JPH1027870A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH1027870A JPH1027870A JP8197084A JP19708496A JPH1027870A JP H1027870 A JPH1027870 A JP H1027870A JP 8197084 A JP8197084 A JP 8197084A JP 19708496 A JP19708496 A JP 19708496A JP H1027870 A JPH1027870 A JP H1027870A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- sealing body
- resin sealing
- warpage
- pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止体における反りの発生を低減する。
【解決手段】 TSOP・IC28の樹脂封止体25の
上面に樹脂封止の反りを防止する補強溝26、26を一
対、短手方向に全長にわたってそれぞれ形成する。樹脂
封止体の反りを防止する補強溝26は樹脂封止体を成形
する成形型のキャビティーに凸部を突設することにより
形成する。 【効果】 樹脂封止体に反りが発生するのを防止できる
ため、樹脂封止体の反りによる外観不良や耐湿性等の性
能低下の発生を未然に防止できる。キャビティーに凸部
を突設するだけで補強溝を形成できるため、製造コスト
の増加を回避できるばかりか、樹脂封止体を形成する樹
脂の使用量を低減でき、コストを低減できる。
上面に樹脂封止の反りを防止する補強溝26、26を一
対、短手方向に全長にわたってそれぞれ形成する。樹脂
封止体の反りを防止する補強溝26は樹脂封止体を成形
する成形型のキャビティーに凸部を突設することにより
形成する。 【効果】 樹脂封止体に反りが発生するのを防止できる
ため、樹脂封止体の反りによる外観不良や耐湿性等の性
能低下の発生を未然に防止できる。キャビティーに凸部
を突設するだけで補強溝を形成できるため、製造コスト
の増加を回避できるばかりか、樹脂封止体を形成する樹
脂の使用量を低減でき、コストを低減できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特
に、樹脂封止体における反りの発生防止技術に関し、例
えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備えている半導
体集積回路装置(以下、ICという。)に利用して有効
な技術に関する。
に、樹脂封止体における反りの発生防止技術に関し、例
えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備えている半導
体集積回路装置(以下、ICという。)に利用して有効
な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】表面実装形の樹脂封止パッケージを備え
ているICは、半導体ペレット(以下、ペレットとい
う。)と、ペレットがボンディングされているタブと、
ペレットの各ボンディングパッドにボンディングワイヤ
を介して電気的に接続されている複数本のインナリード
と、各インナリードにそれぞれ連結されているアウタリ
ードと、ペレット、タブおよび各インナリードを樹脂封
止する樹脂封止体とを備えている。
ているICは、半導体ペレット(以下、ペレットとい
う。)と、ペレットがボンディングされているタブと、
ペレットの各ボンディングパッドにボンディングワイヤ
を介して電気的に接続されている複数本のインナリード
と、各インナリードにそれぞれ連結されているアウタリ
ードと、ペレット、タブおよび各インナリードを樹脂封
止する樹脂封止体とを備えている。
【0003】なお、樹脂封止パッケージを述べてある例
としては、株式会社日経BP社1993年5月31日発
行「VLSIパッケージング技術(上)」P155〜P
164がある。
としては、株式会社日経BP社1993年5月31日発
行「VLSIパッケージング技術(上)」P155〜P
164がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記した樹脂封止パッ
ケージにおいては、樹脂封止体におけるペレットの上の
樹脂厚とタブの下の樹脂厚との比(以下、上下比とい
う。)が「1」に近づけば、樹脂封止体に反りは発生し
ないが、「1」から離れると、樹脂封止体に反りが発生
する。そこで、従来は所謂タブ下げを行って樹脂厚の上
下比が「1」に近づけられている。しかし、樹脂封止体
の全体の厚さが薄くなった樹脂封止パッケージや、タブ
が大きくなったり、インナリードが密になった樹脂封止
パッケージにおいては、樹脂封止体に反りが発生する場
合がある。
ケージにおいては、樹脂封止体におけるペレットの上の
樹脂厚とタブの下の樹脂厚との比(以下、上下比とい
う。)が「1」に近づけば、樹脂封止体に反りは発生し
ないが、「1」から離れると、樹脂封止体に反りが発生
する。そこで、従来は所謂タブ下げを行って樹脂厚の上
下比が「1」に近づけられている。しかし、樹脂封止体
の全体の厚さが薄くなった樹脂封止パッケージや、タブ
が大きくなったり、インナリードが密になった樹脂封止
パッケージにおいては、樹脂封止体に反りが発生する場
合がある。
【0005】本発明の目的は、樹脂封止体における反り
の発生を低減することができる半導体装置を提供するこ
とにある。
の発生を低減することができる半導体装置を提供するこ
とにある。
【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0008】すなわち、樹脂封止体を備えている半導体
装置は、樹脂封止体の少なくとも一主面に樹脂封止体の
反りを防止する補強溝が、その反りが発生しようとする
方向と平行に延在するように形成されていることを特徴
とする。
装置は、樹脂封止体の少なくとも一主面に樹脂封止体の
反りを防止する補強溝が、その反りが発生しようとする
方向と平行に延在するように形成されていることを特徴
とする。
【0009】前記樹脂封止体の補強溝は、樹脂封止体を
成形するための成形型のキャビティーの内面に凸部を突
設することによって形成することができる。前記した補
強溝を備えた樹脂封止体においては、樹脂封止体に反り
が発生しようとしても補強溝が所謂パイプ効果によって
反りの発生を阻止するため、反りが発生することは防止
される。
成形するための成形型のキャビティーの内面に凸部を突
設することによって形成することができる。前記した補
強溝を備えた樹脂封止体においては、樹脂封止体に反り
が発生しようとしても補強溝が所謂パイプ効果によって
反りの発生を阻止するため、反りが発生することは防止
される。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
半導体装置を示す一部切断斜視図である。図2〜図5は
その製造方法における各工程を示す各説明図である。
半導体装置を示す一部切断斜視図である。図2〜図5は
その製造方法における各工程を示す各説明図である。
【0011】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置は、表面実装形樹脂封止パッケージを備えているI
Cの一例である樹脂封止形TSOP・IC(Thin
Small Outline Package・IC。
以下、TSOP・ICという。)として構成されてい
る。TSOP・IC28は、ペレット22と、ペレット
22がボンディングされているタブ16と、ペレット2
2の各ボンディングパッド22aにボンディングワイヤ
23を介して電気的に接続されている複数本のインナリ
ード18と、各インナリード18にそれぞれ連結されて
いるアウタリード19と、ペレット22、タブ18およ
び各インナリード18を樹脂封止する樹脂封止体25と
を備えている。
装置は、表面実装形樹脂封止パッケージを備えているI
Cの一例である樹脂封止形TSOP・IC(Thin
Small Outline Package・IC。
以下、TSOP・ICという。)として構成されてい
る。TSOP・IC28は、ペレット22と、ペレット
22がボンディングされているタブ16と、ペレット2
2の各ボンディングパッド22aにボンディングワイヤ
23を介して電気的に接続されている複数本のインナリ
ード18と、各インナリード18にそれぞれ連結されて
いるアウタリード19と、ペレット22、タブ18およ
び各インナリード18を樹脂封止する樹脂封止体25と
を備えている。
【0012】樹脂封止体25は平面視が長方形の平盤形
状に形成されており、一方の主面(以下、上面とす
る。)には樹脂封止体の反りを防止するための補強溝2
6が一対、短手方向に平行にそれぞれ没設されている。
各補強溝26は断面が切欠円形の一定幅一定深さの樋形
状に形成されている。
状に形成されており、一方の主面(以下、上面とす
る。)には樹脂封止体の反りを防止するための補強溝2
6が一対、短手方向に平行にそれぞれ没設されている。
各補強溝26は断面が切欠円形の一定幅一定深さの樋形
状に形成されている。
【0013】以下、本発明の一実施形態であるTSOP
・ICの製造方法を説明する。この説明により、TSO
P・ICについての前記した構成の詳細が共に明らかに
される。
・ICの製造方法を説明する。この説明により、TSO
P・ICについての前記した構成の詳細が共に明らかに
される。
【0014】TSOP・ICの製造方法には、図2に示
されている多連リードフレーム11が使用されており、
多連リードフレーム11は多連リードフレーム成形工程
によって製作されて準備される。多連リードフレーム1
1は鉄−ニッケル合金や燐青銅等の比較的大きい機械的
強度を有するばね材料からなる薄板が用いられて、打ち
抜きプレス加工またはエッチング加工により一体成形さ
れている。多連リードフレーム11の表面には銀(A
g)等を用いためっき被膜(図示せず)が、後述するワ
イヤボンディングが適正に実施されるように部分的また
は全体的に施されている。多連リードフレーム11は複
数の単位リードフレーム12が横方向に一列に並設され
ている。但し、便宜上、一単位のみが図示されている。
されている多連リードフレーム11が使用されており、
多連リードフレーム11は多連リードフレーム成形工程
によって製作されて準備される。多連リードフレーム1
1は鉄−ニッケル合金や燐青銅等の比較的大きい機械的
強度を有するばね材料からなる薄板が用いられて、打ち
抜きプレス加工またはエッチング加工により一体成形さ
れている。多連リードフレーム11の表面には銀(A
g)等を用いためっき被膜(図示せず)が、後述するワ
イヤボンディングが適正に実施されるように部分的また
は全体的に施されている。多連リードフレーム11は複
数の単位リードフレーム12が横方向に一列に並設され
ている。但し、便宜上、一単位のみが図示されている。
【0015】単位リードフレーム12は位置決め孔13
aが開設されている外枠13を一対備えており、両外枠
13は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそ
れぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレーム1
2、12間には一対のセクション枠14が両外枠13、
13間に互いに平行に配されて一体的に架設されてお
り、これら外枠とセクション枠により形成された長方形
の枠体(フレーム)内に単位リードフレーム12が構成
されている。
aが開設されている外枠13を一対備えており、両外枠
13は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそ
れぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレーム1
2、12間には一対のセクション枠14が両外枠13、
13間に互いに平行に配されて一体的に架設されてお
り、これら外枠とセクション枠により形成された長方形
の枠体(フレーム)内に単位リードフレーム12が構成
されている。
【0016】単位リードフレーム12において、両外枠
13、13にはタブ吊りリード15が中央にそれぞれ配
置されて直角方向に突設されており、両タブ吊りリード
15、15の先端間には正方形に形成されたタブ16が
一体的に支持されている。両タブ吊りリード15、15
はタブ16の付近においてそれぞれ屈曲されており、こ
のタブ吊りリード15、15の屈曲によって、タブ16
は後記するインナリード群の面よりも、後記するペレッ
トの厚さ分程度下げられている(所謂タブ下げであ
る。)。両外枠13、13間には一対のダム部材17、
17が、タブ吊りリード15の両脇において平行に配さ
れてそれぞれ架設されている。ダム部材17の内側端辺
にはインナリード18が複数本、長手方向に等間隔に配
されてダム部材17と直交するように一体的に突設され
ており、各インナリード18の内側端部は先端がタブ1
6を取り囲むように配置されている。他方、ダム部材1
7の外側端辺にはインナリード18と同数本のアウタリ
ード19が、インナリード18と対向するように配され
てインナリード18と一連になるように一体的に突設さ
れている。各アウタリード19の外側端部はセクション
枠14にそれぞれ連結されている。ダム部材17におけ
る隣り合うアウタリード19、19間の部分は、後述す
る樹脂封止体成形時にレジンの流れをせき止めるダム1
7aを実質的に構成している。
13、13にはタブ吊りリード15が中央にそれぞれ配
置されて直角方向に突設されており、両タブ吊りリード
15、15の先端間には正方形に形成されたタブ16が
一体的に支持されている。両タブ吊りリード15、15
はタブ16の付近においてそれぞれ屈曲されており、こ
のタブ吊りリード15、15の屈曲によって、タブ16
は後記するインナリード群の面よりも、後記するペレッ
トの厚さ分程度下げられている(所謂タブ下げであ
る。)。両外枠13、13間には一対のダム部材17、
17が、タブ吊りリード15の両脇において平行に配さ
れてそれぞれ架設されている。ダム部材17の内側端辺
にはインナリード18が複数本、長手方向に等間隔に配
されてダム部材17と直交するように一体的に突設され
ており、各インナリード18の内側端部は先端がタブ1
6を取り囲むように配置されている。他方、ダム部材1
7の外側端辺にはインナリード18と同数本のアウタリ
ード19が、インナリード18と対向するように配され
てインナリード18と一連になるように一体的に突設さ
れている。各アウタリード19の外側端部はセクション
枠14にそれぞれ連結されている。ダム部材17におけ
る隣り合うアウタリード19、19間の部分は、後述す
る樹脂封止体成形時にレジンの流れをせき止めるダム1
7aを実質的に構成している。
【0017】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム11には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。
された以上の構成に係る多連リードフレーム11には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。
【0018】まず、ペレット・ボンディング作業によ
り、半導体装置の製造工程における所謂前工程において
集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造物としての
ペレット22が、図3に示されているように、各単位リ
ードフレーム12におけるタブ16上の略中央部に配さ
れて、タブ16とペレット22との間に形成されたボン
ディング層21によって機械的に固着されることにより
ボンディングされる。ボンディング層21の形成手段と
しては、金−シリコン共晶層、はんだ付け層および銀ペ
ースト接着層等々によるボンディング法を用いることが
可能である。
り、半導体装置の製造工程における所謂前工程において
集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造物としての
ペレット22が、図3に示されているように、各単位リ
ードフレーム12におけるタブ16上の略中央部に配さ
れて、タブ16とペレット22との間に形成されたボン
ディング層21によって機械的に固着されることにより
ボンディングされる。ボンディング層21の形成手段と
しては、金−シリコン共晶層、はんだ付け層および銀ペ
ースト接着層等々によるボンディング法を用いることが
可能である。
【0019】続いて、ワイヤ・ボンディング作業によ
り、図3に示されているように、タブ16の上にボンデ
ィングされたペレット22の各ボンディングパッド22
aと各インナリード18との間にはボンディングワイヤ
23が、超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のワ
イヤボンディング装置(図示せず)が使用されることに
より、その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡さ
れる。これにより、ペレット22に作り込まれている集
積回路はボンディングパッド22a、ボンディングワイ
ヤ23、インナリード18およびアウタリード19を介
して電気的に外部に引き出されることになる。
り、図3に示されているように、タブ16の上にボンデ
ィングされたペレット22の各ボンディングパッド22
aと各インナリード18との間にはボンディングワイヤ
23が、超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のワ
イヤボンディング装置(図示せず)が使用されることに
より、その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡さ
れる。これにより、ペレット22に作り込まれている集
積回路はボンディングパッド22a、ボンディングワイ
ヤ23、インナリード18およびアウタリード19を介
して電気的に外部に引き出されることになる。
【0020】以上のようにしてペレットおよびワイヤ・
ボンディングされた図3に示されている組立体24に
は、各単位リードフレーム毎に樹脂封止する樹脂封止体
25群が、図4に示されているトランスファ成形装置3
0が使用されて単位リードフレーム12群について同時
に成形される。
ボンディングされた図3に示されている組立体24に
は、各単位リードフレーム毎に樹脂封止する樹脂封止体
25群が、図4に示されているトランスファ成形装置3
0が使用されて単位リードフレーム12群について同時
に成形される。
【0021】図4に示されているトランスファ成形装置
30は、シリンダ装置等(図示せず)によって互いに型
締めされる一対の上型31と下型32とを備えており、
上型31と下型32との合わせ面には上型キャビティー
凹部33aと下型キャビティー凹部33bとが互いに協
働してキャビティー33を形成するようにそれぞれ複数
組没設されている。本実施例において、このキャビティ
ー33の全高はTSOP・ICに対応するために、1m
m以下に設定されている。
30は、シリンダ装置等(図示せず)によって互いに型
締めされる一対の上型31と下型32とを備えており、
上型31と下型32との合わせ面には上型キャビティー
凹部33aと下型キャビティー凹部33bとが互いに協
働してキャビティー33を形成するようにそれぞれ複数
組没設されている。本実施例において、このキャビティ
ー33の全高はTSOP・ICに対応するために、1m
m以下に設定されている。
【0022】上型キャビティー凹部33aと下型キャビ
ティー凹部33bは平面から見て略長方形の穴形状に形
成されており、上型キャビティー凹部33aの天井面に
は補強溝26を形成するための略蒲鉾形状の凸部40が
一対、短手方向に平行にそれぞれ全長にわたって延在す
るように突設されている。両凸部40、40は上型キャ
ビティー凹部33aに左右対称形に配置され、一定幅一
定高さにそれぞれ形成されている。
ティー凹部33bは平面から見て略長方形の穴形状に形
成されており、上型キャビティー凹部33aの天井面に
は補強溝26を形成するための略蒲鉾形状の凸部40が
一対、短手方向に平行にそれぞれ全長にわたって延在す
るように突設されている。両凸部40、40は上型キャ
ビティー凹部33aに左右対称形に配置され、一定幅一
定高さにそれぞれ形成されている。
【0023】上型31の合わせ面にはポット34が開設
されており、ポット34にはシリンダ装置(図示せず)
により進退されるプランジャ35が成形材料としての樹
脂(以下、レジンという。)を送給し得るように挿入さ
れている。下型32の合わせ面にはカル36がポット3
4との対向位置に配されて没設されているとともに、複
数条のランナ37がカル36にそれぞれ接続するように
放射状に配されて没設されている。各ランナ37の他端
部は下側キャビティー凹部33bにそれぞれ接続されて
おり、その接続部にはゲート38がレジンをキャビティ
ー33内に注入し得るように形成されている。また、下
型32の合わせ面には逃げ凹所39がリードフレームの
厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム11の外形
よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法
の一定深さに没設されている。
されており、ポット34にはシリンダ装置(図示せず)
により進退されるプランジャ35が成形材料としての樹
脂(以下、レジンという。)を送給し得るように挿入さ
れている。下型32の合わせ面にはカル36がポット3
4との対向位置に配されて没設されているとともに、複
数条のランナ37がカル36にそれぞれ接続するように
放射状に配されて没設されている。各ランナ37の他端
部は下側キャビティー凹部33bにそれぞれ接続されて
おり、その接続部にはゲート38がレジンをキャビティ
ー33内に注入し得るように形成されている。また、下
型32の合わせ面には逃げ凹所39がリードフレームの
厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム11の外形
よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法
の一定深さに没設されている。
【0024】トランスファ成形に際して前記構成にかか
る組立体24は、多連リードフレーム11が下型32に
没設されている逃げ凹所39内に収容され、各単位リー
ドフレーム12におけるペレット22が各キャビティー
33内にそれぞれ収容されるように配されてセットされ
る。
る組立体24は、多連リードフレーム11が下型32に
没設されている逃げ凹所39内に収容され、各単位リー
ドフレーム12におけるペレット22が各キャビティー
33内にそれぞれ収容されるように配されてセットされ
る。
【0025】続いて、上型31と下型32とが型締めさ
れ、ポット34からプランジャ35によりレジン41が
ランナ37およびゲート38を通じて各キャビティー3
3に送給されて圧入される。
れ、ポット34からプランジャ35によりレジン41が
ランナ37およびゲート38を通じて各キャビティー3
3に送給されて圧入される。
【0026】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止体
25が成形されると、上型31および下型32は型開き
されるとともに、エジェクタ・ピン(図示せず)により
樹脂封止体25群が離型される。このようにして、図5
に示されているように、樹脂封止体25群が成形された
組立体27はトランスファ成形装置30から脱装され
る。そして、このように樹脂成形された樹脂封止体25
の内部には、タブ16、ペレット22、インナリード1
8およびワイヤ23が樹脂封止されることになる。本実
施形態においては、上型キャビティー凹部33aの天井
面には短手方向に全体にわたって蒲鉾形状の凸部40が
一対突設されているので、樹脂封止体25の上面には一
対の補強溝26、26が互いに離間した位置においてそ
れぞれ蒲鉾形溝形状に形成された状態になっている。
25が成形されると、上型31および下型32は型開き
されるとともに、エジェクタ・ピン(図示せず)により
樹脂封止体25群が離型される。このようにして、図5
に示されているように、樹脂封止体25群が成形された
組立体27はトランスファ成形装置30から脱装され
る。そして、このように樹脂成形された樹脂封止体25
の内部には、タブ16、ペレット22、インナリード1
8およびワイヤ23が樹脂封止されることになる。本実
施形態においては、上型キャビティー凹部33aの天井
面には短手方向に全体にわたって蒲鉾形状の凸部40が
一対突設されているので、樹脂封止体25の上面には一
対の補強溝26、26が互いに離間した位置においてそ
れぞれ蒲鉾形溝形状に形成された状態になっている。
【0027】ところで、樹脂封止体25は熱硬化する際
に収縮するため、樹脂厚の上下比や樹脂封止体25内部
の上下構造の相違等を起因として、図5(c)に矢印で
示されているように、樹脂封止体25はタブ16側が縮
みペレット22側が拡大する状態に反りを発生する。し
かし、本実施形態においては、樹脂封止体25の上面に
形成された一対の補強溝26、26が所謂パイプ効果を
発揮することにより、樹脂封止体25の反りの応力を支
えるため、樹脂封止体25に反りが発生するのを防止す
ることができる。
に収縮するため、樹脂厚の上下比や樹脂封止体25内部
の上下構造の相違等を起因として、図5(c)に矢印で
示されているように、樹脂封止体25はタブ16側が縮
みペレット22側が拡大する状態に反りを発生する。し
かし、本実施形態においては、樹脂封止体25の上面に
形成された一対の補強溝26、26が所謂パイプ効果を
発揮することにより、樹脂封止体25の反りの応力を支
えるため、樹脂封止体25に反りが発生するのを防止す
ることができる。
【0028】以上のようにして反りの無い樹脂封止体2
5を成形された半完成品としての組立体27は、リード
切断成形工程(図示せず)において各単位リードフレー
ム毎に外枠13およびダム17aを切り落とされるとと
もに、各アウタリード19をガル・ウイング形状に屈曲
形成される。これにより、図1に示されているTSOP
・IC28が製造されたことになる。
5を成形された半完成品としての組立体27は、リード
切断成形工程(図示せず)において各単位リードフレー
ム毎に外枠13およびダム17aを切り落とされるとと
もに、各アウタリード19をガル・ウイング形状に屈曲
形成される。これにより、図1に示されているTSOP
・IC28が製造されたことになる。
【0029】以上説明した前記実施形態によれば、次の
効果が得られる。 TSOP・ICの樹脂封止体の上面に一対の補強溝
を短手方向に全長にわたってそれぞれ形成することによ
り、樹脂封止体に反りが発生するのを防止することがで
きるため、樹脂封止体の反りによる外観不良や耐湿性等
の性能低下の発生を未然に防止することができる。
効果が得られる。 TSOP・ICの樹脂封止体の上面に一対の補強溝
を短手方向に全長にわたってそれぞれ形成することによ
り、樹脂封止体に反りが発生するのを防止することがで
きるため、樹脂封止体の反りによる外観不良や耐湿性等
の性能低下の発生を未然に防止することができる。
【0030】 前記により、樹脂封止体の反りの発
生を防止することができるので、表面実装形パッケージ
をさらに薄形かつ小形化させることができ、表面実装形
パッケージの実装密度をさらに一層高めることができ
る。
生を防止することができるので、表面実装形パッケージ
をさらに薄形かつ小形化させることができ、表面実装形
パッケージの実装密度をさらに一層高めることができ
る。
【0031】 樹脂封止体の反りを防止する補強溝は
樹脂封止体を成形する成形型のキャビティーに凸部を突
設することにより形成することができるため、製造コス
トの増加を回避することができるばかりか、樹脂封止体
を形成する樹脂の使用量を低減することができ、コスト
低減を図ることができる。
樹脂封止体を成形する成形型のキャビティーに凸部を突
設することにより形成することができるため、製造コス
トの増加を回避することができるばかりか、樹脂封止体
を形成する樹脂の使用量を低減することができ、コスト
低減を図ることができる。
【0032】 樹脂封止体の反りを防止することによ
り、樹脂封止体成形工程以後の製品の搬送トラブルを低
減することができるため、搬送装置等の稼動率の低下を
防止することができ、ひいてはICの生産性を高めるこ
とができる。
り、樹脂封止体成形工程以後の製品の搬送トラブルを低
減することができるため、搬送装置等の稼動率の低下を
防止することができ、ひいてはICの生産性を高めるこ
とができる。
【0033】図6は本発明の実施形態2であるTSOP
・ICを示す一部切断斜視図である。
・ICを示す一部切断斜視図である。
【0034】本実施形態2が前記実施形態1と異なる点
は、TSOP・IC28がリード・オン・チップ(LO
C)構造に構成されている点である。本実施形態2にお
いても、樹脂封止体25の上面に一対の補強溝26、2
6が形成されているため、樹脂封止体25の反りの発生
は防止されることになる。
は、TSOP・IC28がリード・オン・チップ(LO
C)構造に構成されている点である。本実施形態2にお
いても、樹脂封止体25の上面に一対の補強溝26、2
6が形成されているため、樹脂封止体25の反りの発生
は防止されることになる。
【0035】図7は本発明の実施形態3であるSOJ・
ICを示す一部切断斜視図である。
ICを示す一部切断斜視図である。
【0036】本実施形態3が前記実施形態1と異なる点
は、半導体装置がスモール・アウトライン・Jリーディ
ッド・パッケージ(SOJ)を備えているIC(SOJ
・IC)28Aに構成されている点である。本実施形態
2においても、樹脂封止体25の上面に一対の補強溝2
6、26が形成されているため、樹脂封止体25の反り
の発生は防止されることになる。
は、半導体装置がスモール・アウトライン・Jリーディ
ッド・パッケージ(SOJ)を備えているIC(SOJ
・IC)28Aに構成されている点である。本実施形態
2においても、樹脂封止体25の上面に一対の補強溝2
6、26が形成されているため、樹脂封止体25の反り
の発生は防止されることになる。
【0037】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0038】例えば、補強溝は樹脂封止体の上面に形成
するに限らず、下面または上下両面に形成してもよい。
また、補強溝は樹脂封止体の一方の主面に2本形成する
に限らず、1本または3本以上形成してもよい。
するに限らず、下面または上下両面に形成してもよい。
また、補強溝は樹脂封止体の一方の主面に2本形成する
に限らず、1本または3本以上形成してもよい。
【0039】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である表面実
装形パッケージを備えているICに適用した場合につい
て主に説明したが、それに限定されるものではなく、挿
入形樹脂封止パッケージを備えているIC、表面実装形
樹脂封止パッケージおよび挿入形樹脂封止パッケージを
備えているトランジスタ・アレーやハイブリットIC等
の樹脂封止パッケージを備えている半導体装置全般に適
用することができる。
なされた発明をその背景となった利用分野である表面実
装形パッケージを備えているICに適用した場合につい
て主に説明したが、それに限定されるものではなく、挿
入形樹脂封止パッケージを備えているIC、表面実装形
樹脂封止パッケージおよび挿入形樹脂封止パッケージを
備えているトランジスタ・アレーやハイブリットIC等
の樹脂封止パッケージを備えている半導体装置全般に適
用することができる。
【0040】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【0041】樹脂封止体の少なくとも一主面に樹脂封止
体の反りを防止する補強溝を形成することにより、樹脂
封止体に反りが発生するのを低減することができるた
め、半導体装置の品質および信頼性を高めることができ
る。
体の反りを防止する補強溝を形成することにより、樹脂
封止体に反りが発生するのを低減することができるた
め、半導体装置の品質および信頼性を高めることができ
る。
【図1】本発明の一実施形態であるTSOP・ICを示
す一部切断斜視図である。
す一部切断斜視図である。
【図2】そのTSOP・ICの製造方法に使用される多
連リードフレームを示しており、(a)は一部省略平面
図、(b)は正面図である。
連リードフレームを示しており、(a)は一部省略平面
図、(b)は正面図である。
【図3】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示しており、(a)は拡大した一部省略平面図、(b)
は(a)のb−b線に沿う断面図である。
示しており、(a)は拡大した一部省略平面図、(b)
は(a)のb−b線に沿う断面図である。
【図4】樹脂封止体の成形工程を示しており、(a)は
一部省略側面断面図、(b)は(a)のb−b線に沿う
断面図である。
一部省略側面断面図、(b)は(a)のb−b線に沿う
断面図である。
【図5】樹脂封止体成形後の組立体を示しており、
(a)は一部省略平面図、(b)は(a)の側面断面
図、(c)は(a)のc−c線に沿う断面図である。
(a)は一部省略平面図、(b)は(a)の側面断面
図、(c)は(a)のc−c線に沿う断面図である。
【図6】本発明の実施形態2であるTSOP・ICを示
す一部切断斜視図である。
す一部切断斜視図である。
【図7】本発明の実施形態3であるSOJ・ICを示す
一部切断斜視図である。
一部切断斜視図である。
11…多連リードフレーム、12…単位リードフレー
ム、13…外枠、14…セクション枠、15…タブ吊り
リード、16…タブ、17…ダム部材、17a…ダム、
18…インナリード、19…アウタリード、21…ボン
ディング層、22…ペレット、22a…ボンディングパ
ッド、23…ワイヤ、24…組立体、25…樹脂封止
体、26…補強溝、27…樹脂封止体成形後の組立体、
28…TSOP・IC(半導体装置)、28A…SOJ
・IC(半導体装置)、30…トランスファ成形装置、
31…上型、32…下型、33…キャビティー、33a
…上型キャビティー凹部、33b…下型キャビティー凹
部、34…ポット、35…プランジャ、36…カル、3
7…ランナ、38…ゲート、39…逃げ凹所、40…凸
部、41…レジン。
ム、13…外枠、14…セクション枠、15…タブ吊り
リード、16…タブ、17…ダム部材、17a…ダム、
18…インナリード、19…アウタリード、21…ボン
ディング層、22…ペレット、22a…ボンディングパ
ッド、23…ワイヤ、24…組立体、25…樹脂封止
体、26…補強溝、27…樹脂封止体成形後の組立体、
28…TSOP・IC(半導体装置)、28A…SOJ
・IC(半導体装置)、30…トランスファ成形装置、
31…上型、32…下型、33…キャビティー、33a
…上型キャビティー凹部、33b…下型キャビティー凹
部、34…ポット、35…プランジャ、36…カル、3
7…ランナ、38…ゲート、39…逃げ凹所、40…凸
部、41…レジン。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体ペレットと、半導体ペレットがボ
ンディングされているタブと、各アウタリードにそれぞ
れ連結されて半導体ペレットに電気的に接続されている
複数本のインナリードと、半導体ペレット、タブおよび
各インナリードを樹脂封止する樹脂封止体とを備えてい
る半導体装置において、 前記樹脂封止体の少なくとも一主面に樹脂封止体の反り
を防止する補強溝が、その反りが発生しようとする方向
と平行に延在するように形成されていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項2】 前記補強溝が複数条、前記樹脂封止体の
短手方向に平行にそれぞれ形成されていることを特徴と
する請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記請求項1に記載の半導体装置の製造
方法であって、前記樹脂封止体が成形型のキャビティー
に成形用樹脂を充填されて成形される樹脂封止体成形工
程を備えている半導体装置の製造方法において、 前記キャビティーの内面に前記補強溝を形成するための
凸部が突設されていることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8197084A JPH1027870A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8197084A JPH1027870A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1027870A true JPH1027870A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16368463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8197084A Pending JPH1027870A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1027870A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012037263A1 (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | Qualcomm Incorporated | Electronic packaging with a variable thickness mold cap |
JP2013026234A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1996
- 1996-07-08 JP JP8197084A patent/JPH1027870A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012037263A1 (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | Qualcomm Incorporated | Electronic packaging with a variable thickness mold cap |
US8753926B2 (en) | 2010-09-14 | 2014-06-17 | Qualcomm Incorporated | Electronic packaging with a variable thickness mold cap |
JP2013026234A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |