JPS6167857A - Ｘ線リソグラフイ−用のマスク基板の製造法 - Google Patents
Ｘ線リソグラフイ−用のマスク基板の製造法Info
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- JPS6167857A JPS6167857A JP59189711A JP18971184A JPS6167857A JP S6167857 A JPS6167857 A JP S6167857A JP 59189711 A JP59189711 A JP 59189711A JP 18971184 A JP18971184 A JP 18971184A JP S6167857 A JPS6167857 A JP S6167857A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体ＬＳＩや超ＬＳＩ技術において要求さ
れるパターンの微細化および高密度化のために２μｍ以
下またはサブミクロンのパターンを形成ししかもコスト
の低減に役立つＸ線リソグラフィー用のマスク基板の製
造法に関するものであるＯ 従来の技術 従来、Ｘ線リソグラフィー用のマスクの製造方法として
は、厚さ０．８〜１．０μｍの金等のＸ線吸収体の膜を
基板上に真空蒸着し、その上に電子ビームレジスト膜を
スピンキャストし、そしてこのレジスト膜の上に所定の
パターンを電子ビーム描画装置を用いて描画し、照射さ
れたレジスト膜を浴媒を用いて現像し、こうして現像し
たリリーフパターンをイオンビームエツチングによって
金の膜に転写する方法一基板上１ｃ電子ビームレジスト
膜をスピンキャストし、形成したレジスト膜の上に電子
ビーム描画装置を用いて所定のパターンを描画し、照射
されたレジスト膜を浴媒によって現住し、レジスト膜上
のエツチングされた部分に金膜を真空蒸着し、そして残
っているレジスト膜とその上に蒸着された不必要な金膜
を除去するリフトオフ法と呼ばれる方法；およびＸ望蒸
着によって基板上に薄い金膜を形成し、形成された薄い
金膜の上に電子ビームレジスト膜を形成し、そして電子
ビーム描画装置を用いて所定のパターンを描画し、照射
されたレジスト膜を溶媒で現像し、そして最初に沈着し
た薄い金膜を電極として用いてレジスト膜のエツチング
した部分に金膜を電着する方法等が知られている。しか
し上述の第１の方法ではイオンビームエツチングに必要
なレジストｊμの厚さが金膜の厚さより厚く、従ってレ
ジストパターンの必要なアスぼクト比が極めて大きくな
り、またイオンビームエツチングで金膜を加工するのに
時間がか＼るという欠点がある。また第２のリフトオフ
法では除去すべき不必要な金膜の破片がしばしば基板上
罠残って重大な障害となる。さらに上記の第６の方法で
は電着による金膜の生長速度が種々のファクタによって
敏感に左右され、そのためマスク全面にわたって一睡な
膜厚を得るのが困難であるという欠点がある。
れるパターンの微細化および高密度化のために２μｍ以
下またはサブミクロンのパターンを形成ししかもコスト
の低減に役立つＸ線リソグラフィー用のマスク基板の製
造法に関するものであるＯ 従来の技術 従来、Ｘ線リソグラフィー用のマスクの製造方法として
は、厚さ０．８〜１．０μｍの金等のＸ線吸収体の膜を
基板上に真空蒸着し、その上に電子ビームレジスト膜を
スピンキャストし、そしてこのレジスト膜の上に所定の
パターンを電子ビーム描画装置を用いて描画し、照射さ
れたレジスト膜を浴媒を用いて現像し、こうして現像し
たリリーフパターンをイオンビームエツチングによって
金の膜に転写する方法一基板上１ｃ電子ビームレジスト
膜をスピンキャストし、形成したレジスト膜の上に電子
ビーム描画装置を用いて所定のパターンを描画し、照射
されたレジスト膜を浴媒によって現住し、レジスト膜上
のエツチングされた部分に金膜を真空蒸着し、そして残
っているレジスト膜とその上に蒸着された不必要な金膜
を除去するリフトオフ法と呼ばれる方法；およびＸ望蒸
着によって基板上に薄い金膜を形成し、形成された薄い
金膜の上に電子ビームレジスト膜を形成し、そして電子
ビーム描画装置を用いて所定のパターンを描画し、照射
されたレジスト膜を溶媒で現像し、そして最初に沈着し
た薄い金膜を電極として用いてレジスト膜のエツチング
した部分に金膜を電着する方法等が知られている。しか
し上述の第１の方法ではイオンビームエツチングに必要
なレジストｊμの厚さが金膜の厚さより厚く、従ってレ
ジストパターンの必要なアスぼクト比が極めて大きくな
り、またイオンビームエツチングで金膜を加工するのに
時間がか＼るという欠点がある。また第２のリフトオフ
法では除去すべき不必要な金膜の破片がしばしば基板上
罠残って重大な障害となる。さらに上記の第６の方法で
は電着による金膜の生長速度が種々のファクタによって
敏感に左右され、そのためマスク全面にわたって一睡な
膜厚を得るのが困難であるという欠点がある。
そこで先に本件出願人は特願昭５８−６７０３０号およ
び特願昭５８−６７０３１号に係る出願において上述の
従来の方法の欠点を解決したＸ線リソグラフィー用マス
クの製造法について提案した。これらの先に提案した方
法によれば、Ｘ線吸収層としてバルク金に代えて高分子
金粒子複合材料を用いることにより、厚いＸ線吸収層を
容易に微細加工できるようにし、これにより厚い金属の
ドライエツチング、リフトオフ法または電着を避けるこ
とができる。
び特願昭５８−６７０３１号に係る出願において上述の
従来の方法の欠点を解決したＸ線リソグラフィー用マス
クの製造法について提案した。これらの先に提案した方
法によれば、Ｘ線吸収層としてバルク金に代えて高分子
金粒子複合材料を用いることにより、厚いＸ線吸収層を
容易に微細加工できるようにし、これにより厚い金属の
ドライエツチング、リフトオフ法または電着を避けるこ
とができる。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、Ｘａ吸収層をモノマーガスによるプラズマ重
合と重金属の蒸着とを同時に行なってこのようなＸ線リ
ングラフイー用マスク基板を一貫製造できるようにする
ことを目的とする。
合と重金属の蒸着とを同時に行なってこのようなＸ線リ
ングラフイー用マスク基板を一貫製造できるようにする
ことを目的とする。
問題点を解決する念めの手段
従って、上記目的を達成するために、本発明によれば、
ｍｍによって除去可能な基板上に窒素ガス、ジボランお
よび炭化水素ガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤによ
ってＢ＊Ｎｘ Ｃ＋−）（を主を組成とするＸ線透過膜
を生長させ、その上に有機気体モノマーを原料とするプ
ラズマ重合膜の生長と同時に重金属の蒸着を行なって上
記重金属を主成分としかつ容易にプラズマエツチングで
きるＸ ８ ＋ｉｔ４止Ｓを生長させることを特徴とす
るＸ森すソグラフィー用のマスク基板の製造法が提供さ
れる。
ｍｍによって除去可能な基板上に窒素ガス、ジボランお
よび炭化水素ガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤによ
ってＢ＊Ｎｘ Ｃ＋−）（を主を組成とするＸ線透過膜
を生長させ、その上に有機気体モノマーを原料とするプ
ラズマ重合膜の生長と同時に重金属の蒸着を行なって上
記重金属を主成分としかつ容易にプラズマエツチングで
きるＸ ８ ＋ｉｔ４止Ｓを生長させることを特徴とす
るＸ森すソグラフィー用のマスク基板の製造法が提供さ
れる。
本発明においてはｎｍによって除去可能な基板はシリコ
ンから成ることができ、また重金属としては金やタング
ステン等が用いられ得る。
ンから成ることができ、また重金属としては金やタング
ステン等が用いられ得る。
作 用
本発明によるＸ線リソグラフィー用のマスク基板の製造
法においては基板上におけるＸ線阻止膜の形成はプラズ
マ重合および蒸着装置を用いて有機気体モノマーによる
プラズマ重合膜の生長と同時に金やタングステン等の重
金属を蒸着することによって一連の工程で行なうことが
でき、こうして形成されたＸ偽阻止膜は重金属を主成分
とししかも容易にプラズマエツチングすることができる
性質を備えている。
法においては基板上におけるＸ線阻止膜の形成はプラズ
マ重合および蒸着装置を用いて有機気体モノマーによる
プラズマ重合膜の生長と同時に金やタングステン等の重
金属を蒸着することによって一連の工程で行なうことが
でき、こうして形成されたＸ偽阻止膜は重金属を主成分
とししかも容易にプラズマエツチングすることができる
性質を備えている。
実施例
以下、添附図面を参照して本発明の実施例について説明
する。
する。
第１図は本発明の方法を実施するのに用いられ得る装置
の一例を示し、１はペルジャーでその中に放電部２およ
びタングステンポート３が処理すべき基板４をはさんで
配置されている。放′札部２は銅パイプ測のコイルで構
成され得、その端子をインピーダンス整合回路５を介し
てＲＦ ＩＥ電源に接続されている。一方タングステン
ボード３はＡｕの蒸着に用いられ、そして直流電源７に
接続されて蒸着中の電流値は例えば５０〜７０Ａにされ
得る。
の一例を示し、１はペルジャーでその中に放電部２およ
びタングステンポート３が処理すべき基板４をはさんで
配置されている。放′札部２は銅パイプ測のコイルで構
成され得、その端子をインピーダンス整合回路５を介し
てＲＦ ＩＥ電源に接続されている。一方タングステン
ボード３はＡｕの蒸着に用いられ、そして直流電源７に
接続されて蒸着中の電流値は例えば５０〜７０Ａにされ
得る。
また第１図において８は七ツマーガス導入管、９はキャ
リアガス導入管で、これらのガス導入管はステンレス鋼
から成り、それぞれニードルバルブ１０．１１によって
ペルジャー１内への供給量を調整できるようにされてい
る。処理すべき基板４は図示したように蒸着Ａｕと重合
膜厚が最大になるように約４５″傾斜して配置＜ｉされ
る０次に１１（２）の装置を用いた実１倹例について説
明する。
リアガス導入管で、これらのガス導入管はステンレス鋼
から成り、それぞれニードルバルブ１０．１１によって
ペルジャー１内への供給量を調整できるようにされてい
る。処理すべき基板４は図示したように蒸着Ａｕと重合
膜厚が最大になるように約４５″傾斜して配置＜ｉされ
る０次に１１（２）の装置を用いた実１倹例について説
明する。
まず実験条件としてペルジャー１内の初期圧力を２．７
ｘ １０−’ Ｐａ、 ガス圧力を６．７ ｘ １
０−” Ｐａとし、モノマーガスとしてＭＭＡ （メタ
クリル岐メチル）を使用し、キャリアガスとしてアルゴ
ンガスを用い、蒸発物として金を用い、七ツマガス（Ｎ
ＩＭＡ）の流量を８．Ｏ８Ｃ０Ｍとし、キャリアガス（
Ａｒ）の流量を２．８ ＳＣＣＭとし、ＢＦｔ源６を４
０Ｗ２周波数１５．５６ ＭＨｚとし、またガラス基板
を使用し之。
ｘ １０−’ Ｐａ、 ガス圧力を６．７ ｘ １
０−” Ｐａとし、モノマーガスとしてＭＭＡ （メタ
クリル岐メチル）を使用し、キャリアガスとしてアルゴ
ンガスを用い、蒸発物として金を用い、七ツマガス（Ｎ
ＩＭＡ）の流量を８．Ｏ８Ｃ０Ｍとし、キャリアガス（
Ａｒ）の流量を２．８ ＳＣＣＭとし、ＢＦｔ源６を４
０Ｗ２周波数１５．５６ ＭＨｚとし、またガラス基板
を使用し之。
この条件のもとてＭＭＡ重合膜の成膜と同時にＡｕの蒸
着を行なった。
着を行なった。
その結果、蒸着・エツチング速度についてＡｕを蒸着し
たときの蒸着速度は約２０Ａ／ｍｉｎであり、ＭＭＡの
蒸着速度は４０〜５５Ａ／ｍｉｎであるのに対し、ＭＭ
Ａ ＋ Ａｕでは蒸着速度は８０〜９０Ａ／ ｍｉｎが
観察された。ま念エツチング速度に関してはＡｕは文献
値では１００Ａ／ｍ１ｎ（但しＡｒまたはＣＦ’４）で
あるのに対し、ＭＭＡ ＋ Ａｕは２３０〜２４０ Ａ
／ｍｉｎが得られ、２，３〜２．４倍のエツチング速度
となり、加工が容易となることが認められる。また蒸着
速Ｊ俊’４ｉ’ｖｉＡ ／Ａｕの比はガス流量およびポ
ートへの電流値を変えることにより大幅に調整すること
ができるＯ タル２図は表面におけるＥＳＣＡの測定結果を示し、Ａ
ｕ ＋ ？／１ＭＡ中のＣ１Ｏのピーク以外にタングス
テンポートから導入されると考えられるＷや蒸着電流と
ポートを固定している金楓からと考えられるＺｎのピー
クが１！５！察される。
たときの蒸着速度は約２０Ａ／ｍｉｎであり、ＭＭＡの
蒸着速度は４０〜５５Ａ／ｍｉｎであるのに対し、ＭＭ
Ａ ＋ Ａｕでは蒸着速度は８０〜９０Ａ／ ｍｉｎが
観察された。ま念エツチング速度に関してはＡｕは文献
値では１００Ａ／ｍ１ｎ（但しＡｒまたはＣＦ’４）で
あるのに対し、ＭＭＡ ＋ Ａｕは２３０〜２４０ Ａ
／ｍｉｎが得られ、２，３〜２．４倍のエツチング速度
となり、加工が容易となることが認められる。また蒸着
速Ｊ俊’４ｉ’ｖｉＡ ／Ａｕの比はガス流量およびポ
ートへの電流値を変えることにより大幅に調整すること
ができるＯ タル２図は表面におけるＥＳＣＡの測定結果を示し、Ａ
ｕ ＋ ？／１ＭＡ中のＣ１Ｏのピーク以外にタングス
テンポートから導入されると考えられるＷや蒸着電流と
ポートを固定している金楓からと考えられるＺｎのピー
クが１！５！察される。
第３図にはＡｕス・ξツタを５分行なった後の表面の状
態を示し、第２図と同様にＡｕ、 Ｃ，Ｏ，Ｗ。
態を示し、第２図と同様にＡｕ、 Ｃ，Ｏ，Ｗ。
Ｚｎ の各ピークが観察され、これらの金１Ｊ４ｃ、
０は）１す中にも分布している。またＷ、Ｚｎを無視し
た場合の各原子量（ａｔｏｍｉｃ％）は下記の通りであ
り、膜中ではＡｕの量が相対的に大きくなって−ること
が認められる。
０は）１す中にも分布している。またＷ、Ｚｎを無視し
た場合の各原子量（ａｔｏｍｉｃ％）は下記の通りであ
り、膜中ではＡｕの量が相対的に大きくなって−ること
が認められる。
第４図にはＡｒ ： ２．８ ＳＣＣＭ 、 ｒ＆’ｖ
９． ： ８．ＯＳＣＣＭ。
９． ： ８．ＯＳＣＣＭ。
ガス圧６．７ｘ１０ Ｐａ、 １３．５６ＭＨｚ、
４０Ｗ、 で一時間成膜したときのＰＰＭＭＡのＩ
Ｒスペクトルを示すＯ 第５図ににＣ１８のＦＪｓｃＡによるスペクトルを示し
、ケミカルシフトは表面、 Ａｒスパッタ後はとんど現
呈されない。表面上には２８９ ｅＶ付近にメチルエス
テル構造によるピーフカ；若干ＥＬＭされる。
４０Ｗ、 で一時間成膜したときのＰＰＭＭＡのＩ
Ｒスペクトルを示すＯ 第５図ににＣ１８のＦＪｓｃＡによるスペクトルを示し
、ケミカルシフトは表面、 Ａｒスパッタ後はとんど現
呈されない。表面上には２８９ ｅＶ付近にメチルエス
テル構造によるピーフカ；若干ＥＬＭされる。
第６図にはＡｕ４ｆ のＥ２ＳＣＡによるスペクトルを
示し、Ｃピークは表面と膜中とでｎ著な差が観察される
が、ＡｕはＡｒスパッタの前後でほぼ一致しており、こ
れは、Ａｕの膜中での分布が均一に近いと考えることが
できる。
示し、Ｃピークは表面と膜中とでｎ著な差が観察される
が、ＡｕはＡｒスパッタの前後でほぼ一致しており、こ
れは、Ａｕの膜中での分布が均一に近いと考えることが
できる。
先明の効果
以上説明してきたように本発明によれば、Ｘ線リングラ
フイー用マスク基板の製造において、有機気体モノマー
のプラズマ重合膜の生長と同時に金やタングステン等の
Ｘ線吸収材の蒸着を行なうことにより一連のプロセスで
基板上にＸｆ“Ａ阻止膜を形成することができ、またこ
のようにして形成されたＸｔｊ阻止膜は容易にプラズマ
エツチングすることができ、その結果、２μｍ以下のパ
ターンを容易に形成することができ、パターンの微細化
や高密度化と共にコストの低減を達成できる。
フイー用マスク基板の製造において、有機気体モノマー
のプラズマ重合膜の生長と同時に金やタングステン等の
Ｘ線吸収材の蒸着を行なうことにより一連のプロセスで
基板上にＸｆ“Ａ阻止膜を形成することができ、またこ
のようにして形成されたＸｔｊ阻止膜は容易にプラズマ
エツチングすることができ、その結果、２μｍ以下のパ
ターンを容易に形成することができ、パターンの微細化
や高密度化と共にコストの低減を達成できる。
第１図は本発明の方法を実施するのに用いられるプラズ
マ重合および蒸着装置を示す概略線図、第２図〜第６図
は第１図の装置を用いた実験例の説明線図である。 図面の浄書（内容に変更なし） 第２図 ａ４ｆ 結合エネルギ（ｅ？Ｉ） 結合エネルギ（ｅｙ） ；＆２Ｃの！′７” 、２；（内“１ニ戸□１こ変更な
しン第４図 、１３ １〜゛ 結合エネルギ （ｅｖ） 図面の＃−占（内容に変更なし） Ａμ４ｆ 結合エネルギ （ｅｖ） 手続補正書（方式） 昭和６０年 ２月２６日
マ重合および蒸着装置を示す概略線図、第２図〜第６図
は第１図の装置を用いた実験例の説明線図である。 図面の浄書（内容に変更なし） 第２図 ａ４ｆ 結合エネルギ（ｅ？Ｉ） 結合エネルギ（ｅｙ） ；＆２Ｃの！′７” 、２；（内“１ニ戸□１こ変更な
しン第４図 、１３ １〜゛ 結合エネルギ （ｅｖ） 図面の＃−占（内容に変更なし） Ａμ４ｆ 結合エネルギ （ｅｖ） 手続補正書（方式） 昭和６０年 ２月２６日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、溶解によつて除去可能な基板上に窒素ガス、ジボラ
ンおよび炭化水素ガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ
によつてＢｘＮｘＣ＿１＿−＿ｘを主な組成とするＸ線
透過膜を生長させ、その上に有機気体モノマーを原料と
するプラズマ重合膜の生長と同時に重金属の蒸着を行な
つて上記重金属を主成分としかつ容易にプラズマエッチ
ングできるＸ線阻止膜を生長させることを特徴とするＸ
線リソグラフィー用のマスク基板の製造法。 ２、溶解によつて除去可能な基板がシリコンである特許
請求の範囲第１項に記載の方法。 ３、重金属が金である特許請求の範囲第１項に記載の方
法。 ４、重金属がタングステンである特許請求の範囲第１項
に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59189711A JPS6167857A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | Ｘ線リソグラフイ−用のマスク基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59189711A JPS6167857A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | Ｘ線リソグラフイ−用のマスク基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167857A true JPS6167857A (ja) | 1986-04-08 |
Family
ID=16245911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59189711A Pending JPS6167857A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | Ｘ線リソグラフイ−用のマスク基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167857A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0260718A2 (en) * | 1986-09-19 | 1988-03-23 | Fujitsu Limited | An X-ray-transparent membrane and its production method |
| JPS63137231A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Res Dev Corp Of Japan | 光リソグラフイ−用マスク及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52153412A (en) * | 1976-06-15 | 1977-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of electric substrate |
| JPS5318078A (en) * | 1976-07-31 | 1978-02-18 | Efu Desurooriyaasu Kuroobisu | Separation method and apparatus |
| JPS55101945A (en) * | 1979-01-31 | 1980-08-04 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Mask for exposure |
-
1984
- 1984-09-12 JP JP59189711A patent/JPS6167857A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52153412A (en) * | 1976-06-15 | 1977-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of electric substrate |
| JPS5318078A (en) * | 1976-07-31 | 1978-02-18 | Efu Desurooriyaasu Kuroobisu | Separation method and apparatus |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0260718A2 (en) * | 1986-09-19 | 1988-03-23 | Fujitsu Limited | An X-ray-transparent membrane and its production method |
| JPS63137231A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Res Dev Corp Of Japan | 光リソグラフイ−用マスク及びその製造方法 |
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