JPS6055503B2 - 新規置換ベンズアミド,その製造法およびこれを有効成分とする鎮吐剤 - Google Patents

新規置換ベンズアミド,その製造法およびこれを有効成分とする鎮吐剤

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JPS6055503B2
JPS6055503B2 JP51067553A JP6755376A JPS6055503B2 JP S6055503 B2 JPS6055503 B2 JP S6055503B2 JP 51067553 A JP51067553 A JP 51067553A JP 6755376 A JP6755376 A JP 6755376A JP S6055503 B2 JPS6055503 B2 JP S6055503B2
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ジヤツク・アシエ
ジヤン・クロード・モニエ
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DECHUUDO SHIANTEIFUIIKU E IND DO RIRU DO FURANSU SOC
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、新規置換ベンズアミド、その第4級アンモ
ニウム塩、その酸化物、その薬理的に許容される酸付加
塩および右施性もしくは左施性光学異性体、ならびにそ
の製造法に関し、さらに本発明の置換ベンズアミド類を
有効成分とする医薬に関する。
この発明による置換ベンズアミド類は、 一般式 〔式中、Aは低級アルキル基、xは水素原子、ハロゲン
原子、低級アルキルスルホニル基、スルファモイル基ま
たはモノないしジ低級アルキルスルファモイル基、Yは
水素原子、ニトロ基またはアミノ基、Wは直鎖状もしく
は分枝状の低級アルキレン基、BはN 基にこでR1
は低級アルキル基、R2はヒドロキシ低級アルキル基を
意味する。
)、4−ヒドロキシ低級アルキル基−1−ピペラジニル
基または一般式 (ここでRはヒドロキシ低級アルキル基、低級アルカノ
イル基またはベンズヒドリロキシ低級アルキル基をそれ
ぞれ意味する。
)で示Δれるラセミ刑、六旌惜ム1.イ1fた書任乎蛍
異性の複素環基をそれぞれ意味する。
〕で示される置換ベンズアミド、その第4級アンモニウ
ム塩、その酸化物、その薬理的に許容される酸付加塩お
よびその右施性もしくは左施性光学異性体である。
この発明による置換ベンズアミドは、 一般式 〔式中、A,.XおよびYは前記と同意義、Dは水7酸
基または有機残基を意味する。
〕で示される化合物に、 一般式 〔式中、WおよびBは前記と同意義である。
〕)で示されるアミンまたはその反応性誘導体を反応さ
せて得られ、必要に応じてその第4級アンモニウム塩、
その酸化物またはその薬理的に許容される酸付加塩に導
かれる。この発明の化合物において、A..XおよびB
・(R1、R2およびR)における低級アルキル基とし
ては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルなどC
1〜5のアルキル基が例示され、Wの低級アルキレン基
としては−CH2CH2−、−CH2CH2CH2−、
−CH2CH(CH3)一、−CH2CH(CH3)C
H2−などの基が例示され、Rの低級アルカノイル基と
してはアセチル基、プロピオニル基などが例示される。
出発化合物(■)において、Dて表わされる有機残基は
、反応性酸誘導体を形成できる基であればよく、その例
としては、メチルエステル、エチルエステル、プロピル
エステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ペン
チルエステル、イソペンチルエステル等の低級アルキル
エステル類またはシアノメチルエステル、メトキシメチ
ルエステルもしくはN−ヒドロキシイミドエステルなど
の反応性エステル類または適宜置換された芳香族エステ
ル類;酸ハロゲン化物;酸ヒドラジド;酸アジド;対称
型酸無水物;例えば炭酸エステルもしくはハロホルムエ
ステルで形成せられる混合酸無水物;トリアゾリド、テ
トラゾリドもしくはィミダゾリドなどのアゾリド;酸イ
ソチオシアネート;ω一置換トリハロアセトフエノン類
:α一置換オキソベンゼンアセトニトリル;核置換ベン
ズアミド等が挙げられる。
もつともこの本発明は上記のものに限定されるものでは
ない。この発明の方法によれば、アミン(■)は、その
反応性誘導体(必要に応じて単離されていてもよい。
)の状態で反応に供されることが好ましい。例えば(a
)アミンと、塩化燐またはオキシ塩化燐またはジアルキ
ルクロロホスファイトまたはジアリルクロロホスファイ
トまたはオルトフェニレンクロロホスファイトまたはア
ルキルもしくはアリルジクロロホスファイトとの反応生
成物、(b)アミンのイソシアネート、(c)アミンの
対称型もしくは非対称型のスルファミド、(d)相当す
る対称型の尿素、(e)相当するエナミン類などが挙げ
られる。上記の反応性誘導体は、そのままで、または予
め単離した後、酸と反応される。この発明の方法はまた
、例えば四塩化珪素、無水燐酸、ジシクロヘキシルカル
ボジイミドのようなりルボジイミド、メトキシアセチレ
ンもしくはエトキシアセチレンなどのアルコキシアセチ
レンなどの縮合剤の存在下で遊離酸ど遊離アミンとを反
応させてもよい。
この発明のアミド化反応は、溶媒の存在下または不存在
下で行なわれる。
溶媒として使用される系は、アミド化反応に不活性なも
のであつて、例えばアルコール類、ポリオール類、ベン
ゼン、トルエン、ジオキサン、クロロホルム、またはジ
エチレングリコールジメチルエーテルなどが挙げられる
。又出発物質として使用するアミンの過剰量を溶媒とし
て使用することもできる。アミド化反応中は、反応混合
物を例えば上記溶媒の沸点に加熱するのが好ましい。ま
た、アミド化反応における反応温度は特に限定されるも
のではなく、反応剤、溶媒等によつて適宜選択される。
この発明によつて得られた化合物は、必要に応じて塩酸
、臭化水素酸、硫酸、燐酸、蓚酸、酢酸、酒石酸、クエ
ン酸、またはメタンスルホン酸等の薬理的に許容し得る
無機酸または有機酸と反応させて、酸付加塩に導かれる
また、この化合物は、必要に応じてハロゲン化アルキル
または硫酸アルキルと反応させて第4級アンモニウム塩
に導かれる。
さらに必要に応じて酸化物に導かれ、または、光学的に
分割されることもある。この発明の技術的特徴を例示す
るために、以下にこの発明の本発明を記載するが、本発
明はこれらの操作方法およびこれらが適用せられる用途
に限定されるものではない。
実施例1 N−(1−(2″−ヒドロキシエチル)−2−ピロリジ
ニルメチル)−2−メトキシー5−スルファモイルベン
ズアミド250m1フラスコに、2−メトキシー5−ス
ルファモイル安息香酸エチル48yと水17yと1−(
2−ヒドロキシエチル)−2−アミノメチルピロリジン
32fを導入する。
この混合物を、試料が希酢酸に完全に溶けるまで水浴上
で加熱する。この溶液を冷却して300m1の水て希釈
する。生成した結晶を吸引ろ過して取り出し、水洗し、
40℃で乾燥する。得た置換ベンズアミドを酢酸塩に変
え、次いで塩基を遊離して精製する。N−(1−(2″
−ヒドロキシエチル)−2−ピロリジニルメチル)−2
−メトキシー5−スルファモイルベンズアミド39yが
得られた(収率:59%、融点135〜136℃)。
実施例2 N−(1−(3″−ヒドロキシプロピル)−2ーピロリ
ジニルメチル)−2−メトキシー5−エチルスルホニル
ベンズアミド●塩酸塩250m1フラスコ中に、2−メ
トキシー5−エチルスルホニル安息香酸メチル38.8
f1水13.5m1、1−(3−ヒドロキシプロピル)
−2−アミノメチルピロリジン2&4fIを導入する。
この混合物を85〜90℃の温度で1叫間加熱する。蒸
発後、この)残渣を200m1のエタノールに溶解し、
この溶液をアルコール性塩酸でPHlの酸性にする。テ
トラヒドロフランを添加し、生成した結晶を枦取し、洗
浄し、乾燥室中50℃で乾燥する。アルコールからの再
結晶によつて、N−(1−(3″−ヒドロキシ)プロピ
ル)−2−ピロリジニルメチル)−2−メトキシー5−
エチルスルホニルベンズアミド●塩酸塩35Vが得られ
た(収率:55.5%、融点:184〜186VC)。
実施例3 N−(1″−アセチルー7−ピロリジニルメチル)−2
−メトキシー5−スルファモイルベンズアミド2−メト
キシー5−スルファモイル安息香酸エチル48yとN−
アセチルー2−アミノメチルピロリジン31.5yとを
前記と同様に反応させると、N一(1″−アセチルー7
−ピロリジニルメチル)一2−メトキシー5−スルファ
モイルベンズアミド34.5yが得られた(収率:52
.5%、融点:204℃)。
実施例4 N−(N″一エチルーN″−(7−ヒドロキシエチル)
アミノエチル)−2−メトキシー4−アミノー5−クロ
ロベンズアミド250m1フラスコに、2−メトキシー
4−アミノー5−クロロ安息香酸6.1yと、N−エチ
ルーN一2−ヒドロキシエチルエチレンジアミンとを導
入する。
この混合物を100℃に加熱し、次いで無水燐酸6.5
ダを添加する。この混合物を注意して110℃迄加熱し
、次いて温度を150〜160℃に急速に上げる。この
温度を半時間維持し、そして100℃に冷却後、100
m1の水を加える。各成分が完全に溶解した後、ソーダ
(炭酸ナトリウム)を加える。この混合物を冷却し、析
出物を枦取し、水で洗浄して乾燥する。N−(N″一エ
チルーN゛−(7−ヒドロキシエチル)アミノエチル)
−2−メトキシー4−アミノー5−クロロベンズアミド
6.6yが得られた(収率:69.8%、融点:111
〜117C)。
実施例5N−(1−(7−ベンズヒドリロキシエチル)
一2−ピロリジニルメチル)−2−メトキシー5−スル
ファモイルベンズアミド41フラスコに、1−(7−ベ
ンズヒドリロキシエチル)−2−アミノメチルピロリジ
ン99ySと、メチルエチルケトン500m1を導入す
る。
この混合物を15℃に冷却し、2−メトキシー5−スル
ファモイルベンゾイルクロライド80fとメチルエチル
ケトン1500wLtとの溶液を添加する。この混合物
を室温で2時間攪拌する。生成した析出物を枦グ取し、
少量のメチルエチルケトンで洗浄し、乾燥する。得た塩
酸塩を高温のうちにアンモニアでアルカリ性にし、生成
物を冷却によつて結晶化させる。この結晶を炉取し、洗
浄し、乾燥室中50Cで乾燥する。エタノールがら再結
晶させ、カーボン・ブラックで淵過し、乾燥してN−(
1一(7−ベンズヒドリロキシエチル)−2−ピロリジ
ニルメチル)−2−メトキシー5−スルファモイルベン
ズアミド88yを得た(収率:52.6%、融点:12
4℃)。実施例6 1−(2゛−メトキシー4″−ニトロベンズアミドプロ
ピル)−4−ヒドロキシエチルピペラジン1eフラスコ
に、1−(2′−ヒドロキシエチル)−4−(3″−ア
ミノプロピル)ピペラジン45fとクロロホルム180
m1を導入する。
2−メトキシー4−ニトロベンゾイルクロライド51V
の溶液を5〜10℃の温度でこの混合物へ注入する。
注入7の最後でこの混合物を室温に導き、ついで1時間
から1時間1紛の間40〜45℃で加熱する。水を加え
て、クロロホルムを蒸発させる。カーボン・ブラックを
使つて、得た溶液をろ過し、炭酸カリウム50yを加え
てベンズアミド塩基を析出させる。・傾瀉させた後、生
成物を塩化メチルに溶解し、そして水溶液を塩化メチレ
ンて抽出する。有機相を炭酸カリウムで乾燥し、次いで
塩化メチレンを減圧で蒸溜する。
塩酸塩を形成し、さらにアンモニアで処理して、油状の
ベンズアミドを精製する。1−(2″−メトキシー4″
−ニトロベンズアミドプロピル)−4−ヒドロキシエチ
ルピペラジン59yが油状物で得られた(収率:67.
2%)。
非水溶液媒体での過塩素酸による定量分析の結果、純度
97.8%であつた。実施例7 N−(1−(7−ヒドロキシエチル)−2−ピロリジニ
ルメチル)−2−メトキシー5−エチルスルホニルベン
ズアミド●塩酸塩500m1のフラスコに、1−(2−
ヒドロキシエチル)−2−アミノメチルピロリジン39
yとメチルエチルケトン250m1を導入し、温度を5
〜10に維持しながら2−メトキシー5−エチルスルホ
ニルベンゾイルクロライド70gを添加する。
一晩中攪拌した後、結晶生成物を吸引沖過により取り出
し、メチルエチルケトンで洗浄して45℃で乾燥する。
粗生成物を95℃で、200m1のアルコール中で再結
晶する。N−(1−(7−ヒドロキシエチル)−2−ピ
ロリジニルメチル)−2−メトキシコ一5−エチルスル
ホニルベンズアミド●塩酸塩73fが得られた(収率:
66.5%、融点:175〜178℃)。
実施例8 N−(N″一エチルーN″−(7−ヒドロキシエチル)
−アミノエチル)−2−メトキシー5−スルファモイル
ベンズアミド250m1フラスコに、2−メトキシー5
−スルファモイル安息香酸エチル78fと水27m1と
N−エチルーN−ヒドロキシエチルエチレンジアミン5
.1yを導入する。
この混合物を水浴上で1m間加熱する。この溶液を希釈
し、次いでベンズアミド塩基を結晶化させる。塩酸塩を
形成し、塩基をアンモニアで再沈澱させて、ベンズアミ
ド塩基の結晶を精製する。得た結晶を吸引枦過して取り
出し、全ての塩化物イオンを除去するまで水洗し、乾燥
室中40℃で乾燥する。N−(N″一エチルーN″−(
2″−ヒドロキシエチル)アミノエチル)一(2一メト
キシー5−スルファモイルベンズアミド66vが得られ
た(収率:64%、融点:149〜150℃)。実施例
9N−(1−(3″−ヒドロキシプロピル)−2ーピロ
リジニルメチル)−2−メトキシー5−スルファモイル
ベンズアミド●塩酸塩250m1フラスコに、2−メト
キシー5−スルファモイル安息香酸エチル38.9yと
水13.5m1.(5N一1−(3″−ヒドロキシプロ
ピル)−2−アミノメチルピロリジン28.4yとを導
入する。
この混合物を80℃で10時間加熱する。冷却後、ベン
ゼン100m1を加えて溶媒を溜去する。そしてこの混
合物を冷却して、水500m1を加える。生成した結晶
を炉取し、水で洗浄して、乾燥室中50℃で乾燥する。
N−(1−(3″−ヒドロキシプロピル)−2−ピロリ
ジニルメチル)−2−メトキシー5−スルファモイルベ
ンズアミド40クが得られた(収率:72%)。ベンズ
アミドを無水アルコールに溶解し、濃度25%のエタノ
ール性塩酸で処理して、塩酸塩に変える。得られた固体
をメタノールで再結晶させる。N−(1−(3′−ヒド
ロキシプロピル)−2−ピロリジニルメチル)−2−メ
トキシー5ースルファモイルベンズアミド・塩酸塩38
yが得られた(収率:62.2%、融点:226〜22
CfC)。実施例101−(7−メトキシー4゛−アミ
ノーベンズアミドプロピル)−4−ヒドロキシエチルピ
ペラジン・2燐酸塩250m1フラスコに、2−メトキ
シー4−アミノ安息香酸2.8fと1−(7−ヒドロキ
シエチル)一4−(3″−アミノプロピル)ピペラジン
3.4yとピリジン60m1を導入し、四塩化珪素2.
3yを滴下する。
この混合物を還流温度で3時間加熱する。ピリジンを減
圧で溜去する。水30m1を加え、次いでPHが1にな
るまで塩酸を加える。この混合物を沸点まで加熱し、P
Hが常に酸性になつていることをチェックした後、p過
して、アンモニアを高温のうちに添加する。冷却後、沈
澱液体が傾瀉する。1−(7−メトキシー4″−アミノ
ベンズアミドプロピル)−4−ヒドロキシエチルビペラ
ジン3.9yが得られた(収率:69.6%)。
非水溶液媒体での定量分析による純度は97.5%であ
つた。得た塩基をアルコールに溶解し、次いで燐酸で燐
酸塩に変える。得た燐酸塩は3モルの水で結晶する2燐
酸塩である。1−(7−メトキシー4―アミノベンズア
ミドプロピル)−4−ヒドロキシエチルピペラジン・2
燐酸塩3.2yを得た(融点:144〜1452C)。
この発明のベンズアミドは、価値ある治療活性、特に鎮
吐剤としての活性を有する。
その毒性は極めて低いので、副作用を生じる危険もなく
、人間の治療に使用できる。この発明の生成物の急性毒
性を、ネズミにおいて非経口投与(静脈注射又は、腹膜
内注射)により測定した。
ベーレンス●ケルベル(BehrensandKarl
)Er)法により計算したLD5。値を以下の表1に示
す。アポモルフィンを打ち消す作用を有するこの発明の
生成物の鎮吐作用を、デユクロ(DucrOt)および
ドウクール(DecOurt)によつて開発せら。
れたチヤン●エンゾール(ChenandEnsOr)
法により犬において研究した。得た結果をクールヴオア
ジエ(COurvOisier)によつて得られたフェ
ノチアジン(プロク山レペラジン)の場合の結果、およ
びシヤレツク(Schallek)によつて得られたト
リメトベンズアミドの場合の結果と比べて、次の表2に
示した。
クロルプロマジンを標準物質として、皮下投与により作
用指数を計算した。これらの結果により本発明の化合物
が、鎮吐剤としてフェノチアジン(プロクロルペラジン
)およびトリメトベンズアミドより著しく効果があるこ
とが証明された。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Aは低級アルキル基、Xは水素原子、ハロゲン
    原子、低級アルキルスルホニル基、スルファモイル基ま
    たはモノないしジ低級アルキルスルファモイル基、Yは
    水素原子、ニトロ基またはアミノ基、Wは直鎖状もしく
    は分枝状の低級アルキレン基、Bは▲数式、化学式、表
    等があります▼基(ここでR_1は低級アルキル基、R
    _2はヒドロキシ低級アルキル基を意味する。 )、4−ヒドロキシ低級アルキル−1−ピペラジニル基
    または一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでRはヒドロキシ低級アルキル基、低級アルカノ
    イル基またはベンズヒドリロキシ低級アルキル基をそれ
    ぞれ意味する。 )で示されるラセミ型、右施性もしくは左施性光学異性
    の複素環基をそれぞれ意味する。〕で示される置換ベン
    ズアミド、その第4級アンモニウム塩、その酸化物、そ
    の薬理的に許容される酸付加塩およびその右施性もしく
    は左施性光学異性体。 2 N−(1−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリ
    ジニルメチル)−2−メトキシ−5−スルファモイルベ
    ンズアミドである特許請求の範囲第1項記載の化合物。 3 N−(1−(3′−ヒドロキシプロピル)−2−ピ
    ロリジニルメチル)−2−メトキシ−5−エチルスルホ
    ニルベンズアミド・塩酸塩である特許請求の範囲第1項
    記載の化合物。4 N−(1′−アセチル−2′−ピロ
    リジニルメチル)−2−メトキシ−5−スルファモイル
    ベンズアミドである特許請求の範囲第1項記載の化合物
    。 5 N−(N′−エチル−N′−(2′−ヒドロキシエ
    チル)−アミノエチル)−2−メトキシ−4−アミノ−
    5−クロロベンズアミドである特許請求の範囲第1項記
    載の化合物。 6 N−(1−(2′−ベンズヒドリロキシエチル)−
    2−ピロリジニルメチル)−2−メトキシ−5−スルフ
    ァモイルベンズアミドである特許請求の範囲第1項記載
    の化合物。 7 1−(2′−メトキシ−4′−ニトロベンズアミド
    プロピル)−4−ヒドロキシエチルピペラジンである特
    許請求の範囲第1項記載の化合物。 8 N−(1−(2′−ヒドロキシエチル)−2−ピロ
    リジニルメチル)−2−メトキシ−5−エチルスルホニ
    ルベンズアミド・塩酸塩である特許請求の範囲第1項記
    載の化合物。 9 N−(N′−エチル−N′−(2′−ヒドロキシエ
    チル)アミノエチル)−2−メトキシ−5−スルファモ
    イルベンズアミドである特許請求の範囲第1項記載の化
    合物。 10 N−(1−(3′−ヒドロキシプロピル)−2−
    ピロリジニルメチル)−2−メトキシ−5−スルファモ
    イルベンズアミド・塩酸塩である特許請求の範囲第1項
    記載の化合物。 11 1−(2′−メトキシ−4′−アミノベンズアミ
    ドプロピル)−4−ヒドロキシエチルピペラジンである
    特許請求の範囲第1項記載の化合物。 12 1−(2′−メトキシ−4′−アミノベンズアミ
    ドプロピル)−4−ヒドロキシエチルピペラジン・2燐
    酸塩である特許請求の範囲第1項記載の化合物。 13 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Aは低級アルキル基、Xは水素原子、ハロゲン
    原子、低級アルキルスルホニル基、スルファモイル基ま
    たはモノないしジ低級アルキルスルファモイル基、Yは
    水素原子、ニトロ基またはアミノ基、Dは水酸基または
    有機残基をそれぞれ意味する。 〕で示される化合物に、 一般式 H_2N−W−B 〔式中、Wは直鎖状もしくは分枝状の低級アルキレン基
    、Bは▲数式、化学式、表等があります▼基(ここでR
    _1は低級アルキル基、R_2はヒドロキシ低級アルキ
    ル基をそれぞれ意味する。 )、4−ヒドロキシ低級アルキル−1−ピペラジニル基
    または一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでRはヒドロキシ低級アルキル基、低級アルカノ
    イル基またはベンズヒドリロキシ低級アルキル基をそれ
    ぞれ意味する。 )で示されるラセミ型、右施性もしくは左施性光学異性
    の複数環基をそれぞれ意味する。〕で示されるアミンま
    たはその反応性誘導体を反応させて、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、A、X、Y、W、Bはそれぞれ前記と同じ意味
    である。 〕で示される置換ベンズアミドを得、必要に応じてこれ
    をその第4級アンモニウム塩、その酸化物またはその薬
    理的に許容される酸付加塩に導くことを特徴とする置換
    ベンズアミド類の製造法。 14 N−(1−(2′−ヒドロキシエチル)−2−ピ
    ロリジニルメチル)−2−メトキシ−5−スルファモイ
    ルベンズアミドを合成するための特許請求の範囲第13
    項記載の製造法。 15 N−(1−(3′−ヒドロキシプロピル)−2−
    ピロリジニルメチル)−2−メトキシ−5−エチルスル
    ホニルベンズアミド・塩酸塩を合成するための特許請求
    の範囲第13項記載の製造法。 16 N−(1′−アセチル−2′−ピロリジニルメチ
    ル)−2−メトキシ−5−スルファモイルベンズアミド
    を合成するための特許請求の範囲第13項記載の製造法
    。 17 N−(N′−エチル−N′−(2′−ヒドロキシ
    エチル)−アミノエチル)−2−メトキシ−4−アミノ
    −5−クロロベンズアミドを合成するための特許請求の
    範囲第13項記載の製造法。 18 N−(1−2′−ベンズヒドリロキシエチル)−
    2−ピロリジニルメチル)−2−メトキシ−5−スルフ
    ァモイルベンズアミドを合成するための特許請求の範囲
    第13項記載の製造法。 19 1−(2′−メトキシ−4′−ニトロベンズアミ
    ドプロピル)−4−ヒドロキシエチルピペラジンを合成
    するための特許請求の範囲第13項記載の製造法。 20 N−(1−(2′−ヒドロキシエチル)−2−ピ
    ロリジニルメチル)−2−メトキシ−5−エチルスルホ
    ニルベンズアミド・塩酸塩を合成するための特許請求の
    範囲第13項記載の製造法。 21 N−(N′−エチル−N′−(2′−ヒドロキシ
    エチル)アミノエチル)−2−メトキシ−5−スルファ
    モイルベンズアミドを合成するための特許請求の範囲第
    13項記載の製造法。 22 N−(1−(3′−ヒドロキシプロピル)−2−
    ピロリジニルメチル)−2−メトキシ−5−スルファモ
    イルベンズアミド・塩酸塩を合成するための特許請求の
    範囲第13項記載の製造法。 23 1−(2′−メトキシ−4′−アミノベンズアミ
    ドプロピル)−4−ヒドロキシエチルピペラジンを合成
    するための特許請求の範囲第13項記載の製造法。 24 1−(2′−メトキシ−4′−アミノベンズアミ
    ドプロピル)−4−ヒドロキシエチルピペラジン・2燐
    酸塩を合成するための特許請求の範囲第13項記載の製
    造法。 25 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Aは低級アルキル基、Xは水素原子、ハロゲン
    原子、低級アルキルスルホニル基、スルファモイル基ま
    たはモノないしジ低級アルキルスルファモイル基、Yは
    水素原子、ニトロ基またはアミノ基、Wは直鎖状もしく
    は分枝状の低級アルキレン基、Bは▲数式、化学式、表
    等があります▼基(ここでR_1は低級アルキル基、R
    _2はヒドロキシ低級アルキル基を意味する。 )、4−ヒドロキシ低級アルキル−1−ピペラジニル基
    または一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでRはヒドロキシ低級アルキル基、低級アルカノ
    イル基またはベンズヒドリロキシ低級アルキル基をそれ
    ぞれ意味する。 )で示されるラセミ型、右施性もしくは左施性光学異性
    の複素環基をそれぞれ意味する。〕で示される置換ベン
    ズアミド、その第4級アンモニウム塩、その酸化物、そ
    の薬理的に許容される酸付加塩およびその右施性もしく
    は左施性光学異性体を有効成分とする鎮吐剤。 26 薬理的に許容される担体と組合わされてなる特許
    請求の範囲第25項記載の鎮吐剤。
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