JPH05304386A - 高周波回路用筐体 - Google Patents
高周波回路用筐体Info
- Publication number
- JPH05304386A JPH05304386A JP41697290A JP41697290A JPH05304386A JP H05304386 A JPH05304386 A JP H05304386A JP 41697290 A JP41697290 A JP 41697290A JP 41697290 A JP41697290 A JP 41697290A JP H05304386 A JPH05304386 A JP H05304386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- metal
- frequency circuit
- high frequency
- cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高周波回路をシールドする高周波回路用筐体で
あって、金属ケースと金属カバー間の短絡状態が、温度
変化による膨張等で変化することに起因する高周波回路
への悪影響を除去する。 【構成】 金属ケースと金属カバーとの間に誘電体で形
成された薄膜板を介在させることにより、短絡状態その
ものをなくした。 【効果】 金属間の短絡状態がないため、温度変化によ
る膨張等があっても何ら高周波回路への影響がなくなっ
た。
あって、金属ケースと金属カバー間の短絡状態が、温度
変化による膨張等で変化することに起因する高周波回路
への悪影響を除去する。 【構成】 金属ケースと金属カバーとの間に誘電体で形
成された薄膜板を介在させることにより、短絡状態その
ものをなくした。 【効果】 金属間の短絡状態がないため、温度変化によ
る膨張等があっても何ら高周波回路への影響がなくなっ
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波帯域において使
用する電圧制御発振器等を構成するための高周波回路用
筐体に関する。
用する電圧制御発振器等を構成するための高周波回路用
筐体に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は発振器を構成する高周波回路用筐
体の従来例を示すものであり、同図（ａ）は正面断面
図、同図（ｂ）は金属カバーをはずした状態での平面図
である。
体の従来例を示すものであり、同図（ａ）は正面断面
図、同図（ｂ）は金属カバーをはずした状態での平面図
である。
【０００３】図において、１は高周波発振器回路を構成
する膜回路基板であり、この基板１上にトランジスタ等
の発振素子２、周波数安定化のための誘電体共振器３等
が実装されている。これらの発振器構成要素は、金属ケ
ース４および金属カバー５で構成した高周波回路用筐体
に内包されている。すなわち、金属ケース４の内部に高
周波発振器回路を実装するとともに、金属ケース４の開
口部にねじ６を用いて金属カバー５を装着し、シールド
状態を形成する。なお、７は発振素子２に直流バイアス
をかけるための貫通コンデサ、８は発振出力を外部に取
り出すための同軸コネクタである。
する膜回路基板であり、この基板１上にトランジスタ等
の発振素子２、周波数安定化のための誘電体共振器３等
が実装されている。これらの発振器構成要素は、金属ケ
ース４および金属カバー５で構成した高周波回路用筐体
に内包されている。すなわち、金属ケース４の内部に高
周波発振器回路を実装するとともに、金属ケース４の開
口部にねじ６を用いて金属カバー５を装着し、シールド
状態を形成する。なお、７は発振素子２に直流バイアス
をかけるための貫通コンデサ、８は発振出力を外部に取
り出すための同軸コネクタである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の高周波
回路用筐体は、金属ケース４にねじ６を用いて金属カバ
ー５を圧着することにより、内部で発生した高周波（マ
イクロ波）の漏れを防止している。この状態を発振回路
側からみると、金属ケース４と金属筐体５との接触部分
が、電磁界的に短絡しているのと同じである。したがっ
て、この接触部分に何らかの物理的変化、例えば、温度
変化による膨張などがあった場合、内部に実装した発振
器の発振周波数が瞬時に変化することがあった。このよ
うな発振周波数の変動は、発振器がディジタル伝送用送
受信装置の局部発振器として使用されている場合等にお
いて、信号の誤り（エラー）につながり、信号伝送品質
の劣化となる問題があった。
回路用筐体は、金属ケース４にねじ６を用いて金属カバ
ー５を圧着することにより、内部で発生した高周波（マ
イクロ波）の漏れを防止している。この状態を発振回路
側からみると、金属ケース４と金属筐体５との接触部分
が、電磁界的に短絡しているのと同じである。したがっ
て、この接触部分に何らかの物理的変化、例えば、温度
変化による膨張などがあった場合、内部に実装した発振
器の発振周波数が瞬時に変化することがあった。このよ
うな発振周波数の変動は、発振器がディジタル伝送用送
受信装置の局部発振器として使用されている場合等にお
いて、信号の誤り（エラー）につながり、信号伝送品質
の劣化となる問題があった。
【０００５】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、金属ケースと金属カバー間の短絡状態をなく
し、温度上昇による膨張等の物理的変化があっても、内
部の高周波回路に影響を及ぼすことのない高周波回路用
筐体の提供を目的とする。
たもので、金属ケースと金属カバー間の短絡状態をなく
し、温度上昇による膨張等の物理的変化があっても、内
部の高周波回路に影響を及ぼすことのない高周波回路用
筐体の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、金属ケースと、この金属ケースの開口部を
閉塞する金属カバーとを備え、前記金属ケースの内部に
実装した高周波回路をシールドする高周波回路用筐体に
おいて、前記金属ケースと金属カバーとの間に、誘電体
で形成した薄肉板を介在させる構成としてあり、さらに
好ましくは、前記誘電体で形成した薄肉板の比誘電率お
よび／または厚さを、内部に実装する高周波回路の周波
数に応じ選択して構成するようにしてある。
に本発明は、金属ケースと、この金属ケースの開口部を
閉塞する金属カバーとを備え、前記金属ケースの内部に
実装した高周波回路をシールドする高周波回路用筐体に
おいて、前記金属ケースと金属カバーとの間に、誘電体
で形成した薄肉板を介在させる構成としてあり、さらに
好ましくは、前記誘電体で形成した薄肉板の比誘電率お
よび／または厚さを、内部に実装する高周波回路の周波
数に応じ選択して構成するようにしてある。
【０００７】
【作用】上述した構成の高周波回路用筐体では、金属ケ
ースと金属カバーとの間に介在した誘電体製の薄肉板が
絶縁体として機能するので、金属ケースと金属カバーと
の間は非接触の状態となり、膨張等の物理的変化があっ
ても短絡状態の変化という事態を生ぜず、高周波回路へ
の影響はない。
ースと金属カバーとの間に介在した誘電体製の薄肉板が
絶縁体として機能するので、金属ケースと金属カバーと
の間は非接触の状態となり、膨張等の物理的変化があっ
ても短絡状態の変化という事態を生ぜず、高周波回路へ
の影響はない。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて
説明する。図１は本発明の高周波回路用筐体を使用して
高周波発振器を構成した実施例を示すもので、同図
（ａ）は正面断面図、同図（ｂ）は金属カバーをはずし
た状態での平面図である。図２（ａ）は誘電体で形成し
た薄肉板の平面図、図２（ｂ）は同じく正面断面図であ
る。
説明する。図１は本発明の高周波回路用筐体を使用して
高周波発振器を構成した実施例を示すもので、同図
（ａ）は正面断面図、同図（ｂ）は金属カバーをはずし
た状態での平面図である。図２（ａ）は誘電体で形成し
た薄肉板の平面図、図２（ｂ）は同じく正面断面図であ
る。
【０００９】図１において、１は高周波発振回路を構成
する膜回路基板であり、例えば、テフロングラスファイ
バー基板で形成されている。この膜回路基板１に、トラ
ンジスタ等の発振素子２および周波数安定化のための誘
電体共振器３が実装されている。膜回路基板１は、金属
ケースの内底部に半田付けされている。
する膜回路基板であり、例えば、テフロングラスファイ
バー基板で形成されている。この膜回路基板１に、トラ
ンジスタ等の発振素子２および周波数安定化のための誘
電体共振器３が実装されている。膜回路基板１は、金属
ケースの内底部に半田付けされている。
【００１０】５は金属ケース４とともに高周波回路筐体
を構成する金属カバーであり、ねじ６により金属ケース
４の開口部に取付けられ、金属ケース４を密閉する。７
は発振素子２に直流バイアスをかけるための貫通コンデ
ンサ、８は発振出力を外部にとり出すための同軸コネク
タである。
を構成する金属カバーであり、ねじ６により金属ケース
４の開口部に取付けられ、金属ケース４を密閉する。７
は発振素子２に直流バイアスをかけるための貫通コンデ
ンサ、８は発振出力を外部にとり出すための同軸コネク
タである。
【００１１】そして、本実施例の特徴とする構成は、金
属ケース４と金属カバー５との間に、誘電体で形成した
薄肉板（以下、実施例において「誘電体フィルム」とい
う）９を介在したことである。これにより、金属ケース
４と金属カバー５との間は絶縁状態となるため、膨張等
の物理的変化にともなう電磁界的短絡状態の変化という
事態を生ぜず、よって高周波回路の品質を安定化でき
る。
属ケース４と金属カバー５との間に、誘電体で形成した
薄肉板（以下、実施例において「誘電体フィルム」とい
う）９を介在したことである。これにより、金属ケース
４と金属カバー５との間は絶縁状態となるため、膨張等
の物理的変化にともなう電磁界的短絡状態の変化という
事態を生ぜず、よって高周波回路の品質を安定化でき
る。
【００１２】ここで、金属ケース４と金属カバー５、お
よびその間に挟まれた誘電体フィルム９により、次のよ
うな容量成分Ｃが形成される。
よびその間に挟まれた誘電体フィルム９により、次のよ
うな容量成分Ｃが形成される。
【００１３】
【数１】
【００１４】ただし、εr は誘電体フィルム９の非誘電
率、ｄは誘電体フィルム９の厚さ、Ｓは誘電体フィルム
９と金属ケース４または金属カバー５との接触面積、ε
0 は真空の誘電率である。
率、ｄは誘電体フィルム９の厚さ、Ｓは誘電体フィルム
９と金属ケース４または金属カバー５との接触面積、ε
0 は真空の誘電率である。
【００１５】このように、誘電体を金属間に挟み込むこ
とで、容量Ｃが形成されるため、筐体内部の高周波成分
は容量Ｃにより終端され、外部への漏れを防止できる。
容量Ｃの大きさは、使用する誘電体フィルム９の比誘電
率や厚さによって変えることができるため、これらを任
意に選択することにより筐体内部の高周波成分と対応さ
せることができる。
とで、容量Ｃが形成されるため、筐体内部の高周波成分
は容量Ｃにより終端され、外部への漏れを防止できる。
容量Ｃの大きさは、使用する誘電体フィルム９の比誘電
率や厚さによって変えることができるため、これらを任
意に選択することにより筐体内部の高周波成分と対応さ
せることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は金属ケー
スと金属カバーとの間に誘電体で形成した薄肉板を介在
させることにより、両金属部材間の短絡状態をなくし、
温度上昇による膨張等の物理的変化があっても内部の高
周波回路に影響を及ぼすことなく、同回路の品質を安定
化することができる。
スと金属カバーとの間に誘電体で形成した薄肉板を介在
させることにより、両金属部材間の短絡状態をなくし、
温度上昇による膨張等の物理的変化があっても内部の高
周波回路に影響を及ぼすことなく、同回路の品質を安定
化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波回路用筐体を使用して高周波発
振器を構成した実施例を示すもので、同図（ａ）は正面
断面図、同図（ｂ）は金属カバーをはずした状態での平
面図である。
振器を構成した実施例を示すもので、同図（ａ）は正面
断面図、同図（ｂ）は金属カバーをはずした状態での平
面図である。
【図２】同図（ａ）は誘電体で形成した薄肉板の平面
図、同図（ｂ）は同じく正面断面図である。
図、同図（ｂ）は同じく正面断面図である。
【図３】発振器を構成する高周波回路用筐体の従来例を
示すものである。
示すものである。
１…膜回路基板 ２…発振素子 ３…誘電体共振器 ４…金属ケース ５…金属カバー ６…ねじ ７…貫通コンデンサ ８…同軸コネクタ ９…誘電体フィルム
【式１】
Claims (2)
- 【請求項１】 金属ケースと、この金属ケースの開口部
を閉塞する金属カバーとを備え、前記金属ケースの内部
に実装した高周波回路をシールドする高周波回路用筐体
において、 前記金属ケースと金属カバーとの間に、誘電体で形成し
た薄肉板を介在させることを特徴とした高周波回路用筐
体。 - 【請求項２】 前記誘電体で形成した薄肉板は、内部に
実装する高周波回路の周波数に応じて、比誘電率および
／または厚さを選択することを特徴とした請求項１記載
の高周波回路用筐体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41697290A JPH05304386A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 高周波回路用筐体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41697290A JPH05304386A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 高周波回路用筐体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304386A true JPH05304386A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=18525139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41697290A Pending JPH05304386A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 高周波回路用筐体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05304386A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0696078A1 (en) * | 1994-08-02 | 1996-02-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave oscillator and its manufacturing method |
| KR100445705B1 (ko) * | 1997-02-21 | 2004-10-28 | 삼성탈레스 주식회사 | 유전체공진발진기및유전체공진발진기케이스 |
| JP2008215236A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 車載用電動圧縮機 |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP41697290A patent/JPH05304386A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0696078A1 (en) * | 1994-08-02 | 1996-02-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave oscillator and its manufacturing method |
| US5661441A (en) * | 1994-08-02 | 1997-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric resonator oscillator and method of manufacturing the same |
| KR100445705B1 (ko) * | 1997-02-21 | 2004-10-28 | 삼성탈레스 주식회사 | 유전체공진발진기및유전체공진발진기케이스 |
| JP2008215236A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 車載用電動圧縮機 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE32527E (en) | FET microwave oscillator being frequency stabilized by capacitive reactance micro-strip stub line | |
| JPS645101A (en) | Tunable microwave filter equipped with dielectric resonator and application of the same | |
| US4079341A (en) | Microwave oscillator having feedback coupled through a dielectric resonator | |
| US4521746A (en) | Microwave oscillator with TM01δ dielectric resonator | |
| US5321374A (en) | Transverse electromagnetic mode resonator | |
| US4713632A (en) | Band reflection type FET dielectric resonator oscillator | |
| US4357582A (en) | Microstrip FET oscillator with dielectric resonator | |
| JPS5915304A (ja) | 同軸型誘電体共振器 | |
| US4325035A (en) | Oscillator using dielectric resonator | |
| JPH05304386A (ja) | 高周波回路用筐体 | |
| CA1133995A (en) | Filter for microwaves | |
| US4769620A (en) | Microwave oscillator with dielectric resonator | |
| US4570137A (en) | Lumped-mode resonator | |
| JPS62123801A (ja) | 同軸型フイルタ | |
| JP2000124737A (ja) | 表面実装用圧電発振器 | |
| JP2000165145A (ja) | 表面実装用の水晶発振器 | |
| US4214218A (en) | Impedance matched tuning device having image trapping circuit | |
| JP3096482B2 (ja) | 水晶発振器 | |
| JPS61242101A (ja) | 厚膜混成集積回路 | |
| JPH0342722Y2 (ja) | ||
| JPS6285502A (ja) | 誘電体フイルタ | |
| JPH01309501A (ja) | マイクロ波集積回路装置 | |
| JPS6134744Y2 (ja) | ||
| JPS59163840A (ja) | 半導体素子用容器 | |
| JP2003110317A (ja) | 空胴共振器を有する平面回路 |