０８゜１１０９内に夫々流入させる。引き続いて流出パ
ルプ１１１７，１１１８，１１１９、補助バルブ１１３
２を除徐に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入さ
せる。このときのＳ　Ｉ　Ｈ４／Ｉ（ｅガス流量とＧｅ
　Ｈ４／４（＠ガス流量とＮＯガラ流量との比が所望の
値になるように流出パルプ１１１７，１１１８．１１１
９を調整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値に
なるように真空計１１３６の読みを見ながらメインパル
プ１１３４の開口を調整する。そして基体１１３７の温
度が加熱ヒーター１１３８によル５０〜４００℃の範囲
の温度に設定されていることを確認された後、電源１１
４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー
放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化率線
に従ってＧｅＨ４／）ｌｅガスおよびＮｏガスの流量を
手動あるいは外部駆動モータ等の方法によりてパルプ１
１１８、パルプ１１２ｏの開口を適宜変化させる操作を
行なって形成される層中に含有されるゲルマニウム原子
及び酸素原子の分布濃度を制御する。

上記の様にして、所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、基体１１３７上に層領域ＣＧ）を形成する。所
望層厚に層領域ＣＧ）が形成された段階に於いて、流出
パルプ１１１８を完全に閉じること、及び必要に応じて
放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って、
所望時間グロー放電を維持することで層領域ＣＧ）上に
ゲルマニウム原子の実質的に含有されない層領域（Ｓ）
を形成することが出来る。

層領域（Ｇ）および層領域（Ｓ）中に、伝導性を支配す
る物質を含有させるには、層領域ＣＧ）および層領域（
Ｓ）の形成の際に例えばｎ２ｎ６．　ＰＨ３等のガスを
堆積室１１０１の中に導入するガスに加えてやれば良い
。

上記の様にして所望層厚に形成された第一の層（１）上
に第二の層（ＩＩ）を形成するには、第一の層（１）の
形成の際と同様なパルプ操作によって、例えば５ＩＨ４
ｆｆス、洲、ガスの夫々を必要に応じてＨｓ等の稀釈ガ
スで稀釈して、所望の条件に従って、グロー放電を生起
させることによって成される。

第二の層（ＩＤ中にハロゲン原子を含有させるには、例
えばＳ　ｔＦ４ガスとＮＨ，ガス、或いはこれに５ＩＨ
２ガスを加えて上記と同様にして第二の層（Ｉ）を形成
することによって成される。　− 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出パルプ１１１７〜１１２１から反応室
１１０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助パル
プ１１３２．１１３３を開いてメインパルプ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

第二の層（ＩＩ）中に含有される窒素原子の量は例えば
、グロー放電による場合は５ＩＨ４ガスと、ＮＨ，ｙス
の反応室１１０１内に導入される流量比を所望に従って
変えるか、或いは、スパッターリングで層形成する場合
には、ターダ、トを形成する際シリコンウェハ（！：Ｓ
１．Ｎ４ウェハのスノや、夕面積比率を変えるか、又は
シリコン粉末とＳ　ｉ　３Ｎ４粉末の混合比率を変えて
ターｒヮトを成型することによって所望に応じて制御す
ることが出来る。第二の層（１）中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、
例えば５ＩＦ４ガスが反応室１１０１内に導入される際
の流量を調整することによって成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９にょシ一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第２２図に示した製造装置にょシシリンダー状のＡｔ基
体上に第１表に示す条件で電子写真用像形成部材として
の試料（試料Ａ　１１−１〜１７−６）を夫々作成した
（第２表）。

各試料に於けるダルマニウム原子の含有分布濃度は第２
３図に、又、酸素原子の含有分布濃度は第２４図に示さ
れる。

こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置に設置し
■５．ＯｋＶで０．３ｓｅａ間コロナ帯電を行い、直ち
に光像を照射した。光像はタングステンランプ光源を用
い、２１ｕｘ−ｓｅｅの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させた。

その後直ちに、０荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることＫよっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．ＯｋＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、いずれの試料も解像力に優れ、
階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

上記に於いて、光源をタングステンランプの代シに８１
０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ　）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、上記と同様のトナ
ー画像形成条件にして、各試料に就いてトナー転写画像
の画質評価を行ったところ、いずれの試料も解像力に優
れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例２ 第２２図に示した製造装置にょシシリンダー状のＡｔ基
体上に第３表に示す条件で電子写真用像形成部材として
の試料（試料Ａ　２１−１〜２７−６）を夫々作成した
（第４表）。

各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第２
３図に、又、酸素原子の含有分布濃度は第２４図に示さ
れる。

これ等の試料の夫々に就て、実施例１と同様の画像評価
テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写画像を与えた。又、各試料に就て３８℃、８０１Ｒ
Ｈの環境に於いて２０万回の繰返し使用テストを行った
ところ、いずれの試料も画像品質の低下は見られなかっ
た。

実施例３ 第２２図に示した製造装置にょシシリンダー状のＡｔ基
体上に第５表に示す条件で電子写真用像形成部材として
の試料（試料４３１−１〜３７−６）を夫々作成した（
第６表）。

各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第２
３図に、又、酸素原子の含有分布濃度は第２４図に′示
される。

これ等の試料の夫々に就で、実施例１と同様の画像評価
テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写画像を与えた。又、各試料に就て３８℃、８０１Ｒ
Ｈの環境に於いて２０万回の繰返し使用テストを行った
ところ、いずれの試料も画像品質の低下は見られなかっ
た。

実施例４ 第２２図に示した製造装置によシシリンダー状のＡｔ基
体上に第７表に示す条件で電子写真用像形成部材として
の試料（試料扁４１−１〜４７−６　）を夫々作成した
（第８表）。

各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第２
３図に、又、酸素原子の含有分布濃度は第２４図に示さ
れる。

これ等の試料の夫々に就て、実施例１と同様の画像評価
テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写画像を与えた。又、各試料に就て３８℃、８０チＲ
Ｈの環境に於いて２０万回の繰返し使用テストを行った
ところ、いずれの試料も画像品質の低下は見られなかっ
た。

実施例５ 層（ｎ）の作成条件を第９表に示す各条件にした以外は
、実施例１の試料Ａ１１−１．１２−１．１３−１と同
様の条件と手順に従って電子写真用像形成部材の夫々（
試料Ａｌ１−１−１〜１１−１−８　、１２−１−１〜
１２−１−８　、１３−１−１〜１３−１−８の２４個
の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、各実施例に記載したのと同様の条
件に呵って、各実施例に対応し良電子写真用像形成部材
の夫々について、転写画像の総合画質評価と繰返し連続
使用による耐久性の評価を行った。

各試料の転写画像の総合画質評価と、繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第１０表に示すＯ 実施例６ ｆｆｉ　（ＩＩ）の形成時、シリコンウェハと５Ｌ３Ｎ
４のターｒ、ト面積比を変えて、層（１）における７リ
コン原子と窒素原子の含有量比を変化させる以外は、実
施例１の試料Ａ１１〜１と全く同様な方法によって像形
成部材の夫々を作成した。こうして得られた像形成部材
の夫々につき、実施例１に述べた如き、作像、現像、り
ＩＪ　＝ングの工程を約５万回繰り返した後画像評価を
行ったところ第１１表の如き結果を得た。

実施例７ Ｍ　（ｎ）の層の形成時、５ｉｎ４ガスとＮＨ３ガスの
流量比を変えて、層（Ｉｌｌにおけるシリコン原子と窒
素原子の含有量比を変化させる以外は実施例１の試料Ａ
１２−１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を
作成した＠ こうして得られた各像形成部材につき、実施例１に述べ
た如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返した後、
画像評価を行ったところ、ｐＪＩＦ１２表の如き結果を
得た。

実施例８ 層（１１）の層の形成時、５ＩＨ４ガス、Ｓ　ｉＦ４ガ
ス、ＮＨ，ガスの流量比を変えて、／１ｉｌ（Ｉ［）に
おけるシリコン原子と窒素原子の含有量比を変化さｉる
以外は、実施例１の試料Ａ１３−１と全く同様な方法に
よって像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた
各像形成部材につき実施例１に述べた如き作像、現像、
クリーニングの工程を約５万回繰り返した後、画像評価
を行ったところ第１３表の如き結果を得た。

実施例９ ７０　（ＩＩ）の層厚を変える以外は、実施例１の試料
Ａ１４−１と全く同様な方法によって像形成部材の夫夫
を作成した。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリ
ーニングの工程を繰シ返し第１４表の結果を得た。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：グルマニウム原子（Ｇｏ　）含有層・・・・
・・約２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層・・
・約２５０℃−放電周波数：　１３．５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１゛０図は夫々第一の層
（Ｉ）中のｒルマニウム原子の分布状態を説明する為の
説明図、第１１図は第一の！（１）中の酸素原子の濃度
分布を説明する図、第１２図乃至第２１図は夫々第一の
層（１）中の酸素原子の分布状態を説明するための説明
図、第２２図は、本発明で使用された装置の模式的説明
図で、第２３図、第２４図は夫々本発明の実施例に於け
る各原子の含有分布状態を示す分布状態図である。 １００・・・光導％部材　１０１・・・支持体１０２・
・・第一の層（１）　１０３・・・第二の層（■１）１
０７・・・光受容層 −一一一−Ｃ （ −一一−−−−−−−−−−−−−−−−−−一−→−
−Ｃωン□Ｃ（の Ｃω） Ｃ（０）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）光導電部材用の支持体と、ゲルマニウム原子と必
   要に応じてシリコン原子を含む非晶質材料で構成された
   層領域（Ｇ）とシリコン原子を含む非晶質材料で構成さ
   れ光導電性を示す層領域（Ｓ）とが前記支持体側よシ順
   に設けられた層構成の第一の層ｉおよびシリコン原子と
   窒素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の層から
   成る光受容層とを有し、前記第一の層は、酸素原子を含
   有し、その層厚方向に於ける分布濃度が夫々Ｃ（１）　
   、　Ｃ（３）。 Ｃ（２）である第１の層領域（１）、第３の層領域（３
   ）、第２の層領域（２）をこの順で支持体側よシ有する
   ことを特徴とする光導電部材（但し、Ｃ（３）　＞　Ｃ
   （２）　、　Ｃ（１）で、且つＣ（１）　、　Ｃ（２）
   のいずれか一方は０でない）。 （２）層領域（Ｓ）及び層領域（Ｇ）の少なくともいず
   れか一方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第
   １項に記載の光導電部材。 （３）層領域（Ｓ）及び層領域（Ｇ）の少なくともいず
   れか一方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範
   囲第２項に記載の光導電部材。 （４）層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
   状態が不均一である特許請求の範囲第１項に記載の光導
   電部材。 （５）　層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分
   布状態が均一である特許請求の範囲第１項に記載の光導
   電部材。 （６）第一の層中に伝導性を支配する物質が含有されて
   諭る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （７ン　伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部材
   。。 （８）　伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
   る原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部材
   。