JPS6058647A - 樹脂封止体 - Google Patents
樹脂封止体Info
- Publication number
- JPS6058647A JPS6058647A JP58166626A JP16662683A JPS6058647A JP S6058647 A JPS6058647 A JP S6058647A JP 58166626 A JP58166626 A JP 58166626A JP 16662683 A JP16662683 A JP 16662683A JP S6058647 A JPS6058647 A JP S6058647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- molded
- header
- chip
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 65
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はレジンモールド技術、特に耐湿性を必要とする
レジンモールド技術に適用して有効な技術であり、たと
えばレジンモールド型半導体装置の製造に適用して有効
な技術である。
レジンモールド技術に適用して有効な技術であり、たと
えばレジンモールド型半導体装置の製造に適用して有効
な技術である。
レジンパッケージ型半導体装置の一つとして、電子材料
誌1981年11月号42〜46頁にも記載されている
。
誌1981年11月号42〜46頁にも記載されている
。
すなわち、金属板のヘッダの主面に半導体素子(チップ
)が固定されるとともに、ヘッダの上部に位置するリー
ドの内端とチップの電極とがワイヤで接続されている。
)が固定されるとともに、ヘッダの上部に位置するリー
ドの内端とチップの電極とがワイヤで接続されている。
さらに、ヘッダの主面側がレジンでモールドされ、前記
チップ、ワイヤ、リード内端部分がレジンで被われたT
O−220型のパワートランジスタが知られている。
チップ、ワイヤ、リード内端部分がレジンで被われたT
O−220型のパワートランジスタが知られている。
しかし、このような構造のトランジスタは耐湿性が極端
に悪くなる場合が生じるということが本発明者によって
あきらかとされた。
に悪くなる場合が生じるということが本発明者によって
あきらかとされた。
すなわち、TO−220型のトランジスタのレジンモー
ルドにあっては、第1図に示すように、ヘッダ1の主面
に半導体素子(チップ)2を固定したリードフレーム3
を用意した後、このリードフレーム3を図示しないトラ
ンスファモールド装置によってモールドする。リードフ
レーム3はチップ取付部4と取付孔5を有する固定部6
とからなるヘッダ1、平行に延在する3本のリード7、
これらリード7を連結する外枠8およびダム片9かもな
っている。また、3本のり一ド7はヘッダlの主面より
も一段高い位置にあり、中央のり−ド7の内端は下方に
屈曲してヘッダ1の一端に連結されている。また、両側
のリード7の内端はヘッダlの上部に位置している。そ
して、ヘッダ1のチップ取付部4にはチップ2が固定さ
れている。
ルドにあっては、第1図に示すように、ヘッダ1の主面
に半導体素子(チップ)2を固定したリードフレーム3
を用意した後、このリードフレーム3を図示しないトラ
ンスファモールド装置によってモールドする。リードフ
レーム3はチップ取付部4と取付孔5を有する固定部6
とからなるヘッダ1、平行に延在する3本のリード7、
これらリード7を連結する外枠8およびダム片9かもな
っている。また、3本のり一ド7はヘッダlの主面より
も一段高い位置にあり、中央のり−ド7の内端は下方に
屈曲してヘッダ1の一端に連結されている。また、両側
のリード7の内端はヘッダlの上部に位置している。そ
して、ヘッダ1のチップ取付部4にはチップ2が固定さ
れている。
また、チップ2の電極と両側のり−ド7の内端とはワイ
ヤ10で電気的に接続されている。
ヤ10で電気的に接続されている。
そして、レジンモールド時には、たとえばレジン11は
第1図の二点鎖線で示すように、ヘッダlの固定部6側
から注入されてモールドが行なわれる。この際リードフ
レーム3を挾持するモールド型によって形成されたキャ
ピテイ12内に流入されたレジン11はキャビティ12
内を順次流れて行くが、第2図に示すように、ヘッダ1
の端を外れる部分では中央リード7の立ち上がり部(屈
曲部)13があることから、レジン11の流れは左右に
二叉に分かれる。その後、レジン11はレジンの流れの
影となる中央リード7の立ち上がり部13背面に両側か
ら流れ込み、略中央部で両レジン流れ部は衝突し、キャ
ビティ12内をレジ/11で埋めることとなる。
第1図の二点鎖線で示すように、ヘッダlの固定部6側
から注入されてモールドが行なわれる。この際リードフ
レーム3を挾持するモールド型によって形成されたキャ
ピテイ12内に流入されたレジン11はキャビティ12
内を順次流れて行くが、第2図に示すように、ヘッダ1
の端を外れる部分では中央リード7の立ち上がり部(屈
曲部)13があることから、レジン11の流れは左右に
二叉に分かれる。その後、レジン11はレジンの流れの
影となる中央リード7の立ち上がり部13背面に両側か
ら流れ込み、略中央部で両レジン流れ部は衝突し、キャ
ビティ12内をレジ/11で埋めることとなる。
しかし、このようなモールドのメカニズムでは、流れる
レジンの先端表面部は常に空気に触れるため、内部と比
較して硬化し易い状態にあり、一部はすでに変成し始め
てもいる。この結果、中央のり−ド7の背面における両
側から廻り込んだレジンの衝突界面では、両者は相互に
溶は合うことは少なく、第2図でその露出部分を線で示
すような物理的な境界14が発生してしまう。この境界
14は前述のように、流れ来るレジンの単なる衝突接触
であることから、界面は無数の微少な空隙の集まりとな
り、ヘッダへの外部からの水分の通り道となってしまう
。
レジンの先端表面部は常に空気に触れるため、内部と比
較して硬化し易い状態にあり、一部はすでに変成し始め
てもいる。この結果、中央のり−ド7の背面における両
側から廻り込んだレジンの衝突界面では、両者は相互に
溶は合うことは少なく、第2図でその露出部分を線で示
すような物理的な境界14が発生してしまう。この境界
14は前述のように、流れ来るレジンの単なる衝突接触
であることから、界面は無数の微少な空隙の集まりとな
り、ヘッダへの外部からの水分の通り道となってしまう
。
本発明の目的は、レジンモールド時にレジンの流れの影
となる部分を有する構造のレジンモールド物において、
耐湿性の優れたレジンモールド物を提供することにある
。
となる部分を有する構造のレジンモールド物において、
耐湿性の優れたレジンモールド物を提供することにある
。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明はレジンモールド時にレジンの流れの
影となる部分に被モールド物部分を廻り込むことな(直
接レジンが流れ込むように、前記形を形成することとな
る被モールド物部分にレジンが流れる孔からなるレジン
流路を設け、これによって直接形の部分にもレジンが流
れ込むようにし、短時間のうちに影の部分にレジンを各
所から流入させて分岐したレジン流れの合流によって隙
間列の発生を断ち、耐湿性の向上を達成するものである
。
影となる部分に被モールド物部分を廻り込むことな(直
接レジンが流れ込むように、前記形を形成することとな
る被モールド物部分にレジンが流れる孔からなるレジン
流路を設け、これによって直接形の部分にもレジンが流
れ込むようにし、短時間のうちに影の部分にレジンを各
所から流入させて分岐したレジン流れの合流によって隙
間列の発生を断ち、耐湿性の向上を達成するものである
。
第3図は本発明の一実施例によるTO−220型トラン
ジスタのモールド状態を示す斜視図、第4図は同じく一
部拡大断面図、第5図は同じくトランジスタの斜視図で
ある。
ジスタのモールド状態を示す斜視図、第4図は同じく一
部拡大断面図、第5図は同じくトランジスタの斜視図で
ある。
この実施例では第3図に示すようなチップボンディング
およびワイヤボンディングされたリードフレームを用意
した後、レジンモールドを行なう。
およびワイヤボンディングされたリードフレームを用意
した後、レジンモールドを行なう。
リードフレーム3はチップ取付部4と取付孔5を有する
固定部6とからなるヘッダl、平行に延在する3本のリ
ード7、これらリード7を連結するガイド孔15を有す
る外枠8およびダム片9からなっている。また、3本の
リード7はヘッダ1の主面よりも一段高い位置にあり、
中央のリード7の内端は下方に屈曲して立ち上がり部1
3を形成し、ヘッダ1の一端に連結されている。この実
施例ではヘッダ1とリード7とは厚さの異る繰形材で形
成しているが、ヘッダ1とリード7は同一厚さのもので
形成してもよい。また、ヘッダ1とリード等とはそれぞ
れ別の材料で形成した後、中央のリード7をヘッダ1に
接続固定する構造でもよい。また、前記中央のリード7
の立ち上がり部13には第4図にも示すようにVジン1
1が流れる通路となる孔からなる流路16が設けられて
いる。
固定部6とからなるヘッダl、平行に延在する3本のリ
ード7、これらリード7を連結するガイド孔15を有す
る外枠8およびダム片9からなっている。また、3本の
リード7はヘッダ1の主面よりも一段高い位置にあり、
中央のリード7の内端は下方に屈曲して立ち上がり部1
3を形成し、ヘッダ1の一端に連結されている。この実
施例ではヘッダ1とリード7とは厚さの異る繰形材で形
成しているが、ヘッダ1とリード7は同一厚さのもので
形成してもよい。また、ヘッダ1とリード等とはそれぞ
れ別の材料で形成した後、中央のリード7をヘッダ1に
接続固定する構造でもよい。また、前記中央のリード7
の立ち上がり部13には第4図にも示すようにVジン1
1が流れる通路となる孔からなる流路16が設けられて
いる。
さらに、両側のリード7の内端はヘッダ1の上部に位置
している。
している。
そして、ヘッダ1のチップ取付部4にはチップ2が固定
されている。また、チップ2の電極と両側のり−ドア0
内端とはワイヤ1oで接続されている。
されている。また、チップ2の電極と両側のり−ドア0
内端とはワイヤ1oで接続されている。
レジンモールドにあっては、前記のリードフレームを図
示しないトランス7アモールド装置でモールドする。す
なわち、リードフレームはそ−ルド型に挾持されて被モ
ールド領域はモールド型のキャビティ12によって形成
され、レジン11がキャビティ12内に注入(出入)さ
れる。レジン11はサブランナ17.ゲート18を介し
てキャビティ12内に流れ込み、ヘッダ主面を被うよう
ににしてキャビティ12の奥に進む。奥深く入ったレジ
ン11は中央のリード7に対して、このり−ド7の側部
を廻り込むに先立って、立ち上がり部13に設けられた
流路16を流れて直接レジン流れの影となる領域に流れ
込む。この結果、レジン流れの影となる領域には短時間
にかつ三方向からレジンが流れ込むため(第4図参照)
、Vジン11は相互に溶は合い、各流れレジン間に物理
的境界ができにくくなる。
示しないトランス7アモールド装置でモールドする。す
なわち、リードフレームはそ−ルド型に挾持されて被モ
ールド領域はモールド型のキャビティ12によって形成
され、レジン11がキャビティ12内に注入(出入)さ
れる。レジン11はサブランナ17.ゲート18を介し
てキャビティ12内に流れ込み、ヘッダ主面を被うよう
ににしてキャビティ12の奥に進む。奥深く入ったレジ
ン11は中央のリード7に対して、このり−ド7の側部
を廻り込むに先立って、立ち上がり部13に設けられた
流路16を流れて直接レジン流れの影となる領域に流れ
込む。この結果、レジン流れの影となる領域には短時間
にかつ三方向からレジンが流れ込むため(第4図参照)
、Vジン11は相互に溶は合い、各流れレジン間に物理
的境界ができにくくなる。
つぎに、レジンキュア後、このリードフレームをトラン
スファモールド装置から取り出し、不要なリードフレー
ム部分であるダム片9.外枠8の除去、不要なレジン部
分(グー)18からサブランナ17に亘る硬化レジン部
分)の除去を行ない、第5図に示すような外部表面にも
境界として表われることのないパッケージ部19を有す
るtランジスタを製造する。
スファモールド装置から取り出し、不要なリードフレー
ム部分であるダム片9.外枠8の除去、不要なレジン部
分(グー)18からサブランナ17に亘る硬化レジン部
分)の除去を行ない、第5図に示すような外部表面にも
境界として表われることのないパッケージ部19を有す
るtランジスタを製造する。
+11 本発明によれば、レジンモールド時にレジンの
流れの影になる領域に直接レジンが流れ込むよ5な流路
を設げであることから、レジンの流れの影になる領域に
は、短時間にかつ各方向からレジンが流れ込み、相互に
溶は合う。この結果、各方向から流れ込むレジン流れに
よる微小な空隙列からなる物理的界面の発生が防止でき
、耐湿性の向上が図れ、トランジスタの信頼度向上が図
れる。
流れの影になる領域に直接レジンが流れ込むよ5な流路
を設げであることから、レジンの流れの影になる領域に
は、短時間にかつ各方向からレジンが流れ込み、相互に
溶は合う。この結果、各方向から流れ込むレジン流れに
よる微小な空隙列からなる物理的界面の発生が防止でき
、耐湿性の向上が図れ、トランジスタの信頼度向上が図
れる。
特に信頼度向上の点について言及すれば、高温高湿高圧
試験(プレッシャ・クツ力・テスト)における歩留向上
が図れた。
試験(プレッシャ・クツ力・テスト)における歩留向上
が図れた。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、第6図に示
すように、レジンの流路16をへヴダ1に設けても前記
同様に境界発生防止が図れる。また、この実施例では中
央のリード7に流路を設けないため、中央のり−170
強度が低下しないという効果も得られる。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、第6図に示
すように、レジンの流路16をへヴダ1に設けても前記
同様に境界発生防止が図れる。また、この実施例では中
央のリード7に流路を設けないため、中央のり−170
強度が低下しないという効果も得られる。
C利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるTO−220型トラ
ンジスタ技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく。
をその背景となった利用分野であるTO−220型トラ
ンジスタ技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく。
たとえば、他のレジンモールド型の半導体装置および電
子部品にも適用できる。少なくとも本発明はレジンモー
ルドを施す必要のあるレジンモールド品に対して適用可
能である。
子部品にも適用できる。少なくとも本発明はレジンモー
ルドを施す必要のあるレジンモールド品に対して適用可
能である。
第1図は従来のTO−220型トランジスタの製造状態
を示す斜視図、 第2図は同じくトランジスタの衾1視図、第3図は本発
明の一実施例によるTo−220型のトランジスタの製
造状態を示す斜視図、第4図は同じく一部拡大断面図、 第5図は同じくトランジスタの斜視図、第6図は他の実
施例による一部拡大断面図である。 1・・・ヘッダ、2・・・半導体素子(チップ)、3・
・・リードフレーム、4・・・チップ取付部、5・・・
取付孔、6・・・固定部、7・・・リード、8・・・外
枠、9・・・ダム片、10・・・ワイヤ、11由レジン
、12・・・キャビティ、13・・・立ち上がり部(屈
曲部)、14・・・境界、15・・・ガイド孔、16・
・・流路、17・・・サブランナ、18・・・ゲート、
19・・・パッケージ部。 第 1 図 第 4 図 第 5 図 第 6 図
を示す斜視図、 第2図は同じくトランジスタの衾1視図、第3図は本発
明の一実施例によるTo−220型のトランジスタの製
造状態を示す斜視図、第4図は同じく一部拡大断面図、 第5図は同じくトランジスタの斜視図、第6図は他の実
施例による一部拡大断面図である。 1・・・ヘッダ、2・・・半導体素子(チップ)、3・
・・リードフレーム、4・・・チップ取付部、5・・・
取付孔、6・・・固定部、7・・・リード、8・・・外
枠、9・・・ダム片、10・・・ワイヤ、11由レジン
、12・・・キャビティ、13・・・立ち上がり部(屈
曲部)、14・・・境界、15・・・ガイド孔、16・
・・流路、17・・・サブランナ、18・・・ゲート、
19・・・パッケージ部。 第 1 図 第 4 図 第 5 図 第 6 図
Claims (1)
- 1、被モールド物を、樹脂でモールドしてなる樹脂封止
体であって、モールド時にレジンの流れの影となる部分
を形成する被モールド物部分には前記流れの影の部分に
尉詣を案内する流路が設けられていることを特徴とする
樹脂封止体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58166626A JPS6058647A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 樹脂封止体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58166626A JPS6058647A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 樹脂封止体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6058647A true JPS6058647A (ja) | 1985-04-04 |
Family
ID=15834772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58166626A Pending JPS6058647A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 樹脂封止体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6058647A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5252783A (en) * | 1992-02-10 | 1993-10-12 | Motorola, Inc. | Semiconductor package |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58166626A patent/JPS6058647A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5252783A (en) * | 1992-02-10 | 1993-10-12 | Motorola, Inc. | Semiconductor package |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8497158B2 (en) | Leadframe strip and mold apparatus for an electronic component and method of encapsulating an electronic component | |
US5197183A (en) | Modified lead frame for reducing wire wash in transfer molding of IC packages | |
US6001672A (en) | Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink | |
US20070000599A1 (en) | Assembly method for semiconductor die and lead frame | |
EP0454440B1 (en) | Method of encapsulating a semiconductor device | |
US5214846A (en) | Packaging of semiconductor chips | |
JP3226628B2 (ja) | テープキャリア、それを用いた半導体装置及びその製造方法 | |
JPS6058647A (ja) | 樹脂封止体 | |
TW202120292A (zh) | 樹脂成形後的引線框的製造方法、樹脂成形品的製造方法及引線框 | |
JP2973901B2 (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
JP3747991B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH1154685A (ja) | 半導体装置およびそれに使用されるリードフレーム | |
JPH11220087A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 | |
JP3501935B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH1027870A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH098210A (ja) | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム | |
JPH11340400A (ja) | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム | |
JPH08162596A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
JP2003203935A (ja) | 半導体装置の封止方法およびそれに用いる封止装置 | |
KR19990012316A (ko) | 반도체 패키지의 몰딩 금형 장치 | |
JPH0691118B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH06177313A (ja) | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム | |
JPH08156009A (ja) | 樹脂モールド装置 | |
JPS6245157A (ja) | 電子部品の製造方法およびその方法において用いられるリ−ドフレ−ム | |
JPH06140550A (ja) | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム |