JPS605549A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JPS605549A
JPS605549A JP11279183A JP11279183A JPS605549A JP S605549 A JPS605549 A JP S605549A JP 11279183 A JP11279183 A JP 11279183A JP 11279183 A JP11279183 A JP 11279183A JP S605549 A JPS605549 A JP S605549A
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JP
Japan
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frame
bed
chip
pins
resin
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JP11279183A
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English (en)
Inventor
Toshio Arai
俊夫 荒井
Kenji Murakami
賢二 村上
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPS605549A publication Critical patent/JPS605549A/ja
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法(二関する
もので、特にリードフレーム樹脂封止を施して形成する
半導体装置の製造(二おいて、スクリーニング中の各半
導体チップのベッドが同−屯位(=なることを防止し製
造能率を向上する。
〔発明の技術的背景〕
樹脂封止型半導体装置の製造(−用いられるリードフレ
ームは一般に第1図(ニ一部が示されるよう(二、1つ
のリードフレーム内(二複数のICのフレーム部(1)
が連接して形成され、フレーム部(1)にはこれから内
方へ延びる複数の電、愼尋出リード(2) 、 (2)
・・・と、これら電極導出リードの先端(二取囲葦れて
チップベッド(3)がフレームの1対の対回辺(二接間
したベッド吊りビン(4) 、 (4) l=よって定
位(−配置されてお夛、□ここに第2図(二示すように
半導体チップ(5)がダイボンディングされ、このチッ
プのrM、他は上記電極導出リードの先端にボンディン
グワイヤ(6)、 (6)・・・でワイヤボンディング
される。ついで、樹脂モールド封止を施し第3図(=示
すようにモールド体(7)に形成したのち、電極導出リ
ードを所定の長さに残してフレームのタイバ一部ととも
に切除する。
次に、叙上のリード切断(二より各リードは相互の電気
的短絡が解除されるので、スクリーニングを施す。なお
、この状態においてモールド体(力はベッド吊シピン(
4)、(4)でフレーム部(1)に接続されているので
、リードフレームに連接されている複数のモールド体に
つき各々の′電極導出リードによってスクリーニングが
可能である。
次いでヘッド吊υピン(4) 、 (4)を切除して第
4図に示すよう(二手導体装置が形成される。
〔背景技術の問題点〕
叙上の従来の技術(二よれば、スクリーニングのとき、
各モールド体(半導体装置)はそのチップがポンディン
グされているチップベッドが夫々のベッド吊シビンでフ
レーム部に接続固定されている。この状態はスクリーニ
ングにあたって、その装置に装入するのに能率が良いが
、スクリーニングの測定シーは大きな問題点がある。す
なわち、スクリーニング装置への装入(二はl連になっ
ているため自iIh装入が容易である上(二、リード曲
がシの発生もなく、リード部にチップベッド(一対応さ
せて設けられている送シ孔(la) 、 (la)・・
・(第1図ないし第3図(二よシ、順次スクリーニング
装置の測定ヘッドに送ることができる利点がある。しか
し、リードフレーム内の複数のチップベッドはベッド吊
pビンでフレーム部に接続されているため、すべてが同
一゛4位でおる。そこで、チップ内部で屯圧葡発生させ
基板バイアスを行なうチップのスクリーニングで、異常
な基板バイアス磁圧の発生する不良素子が入っていた場
合、そのリードフレーム内(=ある他のチップの基板バ
イアス磁圧も不良素子の影響を受け正常にスクリーニン
グされない場合を生ずる。そして、このようなものが市
場での初期不良品として指摘される事故がしばしば生ず
るという重大な問題がある。
〔発明の目的〕
この発明は樹脂封止型半導体装置の製造における従来の
問題点を改良するもので、スクリーニング時にモールド
体がフレーム部(二固定させるとともに、チップベッド
をフレーム部)二電気的に非導通(ニして施すことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。
〔発明の概要〕
この発明の便脂封止型半導体装置の製造方法はリードフ
レームによって淘成されるものであって、フレーム部と
、フレーム部に接続した電極導出リードと、フレーム部
(二接続し半導体チップが配設されるチップベッドをフ
レーム部に対し定位に接続するベッド吊シビンと、リー
ドフレーム(二樹脂モールド封止を施して形成されるモ
ールド体に一部を封入してフレーム部に接続支持するモ
ールド体支持ピンとを備えたリードフレームを用意し、
そのチップベッド(二手導体チップを4!Hし、さらに
そのチップの電極を電極4シ出リードに夫々接続し、前
記支持ピンの一部を刺入する樹脂モールド封止を施した
のちベッド吊シピンを切除し、半導体チップのスクリー
ニングを施してから支持ピンを切除することを特徴とす
る。
〔発明の実施例〕
次にこの発明を1実施例につき図面を参照して詳細(二
説明する。
なお、この発明で用いられるリードフレーム、製造工程
で従来の夫々と変らない部分の説明(二ついては図面シ
ニ従来と同じ符号をもって示し説明を省略、ないしは概
略(二とどめ、相違点(二つき峰、ホする。
まず、第5図に1実施例のリードフレームの一部を示す
。図(二おいて、圓、Qυはベッド吊シビンで、従来の
ベッド吊りピン(J 、 (4) iニルしモールド施
行後にモールド体を支持する必要がなく、モールド封止
までの間(ニテッグベノドを定位し、スクリーニング時
シニはモールド体は支持ピンによって定位(=支持され
ている。
また、uLuZ・・・は支持ピンで、図示のよう一ニベ
ッド吊9ピンμυ* ul)の両1i11 (二平行(
二フレーム部から内方(′ニー突出し、その先端はモー
ルド体(二内封される位置ζ二ある。また、図示の支持
ピンの先端はベッド吊シビン(二対する平行部分と直角
方向(二拡が9T字型をなして形成されてお夕、封着強
度の向上(=効果がある。
次に、第6図(二示すよう4二、チップベッド(3)を
二手導体チップ(5)を取着けし、その@極を゛電極導
出リード(2)、(2)にボンディングワイヤ(6) 
、 (6)・・・でワイヤボンディングを施す。
さら(二、所要の樹脂モールド封止を施し、第7図に示
すようにモールド体(力を形成したのち、第8図(二示
すよう(=ベッド吊りビン法υ、Q1)をモールド体の
側縁で、また、電極導出リード<2) 、 L2)・・
・をモールド体から所定の距離で夫々切断する。図のシ
珍、シυはベッド吊シビン(二対する切断位置、l、!
L(2′4・・・は電極導出リードに対する切断位置を
夫々示す。
ついでスクリーニングを施したのち、支持ビン(13,
13・・・に対し切断を施し第9図に示される樹脂封止
型半導体装置が得られる。
なお、上記リードフレームに対する切断(二は、第10
図(二示されるように、ベッド吊りビン切断時(二支持
ピンにダメージを生じないよう(ニするためを切断する
ためのプレス金型124)124)が夫々用いられる。
次(二、この発明のリードフレームにおけるベッド吊シ
ピンと支持ビンは第11図に示すよう(二、ベッド吊シ
ビンC14)、(14)を従来とほぼ同型に、すなわち
、7レ一ム部への接続部近傍にて分岐させて形成し、そ
の間(=支持ピンu:1.(13を配置させてもよい。
〔発明の効果〕
この発EJI(二よれば、スクリーニング時(二ベッド
吊シヒンがフレーム部と切断されているので半導体素子
内で基板バイアス電圧を発生させるものにおいても正常
なスクリーニングを行なうことができ、かつ、スクリー
ニング時(−モールド体が支持ビンで強固4二施されて
いるので、不所望域二脚曲がシを生じない。
次(−は一方のフレーム部から内側へ突出した2つの支
持ビン間の間隔を従来のベッド吊シビンの分岐部の間隔
に等しく形成すること(二よって、これらのビンのカッ
ト用金型と共用できる利点がおる。また、第10図(二
示した実施例(二ついても同様であり、実施が容易で廉
価(二達成できる利点もある。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第4図は従来の半導体装置の製造方法を工
程順(=示す第1図ないし第4図(a)はいずれも正面
図、第4図(1))は同図1a)の矢印方向から視た側
面図、第5図ないし第9図は1実施例の半導体装置の製
造方法を工程順(二示す第5図ないし第9図(a)はい
ずれも正面図、第9図tb)は同図ta)の矢印方向か
ら視た側面図、第10図は第8図をさら(=説明するた
めの正面図、第11図は別の1実施例(二かかるフレー
ム部を示す正面図である。 1 フレーム部 2 電極専用リード 3 チップベッド 5 半導体チップ 6 ボンディングワイヤ 7 モールド体 11、11・・・14.14・・・ ベッド吊シピン1
2、12・・・13.13・・・ 支持ピン代理人 弁
理士 井 上 −男 第 1 図 第 2 図 第 3 図 / l(1/ /σ 第 4 図 (σ) 目 ◇ tZ /ll If: 第 6 図 第 7 図 /l 第 8 図 第 9 間 第10図 第目図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームによって4み成される半導体装置の製造
    において、フレーム部と、フレーム部(二接間した電極
    導出リードと、フレーム部(二接間し半導体チップが配
    設されるチップベッドをフレーム部に対し定位(二接間
    するベッド吊りビンと、リードフレーム(:樹脂モール
    ド封止を施して形成されるモールド体(ニ一部を封入し
    てフレーム部に接続支持するモールド体支持ビンとを備
    えたリードフレームを用意し、そのチップベッドに半導
    体チップを取着し、さら(二そのチップの電極を゛電極
    導出リードに夫々接続し、前記支持ビンの一部を封入す
    る樹脂モールド封止金施したのちベッド吊シピンを切除
    し、半導体チップのスクリーニングを施してから支持ビ
    ンを切除することを特徴とする樹脂封止現半導体装置の
    製造方法。
JP11279183A 1983-06-24 1983-06-24 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPS605549A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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