JPS6054671B2 - 露光用マスク - Google Patents
露光用マスクInfo
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- JPS6054671B2 JPS6054671B2 JP54009257A JP925779A JPS6054671B2 JP S6054671 B2 JPS6054671 B2 JP S6054671B2 JP 54009257 A JP54009257 A JP 54009257A JP 925779 A JP925779 A JP 925779A JP S6054671 B2 JPS6054671 B2 JP S6054671B2
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- film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は露光用マスク、特にＸ線による露光を行なうマ
スクの基体材料に関するものである。
スクの基体材料に関するものである。
従来、Ｘ線露光用マスクの基体材料としては、波長１０
八あるいはそれ以下程度の硬Ｘ線露光に適するものとし
て３μｍ程度の厚さのＳｉ）Ｓｉ。Ｎ。、ＳｉＯ２膜あ
るいはＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ。等からなる複合膜が用いら
れ、波長１００Ａ−ＩＯＡ程度の比較的軟Ｘ線による露
光に適するものとしてはポリイミド、パリレンーＮ（商
品名）等の有機高分子材料あるいはマイカ等が用いられ
てきた。ところが、前述のＳｉ、、Ｓｉ０。
八あるいはそれ以下程度の硬Ｘ線露光に適するものとし
て３μｍ程度の厚さのＳｉ）Ｓｉ。Ｎ。、ＳｉＯ２膜あ
るいはＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ。等からなる複合膜が用いら
れ、波長１００Ａ−ＩＯＡ程度の比較的軟Ｘ線による露
光に適するものとしてはポリイミド、パリレンーＮ（商
品名）等の有機高分子材料あるいはマイカ等が用いられ
てきた。ところが、前述のＳｉ、、Ｓｉ０。
、Ｓｉ。Ｎ。等のＳｉを主体とした化合物は必すしもＸ
線に対して良好な透過性を有しておらす、マスク基体を
極めて薄くしなければならないため、破損しやすい欠点
を有していた。また、有機高分子材料を基体材料として
用いた場合には、Ｘ線透過性は良好である反面、熱膨張
係数がＳｉウェハと大きく異なつているためにパターン
の目合わせ不良を生じやすく、しかもエッチング液等の
薬剤による処理で変形をうけやすい欠点も有していた。
本発明は上述の如き従来技術の欠点を克服する目的でな
されたもので、本発明のマスクは、その基体材料として
窒化硼素（ＢＮ）および炭化硼素（Ｂ、Ｃ）の少なくと
も一方を用いたことを特徴とするものである。
線に対して良好な透過性を有しておらす、マスク基体を
極めて薄くしなければならないため、破損しやすい欠点
を有していた。また、有機高分子材料を基体材料として
用いた場合には、Ｘ線透過性は良好である反面、熱膨張
係数がＳｉウェハと大きく異なつているためにパターン
の目合わせ不良を生じやすく、しかもエッチング液等の
薬剤による処理で変形をうけやすい欠点も有していた。
本発明は上述の如き従来技術の欠点を克服する目的でな
されたもので、本発明のマスクは、その基体材料として
窒化硼素（ＢＮ）および炭化硼素（Ｂ、Ｃ）の少なくと
も一方を用いたことを特徴とするものである。
一般に、Ｘ線の透過率は原子番号の小さい材料ほど高い
。
。
その代表例としてベリリウム（Ｂｅ）があるが、Ｂｅは
毒性を有している上に光学的には不透明であるためマス
ク基体材料としては不向きである。本発明は上翫旧ｅに
最も近い原子番号を有する硼素（Ｂ）と、上記Ｂと同様
に比較的低い原子番号を有するＣおよびＮとの化合物で
あるＢ、ＣおよびＢＮの少なくとも一者をマスク基体材
料として用いたもので、優れたＸ線透過性を有している
。
毒性を有している上に光学的には不透明であるためマス
ク基体材料としては不向きである。本発明は上翫旧ｅに
最も近い原子番号を有する硼素（Ｂ）と、上記Ｂと同様
に比較的低い原子番号を有するＣおよびＮとの化合物で
あるＢ、ＣおよびＢＮの少なくとも一者をマスク基体材
料として用いたもので、優れたＸ線透過性を有している
。
しかも、上証旧。ＣあるいはＢＮは化学的に安定であり
、機械的強度も高く、熱膨張係数の点でもＳｉウェハに
対して支障を生ずることはない。また、それらは薄膜状
態では光学的にも透明であり、光によるマスク合わせも
可能である。さらに上証旧ＮやＢ４Ｃは通常のＣＶＤ技
術を用いて容易にＪ薄膜状に形成するとができ、前述の
Ｓｉ）ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ。等と同様の技術を応用する
ことができる。ＢＮおよびＢ、Ｃの生成反応の一例を示
すと式（１）、（２）の如くである。Ｂ、Ｈｏ＋２ＮＨ
、±乱鳥２ＢＮ＋哄 ・・・山風Ｈ６＋Ｃ３Ｈ６６００
〜８００’ｃ３ａ４ｃ＋２２Ｈ２・・・（２）第１図ａ
−ｆは本発明の一実施例を示すもので、ＢＮ膜を基体と
するマスクの製造工程の一例を示す工程図である。
、機械的強度も高く、熱膨張係数の点でもＳｉウェハに
対して支障を生ずることはない。また、それらは薄膜状
態では光学的にも透明であり、光によるマスク合わせも
可能である。さらに上証旧ＮやＢ４Ｃは通常のＣＶＤ技
術を用いて容易にＪ薄膜状に形成するとができ、前述の
Ｓｉ）ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ。等と同様の技術を応用する
ことができる。ＢＮおよびＢ、Ｃの生成反応の一例を示
すと式（１）、（２）の如くである。Ｂ、Ｈｏ＋２ＮＨ
、±乱鳥２ＢＮ＋哄 ・・・山風Ｈ６＋Ｃ３Ｈ６６００
〜８００’ｃ３ａ４ｃ＋２２Ｈ２・・・（２）第１図ａ
−ｆは本発明の一実施例を示すもので、ＢＮ膜を基体と
するマスクの製造工程の一例を示す工程図である。
即ち、ａに示すように厚さ約３００μｍ（７）Ｓｉウェ
ハ１を用意し、この上にｂに示すようにＣＶＤによるＢ
Ｎ膜２を約０．２μｍの厚さに形成する。
ハ１を用意し、この上にｂに示すようにＣＶＤによるＢ
Ｎ膜２を約０．２μｍの厚さに形成する。
次いでｃ工程ではパターンニグ用の約１μｍの厚さのレ
ジスト膜３を選択的に形成し、ｄの工程ではレジスト膜
３の上からＸ線阻止能の高いＡｕやＡ１、Ｓｊ等の金属
蒸着膜４を０．２〜１．０μｍの厚さに形成する。次に
ｅに示すようにリフトオフによりレジスト膜３と、その
上に蒸着された金属蒸着膜４を選択的に除去してパター
ンを形成し、最後にｆに示すように前記Ｓｉウェハ１を
ＢＮ膜２に達するまで選択的にバックエッチすることに
よりマスクが完成される。ｆ図において、残存したＳｉ
部１はマスク支持体として作用する。なお、本発明は、
ＢＮやＢｌＣを単体で使用する場合に限らず、上記両者
の複合膜あるいは他の材料と上記両者との複合膜等とす
る場合においても効果を有することは明らかである。
ジスト膜３を選択的に形成し、ｄの工程ではレジスト膜
３の上からＸ線阻止能の高いＡｕやＡ１、Ｓｊ等の金属
蒸着膜４を０．２〜１．０μｍの厚さに形成する。次に
ｅに示すようにリフトオフによりレジスト膜３と、その
上に蒸着された金属蒸着膜４を選択的に除去してパター
ンを形成し、最後にｆに示すように前記Ｓｉウェハ１を
ＢＮ膜２に達するまで選択的にバックエッチすることに
よりマスクが完成される。ｆ図において、残存したＳｉ
部１はマスク支持体として作用する。なお、本発明は、
ＢＮやＢｌＣを単体で使用する場合に限らず、上記両者
の複合膜あるいは他の材料と上記両者との複合膜等とす
る場合においても効果を有することは明らかである。
また、必ずしも薄膜でなく、厚膜等のバルクな材料、例
えば成形されたＢＮ又はＢ４Ｃあるいはシート状のＢＮ
又はＢ４Ｃ等の形で用いることも可能である。上述の如
く、本発明によれば、比較的長波長の軟Ｘ線に対しても
高い透過性を有し、かつ耐熱、耐薬品性、機械的強度に
おいても優れ、さらに薄膜においては光学的にも透明で
あり、しかも熱膨張系数の点においても支障を生ずるこ
とのない優れたＸ線露光用マスクを容易に得ることがで
きる。
えば成形されたＢＮ又はＢ４Ｃあるいはシート状のＢＮ
又はＢ４Ｃ等の形で用いることも可能である。上述の如
く、本発明によれば、比較的長波長の軟Ｘ線に対しても
高い透過性を有し、かつ耐熱、耐薬品性、機械的強度に
おいても優れ、さらに薄膜においては光学的にも透明で
あり、しかも熱膨張系数の点においても支障を生ずるこ
とのない優れたＸ線露光用マスクを容易に得ることがで
きる。
第１図ａ−ｆは本発明の一実施例によるマスクの製造工
程の一例を示す工程図である。 １・・・・・・Ｓｉウェハ、２・・・・・・ＢＮ膜、３
・・・・・ルジスト膜、４・・・・・・金属蒸着膜。
程の一例を示す工程図である。 １・・・・・・Ｓｉウェハ、２・・・・・・ＢＮ膜、３
・・・・・ルジスト膜、４・・・・・・金属蒸着膜。
Claims (1)
- １ 窒素の硼化物および炭素の硼化物の少なくとも一方
を基体材料に用いたことを特徴とする露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54009257A JPS6054671B2 (ja) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54009257A JPS6054671B2 (ja) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | 露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55101945A JPS55101945A (en) | 1980-08-04 |
| JPS6054671B2 true JPS6054671B2 (ja) | 1985-11-30 |
Family
ID=11715357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54009257A Expired JPS6054671B2 (ja) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054671B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57151945A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Hoya Corp | Photomask blank and its manufacture |
| JPS6167857A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-04-08 | Shuzo Hattori | Ｘ線リソグラフイ−用のマスク基板の製造法 |
| US4708919A (en) * | 1985-08-02 | 1987-11-24 | Micronix Corporation | Process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography using a monolithic support and resulting structure |
| US4820546A (en) * | 1986-09-19 | 1989-04-11 | Fujitsu Limited | Method for production of X-ray-transparent membrane |
| US4868093A (en) * | 1987-05-01 | 1989-09-19 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Device fabrication by X-ray lithography utilizing stable boron nitride mask |
| JP4961806B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2012-06-27 | 株式会社大林組 | ソイルセメント壁、基礎構造 |
| JP4830589B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2011-12-07 | 株式会社大林組 | 芯材、ソイルセメント壁、ソイルセメント壁杭、ソイルセメント壁の構築方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4979176A (ja) * | 1972-12-04 | 1974-07-31 | ||
| JPS52173A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-05 | Toshiba Corp | X-ray etching mask |
| JPS5212002A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-29 | Ibm | Method of high aspect ratio mask |
| JPS5319762A (en) * | 1976-08-09 | 1978-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | Mask device for x-ray exposure |
| JPS53143171A (en) * | 1977-05-20 | 1978-12-13 | Hitachi Ltd | Mask for x-ray transfer |
-
1979
- 1979-01-31 JP JP54009257A patent/JPS6054671B2/ja not_active Expired
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4979176A (ja) * | 1972-12-04 | 1974-07-31 | ||
| JPS52173A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-05 | Toshiba Corp | X-ray etching mask |
| JPS5212002A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-29 | Ibm | Method of high aspect ratio mask |
| JPS5319762A (en) * | 1976-08-09 | 1978-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | Mask device for x-ray exposure |
| JPS53143171A (en) * | 1977-05-20 | 1978-12-13 | Hitachi Ltd | Mask for x-ray transfer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55101945A (en) | 1980-08-04 |
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