JPS59171210A - モノリシツク型セラミツクレゾネ−タ - Google Patents
モノリシツク型セラミツクレゾネ−タInfo
- Publication number
- JPS59171210A JPS59171210A JP4520683A JP4520683A JPS59171210A JP S59171210 A JPS59171210 A JP S59171210A JP 4520683 A JP4520683 A JP 4520683A JP 4520683 A JP4520683 A JP 4520683A JP S59171210 A JPS59171210 A JP S59171210A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- vibrating part
- static capacitances
- static
- conductive pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、発振回路、を構成する場合に必要な振動子と
２個の静上容量とを同−圧電塁仮内に形成した比較１１
′ｊ高楯度（・、しかも取扱いの容易なモノリシック型
セラミックレゾネータに閏づ゛るものである。
２個の静上容量とを同−圧電塁仮内に形成した比較１１
′ｊ高楯度（・、しかも取扱いの容易なモノリシック型
セラミックレゾネータに閏づ゛るものである。
周知のように、マイクロプロセッリーヤ）各種デジタル
ＩＣ回路では、システムの動作のＪＡ ｉｆ。
ＩＣ回路では、システムの動作のＪＡ ｉｆ。
となるパルスを発生するクロックジェネレータを説け、
そのクロックパルスを血抜、或いは分周して各種タイミ
ングパルスとして使用する。
そのクロックパルスを血抜、或いは分周して各種タイミ
ングパルスとして使用する。
特に高１？５度で＾安定なタイミングパルスが要求され
る場合には、水晶振動子が使用されるが、高（＋Ｔｔ＋
であることもあって、さほど高精度である必要が無いよ
うな場合には圧電振動子が用いられることも多い。水晶
振動子の場合もそうであるが、従来の圧電振動子として
は二端子構造のしのが用いられでおり、そのため、発振
回路を！ｉ４ ＋！！２するに際して、振動子の池に２
個の外付け一コンーアンサを必要としていた。
る場合には、水晶振動子が使用されるが、高（＋Ｔｔ＋
であることもあって、さほど高精度である必要が無いよ
うな場合には圧電振動子が用いられることも多い。水晶
振動子の場合もそうであるが、従来の圧電振動子として
は二端子構造のしのが用いられでおり、そのため、発振
回路を！ｉ４ ＋！！２するに際して、振動子の池に２
個の外付け一コンーアンサを必要としていた。
この場合、圧電振動子は発振周波数の温度特性か悪いの
て、メーカー側で：ｊ各圧電振動子に合った温度特性を
有づるコンデン→ブを温麿補１ａ用コンデンザとし、こ
れらをセ・ントとして−１，−ザー側に供給し、・］−
−ザー側ではこれらを用いて発振回路を組立τることに
よつで、ｌ１ｌＸ！動了１１１体の温度特性とこれ＋５
のコンデ゛ンリの記鳴特１ｑとの相殺効果で周波数の温
度補償を行なっていた。し７かし、この様な構成−Ｃは
、部品点数が多り、Ｔ１−ザー側での組立てに要づる作
業Ｔ故等も多くなり、特定の刀ンータ゛ンサを使用しな
ｉｊればならないので取扱が順境であるし、まｊ、：メ
ーカー側にとっても、圧電振動子と２個の−Ｊコンデン
サセラ１〜として出前しなければならないので、八［電
振動子の温磨待・１（１に見合ったコンデンサの選別や
バッケージンク等、面倒な作業を必要としていた。
て、メーカー側で：ｊ各圧電振動子に合った温度特性を
有づるコンデン→ブを温麿補１ａ用コンデンザとし、こ
れらをセ・ントとして−１，−ザー側に供給し、・］−
−ザー側ではこれらを用いて発振回路を組立τることに
よつで、ｌ１ｌＸ！動了１１１体の温度特性とこれ＋５
のコンデ゛ンリの記鳴特１ｑとの相殺効果で周波数の温
度補償を行なっていた。し７かし、この様な構成−Ｃは
、部品点数が多り、Ｔ１−ザー側での組立てに要づる作
業Ｔ故等も多くなり、特定の刀ンータ゛ンサを使用しな
ｉｊればならないので取扱が順境であるし、まｊ、：メ
ーカー側にとっても、圧電振動子と２個の−Ｊコンデン
サセラ１〜として出前しなければならないので、八［電
振動子の温磨待・１（１に見合ったコンデンサの選別や
バッケージンク等、面倒な作業を必要としていた。
本発明の［１的Ｌｌ、発振回路を）育成する（５当って
心数な部品点数を少なくてき、比較的Ｉ５楯度の発振回
路を組むことがてき、取扱い並○・に＜ｎ立て作余を容
易化でき、Ｉ−かも、素子自体の製）青も容易−（量産
１１［に富むような全くｉハしいＲ’：茹のモノリシッ
ク型セラミックレゾネータを提供りることにある。
心数な部品点数を少なくてき、比較的Ｉ５楯度の発振回
路を組むことがてき、取扱い並○・に＜ｎ立て作余を容
易化でき、Ｉ−かも、素子自体の製）青も容易−（量産
１１［に富むような全くｉハしいＲ’：茹のモノリシッ
ク型セラミックレゾネータを提供りることにある。
この杵な［１的を達成することの【さる奉光１））］は
、同−圧電基１に内に、エネルギー閉込め型厚み縦振動
（！ｌする振動部と、圧′ｆＴＡ阜仮の厚みを利用した
２個の静電容量部とを形成し、−でれらを導１パターン
にＪ、−り結線した三端子型のモノリシック型セラミッ
クレゾネータである。
、同−圧電基１に内に、エネルギー閉込め型厚み縦振動
（！ｌする振動部と、圧′ｆＴＡ阜仮の厚みを利用した
２個の静電容量部とを形成し、−でれらを導１パターン
にＪ、−り結線した三端子型のモノリシック型セラミッ
クレゾネータである。
本発明はエネルギー閉込めヤｌみ縦振動をする振動部の
周波歎温１臭特性が、同じ圧電基板を誘セ（オ料として
用い厚み方向に相対向づる°電極によ−）−【−形成さ
れる静電容量の温吠特性と組合１且た時、逆のｔＭ ｔ
！Ｉ ＠有し、両者を組合せること（Ｃよって）品度補
償を有効に行なえるということ（，５着目し５、なされ
たしのである。
周波歎温１臭特性が、同じ圧電基板を誘セ（オ料として
用い厚み方向に相対向づる°電極によ−）−【−形成さ
れる静電容量の温吠特性と組合１且た時、逆のｔＭ ｔ
！Ｉ ＠有し、両者を組合せること（Ｃよって）品度補
償を有効に行なえるということ（，５着目し５、なされ
たしのである。
以下、図面に基づき本発明について説明する。
第１図は本発明の一実施例を承引説明図である。
同図に示されているように、一枚の圧電１「内に振動部
２及び２個の静電容量部３，４を形成する。振動部２は
、圧電基板１のほぼ中心位置で原み方向にて相対向する
如く配設された振動部電極からなイ質１−ネルギー閉込
め理論に基づく厚み縮振動了である。また、２個の静電
容量部３′Ｉ、４は、５１王？ｂ基板］の表裏面（こ相
対向づる如く、且つ、前記振動部電怜から離れた位置に
、換言でれば前記振動部電極からの合資エネルギーの影
響が殆んどなくなる個所（こ配設された１字型の容量部
電極によ）で作られる。、、なお、この実り１吋例で・
は、一方の面の容量都電（４工が外部１ノ一ド引出部を
ｊｆｊｌｎる（構成とな−）−Ｕいるため、こレラ（Ｊ
） ’ｉ２Ｆ ｆｎ ｇｌ’ｉ 電極１．１１．０：電
’ ｅ” ” ノ’ＩＴＩ ｉ 傍ＩＬ形成される。バ
電括仮月こ（ｔ、更（こ、共通リード引出部５が形成さ
１１ている。そし−にれらの電極等は導電パターンにに
り結線されて、三端子型どじでリード引出し可能とな・
つでいる。つまり一方の面にｊ−３いて、振動都電（つ
（と一方の容量部電極とが結１１公され、Ｊ、た他方の
容量部電位と共通り−１−Ｉ３１出部とか結１♀さｉ’
ｔたバクー″７形１＊である。従−＞ −（、ｌ−ｉ重
塁（な］の表面に形成・Ｊる導゛市へ・ターンと、裏面
（こ形成３する導電パターン・とは全く同一の形状であ
ってよい。第１図においで、実線は表面パターンを示し
、破線（−を裏面パターンを示している。ここ−ｊ二・
、裏面パターンが表面パターンよりもヤ）や小さく猫か
１七（（Ｘるが、こ旧よ導電パターンの形状を＋ｔ 解
できるよ−うにする１５：め−Ｃあって、前述の通り同
し大さ・さであってよい。＜−＜Ｊ、こｉら表裏の導電
〕〈ターンは、導電ペース１へのスクリーン印刷、ベー
ス１〜の焼付は等によって一挙に形成できることは従前
同様である。
２及び２個の静電容量部３，４を形成する。振動部２は
、圧電基板１のほぼ中心位置で原み方向にて相対向する
如く配設された振動部電極からなイ質１−ネルギー閉込
め理論に基づく厚み縮振動了である。また、２個の静電
容量部３′Ｉ、４は、５１王？ｂ基板］の表裏面（こ相
対向づる如く、且つ、前記振動部電怜から離れた位置に
、換言でれば前記振動部電極からの合資エネルギーの影
響が殆んどなくなる個所（こ配設された１字型の容量部
電極によ）で作られる。、、なお、この実り１吋例で・
は、一方の面の容量都電（４工が外部１ノ一ド引出部を
ｊｆｊｌｎる（構成とな−）−Ｕいるため、こレラ（Ｊ
） ’ｉ２Ｆ ｆｎ ｇｌ’ｉ 電極１．１１．０：電
’ ｅ” ” ノ’ＩＴＩ ｉ 傍ＩＬ形成される。バ
電括仮月こ（ｔ、更（こ、共通リード引出部５が形成さ
１１ている。そし−にれらの電極等は導電パターンにに
り結線されて、三端子型どじでリード引出し可能とな・
つでいる。つまり一方の面にｊ−３いて、振動都電（つ
（と一方の容量部電極とが結１１公され、Ｊ、た他方の
容量部電位と共通り−１−Ｉ３１出部とか結１♀さｉ’
ｔたバクー″７形１＊である。従−＞ −（、ｌ−ｉ重
塁（な］の表面に形成・Ｊる導゛市へ・ターンと、裏面
（こ形成３する導電パターン・とは全く同一の形状であ
ってよい。第１図においで、実線は表面パターンを示し
、破線（−を裏面パターンを示している。ここ−ｊ二・
、裏面パターンが表面パターンよりもヤ）や小さく猫か
１七（（Ｘるが、こ旧よ導電パターンの形状を＋ｔ 解
できるよ−うにする１５：め−Ｃあって、前述の通り同
し大さ・さであってよい。＜−＜Ｊ、こｉら表裏の導電
〕〈ターンは、導電ペース１へのスクリーン印刷、ベー
ス１〜の焼付は等によって一挙に形成できることは従前
同様である。
圧電基板１に（よ分極処理が施される４、これによって
県蛋ＩＪ部２のみイよらず静電容量部３．ｌｌも分極さ
４′ＩＣ圧電特冴を呈するようになるが、容量部電極面
上にＴ８１をのせることによって−での７−１呈効果に
より、この部分の圧電自由振動を抑えこむか、或い（、
ｉ、レー（］゛−や赤外線集中加熱等による熱消極処理
等を施すことによ＝ンＴ 、実質ｆｌ’９ Ｍ １１．
静爪′Ｓ吊としてのみ動くように出来る０）−，２何ら
不都合はない。本実施例の場合（こは、容量都電↑にを
外□部リード引出し用と（〕て用い、！ノードピンが半
田付けされるのて゛、特別の処理を施さなくて゛も半田
とリードビンの買置効果（こより圧電自由振動を抑える
ことがでさる。
県蛋ＩＪ部２のみイよらず静電容量部３．ｌｌも分極さ
４′ＩＣ圧電特冴を呈するようになるが、容量部電極面
上にＴ８１をのせることによって−での７−１呈効果に
より、この部分の圧電自由振動を抑えこむか、或い（、
ｉ、レー（］゛−や赤外線集中加熱等による熱消極処理
等を施すことによ＝ンＴ 、実質ｆｌ’９ Ｍ １１．
静爪′Ｓ吊としてのみ動くように出来る０）−，２何ら
不都合はない。本実施例の場合（こは、容量都電↑にを
外□部リード引出し用と（〕て用い、！ノードピンが半
田付けされるのて゛、特別の処理を施さなくて゛も半田
とリードビンの買置効果（こより圧電自由振動を抑える
ことがでさる。
この様なモノＪ、ｌシック望セラミックレゾネータ（ま
、例えば外部リード引出部を兼４ａる容量都′心１か並
びに共通リード引出部にそれぞれリードビンを取１」け
、圧電基板を樹脂モールド・Ｊるごどによ−）て最終製
品とづることかでさるｃ ’ｃＬ ＪＬ＋、共通リード
引出部を構成する表裏の導電部は、スルーホール（セラ
ミックに化合・聞（ブ、その孔壁（こ導電ペース１−を
塗イロづ−る）方式とするか、或いは挾み込み型のリー
ドフレームを使用して表裏の導電部を馳ｔ８するＪ、）
（こする。勿論、リードビンな゛して樹脂モールドゼず
に、チップ状態でハイブリッドＩＣ中などに組込むこと
も６丁能である。リードビン方式の場合には、１￥）１
図に示づ」；うにリード引出部を一辺に集める」、うな
４６Ｓ成どするのがよい。チップ部品を構成りるようン
了場合は、リード引出部を−）Ｕに集める必要はなく、
様々な配置が可能でφる。、また、）５１脂モールドす
る場合には、振動部２どｔｅｌ脂とが接触しないように
、即ち振動をＮ１芭°しない」、う（こ中空構造でモー
ルドするようにする。
、例えば外部リード引出部を兼４ａる容量都′心１か並
びに共通リード引出部にそれぞれリードビンを取１」け
、圧電基板を樹脂モールド・Ｊるごどによ−）て最終製
品とづることかでさるｃ ’ｃＬ ＪＬ＋、共通リード
引出部を構成する表裏の導電部は、スルーホール（セラ
ミックに化合・聞（ブ、その孔壁（こ導電ペース１−を
塗イロづ−る）方式とするか、或いは挾み込み型のリー
ドフレームを使用して表裏の導電部を馳ｔ８するＪ、）
（こする。勿論、リードビンな゛して樹脂モールドゼず
に、チップ状態でハイブリッドＩＣ中などに組込むこと
も６丁能である。リードビン方式の場合には、１￥）１
図に示づ」；うにリード引出部を一辺に集める」、うな
４６Ｓ成どするのがよい。チップ部品を構成りるようン
了場合は、リード引出部を−）Ｕに集める必要はなく、
様々な配置が可能でφる。、また、）５１脂モールドす
る場合には、振動部２どｔｅｌ脂とが接触しないように
、即ち振動をＮ１芭°しない」、う（こ中空構造でモー
ルドするようにする。
この様なモノリシック型セラミック）７ノゾネータは、
振動部と静電容量部とが既（、：内部、結線されている
ため、第２図のＪ、うな発振回路を構成Ｊ８場合、僅か
三点の接続で済む。鼎図において、符号６，７．８はそ
れぞれ第１図におけるリード引出端子の符号に対応する
。一つＪこり、第２図に示した通り、破線内が一つの部
品であるため、部品点数の少ない発振回路を（ト）成で
きることになる。
振動部と静電容量部とが既（、：内部、結線されている
ため、第２図のＪ、うな発振回路を構成Ｊ８場合、僅か
三点の接続で済む。鼎図において、符号６，７．８はそ
れぞれ第１図におけるリード引出端子の符号に対応する
。一つＪこり、第２図に示した通り、破線内が一つの部
品であるため、部品点数の少ない発振回路を（ト）成で
きることになる。
ところで、例えば、ＰＺＴ （チタン醸鎗−ジルコン酸
鉛）系セラミック圧電体を基板としたとき、エネルギー
閉込め型厚み縦振動する振動部を、それ単体で児たとき
の周波数温度特性は、第３図△にて示すように、温度か
高くなるにつれて周波数も高くなるようにずれるのに対
しで、同−祠料を厚み方向で対向づる容量部電極によっ
−Ｃ形成される静電容量の温度変化は、同図８に示すよ
うに、温゛度が高くなるほど容量が増大−づるというＩ
ｉ質を持つ。静電容′量の増大は発振周波数を低くする
方向へ作用りるので、結局両名は、発振回路を（１４成
したとき振動部単体の温度！ｌカ性と静電容量部の温度
特性が相殺りる効果を♀し、良好な周波数の温庶補濱を
行なうことができるのである。更に本発明の４、−）に
、厚み１（：１振動を行なう振動部と厚み方向ＩＴ相対
向するＨＨｔかによって形成される静電容量部との相合
せは、装造時にお（Ｊる厚みのはらつさを吸収τ゛さる
点ても赤めても一効である。つまり、圧ａＡ基（反が）
Ｗくなるど振手力部にお（）る介（辰周ン皮故は高い方
へずれ、これに対し静電容量は人さ・くなるｈ）＼−４
れる１、ｓ ＋ら、前記同様の理由て発振回路を構成し
たとさ′周波数か一定値に近づくように１′［用するか
らである。Ｊ、）１、容足部電（り：の電極面積を修ｌ
−することによつで、静電容量の１−リミングが可能で
あり、これらを、ｉ′、彷合すると温帆狛性が良好で゛
、且つ所定の発振１＋’ｊｌ ｉ＋ｉ−み（（こメジ喝
Ｍ ’Ｊ＋’Ｆ！ Ｖでさ一◇ｌノゾネータを１５］る
ことがてさと）の−（ある。
鉛）系セラミック圧電体を基板としたとき、エネルギー
閉込め型厚み縦振動する振動部を、それ単体で児たとき
の周波数温度特性は、第３図△にて示すように、温度か
高くなるにつれて周波数も高くなるようにずれるのに対
しで、同−祠料を厚み方向で対向づる容量部電極によっ
−Ｃ形成される静電容量の温度変化は、同図８に示すよ
うに、温゛度が高くなるほど容量が増大−づるというＩ
ｉ質を持つ。静電容′量の増大は発振周波数を低くする
方向へ作用りるので、結局両名は、発振回路を（１４成
したとき振動部単体の温度！ｌカ性と静電容量部の温度
特性が相殺りる効果を♀し、良好な周波数の温庶補濱を
行なうことができるのである。更に本発明の４、−）に
、厚み１（：１振動を行なう振動部と厚み方向ＩＴ相対
向するＨＨｔかによって形成される静電容量部との相合
せは、装造時にお（Ｊる厚みのはらつさを吸収τ゛さる
点ても赤めても一効である。つまり、圧ａＡ基（反が）
Ｗくなるど振手力部にお（）る介（辰周ン皮故は高い方
へずれ、これに対し静電容量は人さ・くなるｈ）＼−４
れる１、ｓ ＋ら、前記同様の理由て発振回路を構成し
たとさ′周波数か一定値に近づくように１′［用するか
らである。Ｊ、）１、容足部電（り：の電極面積を修ｌ
−することによつで、静電容量の１−リミングが可能で
あり、これらを、ｉ′、彷合すると温帆狛性が良好で゛
、且つ所定の発振１＋’ｊｌ ｉ＋ｉ−み（（こメジ喝
Ｍ ’Ｊ＋’Ｆ！ Ｖでさ一◇ｌノゾネータを１５］る
ことがてさと）の−（ある。
本発明は上記のように構成したモノリシック型セラミッ
クレゾネータであるので、発振回路を作製づる（、こ）
際して必要な部品点数を少なくし、比較的高情麿てｆ］
つ所望の発振周波数の発振回路を組むことがでさ、取１
及い並びに組立作業を容易化出来、しかもん子自体の製
造も容易ＣＩ危産＝ｌｌ１４に富む等、優れた効果を右
し、８種デジタル回路やマイクｌ」ブ［１セツサーのク
ロツクジエネしメータ等を形成りるどぎ甚だ有利である
。
クレゾネータであるので、発振回路を作製づる（、こ）
際して必要な部品点数を少なくし、比較的高情麿てｆ］
つ所望の発振周波数の発振回路を組むことがでさ、取１
及い並びに組立作業を容易化出来、しかもん子自体の製
造も容易ＣＩ危産＝ｌｌ１４に富む等、優れた効果を右
し、８種デジタル回路やマイクｌ」ブ［１セツサーのク
ロツクジエネしメータ等を形成りるどぎ甚だ有利である
。
第１図は本発明に係るモノリシック型ｌコニラミックレ
ゾネータの一実施例を示す説明図、第２図（ユぞれを用
いた発振回路の一例を示づ回路、第３図は本発明におけ
る振動部と静電容量部の：局度１４性を示−す説明図で
ある。 １・・・圧電基板、２・・・振動部、３．４・・・静電
容量部。
ゾネータの一実施例を示す説明図、第２図（ユぞれを用
いた発振回路の一例を示づ回路、第３図は本発明におけ
る振動部と静電容量部の：局度１４性を示−す説明図で
ある。 １・・・圧電基板、２・・・振動部、３．４・・・静電
容量部。
Claims (1)
- １、ｊｉｊ］−一圧電基（反の衷失に、土ネ、ルギー閉
じ込め型１ワみ縦振動をする振動部用の振動都電（かと
、該振動部電極から８１目′ｌだ位置に２個の静電容吊
部を形成するため、それぞ４・１厚み方向にで相幻向す
る容ｉｈ部電）ロメとを饅（Ｊ、各電極間を導電パター
ンにより結線し、３端子型としてリード引出し可能とし
たモノリシック型セラミックレゾネータ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4520683A JPS59171210A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | モノリシツク型セラミツクレゾネ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4520683A JPS59171210A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | モノリシツク型セラミツクレゾネ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171210A true JPS59171210A (ja) | 1984-09-27 |
Family
ID=12712790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4520683A Pending JPS59171210A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | モノリシツク型セラミツクレゾネ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171210A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63244916A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Murata Mfg Co Ltd | 回路素子 |
| JPH0429217U (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-09 |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP4520683A patent/JPS59171210A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63244916A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Murata Mfg Co Ltd | 回路素子 |
| JPH0429217U (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08242026A (ja) | 圧電振動子及びこれを具備する圧電振動子デバイス並びに該デバイスを具備する回路装置 | |
| JP2000269774A (ja) | 圧電振動素子及び圧電共振部品 | |
| JPS58119218A (ja) | 圧電振動装置 | |
| JPS59139708A (ja) | 圧電振動発振器 | |
| JPS59171210A (ja) | モノリシツク型セラミツクレゾネ−タ | |
| JP3248630B2 (ja) | 水晶片の直接接合方法ならびにその方法を用いてなる水晶振動子，水晶発振器および水晶フィルタ | |
| JP3288830B2 (ja) | 発振用集積回路 | |
| JPS6127221Y2 (ja) | ||
| JPS645366Y2 (ja) | ||
| JPH04216208A (ja) | 圧電共振子 | |
| JPH0441622Y2 (ja) | ||
| JPH07254839A (ja) | 水晶振動子 | |
| JPS59127413A (ja) | タンタル酸リチウム振動子 | |
| JPH0543526Y2 (ja) | ||
| JPH0238491Y2 (ja) | ||
| JPS63244916A (ja) | 回路素子 | |
| JPH0344451B2 (ja) | ||
| JPH0238492Y2 (ja) | ||
| JPS5824884A (ja) | 水晶時計 | |
| JPS5844658Y2 (ja) | ソウキヨウシンアツデンロハキ | |
| JPH03277008A (ja) | 容量内蔵型チップ発振子 | |
| JPH0141222Y2 (ja) | ||
| JPH03272214A (ja) | 水晶振動子及びこれを用いた水晶発振器 | |
| JPS643227Y2 (ja) | ||
| JPH0385913A (ja) | 多電極水晶振動子 |