JPS6046372A - 薄膜形成方法 - Google Patents

薄膜形成方法

Info

Publication number
JPS6046372A
JPS6046372A JP15271383A JP15271383A JPS6046372A JP S6046372 A JPS6046372 A JP S6046372A JP 15271383 A JP15271383 A JP 15271383A JP 15271383 A JP15271383 A JP 15271383A JP S6046372 A JPS6046372 A JP S6046372A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
thin film
electron beam
deposited
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP15271383A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0830272B2 (ja
Inventor
Shinji Matsui
真二 松井
Susumu Asata
麻多　進
Katsumi Mori
克己 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58152713A priority Critical patent/JPH0830272B2/ja
Priority to US06/643,194 priority patent/US4605566A/en
Publication of JPS6046372A publication Critical patent/JPS6046372A/ja
Publication of JPH0830272B2 publication Critical patent/JPH0830272B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H01L21/2257—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer being silicon or silicide or SIPOS, e.g. polysilicon, porous silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2258—Diffusion into or out of AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/2636—Bombardment with radiation with high-energy radiation for heating, e.g. electron beam heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、デポジションさせるべき材料を含んだガス雰
囲気中において基板上に電子ビームを照射し、基板上に
雰囲気ガスに含まれるデポジション材料をデポジション
させる薄膜形成方法である。
従来、基板上にパターンを形成する場合、第１図および
第２図で示されている工程が行なわれている。第１図（
１）　、　＜２）　、　（３）　、　（４）　、　（５
）では、基板ｌｌ上にパターン形成材料１２ｔ−蒸着や
スパッタ法によシ形成する（（１）図）。さらにレジス
ト１３を塗布しく（２）図）、次に光露光や電子ビーム
露光によシレジスト１３のバターニングをする（　（３
）図）。
そして、レジストパターン１３をマスクとしてケミカル
エツチングまたは、ドライエツチングによシバターン形
ｇ材料１２ヘパターントランスファーを行なう（（４）
図）。そして、レジスト１３をはく少する（（５）図）
、第２図（１）　、　（２）　、　（３）　、　（４）
ではリフトオフ工程を示している。基板２１上にレジス
ト２２を塗布しく（１）図）、次に光露光や１子ビーム
露光によシレジスト２２のパターニングをする（（２）
図）。次にパターン材料２３を蒸着しく（３）図）、こ
の従来の方法では基板上にパターン材料を形成するのに
工程がきわめて長いという欠点を有していた。
本発明の目的は、レジスト等のマスクを必要とせず、高
精度、高純度の微細な渇膜パターンを形成することので
きる、電子ビームを用いた薄膜形成方法を提供すること
でおる。
木兄ＢＡＫよれば、少なくとも堆積させるべき材料を構
成元素として含んだガスを被堆積基板上に流し、基板の
所望の部分に電子ビームを照射して前記材料を基板上に
堆積させることを特徴とする薄膜形成方法が得られる。
次に、本発明の原理と作用について第３図を用いて説明
する。デポジションさせるべき材料を含んだガス分子３
３の雰囲気中に被デポジション基板３１を設置すると、
ガス分子３３が被デボジシｌン基板３１０表面上に吸着
する。３２がその吸着ガス分子を示している。電子ビー
ム３６を基板３１上に照射すると、照射された部分の雰
囲気ガスの吸着分子３２が電子ビーム３６のエネルギー
によシ雰囲気ガス吸着分子３２に含まれるデボジシ冒ン
材料元素３４と揮発性材料分子３５に分解し、デポジシ
ョン材料元素３４は基板表面に析出する。一方探発性材
料分子３５は排出される。以上の様な原理によ）被デポ
ジション基板３１表面上に電子ビーム照射により、直接
、雰囲気ガス中に含まれるデポジション材を析出させパ
ターニングする。
以下、本発明の実施例について図面ｔＳ照して説明する
。第４図は本実施例で用いる装置の構成図である。本装
置は電子ビーム照射系４１０％試料室４０８、副試料室
４０６、及び雰囲気ガス材料収納室４０１とから構成さ
れている。本実施例においては、クロム（Ｃｒ）を構成
元素として含むビスベンゼンクロムＣｒ（Ｃ，Ｈｓ）ｓ
を雰囲気ガスとして用い、集束された電子ビーム照射に
よ、？Ｓｉ基板上にＣｒをデポジションさせた。Ｃｒ（
ＣｓＨａ）ｓ４０２を雰囲気ガス材料収納室４０１に入
れ、ＣｒをデボジシランさせるＳｌ基板４０５を試料台
４０４にセットする。電子ビーム照射量４１ｏと試料室
４０８を１Ｏ−５Ｔｏｒｒ程度以上の高真空に排気する
。副試料室４０６に設置されたビンポール４０７は副試
料室４０６内部と外部との差圧を保つためと、電子ビー
ム４１２ｔデポジシ１ンさせる基板４０５上に照射する
ための通路として設置されている。副試料室４０６と雰
囲気ガス材料収納室４０１とは配管４０３によって接続
されておシ、試料室４０８を真空排気することにより、
ピンホール４０７を通して、副試料室内部および雰囲気
ガス材料収納室４０１内部が真空排気される。
雰囲気ガス材料であるＣｒ（ＣｓＨｓ）ｓは大気中では
固体でおるが真空にひくことによシ、容易に昇華し、配
管４０３を通シ、副試料室４０６内部が雰囲気ガスであ
るＣｒ（ＣｉＨｉ）ｓで充満される。圧力は５ｍＴｏｒ
ｒ程度である。この様にして、Ｓｉ基板４０５の雰囲気
がビスベンゼンクロムとなシ、電子ビーム４１２をピン
ホール４０７を通して８１基板４０５の所望の部分に照
射することによシＳｉ基板４０５表面上に吸着されたＣ
ｒ（ＣｓＨａ）ｓを分解する。その分解の結果ビスベン
ゼンクロムはＣｒとベンゼン（Ｃ，Ｈ・）に分かれる。
Ｃｒはｓｉ基板４０５上に析出する。−万〇、Ｈ，は揮
発性ガスであるので排出される。この様にしてＣｒがＳ
ｉ基板４０５表面の所望の部分にデポジションされる。
第５図は実験結果である。照射量に対するデポジション
厚さの関係を示している。第５図に示されている様に本
実施例によシ簡単に基板上にＣｒｔ−デポジションでき
る。本実施例において、線幅０．１　ｐｍ　ｔＤ　Ｃｒ
パターンが形成された。
また基板上に段差がある場合でも、段差面上も平坦面と
ほぼ同程度の厚さにＣｒ膜が堆積できる。
本発明においては電子ビーム露光と同様のビーム制御技
術を用いることができ、縁幅、膜厚を十分制御して堆積
ができる。パターン組幅は電子ビームの径に依存し、一
方デポジション厚さは照射量に依存するので、輻幅と厚
さはそれぞれはＰｊ狂立に設定することができ、アスペ
クト比の高いパターンを形成することができる。
本実施例では、デボジシ！！７材料としてＣｒを含むＣ
ｒ（Ｃ，Ｈ・）、を雰囲気ガスとして用いたが、構成元
素としてＭｅを含むＭｏ（Ｃｓ　Ｈａ）ｓ、構成元素と
してＡｌを含むＡＩ！（ＣＨｓ）ｓ、等の有機金属化合
物に対しても同様の効果を示す。Ｍｏ（ＣａＨａ）ｓを
用いるとＭｏが堆積され、ＡＪ　（ＣＨ，）　、を用い
るとＡｎ　が堆積される。
その他にも原料としてＷＣｌ６．ＷＣＩｊ、、ＷＢｒ。
等を用いればＷが堆積できる。またＭ　ｏ　Ｃｌ　ｓ　
。
ＭｏＢｒ、　等を用いればＭｏを堆積できる。同様にし
てＴ　ａ　Ｃｌ　ｓ　、　Ｔ　Ｉ　Ｂ　ｒ　ｓ等でＴａ
、ＴｉＩ、等でＴｉ、ＺｒＩ４等でＺｒが堆積できる。
以上述べたＡＩ、Ｍｏ、Ｗ。
Ｔｓ等はＩＣ，ＬＳＩにおいて配線、ゲート電極等に用
いることができる。
また本発明の方法で堆積できる薄材料は何も金属に限る
わけではない。例えば原料としてＳｉＨ。
ガスを用いればＳｉ膜を堆積できる。一方ＢＣらやＢＢ
ｒ、を用いればＢ　、ｐｏｃｚｓを用いればＰを堆積で
き、また基板中にこのＢ−？Ｐをドープできる。
更に基板上での流量比や圧力を調整すればＢ−？Ｐがド
ープされたＳ１展を基板上に形成できる。また前記のよ
うにＢ−？Ｐを堆積あるいはドープできるから、８１十
ＧａＡｓ等の半導体基板表面にｐｎ接合を形成すること
ができる。
またＴｉＣｊ４ガスと、Ｎ、ガスを同時に基板表面上に
流して電子ビームを照射することによってＴｉＮを堆積
できる。ＴＩＩ、とＮ＊　、　Ｔ１　（Ｎ（ＣｓＨｓ）
ｓ　）４でもＴＩＮを形成できる。またＳ　１　（ＯＣ
ｓＨｓ　）　ａを用いればＳｉＯ＠、Ｔａ（ＯＣ＊Ｈｉ
）ｓを用いればＴａ、Ｏ，が形成できる。また前記Ｂａ
ら、　ＢＢｒ、と前記金属形成材料とを同時に用いると
ポライド膜を形成できる。
以上述べた金属膜等の堆積方法において原料のガス以外
にＡｒ等のキャリアガスを流せば、堆積速度を大きくす
ることができる。原料ガスを固体の昇華や液体の蒸発で
得ている場合はその固体や液体を加熱すれば堆積速度を
大きくすることができる。
本発明は以上説明した様に、デボジショ／材料を含む雰
囲気ガス中において基板表面に電子ビームを照射するこ
とによシブポジション材料を析出させることができ、従
来の方法に比べて工程がきわめて簡単でおる。
なお前記実施例では集束された電子ビームを用いたが、
集束されていない電子ビームを用いてもよい。
以上の説明では、本発明を、微細な薄膜パターンを形成
する方法、あるいは単に薄膜を形成する方法として述べ
たが、本発明は原料から基板上へいきなル高純度にｎ製
されたＩＡを堆積する方法としてとらえてもよい。即ち
本発明によれば、それほど高純度でない原料からでも高
純度な膜を堆積できる。つまシ原料Ｏ＃ｌ製と膜の堆積
とが同時に進行するわけである。
【図面の簡単な説明】 第１図（１）　、　（２）　、　（３）　、　（４）　
、　（５）および第２図（１）　、　（２）　。 （３）　、　（４）は基板上にパターンを形成する従来
の方法を説明するための図で、主要工程における基板の
断面を順次示した模式的断面図である。第３図は本発明
の原理と作用を説明する模式図である。第４図は本発明
の実施例で用いる装置の構成図である。第５図１＄、第
４図で示した実施例の実験データを示す図である。 図において １１．２１−・基板、１２．２３　・・・パターン材料
、１３．２２−−レジスト、３１−・基板、３３−・雰
囲気ガス分子、 ３２一基板表面に吸着した雰囲気ガス分子、３４−［子
ビ一台照射によシ、基板表面に吸着した雰囲気ガス分子
が分解した結果析出したデボジシ曹ン材料分子、 ３５−電子ビーム照射にょシ、基板表面に吸着した雰囲
気ガス分子が、分解した結果生成された挿発性物質分子
、 ３６−電子ビーム、４０１−雰囲気ガス材料収納室、４
０２−デボジン１ン材料を含む雰囲気ガス材料、４０３
−雰囲気ガス材料収納室と副試料室とを接続する配管、
　４０４−・試料台、 ４０５−デポシフ！ンさせる基板、 ４０６・−副チエンバー、　４０７・・・ピンホール、
４０８−・試料室、４０９・−電子ビーム収束レンズ、
４１０−・・電子ビーム鋭部、４１１・−・電子ビーム
ガン。 、／′ 代理人弁理上内原　晋、１．’　、１ｇ、２．−・＼−
７／ 第１図 （１） （２） （３） （４） （５） （２） （４） ３

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 少々くとも堆積させるべき材料を構成元素として含んだ
    ガスを被堆積基板上に流し、基板の所望の部分に電子ビ
    ームを照射して前記材料を基板上に堆積させることを特
    徴とする薄膜形成方法。
JP58152713A 1983-08-22 1983-08-22 薄膜形成方法 Expired - Lifetime JPH0830272B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58152713A JPH0830272B2 (ja) 1983-08-22 1983-08-22 薄膜形成方法
US06/643,194 US4605566A (en) 1983-08-22 1984-08-22 Method for forming thin films by absorption

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58152713A JPH0830272B2 (ja) 1983-08-22 1983-08-22 薄膜形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6046372A true JPS6046372A (ja) 1985-03-13
JPH0830272B2 JPH0830272B2 (ja) 1996-03-27

Family

ID=15546523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58152713A Expired - Lifetime JPH0830272B2 (ja) 1983-08-22 1983-08-22 薄膜形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0830272B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02262968A (ja) * 1988-12-02 1990-10-25 Cdi Consolidated Devices Inc トルクレンチ及びこのトルクレンチを調節又は校正するための装置
US5071671A (en) * 1984-02-28 1991-12-10 Seiko Instruments Inc. Process for forming pattern films
US5147823A (en) * 1988-09-20 1992-09-15 Sony Corporation Method for forming an ultrafine metal pattern using an electron beam
US8617668B2 (en) 2009-09-23 2013-12-31 Fei Company Method of using nitrogen based compounds to reduce contamination in beam-induced thin film deposition

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5221229A (en) * 1975-08-13 1977-02-17 Kogyo Gijutsuin Partial plating method by gaseous phase plating method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5221229A (en) * 1975-08-13 1977-02-17 Kogyo Gijutsuin Partial plating method by gaseous phase plating method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5071671A (en) * 1984-02-28 1991-12-10 Seiko Instruments Inc. Process for forming pattern films
US5147823A (en) * 1988-09-20 1992-09-15 Sony Corporation Method for forming an ultrafine metal pattern using an electron beam
JPH02262968A (ja) * 1988-12-02 1990-10-25 Cdi Consolidated Devices Inc トルクレンチ及びこのトルクレンチを調節又は校正するための装置
US8617668B2 (en) 2009-09-23 2013-12-31 Fei Company Method of using nitrogen based compounds to reduce contamination in beam-induced thin film deposition

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0830272B2 (ja) 1996-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4624214A (en) Dry-processing apparatus
US20060078680A1 (en) Method for forming a carbon nanotube and a plasma CVD apparatus for carrying out the method
US4605566A (en) Method for forming thin films by absorption
JPH02217469A (ja) 薄膜の形成方法
JPS60236219A (ja) プラズマ生成したソースガスを用いた蒸着方法
US4058638A (en) Method of optical thin film coating
JPH0458178B2 (ja)
JPS6046372A (ja) 薄膜形成方法
EP0054189A1 (en) Improved photochemical vapor deposition method
JPS63317676A (ja) 無粒構造金属化合物薄膜の製造方法
JPH0658889B2 (ja) 薄膜形成方法
JPH0654756B2 (ja) 薄膜形成方法
JP2776807B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01104763A (ja) 金属化合物薄膜の製造方法
JPH0666261B2 (ja) 薄膜形成方法
JPH01150139A (ja) デバイスのマスク修正プロセスとマスク
JPH0559991B2 (ja)
JP2770822B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60190560A (ja) モリブデンのデポジシヨン方法
JPS6362866A (ja) 炭素薄膜の形成方法及びその装置
JPH0745706B2 (ja) 窒化チタン薄膜の形成方法
JPH02183530A (ja) 半導体素子の作製方法
JPS63282270A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61256640A (ja) プラズマ気相成長装置
JPS6293380A (ja) シリサイド薄膜形成方法