JPS6057705A - マイクロ波発振装置 - Google Patents
マイクロ波発振装置Info
- Publication number
- JPS6057705A JPS6057705A JP16547883A JP16547883A JPS6057705A JP S6057705 A JPS6057705 A JP S6057705A JP 16547883 A JP16547883 A JP 16547883A JP 16547883 A JP16547883 A JP 16547883A JP S6057705 A JPS6057705 A JP S6057705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- change
- semi
- coaxial resonator
- inner conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1805—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a coaxial resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
- H03B2201/014—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1817—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator
- H03B5/1823—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B7/00—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes
- H03B7/12—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B7/14—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance active element being semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半同軸共振器と負性抵抗素子との結合によ）
発振を行なうマイクロ波発振装置の改良に関する。
発振を行なうマイクロ波発振装置の改良に関する。
従来、この種の装置として、例えば第１図に示す如きも
のが知られている。すなわち、この装置は、半同軸共振
器１内に内部導体２を収容するとともに、半同軸共振器
１外に負、性抵抗素子としてのトランジスタ３を設置し
、このトランジスタ３のペースに結合板４′ｔ−接続し
てこの結合板４と上記内部導体２との容量結合により発
振を行なう。そして、その発振出力を半同軸共振器１の
外部導体１ａに取着した出力接栓５を介して取シ出して
いる。また、この装置は、内部導体２を固定内部導体２
ａと可動内部導体２ｂとから構成されておシ、この可動
内部導体２ｂｆ、送シねじ６を回転させることにより移
動させて内部導体２の長さｔ”ｆ可変し、これによシ共
振周波数の調整を行なっている工お、図中７は送シねじ
６と可動内部導体２ｂとを接続する接続軸である。
のが知られている。すなわち、この装置は、半同軸共振
器１内に内部導体２を収容するとともに、半同軸共振器
１外に負、性抵抗素子としてのトランジスタ３を設置し
、このトランジスタ３のペースに結合板４′ｔ−接続し
てこの結合板４と上記内部導体２との容量結合により発
振を行なう。そして、その発振出力を半同軸共振器１の
外部導体１ａに取着した出力接栓５を介して取シ出して
いる。また、この装置は、内部導体２を固定内部導体２
ａと可動内部導体２ｂとから構成されておシ、この可動
内部導体２ｂｆ、送シねじ６を回転させることにより移
動させて内部導体２の長さｔ”ｆ可変し、これによシ共
振周波数の調整を行なっている工お、図中７は送シねじ
６と可動内部導体２ｂとを接続する接続軸である。
ところで、この種の装置は、周囲温度が変化すると半同
軸共振器１の外部導体１ａおよび接続軸７が膨縮して内
部導体２の長さｔが変化し、これによシ発振器周波数が
変化を起こす。このため、従来では、例えば外部導体１
ａおよび接続軸７の各熱膨張係数がそれぞれｄｌ 、ｄ
２であるとき、外部導体１ａの内壁長ｔ１と接続軸７の
長さｔ２とを ｄｌ ｔｌ： ｄ２ｔ２ なる関係を満足するように設定した）あるいは外部導体
１ａ、可動内部導体２ｂ１固定内部導体２ａおよび送シ
ねじ６を熱膨張係数の小さな材料で構成することによシ
、温度による周波数変化を抑制するようにしている。
軸共振器１の外部導体１ａおよび接続軸７が膨縮して内
部導体２の長さｔが変化し、これによシ発振器周波数が
変化を起こす。このため、従来では、例えば外部導体１
ａおよび接続軸７の各熱膨張係数がそれぞれｄｌ 、ｄ
２であるとき、外部導体１ａの内壁長ｔ１と接続軸７の
長さｔ２とを ｄｌ ｔｌ： ｄ２ｔ２ なる関係を満足するように設定した）あるいは外部導体
１ａ、可動内部導体２ｂ１固定内部導体２ａおよび送シ
ねじ６を熱膨張係数の小さな材料で構成することによシ
、温度による周波数変化を抑制するようにしている。
しかしながら、このような従来のマイクロ波発振装置は
、半同軸共振器１の設計寸法上の制約等によシ寸法設定
を自由に行なうことができない。したがって、周波数を
安定化させる寸法を適宜選択することができず、周波数
を十分に安定し得なかった。また熱膨張係数の小さい特
殊な材料を使用しなければならないために装置が高価に
なるといった欠点があった。
、半同軸共振器１の設計寸法上の制約等によシ寸法設定
を自由に行なうことができない。したがって、周波数を
安定化させる寸法を適宜選択することができず、周波数
を十分に安定し得なかった。また熱膨張係数の小さい特
殊な材料を使用しなければならないために装置が高価に
なるといった欠点があった。
本発明は、精密な寸法設定を行なったシ、特殊な材料を
使用せずに、温度に力し十分安定な発振周波数を得るこ
とができる、高性能で安価なマイクロ波発振装置を提供
することを目的とする。
使用せずに、温度に力し十分安定な発振周波数を得るこ
とができる、高性能で安価なマイクロ波発振装置を提供
することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、半同軸共振器内
の内部導体と半同軸共振器外に設置される負性抵抗素子
との間に、所定の温度特性を有する容量性素子を直列に
介挿し、この容量性素子によ多温度変化による発振周波
数の変化を抑制するようにしたものである。
の内部導体と半同軸共振器外に設置される負性抵抗素子
との間に、所定の温度特性を有する容量性素子を直列に
介挿し、この容量性素子によ多温度変化による発振周波
数の変化を抑制するようにしたものである。
第２図は本発明の一実施例におけるマイクロ波発振装置
の概略構成図で、同図において前記第１図と同一部分に
は同一符号を付して詳しい説明は省略する。
の概略構成図で、同図において前記第１図と同一部分に
は同一符号を付して詳しい説明は省略する。
半同軸発振器１内の固定内部導体２ａと、半同軸共振器
１外に設置された負性抵抗素子としてのトランジスタ３
のベースとの間は、結合用導体１０およびこの結合用導
体１０に直列に介挿された容量素子としてのコンデンサ
２０によ多接続されている。このコンデンサ２０は、容
量値が正の温度係数を有するもので、例えば電極板間に
誘電率が正の温度係数を持つセラミックを充填したもの
からなっている。
１外に設置された負性抵抗素子としてのトランジスタ３
のベースとの間は、結合用導体１０およびこの結合用導
体１０に直列に介挿された容量素子としてのコンデンサ
２０によ多接続されている。このコンデンサ２０は、容
量値が正の温度係数を有するもので、例えば電極板間に
誘電率が正の温度係数を持つセラミックを充填したもの
からなっている。
このような構成でおるから、周囲温度が変化すると次の
ように発振周波数の変化が抑制される。すなわち、第２
図のＡ−に面を基準面としたときの空胴共振器１側のイ
ンピーダンスをｚｃ■）とし、かつ負性抵抗素子側のイ
ンピーダンスをＺＴ（Ａ、ω）とすると、装置はこれら
のインピーダンスが Ｚｃ（ωｏ） ＺＴＣＡｏａωｏ）＝ｏ −（１）なる
関係を満たしているとき、周波数ωｏ１高周波振幅八〇
へよシ発振を行なう。この状態をスミス線図に図示する
と第３図のようになる。すなわち、インピーダンスＺｃ
（ω）は周波数ωの上昇に対し図中矢印Ｃ方向に変化し
、またインピーダンスＺＴ （Ａ ａω）は矢印り方向
に変化する。また、インピーダンスＺＴ （Ａ ａω）
は高周波振幅Ａが増加すると円の中心から周囲に向って
例えば矢印Ｂのように変化する。したがって、いま各イ
ンピーダンスＺＣ（Ｑ））、ＺＴ（Ａｌω）が上記（１
）式を満たしているとすれば、各インピーダンスは例え
ば第３図中の点■で一致する。
ように発振周波数の変化が抑制される。すなわち、第２
図のＡ−に面を基準面としたときの空胴共振器１側のイ
ンピーダンスをｚｃ■）とし、かつ負性抵抗素子側のイ
ンピーダンスをＺＴ（Ａ、ω）とすると、装置はこれら
のインピーダンスが Ｚｃ（ωｏ） ＺＴＣＡｏａωｏ）＝ｏ −（１）なる
関係を満たしているとき、周波数ωｏ１高周波振幅八〇
へよシ発振を行なう。この状態をスミス線図に図示する
と第３図のようになる。すなわち、インピーダンスＺｃ
（ω）は周波数ωの上昇に対し図中矢印Ｃ方向に変化し
、またインピーダンスＺＴ （Ａ ａω）は矢印り方向
に変化する。また、インピーダンスＺＴ （Ａ ａω）
は高周波振幅Ａが増加すると円の中心から周囲に向って
例えば矢印Ｂのように変化する。したがって、いま各イ
ンピーダンスＺＣ（Ｑ））、ＺＴ（Ａｌω）が上記（１
）式を満たしているとすれば、各インピーダンスは例え
ば第３図中の点■で一致する。
さてこの状態で、周囲温度が上昇し、それに伴ないイン
ピーダンスＺｃ（ω。）が点■から点＠に移動してＺＣ
’ （ωｏ）となる。一方ｚ’ｒ （ＡＯ＋ ωｏ ）
が点■の状態で変化しなかったとする。そうすると、 Ｚｃ（ω） −ＺＴ（Ａ 、ω）＝Ｏ−（２）を満たす
ような、発振周波数ωは発振周波数ω０よシ低い値とな
る。これが周囲温度の上昇による発振周波数ωの変化と
なって現われる。
ピーダンスＺｃ（ω。）が点■から点＠に移動してＺＣ
’ （ωｏ）となる。一方ｚ’ｒ （ＡＯ＋ ωｏ ）
が点■の状態で変化しなかったとする。そうすると、 Ｚｃ（ω） −ＺＴ（Ａ 、ω）＝Ｏ−（２）を満たす
ような、発振周波数ωは発振周波数ω０よシ低い値とな
る。これが周囲温度の上昇による発振周波数ωの変化と
なって現われる。
しかるに本実施例の装置では、周囲温度が上昇するとそ
れに応じてコンデンサ２０の容量が増加し、この容量の
増加によＪＺｔ（Ａ、ω）が第３図の矢印り方向とは逆
の方向、つま’Ｉ Ｚｃ（ω）の移動方向と同方向に移
動してＺＴ（Ａ０＃ω。）がＺＴ’ （Ａ０＠ω０）へ
移動する。すなわち、図中■の位置から＠の位置に移動
する。このため、各インピーダンスＺｃ（ω）、ｚＴ（
Ａ、ω）は、今度はこの点＠において（１）式を満し、
この結果発振周波数ωはω。のまま変化せずに発振動作
が行なわれる。
れに応じてコンデンサ２０の容量が増加し、この容量の
増加によＪＺｔ（Ａ、ω）が第３図の矢印り方向とは逆
の方向、つま’Ｉ Ｚｃ（ω）の移動方向と同方向に移
動してＺＴ（Ａ０＃ω。）がＺＴ’ （Ａ０＠ω０）へ
移動する。すなわち、図中■の位置から＠の位置に移動
する。このため、各インピーダンスＺｃ（ω）、ｚＴ（
Ａ、ω）は、今度はこの点＠において（１）式を満し、
この結果発振周波数ωはω。のまま変化せずに発振動作
が行なわれる。
このように、本実施例であれば、周囲温度が上昇すると
正の温度係数を有するコンデンサ２０の容量が増加して
、この容量増加分によシ半同軸共振器１側のインピーダ
ンスＺｃの変化分が打ち消されるので、発振周波数ωは
常に略一定に保持されることになる。したがって、従来
のように半同軸共振器１の内部導体等の寸法設定をその
熱膨張係数を考慮して精密に行なったシ、あるいは内部
導体の接続軸に特殊な材料を用いたシしなくてもよくな
るので、装置の設計を著しく容易にし、かつ安価な装置
を提供できるようになる。
正の温度係数を有するコンデンサ２０の容量が増加して
、この容量増加分によシ半同軸共振器１側のインピーダ
ンスＺｃの変化分が打ち消されるので、発振周波数ωは
常に略一定に保持されることになる。したがって、従来
のように半同軸共振器１の内部導体等の寸法設定をその
熱膨張係数を考慮して精密に行なったシ、あるいは内部
導体の接続軸に特殊な材料を用いたシしなくてもよくな
るので、装置の設計を著しく容易にし、かつ安価な装置
を提供できるようになる。
以上の説明においては、インピーダンスｚＴ（Ａ、ω）
は周囲温度が上昇しても変化しないものとして説明した
が、実際にはＺ７（Ａ、ω）も図中矢印Ｃ方向またはＤ
方向に回転する形で変動する場合がある。従ってそのよ
うな場合においては周囲温度の変化によシ生じたインピ
ーダンスＺｃ（ω０）とＺＴ（Ａｏ、ω。）の差を打ち
消すことができるような正の温度係数を有するコンデン
サ２０を使用すればよい。
は周囲温度が上昇しても変化しないものとして説明した
が、実際にはＺ７（Ａ、ω）も図中矢印Ｃ方向またはＤ
方向に回転する形で変動する場合がある。従ってそのよ
うな場合においては周囲温度の変化によシ生じたインピ
ーダンスＺｃ（ω０）とＺＴ（Ａｏ、ω。）の差を打ち
消すことができるような正の温度係数を有するコンデン
サ２０を使用すればよい。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではない。
例えば、前記実施例ではコンデンサに正の温度係数を持
つものを使用した場合について説明したが、例えば温度
上昇に伴なうインピーダンスＺＴ（Ａ 、ω）の変化量
がインピーダンスＺｃ（ω）の変化量よルも大きい場合
には、その差分だけインピーダンスＺＴ （Ａ ａω）
の変化分を押えるために、負の温度係数を持つコンデン
サを使用してもよい。その他、容量性素子の種類や装置
の構成等についても、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々変形して実施できる。
つものを使用した場合について説明したが、例えば温度
上昇に伴なうインピーダンスＺＴ（Ａ 、ω）の変化量
がインピーダンスＺｃ（ω）の変化量よルも大きい場合
には、その差分だけインピーダンスＺＴ （Ａ ａω）
の変化分を押えるために、負の温度係数を持つコンデン
サを使用してもよい。その他、容量性素子の種類や装置
の構成等についても、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
種々変形して実施できる。
以上詳述したように本発明によれは、結合用導体と負性
抵抗素子との間に、所定の湯度特性を有する容量性素子
を介挿し、この容量性素仔によシ温度変化による発振周
波数の変化を抑制するようにしたことによって、精密な
寸法設定を行なった夛特殊な材料を使用せずに、温度変
化に対し十分安定な発振周波数を得ることができ、高性
能で安価なマイクロ波発振装置を提供することができる
。
抵抗素子との間に、所定の湯度特性を有する容量性素子
を介挿し、この容量性素仔によシ温度変化による発振周
波数の変化を抑制するようにしたことによって、精密な
寸法設定を行なった夛特殊な材料を使用せずに、温度変
化に対し十分安定な発振周波数を得ることができ、高性
能で安価なマイクロ波発振装置を提供することができる
。
第１図は従来におけるマイクロ波発振装置の概略構成を
示す側断面図、第２図は本発明の一実施例におけるマイ
クロ波発振装置の概略構成を示す側断面図、第３図は同
装置の作用説明に用いるためのスミス線図である。 １・・・半同軸共振器、１ａ・・・外部導体、２・・・
内部導体、２ａ・・・固定内部導体、２ｂ・・・可動内
部導体、３・・・トランジスタ、５・・・出力接栓、６
・・・送シねじ、７・・・接続軸、１０・・・結合用導
体、２０・・・コンデンサ。 ■Ｉｋ２人 血■上 畝 作 静 存 第１図 第２図 １ １ａ ｉ 第３図
示す側断面図、第２図は本発明の一実施例におけるマイ
クロ波発振装置の概略構成を示す側断面図、第３図は同
装置の作用説明に用いるためのスミス線図である。 １・・・半同軸共振器、１ａ・・・外部導体、２・・・
内部導体、２ａ・・・固定内部導体、２ｂ・・・可動内
部導体、３・・・トランジスタ、５・・・出力接栓、６
・・・送シねじ、７・・・接続軸、１０・・・結合用導
体、２０・・・コンデンサ。 ■Ｉｋ２人 血■上 畝 作 静 存 第１図 第２図 １ １ａ ｉ 第３図
Claims (1)
- 半同軸共振器内の内部導体と半同軸共振器外に設置した
負性抵抗素子とを結合用導体を介して結合して発振を行
なうマイクロ波発振装置において、前記結合用導体と前
記負性抵抗素子との間に所定の温度特性を有し、外周温
度の変化による発振周波数の変動を補償する容量性素子
を直列に介挿したことを特徴とするマイクロ波発振装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16547883A JPS6057705A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | マイクロ波発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16547883A JPS6057705A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | マイクロ波発振装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057705A true JPS6057705A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15813161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16547883A Pending JPS6057705A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | マイクロ波発振装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057705A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170097157A (ko) | 2015-01-27 | 2017-08-25 | 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤 | 터빈 날개, 터빈, 및 터빈 날개의 제조 방법 |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP16547883A patent/JPS6057705A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170097157A (ko) | 2015-01-27 | 2017-08-25 | 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤 | 터빈 날개, 터빈, 및 터빈 날개의 제조 방법 |
| US20180010460A1 (en) * | 2015-01-27 | 2018-01-11 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Turbine blade, turbine, and method for producing turbine blade |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6036122B2 (ja) | 発振器 | |
| JPS6057705A (ja) | マイクロ波発振装置 | |
| JPS59139708A (ja) | 圧電振動発振器 | |
| JPS6141441B2 (ja) | ||
| JPH027202B2 (ja) | ||
| GB1121210A (en) | Stable radio frequency source | |
| US3270296A (en) | Temperature compensating device for a crystal oscillator | |
| JPS6322727B2 (ja) | ||
| JPS6110324Y2 (ja) | ||
| JPS59171210A (ja) | モノリシツク型セラミツクレゾネ−タ | |
| JP2975037B2 (ja) | 温度補償型の水晶発振器 | |
| JP2553807Y2 (ja) | 発振器 | |
| JPS6029213Y2 (ja) | 半同軸共振器制御発振装置 | |
| JPS6345043Y2 (ja) | ||
| JPH0644179Y2 (ja) | 静電容量内蔵型圧電共振子 | |
| JPS5348674A (en) | Microwave transistor for oscillation | |
| JPH05304386A (ja) | 高周波回路用筐体 | |
| JPS6325722B2 (ja) | ||
| JPH042485Y2 (ja) | ||
| JP2922547B2 (ja) | 高周波発振器 | |
| JPS6322727Y2 (ja) | ||
| JPS61261903A (ja) | 発振回路 | |
| JPH03219709A (ja) | 温度補償発振器 | |
| JPS60236311A (ja) | 固体共振子 | |
| JPS54162441A (en) | Dielectric loaded type resonator |